Electronique

1. Principes fondamentaux des semi-

conducteurs

Dr. Abdessattar Bouzid

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Sfax (ISIMS)

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 Contenu

• Semi-conducteurs.

• Courant dans les semi-conducteurs.

• Semi-conducteur Type-N.

• Semi-conducteur Type-P.

• Jonction PN.

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 Atome de Bohr

Le modèle de Bohr de l'atome est que les électrons ne peuvent

circuler autour du noyau que sur des orbites spécifiques, qui
correspondent à des niveaux d'énergie discrets appelés Couche.
Énergie

Le numéro atomique est le

nombre de protons dans le
noyau.
La bande occupée la plus
externe est appelée bande de
valence et les électrons qui
Noyau Couche 1
occupent cette bande sont
Couche 2
appelés électrons de valence.

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 Atome de Bohr

Le modèle de Bohr d'un atome montrant des électrons en orbite autour du

noyau, qui se compose de protons et de neutrons.

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 Isolants

• Un isolant est un matériau qui ne conduit pas le courant électrique dans les
conditions normales.
• La plupart des bons isolants sont des composés plutôt que des matériaux à un
seul élément et ont des résistivités très élevées.
• Les électrons de valence sont fortement attaché aux atomes; par conséquent,
il y a très peu d'électrons libres dans un isolant.
• Des exemples d'isolants sont le caoutchouc, les plastiques, le verre, le mica et
le quartz.

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 Conductors

• Un conducteur est un matériau qui conduit facilement le courant électrique.

• La plupart des métaux sont des bons conducteurs.
• Les meilleurs conducteurs sont les matériaux à un seul élément, tels que le
cuivre (Cu), l'argent (Ag), l'or (Au) et l'aluminium (Al), qui sont caractérisés
par des atomes avec un seul électron de valence très faiblement lié à l'atome.
Ces électrons de valence faiblement liés deviennent des électrons libres.
Core (+1)
• Dans un matériau conducteur, les électrons libres
sont les électrons de valence.
Bande de
valence
+29

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 Semiconductors
• Un semi-conducteur est un matériau qui se situe entre les conducteurs et les
isolants dans sa capacité à conduire le courant électrique.
• Un semi-conducteur à l'état pur (intrinsèque) n'est ni un bon conducteur ni un
bon isolant.
• Les semi-conducteurs à un seul élément sont l'antimoine (Sb), l'arsenic (As),
l'astatine (At), le bore (B), le polonium (Po), le tellure (Te), le silicium (Si) et
le germanium (Ge).
• Les semi-conducteurs composés tels que l'arséniure de gallium, le phosphure
d'indium, le nitrure de gallium, le carbure de silicium et le silicium-germanium
sont également couramment utilisés.
• Les semi-conducteurs à un seul élément sont caractérisés par des atomes à
quatre électrons de valence. Le silicium (Si) est le semi-conducteur le plus
couramment utilisé.
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 Semiconductors

• Un transistor est fabriqué à base de matériaux semi-conducteurs. Donc sans

semi-conducteurs, pas de transistors, pas de processeur, pas d'ordinateur, de
téléphone, de tablettes ou de télévision.

• Tous les circuits actifs actuels (Analogiques comme Numériques) sont

fabriqués à base de semi-conducteurs. Toute l'électronique moderne les utilise.

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 Le tableau périodique des éléments

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 Diagrammes énergétiques

• Eg = 1.11 eV pour Si
• Eg = 0.67 eV pour Ge

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 Silicium (Si)

Le silicium est un exemple de semi-

Core (+4)
conducteur à élément unique. Il a
quatre électrons dans sa bande de
+14
valence.

+4

Contrairement aux métaux, le silicium forme de

fortes liaisons covalentes (électrons partagés) +4 +4 +4

avec ses voisins. Le silicium intrinsèque est un

mauvais conducteur car la plupart des électrons
+4
sont liés dans le cristal et participent à la
formation des liaisons entre les atomes.

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 Liens covalents

(a) L'atome de silicium au centre (b) Schéma de liaison. Les signes

partage un électron avec chacun des négatifs rouges représentent les
quatre atomes de silicium voisin, créant électrons de valence partagés.
une liaison covalente avec chacun. Les
atomes voisin sont à leur tour liés à
d'autres atomes, et ainsi de suite.
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 Liens covalents dans un cristal de silicium

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 Courant dans les semi-conducteurs
A basse température

• Diagramme de bande
énergitiques pour un atome non
excité (pas d'énergie externe
telle que la chaleur) dans un
cristal de silicium pur
(intrinsèque).

• Il n'y a pas d'électrons dans la

bande de conduction.

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 Courant dans les semi-conducteurs
À température ambiante

• Création de paires électron-trou dans un cristal de silicium. Les

électrons de la bande de conduction sont des électrons libres.

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 Courant dans les semi-conducteurs
À température ambiante

• Un cristal de silicium intrinsèque (pur) à température ambiante a une énergie

thermique suffisante pour que certains électrons de valence sautent l'écart de la
bande de valence dans la bande de conduction, devenant des électrons libres.
• Lorsqu'un électron saute dans la bande de conduction, une vacance est laissée
dans la bande de valence à l'intérieur du cristal. Cette lacune s'appelle un trou.
• Pour chaque électron élevé dans la bande de conduction par une énergie
externe, il reste un trou dans la bande de valence, créant ce qu'on appelle une
paire électron-trou.
• La recombinaison se produit lorsqu'un électron de la bande de conduction
perd de l'énergie et retombe dans un trou de la bande de valence.

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 Courant dans les semi-conducteurs
À température ambiante
• Un morceau de silicium intrinsèque à température ambiante possède, à tout
instant, un certain nombre d'électrons de bande de conduction (libres) qui ne
sont attachés à aucun atome et se déplace de manière aléatoire dans tout le
matériau. Il existe également un nombre égal de trous dans la bande de valence
créés lorsque ces électrons sautent dans la bande de conduction.

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 Courant d’ électrons
• Lorsqu'une tension est appliquée à travers un morceau de silicium
intrinsèque, les électrons libres générés thermiquement dans la bande
de conduction, qui sont libres de se déplacer de manière aléatoire dans
la structure cristalline, sont maintenant facilement attirés vers
l'extrémité positive.
• Ce mouvement d'électrons libres est un type de courant dans un
matériau semi-conducteur et appelé courant d'électrons.

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 Courant de trous

Lorsqu'un électron de valence se déplace de gauche à droite pour remplir un

trou tout en laissant un autre trou derrière lui, le trou s'est effectivement
déplacé de droite à gauche.

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 Semi-conducteur intrinsèque

• Les matériaux semi-conducteurs ne conduisent pas bien le courant et

ont une valeur limitée dans leur état intrinsèque. Cela est dû au nombre
limité d'électrons libres dans la bande de conduction et de trous dans la
bande de valence.
• Le silicium intrinsèque (ou germanium) doit être modifié en
augmentant le nombre d'électrons libres ou de trous pour augmenter sa
conductivité. Cela se fait en ajoutant des impuretés au matériau
intrinsèque.
• Dans un semi-conducteur intrinsèque, la concentration d'électrons
libres et de trous est la même:

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 Semi-conducteur extrinsèque

• Puisque les semi-conducteurs sont généralement de mauvais

conducteurs, leur conductivité peut être considérablement augmentée
par l'ajout contrôlé d'impuretés au matériau semi-conducteur
intrinsèque (pur).
• Ce processus, appelé dopage, augmente le nombre de porteurs de
courant (électrons ou trous).
• Deux types de matériaux semi-conducteurs extrinsèques (impurs), le
type n et le type p, sont les éléments constitutifs clés de la plupart des
composants électroniques.

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 Semi-conducteur Type-N
• Pour augmenter le nombre d'électrons de la bande de conduction dans
le silicium intrinsèque, des atomes d'impuretés pentavalentes sont
ajoutés. Ce sont des atomes à cinq électrons de valence tels que
l'arsenic (As), le phosphore (P), le bismuth (Bi) et l'antimoine (Sb).
• Parce que l'atome pentavalent donne un électron, on l'appelle souvent un
atome donneur.

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 Porteurs majoritaires et minoritaires

• Puisque la plupart des porteurs de courant sont des électrons, le

silicium (ou le germanium) dopé avec des atomes pentavalents est un
semi-conducteur de type n (le n représente la charge négative
d’électron).
• Les électrons sont appelés les porteurs majoritaires dans un matériau
de type n.
• Bien que la majorité des porteurs de courant dans les matériaux de
type n sont des électrons, quelques trous sont également créés lorsque
des paires électron-trou sont générées thermiquement.
• Les trous dans un matériau de type n sont appelés porteurs
minoritaires.
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 Semi-conducteur Type-P
• Pour augmenter le nombre de trous dans le silicium intrinsèque, des atomes
d'impuretés trivalentes sont ajoutés. Ce sont des atomes à trois électrons de
valence tels que le bore (B), l'indium (In) et le gallium (Ga).
• Parce que l'atome trivalent peut prendre un électron, il est souvent appelé
atome accepteur.

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 Porteurs majoritaires et minoritaires

• Comme la plupart des porteurs de courant sont des trous, le silicium

(ou le germanium) dopé avec des atomes trivalents est appelé un semi-
conducteur de type p.
• Les trous sont les porteurs majoritaires dans les matériaux de type p.
• Bien que la majorité des porteurs de courant dans les matériaux de
type p sont des trous, il existe également quelques électrons dans la
bande de conduction qui sont créés lorsque des paires électron-trou sont
générées thermiquement.
• Les électrons de la bande de conduction dans un matériau de type p
sont les porteurs minoritaires.

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 Jonction PN
• Si un morceau de silicium intrinsèque est dopé de sorte qu'une partie
est de type n et l'autre partie est de type p, une jonction pn se forme à la
frontière entre les deux régions.
• La région p a de nombreux trous (porteurs majoritaires) provenant des
atomes d'impuretés et seulement quelques électrons libres générés
thermiquement (porteurs minoritaires). La région n a de nombreux
électrons libres (porteurs majoritaires) provenant des atomes
d'impuretés et seulement quelques trous générés thermiquement
(porteurs minoritaires).
• La jonction pn est la base des diodes, de certains transistors, des
cellules solaires et d'autres dispositifs électroniques.
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 Jonction PN

( a ) La structure de base du silicium au moment de la formation de la

jonction ne montrant que les porteurs majoritaires et minoritaires. Les
électrons libres dans la région n près de la jonction pn commencent à se
diffuser à travers la jonction et se combinent avec des trous près de la
jonction dans la région p.
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 Jonction PN

(b) Pour chaque électron qui diffuse à travers la jonction et se combine avec un
trou, une charge positive est laissée dans la région n et une charge négative est
créée dans la région p, formant une barrière de potentiel. Cette action se
poursuit jusqu'à ce que la tension de la barrière repousse la diffusion ultérieure.
Les flèches bleues entre les charges positives et négatives dans la région de
déplétion représentent le champ électrique.
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 Qu'est-ce qui cause la déplétion?

• Les électrons se déplacent de droite à gauche pour remplir

les + trous.
• Là où les électrons et les trous se combinent, la zone est
"appauvrie" en porteurs de courant.
• Cela laisse la région droite (type N) positif, ce qui finit par
empêcher la déplétion de se propager encore.
• Le terme appauvrissement fait référence au fait que la
région proche de la jonction pn est appauvrie en porteurs
de charge (électrons et trous) en raison de la diffusion à
travers la jonction.
• La région d'appauvrissement se forme très rapidement et
est très mince par rapport à la région n et à la région p.

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 Barrière de potentiel
• Dans la région d'appauvrissement, il existe de nombreuses charges
positives et négatives sur les côtés opposés de la jonction pn.
• Les forces entre les charges opposées forment un champ électrique.
Ce champ électrique est une barrière aux électrons libres dans la
région n.
• La différence de potentiel du champ électrique à travers la région
d'appauvrissement est la quantité de tension nécessaire pour déplacer
les électrons à travers le champ électrique. Cette différence de
potentiel est appelé barrière de potentiel et s'exprime en volts.
• La barrière de potentiel typique est d'environ 0,7 V pour le silicium
et 0,3 V pour le germanium à 25°C.

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 Diagrammes énergétiques

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 Diagrammes énergétiques
• Les bandes de valence et de conduction dans la région n sont à des niveaux
d'énergie inférieurs à ceux de la région p, mais il y a une quantité importante
de chevauchement.
• Les électrons libres dans la région n qui occupent la partie supérieure de la
bande de conduction en termes d'énergie peuvent facilement diffuser à travers
la jonction (ils n'ont pas à gagner d'énergie supplémentaire) et devenir
temporairement des électrons libres dans la partie inférieure de la région-p de
la bande de conduction.
• Après avoir traversé la jonction, les électrons perdent rapidement de l'énergie
et tombent dans les trous de la bande de valence de la région p.
• Au fur et à mesure que la diffusion se poursuit, la région d'appauvrissement
commence à se former et le niveau d'énergie de la bande de conduction de la
région n diminue.
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 Diagrammes énergétiques
• La diminution du niveau d'énergie de la bande de conduction dans la
région n est due à la perte des électrons de plus haute énergie qui ont
diffusé à travers la jonction vers la région p.
• Bientôt, il ne reste plus d'électrons dans la bande de conduction de la
région n avec suffisamment d'énergie pour traverser la jonction vers la
bande de conduction de la région p.
• À ce point, la jonction est à l'équilibre; et la région d'appauvrissement est
complète parce que la diffusion a cessé. Il existe un gradient d'énergie à
travers la région d'appauvrissement qui agit comme une "colline
d'énergie" qu'un électron de la région n doit gravir pour atteindre la région
p.

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 Quiz

1. Un semi-conducteur est un matériau cristallin avec

a. de nombreux électrons libres retenus par l'attraction
des ions positifs
b. liaisons covalentes fortes avec les atomes voisins
c. un seul électron dans sa couche externe
d. bande de valence complète

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 Quiz

2. Un conducteur métallique a
a. de nombreux électrons libres retenus par
l'attraction des ions positifs
b. liaisons covalentes avec les atomes voisins
c. quatre électrons dans sa bande de valence
d. bande de valence complète

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 Quiz

3. Dans un semi-conducteur, le concept de bande interdite

d'énergie est utilisé pour montrer la différence entre les
énergies des
a. noyau et électrons de la bande de valence
b. noyau et électrons libres
c. électrons de la bande de conduction et électrons
de valence
d. électrons de coeur et électrons de valence

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 Quiz

4. Une impureté telle que l'antimoine (Sb) a cinq électrons

de valence. Lorsque le silicium contient des impuretés Sb,
a. un matériau type-n est formé
b. le cristal sera chargé négativement
c. les deux ci-dessus
d. aucune de ces réponses

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 Quiz

5. Par rapport à un matériau type-p, les niveaux d'énergie

dans un matériau type-n sont
a. le même
b. plus grand
c. inférieure

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 Quiz

6. Lorsqu'une jonction pn est formée, les électrons se

déplacent à travers la jonction et remplissent les trous
dans la région p. Le trou rempli est un
a. atome neutre
b. porteur minoritaire
c. ions positifs
d. ions négatifs

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 Quiz

7. Les électrons de Valence sont

a. dans l'orbite la plus proche du noyau
b. dans l'orbite la plus éloignée du noyau
c. sur diverses orbites autour du noyau
d. non associé à un atome particulier

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 Quiz

8. Le matériau semi-conducteur le plus largement utilisé

dans les composants électroniques est
a. germanium
b. carbone
c. le cuivre
d. silicium

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 Quiz

9. La bande d'énergie dans laquelle les électrons libres

existent est la
a. première bande
b. deuxième bande
c. bande de conduction
d. bande de valence

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 Quiz

10. Le numéro atomique du silicium est

a. 8
b. 2
c. 4
d. 14

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 Quiz

11. La recombinaison c'est quand

a. un électron tombe dans un trou
b. une liaison ionique entre un ion positive et un
ion négative
c. un électron de valence devient un électron de
conduction
d. un cristal se forme

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 Quiz

12. Le courant dans un semi-conducteur est produit par

a. électrons seulement
b. trous seulement
c. ions négatifs
d. les électrons et les trous

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 Quiz

13. Le processus d'ajout d'une impureté à un semi-

conducteur intrinsèque est appelé
a. dopage
b. recombinaison
c. modification atomique
d. ionisation

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 Quiz

14. Une impureté trivalente est ajoutée au silicium pour

créer
a. germanium
b. un semi-conducteur de type p
c. un semi-conducteur de type n
d. une région de déplétion

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 Quiz

15. Les trous dans un semi-conducteur de type-n sont

a. porteurs minoritaires produits thermiquement
b. porteurs minoritaires produits par dopage
c. porteurs majoritaires produits thermiquement
d. porteurs majoritaires produits thermiquement

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