Electronique

2. Diode à jonction PN

Dr. Abdessattar Bouzid

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Sfax (ISIMS)

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 Contenu

• Fonctionnement des diodes.

• Caractéristiques tension-courant (V-I) d'une diode.

• Modèles de diodes.

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 Diode à Jonction PN
• Une diode est constituée d'un petit morceau de matériau semi-
conducteur, généralement du silicium, dans lequel la moitié est dopée p
et l'autre moitié est dopée n avec une jonction pn et une région de
déplétion entre les deux.
• La région p est appelée anode et est connectée à une borne
conductrice. La région n est appelée cathode et est connectée à une
seconde borne conductrice.

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 Boitiers types de diodes

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 Polarisation directe
• La polarisation directe est la condition qui permet au courant de traverser la
jonction pn.
• Le côté négatif de VBIAS est connecté à la région n de la diode et le côté
positif est connecté à la région p. C'est une exigence pour la polarisation
directe.
• Une deuxième exigence est que la tension de polarisation, VBIAS, doit être
supérieure au barrière de potentiel.
• La résistance limite le courant direct à une valeur qui ne détruit pas la diode.

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 Polarisation directe
• Les électrons de valence se déplacent d'un trou à l'autre vers la gauche. Les
trous, qui sont les porteurs majoritaires dans la région p, se déplacent
effectivement (pas réellement) vers la droite vers la jonction.
• Ce flux effectif de trous est le courant de trous.
• Il existe une disponibilité continue de trous se déplaçant effectivement vers la
jonction pn pour se combiner avec le flux continu d'électrons lorsqu'ils
traversent la jonction dans la région p.

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 Polarisation directe
Effect du polarisation directe sur la Région de Déplétion
• Au fur et à mesure que plus d'électrons traverse la région de déplétion, le
nombre d'ions positifs est réduit.
• Au fur et à mesure que plus de trous effectivement traverse la région de
déplétion de l’autre cote de la jonction pn, le nombre d'ions négatifs est réduit.
• Cette réduction des ions positifs et négatifs pendant la polarisation directe
provoque une diminution de la région de déplétion.

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 Polarisation inverse
• La polarisation inverse est la condition qui empêche essentiellement le
courant à travers la diode.
• Le côté positif de VBIAS est connecté à la région n de la diode et le côté négatif
est connecté à la région p.
• La région d'appauvrissement est beaucoup plus large que dans la polarisation
directe ou l'équilibre.

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 Polarisation inverse
• Le courant inverse extrêmement faible dans une diode polarisée en inverse
est dû aux porteurs minoritaires dans les régions n et p qui sont produits par
des paires électron-trou générées thermiquement.
• Le petit nombre d'électrons minoritaires libres dans la région p sont
"poussés" vers la jonction pn par la tension de polarisation négative. Lorsque
ces électrons atteignent la large région d'appauvrissement, ils "tombent sur la
barrière d'énergie" et se combinent avec les trous minoritaires de la région n en
tant qu'électrons de valence et s'écoulent vers la tension de polarisation
positive, créant un petit courant de trou.

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 Polarisation inverse
Tension de claquage
• Normalement, le courant inverse est si petit qu'il peut être négligé.
Mais, si la tension de polarisation inverse externe est augmentée à une
valeur appelée tension de claquage, le courant inverse augmentera
considérablement.
• Lorsque le courant inverse n'est pas limité, l’augmentation de
température cause un claquage destructif de la diode.

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 Caractéristique V-I pour Polarisation directe
• Le courant direct augmente très peu jusqu'à ce que la tension directe aux
bornes de la jonction pn atteigne environ 0,7 V au niveau du seuil de la courbe.
Après ce point, la tension directe reste presque constante à environ 0,7 V, mais
Id augmente rapidement.

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 Caractéristique V-I pour Polarisation directe
Résistance dynamique
• La résistance de la diode polarisée en direct n'est pas constante sur toute la
courbe. Parce que la résistance change si vous déplacez le long de la courbe V-
I, elle est appelée résistance dynamique ou résistance ac.

• En dessous du seuil de la courbe, la résistance est la plus grande car le

courant augmente très peu pour un changement de tension donné .

• La résistance commence à diminuer dans la région du seuil de la courbe et

devient la plus petite au-dessus du seuil où il y a un grand changement de
courant pour un changement de tension donné.

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 Caractéristique V-I pour Polarisation inverse
• Lorsqu'une tension de polarisation inverse est appliquée à travers une diode,
il n'y a qu'un courant inverse (IR) extrêmement faible à travers la jonction pn
généralement ( ).
• Lorsque la tension de polarisation appliquée est augmentée à une valeur où la
tension inverse aux bornes de la diode (VR) atteint la valeur de la tension de
claquage (VBR), le courant inverse commence à augmenter rapidement.

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 La caractéristique V-I complète
• Combinez les courbes pour la polarisation directe et la polarisation
inverse, et vous obtenez la caractéristique V-I complète pour une diode.

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 Le modèle idéal de la diode
• Le modèle idéal d'une diode est l'approximation la moins précise et
peut être représenté par un simple interrupteur. Lorsque la diode est
polarisée en direct, elle agit idéalement comme un interrupteur fermé
(on). Lorsque la diode est polarisée en inverse, elle agit idéalement
comme un interrupteur ouvert (off).

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 Le modèle pratique de la diode
• Le modèle pratique inclut la barrière de potentiel. Lorsque la diode est
polarisée en direct, la diode est équivalente à un interrupteur fermé en série
avec une petite source de tension équivalente (Vd) égale au barrière de potentiel
(0,7 V) avec le côté positif vers l'anode.
• Lorsque la diode est polarisée en inverse, la diode est équivalente à un
interrupteur ouvert comme dans le modèle idéal.

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 Le modèle complet de la diode
• Le modèle complet d'une diode est l'approximation la plus précise et
comprend la barrière de potentiel, la petite résistance dynamique directe (rd’) et
la grande résistance inverse interne (rR’ ).

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 Approximations de diodes

(a) Déterminez la tension directe et le courant direct de la diode de la

figure 1(a) pour chacun des modèles de diodes. Trouvez également la
tension aux bornes de la résistance de limitation dans chaque cas.
Supposons que rd’ = 10 Ω à la valeur déterminée du courant direct.
(b) Déterminez la tension inverse et le courant inverse de la diode de
la figure 1(b) pour chacun des modèles de diodes. Trouvez également
la tension aux bornes de la résistance de limitation dans chaque cas.
Supposons IR = 1 µA.

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