Cours Semi Conducteurs

Les semi-conducteurs
Institut Polytechnique des Metiers, Dakar, Sénégal
March 3, 2023
[email protected] (ESP/UCAD/IPM) Semi-conducteurs March 3, 2023 1 / 75

Sommaire
1. Introduction
2. Semiconducteurs
3. Cristal de silicium
4. Doper un semi-conducteur
5. La jonction PN
6. La polarisation d’une diode
7. Théorie de la diode
8. Autres types de diodes
9. Applications des diodes

1. Introduction
Objectifs
Ce chapitre présente :
∗ les bases de la physique des semi-conducteurs.
∗ Les dispositifs à semi-conducteurs les plus courants sont introduits
– Diodes
– Transistors
∗ Les applications de ces dispositifs.
et permettra de :
∗ Reconnaı̂tre, à l’échelle atomique, les caractéristiques d’un bon
conducteur et d’un semi-conducteur.
∗ Décrire la structure du cristal de silicium.
∗ Identifier les deux types de porteurs et indiquer les impuretés qui les
font devenir porteurs majoritaires.
∗ Comprendre ce qui se passe à la jonction PN d’une diode : non
polarisée, polarisée en direct et polarisée en inverse.
∗ Déterminer les types de courants de claquage venant d’une tension.

2. Semi-conducteurs
Définition
Les matériaux solides peuvent être divisés, en ce qui concerne leurs
propriétés électriques, en trois catégories :
– Conducteurs (Cuivre, Alluminium):
∗ ont un nuage d’électrons libres à toute température au-dessus du zéro
absolu.
∗ les électrons de ”valence” faiblement liés dans les orbites les plus
externes de leurs atomes.
∗ un champ électrique est appliqué à travers un tel matériau, les
électrons circuleront, provoquant un courant électrique.

2. Semi-conducteurs
Définition
– Isolateurs:
∗ les électrons de valence sont étroitement liés aux noyaux des atomes
∗ très peu d’entre eux sont capables de se libérer pour conduire
l’électricité.
∗ L’application d’un champ électrique ne fait pas circuler un courant
∗ il n’y a pas de porteurs de charge mobiles.

2. Semi-conducteurs
Définition
– Semi-conducteurs:
∗ À très basse température, les semi-conducteurs ont les propriétés d’un
isolant
∗ à des températures plus élevées, certains électrons sont libres de se
déplacer et les matériaux prennent les propriétés d’un conducteur (bien
que médiocres)
∗ Néanmoins, is ont des caractéristiques utiles qui les distinguent à la fois
des isolants et des conducteurs.
∗ il n’y a pas de porteurs de charge mobiles.
Pour comprendre le fonctionnement des diodes, transistors et autres
appareils électroniques, nous devons comprendre la structure de base
des semi-conducteurs.

2. Semi-conducteurs
Conducteurs
– L’atome de cuivre
Le Cuivre est un bon conducteur en raison de sa structure atomique
neutre, 29 électrons gravitent autour du noyau et les électrons
occupent diverses orbites (2,8, 18, 1)
Figure: Structure de l’atome de cuivre Cu

2. Semi-conducteurs
Conducteurs
– L’atome de cuivre : le coeur
∗ Tout se passe sur l’orbite extérieure appelée orbite de valence
∗ Détermine les propriétés électriques de l’atome.
∗ On rassemble le noyau et les orbites internes de l’atome dans le coeur.
∗ Pour le cuivre, le coeur est le noyau (+29) et les trois premières orbites
(-28)
Figure: Coeur d’un atome de cuivre Cu

2. Semi-conducteurs
Conducteurs
– L’atome de cuivre
∗ L’attraction entre cet électron et le reste de l’atome de cuivre est très
faible
∗ Une force extérieure peut très facilement l’arracher, on appelle cet
électron de valence un électron libre.
∗ Le cuivre est un bon conducteur ( la moindre tension fait voyager
l’électron libre d’un atome à l’autre.
∗ L’argent, le cuivre et l’or sont de bons conducteurs

2. Semi-conducteurs
Semi-conducteurs
∗ Les meilleurs conducteurs (argent, cuivre, or) ont un électron de
valence
∗ Les meilleurs isolants en ont huit.
∗ Un semi-conducteur est un élément dont les propriétés électriques sont
à mi-chemin entre les conducteurs et les isolants
∗ Les meilleurs semi-conducteurs ont quatre électrons de valence

2. Semi-conducteurs
Semi-conducteurs
– Le Germanium (2, 8, 18, 4)
∗ Le germanium (Ge) est un exemple de semi-conducteur.
∗ Il possède quatre électrons de valence.
∗ Pendant plusieurs année, le seul matériau utilisable pour réaliser des
composants.
∗ Un défaut non surmonté : courant inverse était trop important.

2. Semi-conducteurs
semi-conducteurs
– L’atome de silicium (2,8, 4)
∗ Après l’oxygène, le silicium (Si) est l’élément le plus abondant sur Terre.
∗ Au début, son usage a été retardé par des problèmes de purification.
∗ Les avantages du silicium en ont fait un semi-conducteur de choix.
∗ Sans lui, l’électronique moderne n’existerait pas
Figure: Structure de l’atome de silicium Si

Introduction
– L’atome de silicium (2,8, 4)
∗ Quand les atomes de silicium s’assemblent pour faire un solide, ils
s’ordonnent selon un motif régulier appelé cristal.
∗ Chaque atome partage ses électrons périphériques avec quatre voisins
pour obtenir huit électrons sur son orbite de valence (figure).
∗ Les cercles ombrés représentent les coeurs des atomes.
∗ L’atome central avait initialement quatre électrons sur son orbite
périphérique, maintenant il en possède huit.
Figure: Atome dans un cristal et ses voisins

Liaison de convalence
– L’atome de Silicium (2,8, 4)
∗ Chaque coeur présente une charge +4 Observons celui du centre et
celui de droite.
→ attirent la paire d’électrons située entre eux d’une même force mais
de sens opposé.
→ traction dans des sens opposés lie les atomes les uns aux autres.
→ chaque électron attiré dans deux sens différents) exerce une liaison
entre deux atomes voisins.
→ On nomme ce type de liaison chimique une liaison de covalence
∗ Dans un cristal de silicium, il y a des milliards d’atomes de silicium.
∗ Chacun avec ses huit électrons de valence formant les liaisons de
covalence.
∗ C’est ce qui confère à ce matériau sa solidité

Orbite saturée
∗ Chaque atome dans un cristal de silicium possède une orbite de valence
avec huit électrons.
∗ Cependant, il semble que tout élément ne possédant pas ses huit
électrons a tendance à s’associer avec d’autres atomes pour les obtenir.
∗ Il existe des équations fondamentales en physique donnant une
explication partielle de la stabilité chimique de ce modèle.
∗ C ’est une loi, comme la loi de gravité, la loi de Coulomb et certaines
autres, que l’on observe mais que l’on n’explique pas complètement.
∗ Quand une orbite de valence possède huit électrons, elle est saturée car
aucun autre électron ne viendra s’y placer.
∗ D’où la loi de saturation d’une orbite de valence.

Trou
∗ Plus la température est haute, plus le mécanisme de vibration est
important.
∗ Lorsqu’on touche un objet chaud, la chaleur ressentie est l’effet de la
vibration des atomes.
∗ Dans un cristal de silicium, les vibrations des atomes peuvent
occasionnellement enlever un électron de son orbite de valence.
∗ Quand cela se produit, l’électron libéré possède assez d’énergie pour
occuper une orbite plus grande ) c’est un électron libre.
∗ Le départ de l’électron crée un vide dans l’orbite de valence appelé trou
(figure ).

Trou
∗ Le trou attire et capture tout électron dans son voisinage immédiat.
∗ L’existence de ces trous est une différence fondamentale entre les
conducteurs et les semi-conducteurs.
∗ Ils permettent aux semi-conducteurs de faire toutes sortes de choses
impossibles aux conducteurs.
∗ A la température ambiante, l’énergie thermique produit peu de trous et
d’électrons libres.
∗ Pour augmenter leur nombre, il est nécessaire de doper le cristal
Figure: (a) Création d’une paire électron-trou par l’énergie thermique;

(b) recombinaison d’un électron libre et d’un trou.

2. Doper un semi-conducteurs
Principe
∗ Le dopage est une méthode permettant d’augmenter la conductivité
d’un semi- conducteur.
∗ Cela consiste à introduire des impuretés dans un cristal intrinsèque
pour modifier ses propriétés électriques.
∗ Un semi-conducteur dopé est appelé semi-conducteur extrinsèque .

Augmenter le nombre d’électron
∗ Fondre un cristal de silicium pur :
brise les liaisons de valence et le liquéfie.
∗ Augmenter le nombre d’électrons libres :
– ajouter au silicium fondu des atomes pentavalents (arsenic, antimoine
et phosphore),
– cinq électrons périphériques,
– l’électron excédentaire au cristal de silicium,
– des impuretés donneuses.
∗ Un silicium dopé après refroidissement et reconstitution de la structure
cristalline est représenté
∗ Plus on introduit d’impuretés, plus la conductivité est importante
Figure: (a) Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

Augmenter le nombre de trous
∗ Utiliser une impureté trivalente
– l’atome a seulement trois électrons de valence,
– l’aluminium, le bore, le gallium,
∗ L’atome trivalent a seulement trois électrons de valence :
– chaque voisin en donne un,
– sept sur l’orbite de valence,
– un trou s’est formé.
∗ on donne le nom d’atome accepteur à un atome trivalent
∗ le trou ainsi créé peut accepter un électron libre pour effectuer une
recombinaison.
Figure: (b) Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

2. Semi-conducteurs de type N
∗ C’est le silicium dopé avec une impureté pentavalente
∗ les électrons sont beaucoup plus nombreux (porteurs majoritaires) que
les trous (porteurs minoritaires)
∗ Sous l’effet de la tension appliquée :
– les électrons libres se dirigent vers la gauche, les trous vers la droite
quand un trou atteint le bord droit du cristal :
→ un des électrons libres du circuit extérieur entre et se recombine
avec le trou
– Les électrons libres se dirigent vers le côté gauche du cristal :
→ ils entrent dans le circuit extérieur pour rejoindre la borne positive
de la pile
Figure: Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

4. Doper un semi-conducteur
Jonction PN (diode)
∗ C’est le silicium dopé avec une impureté trivalente
∗ Les trous sont beaucoup plus nombreux (porteurs majoritaires) que
les électrons libres (porteurs minoritaires)
∗ La tension appliquée entraı̂ne :
– Le déplacement des électrons libres vers la gauche et les trous vers la
droite :
→ ces derniers, arrivés au bord droit du cristal, se combinent avec les
électrons libres du circuit extérieur.
– Il existe aussi un flux de porteurs minoritaires :
→les électrons libres qui se déplacent de la droite vers la gauche, →peu
nombreux que leur effet est insignifiant.
Figure: Dopage pour augmenter

[email protected] (ESP/UCAD/IPM) le nombre d’électrons
Semi-conducteurs libres
March 3, 2023 22 / 75
5. La jonction PN
Principe
∗ Quand un constructeur dope P sur la moitié du cristal et N sur l’autre
moitié, quelque chose de nouveau apparaı̂t.
∗ La frontière entre le type P et le type N est appelée jonction PN.
∗ Elle a entraı̂né beaucoup d’inventions, en particulier les diodes,
transistors et circuits intégrés.
∗ Comprendre la jonction PN permet de comprendre toutes sortes de
composants semi-conducteurs.

5. La jonction PN
Jonction PN (diode)
∗ On sait faire un cristal unique avec un côté P et un côté N.
∗ La jonction est la frontière où le type P voisine le type N.
∗ La diode à jonction est un autre nom donné au cristal PN.
∗ Le mot diode est la contraction de di (deux) et électrodes.
∗ Si on place un semiconducteur P à coté d’un semi-conducteur N, que
se passe-t-il ?

5. La jonction PN
Jonction PN (diode)
∗ A cause de leur répulsion les uns envers les autres:
– les électrons libres du côté N ont tendance à diffuser (se disperser)
dans toutes les directions
– Quelques-uns traversent la jonction et entrent dans la région P où ils
sont minoritaires.
– l’électron libre se recombine avec un trou
– le trou disparait et l’électron libre devient un électron de valence.
– l’électron libre crée une paire d’ions
– en quittant la région N, l’atome pentavelent devient positif
– l’électron libre produit un ion négatif avec l’atome trivalent qui le
capture.
∗ Dans la zone de transition : il n’y a plus de porteurs libres, il reste les
ions fixes.

5. La jonction PN
Jonction PN (diode)
∗ Les ions positifs (cercle +) et négatifs (cercle -) de part et d’autre de la
jonction ne peuvent bouger dans le cristal comme les électrons libres et
les trous à cause des liaisons de covalence.
∗ Chaque paire d’ions positif et négatif est un dipôle qui vient de la
disparition d’un électron libre et d’un trou.
∗ Au fur et à mesure que le nombre de dipôles augmente, la région près
de la jonction se vide de porteurs ; on l’appelle la zone déplétée

5. La jonction PN
Barrière de potentiel
∗ Chaque dipôle crée un champ électrique entre l’ion positif et l’ion
négatif
∗ Si un électron supplémentaire entre dans la zone déplétée, ce champ le
repousse vers la région N.
∗ La force du champ électrique s’accroı̂t à chaque électron traversant la
zone jusqu’à ce que l’équilibre soit atteint :
→ champ électrique arrête la diffusion des électrons à travers la
jonction.
∗ le champ électrique entre les ions est équivalent à une différence de
potentiel appelée barrière de potentiel.
∗ A 25C, elle est égale à 0,3 V pour le germanium et 0,7 V pour le
silicium.

6. Polarisation d’une diode
Polarisation directe : principe

∗ On applique une source de tension continue sur la diode.
∗ la borne négative sur le côté N et la borne positive sur le côté P.
∗ Cette connexion est une polarisation directe.


∗ Lorsque le circuit est fermé, la force électromotrice de la batterie met
en mouvement les électrons libres de la zone N et les trous de la zone
P, qui convergent tous deux vers la jonction (voir figure), à l’intérieur
de laquelle les électrons tombent dans les trous, ce qui entraı̂ne la
disparition des uns et des autres.
∗ Les électrons libres qui tombent dans les trous, sont continuellement
remplacés par d’autres, provenant du négatif de la source
d’alimentation.
∗ Tous les trous disparus sont remplacés par d’autres, qui se forment du
côté de la zone P, vers le positif de la batterie.
∗ Le flux des charges se reproduit donc perpétuellement, formant un
courant continu. On le constate d’ailleurs en mesurant la résistance
directe de la diode.

∗ Le courant continu Id est dit courant direct, la tension extérieure, Vd

qui est à l’origine de la formation du courant Id, est dite tension directe.


∗ Le schéma ci-dessous illustre le cas où la tension continue Vd est
inférieure à la différence de potentiel Vo, qui constitue la barrière de
potentiel.
∗ Tant que la tension Vd est inférieure ou égale à Vo, le courant est
pratiquement nul.
∗ Ce courant n’existe pratiquement que lorsque la tension Vd dépasse la
valeur de Vo.
∗ Cette valeur est différente selon que la jonction est constituée par un
cristal de germanium ou par un cristal de silicium : pour le germanium,
cette valeur est normalement de 0,2 à 0,3 V alors que pour le silicium
elle est de 0,6 à 0,7 V.

Une jonction P.N. permet le passage d’un courant quand celui-ci parcourt
le semi-conducteur dans le sens du cristal dopé P vers celui dopé N. Elle
s’oppose à la circulation d’un courant dans le sens inverse.

Polarisation inverse : principe
∗ La figure ci-dessous montre qu’à l’instant où le circuit est fermé, une
partie des électrons libres se détache de la zone N du cristal et se dirige
vers le pôle positif de la batterie d’alimentation.
∗ Au même instant, une certaine quantité d’électrons émis par le négatif
de la batterie, rejoint la zone P du cristal, où ils feront disparaı̂tre une
partie des trous.
∗ L’annulation du courant produit par la pile, aussitôt après la fermeture
du circuit, est justifiée par le fait que les électrons et les trous sont en
nombre limité dans l’une ou l’autre du cristal et par l’impossibilité de
les remplacer lorsqu’ils s’éloignent et qu’ils disparaissent.

∗ Les trous et les électrons libres s’éloignent de la jonction
∗ le pôle positif attire les électrons et le pôle négatif les trous.
∗ La zone déplétée s’élargit.
∗ Le départ des électrons et des trous crée des ions supplémentaires qui
font augmenter la différence de potentiel sur la zone déplétée.
∗ Cette augmentation se termine lorsque la tension de barrière est égale à
la tension appliquée.
∗ Quand la tension inverse augmente, la zone déplétée s’élargit.

∗ un faible courant existe en polarisation inverse.
∗ l’agitation thermique fabrique continuellement des paires électron-trou
∗ La plupart se recombinent avec les porteurs majoritaires.
∗ un faible courant circule dans le circuit extérieur.
∗ Ce courant inverse venant des porteurs créés par l’agitation thermique
s’appelle courant de saturation Isat .
∗ Le courant inverse d’une diode au silicium est tellement faible qu’il est
ignoré dans la plupart des applications.
∗ L’idée principale à retenir est que le courant inverse d’une diode au
silicium est proche de zéro.

Claquage
∗ Les diodes sont classées par tension maximale.
∗ Il existe une limite de la tension inverse qu’une diode peut supporter
avant d’être détruite.
∗ C’est la tension de claquage de la diode.
∗ Pour beaucoup de diodes, elle est supérieure à 50V Une fois la tension
de claquage atteinte :
– un grand nombre de porteurs minoritaires apparaissent dans la zone
déplétée.
– la diode conduit fortement.
– les porteurs sont produits par le phénomène d’avalanche qui survient
aux fortes tensions inverses.
Remarque Dépasser la tension de claquage d’une diode ne signifie
pas forcément pour autant qu’elle va être détruite, au moins tant que
le produit de la tension inverse et du courant inverse ne dépasse pas
la puissance nominale de la diode.

∗ Une résistance ordinaire est un composant linéaire, sa caractéristique

courant-tension est une ligne droite.
∗ Pour la diode cest différent, c’est un composant non linéaire, sa
caractéristique n’est pas une ligne droite.
∗ La barrière de potentiel en est la cause :
– si la tension appliquée est plus petite quelle, le courant est faible
– quand la tension sur la diode dépasse la barrière de potentiel, le
courant à travers la diode augmente rapidement

Concepts fondamentaux
∗ La figure ci-après montre la structure PN et le symbole graphique de
la diode.
∗ Le côté P s’appelle l’anode et le côté N la cathode.
∗ Le symbole de la diode ressemble à une flèche qui pointe de P vers N
: de lanode à la cathode
Figure: Diode/Symbole graphique

Concepts fondamentaux
∗ Dans les circuits plus complexes, il peut être difficile de repérer si la
diode est polarisée en direct.
∗ Une règle : est-ce que le circuit extérieur pousse le courant dans le sens
naturel ? Si oui : la diode est polarisée en direct.
∗ Quel est le sens naturel du courant ? il est donné par le sens de la
flèche. Par contre, le déplacement des électrons seffectue dans lautre
sens.
∗ Quand une diode est contenue dans un circuit complexe, le théorème
de Thévenin détermine si celle-ci est polarisée en direct.

Region passante
∗ Après avoir effectué les connexions, on mesure le courant qui traverse
la diode en fonction de la tension à ses bornes.
∗ On peut aussi inverser la polarité de la source continue et mesurer le
courant en fonction de la tension en polarisation inverse.
∗ En traçant le courant en fonction de la tension, on obtient une
caractéristique I(V ) similaire à celle de la figure.
∗ C’est un résumé visuel des principes étudiés précédemment si la diode
est polarisée en direct, il existe un courant notable à partir des tensions
appliquées supérieures à la barrière de potentiel
∗ Si la diode est polarisée en inverse, il ny a presque pas de courant tant
que la tension natteint pas la tension de claquage.
∗ Dans ce cas, l’avalanche génère un grand courant inverse qui détruit la
diode.

Region passante

Region passante
∗ Dans la région directe, la tension pour laquelle le courant commence à
augmenter rapidement sappelle la tension de seuil de la diode.
∗ Elle est égale à la barrière de potentiel.
∗ L’analyse du circuit de la diode se réduit habituellement à déterminer si
la tension sur la diode est supérieure ou inférieure à la tension de seuil.
– Si elle est supérieure, la diode conduit facilement ;
– si elle est inférieure, la diode ne conduit pas.
– La tension de seuil dune diode au silicium est : Vseuil = 0.7V

Résistance série
∗ Au-dessus de la tension de seuil, le courant croı̂t rapidement;
∗ une faible augmentation de la tension sur la diode entraı̂ne une forte
augmentation du courant qui la traverse.
∗ La barrière de potentiel surmontée, la limitation du courant vient de la
résistance ohmique des régions P et N. item[3] En dautres termes, les
régions P et N sont deux morceaux de semi-conducteurs séparés ayant
chacun une résistance classique mesurable.
∗ La somme de ces deux résistances s’appelle la résistance série de la
diode.
∗ Elle est définie par : Rserie = RP + RN
∗ La résistance série dépend de la taille et du dopage des régions P et N.

Courant continu direct maximal

∗ Si le courant dans la diode est trop important :
→ la chaleur excessive peut la détruire
∗ les fiches techniques :
→ le courant maximal que la diode peut supporter sans réduire sa
durée de fonctionnement ou dégrader ses caractéristiques
∗ Le courant direct maximal est une des grandeurs maximales fournies
∗ il peut être représenté par Imax , IF (max) , I0 etc., selon les constructeurs

Dissipation de puissance
∗ Le calcul de la puissance dissipée est le même que pour la résistance.
∗ Elle est égale au produit de courant dans la diode par la tension à ses
bornes : PD = VD ID
∗ La gamme de puissance est la puissance maximale que la diode peut
dissiper sans nuire à sa durée de fonctionnement ou à ses
caractéristiques.
∗ Sa définition est : Pmax = Vmax Imax où Vmax est la tension
correspondant à Imax .

La diode absolue
∗ La figure montre une simulation de la région directe dune diode.
∗ On observe quil est presque nul jusquà ce que la tension arrive à la
valeur de la barrière de potentiel.
∗ Entre 0,6 V et 0,7 V, le courant apparaı̂t ; pour une tension supérieure
à 0,8 V, il est significatif et la courbe est presque linéaire.
∗ Dans la plupart des cas, la solution exacte nest pas nécessaire, cest
pourquoi on peut et on doit utiliser les approximations de la diode.
∗ En simplifiant, que doit faire une diode? Conduire parfaitement quand
elle est polarisée en direct, faiblement en inverse.
Figure: Caractéristique d’une diode au silicium classique

La diode idéale
∗ La diode idéale se comporte comme un conducteur parfait (résistance
nulle) en direct et un isolant parfait (résistance infinie) en inverse.
Figure: Diode idéale ; la diode idéale se comporte comme un interrupteur

deuxième approximation
∗ Le cas idéal est suffisant pour la plupart des dépannages, mais on nest
pas toujours en dépannage.
∗ Parfois, il faut une valeur plus précise du courant et de la tension de
sortie.
∗ Cest maintenant que lapproximation du deuxième ordre intervient.
∗ La figure illustre la caractéristique Z (E ) en deuxième approximation.
∗ Il n’existe pas de courant pour des tensions appliquées sur la diode
inférieures à 0,7 V.
∗ A cette valeur, la diode conduit et la tension reste constante quel que
soit le courant qui la traverse.
Figure: Courbe et circuit équivalent en deuxième approximation.

Troisième approximation
∗ Dans la troisième approximation, la résistance série Rs érie est incluse.
∗ La figure illustre l’effet quelle a sur la caractéristique de la diode.
∗ Après la mise en conduction, la tension croı̂t linéairement en fonction
du courant.
∗ Plus le courant est important, plus la tension augmente sous l’effet de
la résistance série.
∗ Si la tension sur la diode est supérieure à 0,7 V, la diode est passante
et la tension à ses bornes est : VD = 0.7 + ID Rs érie
Figure: Caractéristique de la diode en troisième approximation et circuit

équivalent.
Synthèse

8. Autres type de diode
Diode Zener
∗ Lorsque lune des deux zones de la jonction est fortement dopée,
apparaı̂t, pour une tension inverse supérieure à une valeur seuil VZ ,
une forte augmentation de l’intensité du courant, pratiquement
indépendante de V.
∗ Cest l’effet Zener, découvert par le physicien allemand C. Zener, en
1934 ;
∗ C’est une diode au silicium que le constructeur a optimisée pour opérer
dans la zone de claquage
∗ On l’interprète par le passage des électrons de la bande de valence à la
bande de conduction, par effet tunnel, sous l’action du champ
électrique intense qui règne dans le matériau.
∗ Le symbole de la diode Zener, la caractéristique I( V ) et des exemples
de diodes sont représentés dans la figure

Diode Zener
Figure: Diode Zener;Symbole graphique autre symbole; caractéristique I(V)

Diode Schottky
∗ Les diodes Schottky, qui portent le nom du physicien américain W.
Schottky qui les a réalisées et étudiées, sont constituées dun métal et
d’un semi-conducteur, faiblement dopé.
∗ L’allure de la caractéristique est identique à celle des diodes classiques,
mais la tension de seuil est plus faible : 0, 3 V ou 0, 4 V;
∗ en revanche, le courant inverse de saturation est bien plus élevé, de
l’ordre de quelques microampères.
∗ Le grand intérêt de ces composants vient de leur capacité parasite Cp
très faible (inférieure à 1 pF ), ce qui permet dobtenir une durée de
commutation très courte entre l’état bloqué et l’état conducteur
∗ 0, 1 ns pour la diode Schottky AAS70-04 au lieu de 30 s pour la diode
classique m 1N4001.
∗ C’est la raison pour laquelle on les utilise dans la réalisation des portes
logiques.

Diode Varicap
∗ Lorsque les diodes sont polarisées en inverse, leur capacité parasite Cp
dépend de la tension inverse V appliquée.
∗ Dans les diodes varicap, la géométrie et le dopage sont choisis de telle
sorte que cette dépendance soit de la forme : Cp = K |V |1/2 K étant
un coefficient homogène au produit dune capacité par la racine carrée
dune tension.
∗ Ces diodes sont alors utilisées comme condensateurs, dont la capacité
est commandée par la tension appliquée en inverse, doù leur nom.

Diode Varicap
∗ Elles permettent d’accorder de façon précise la fréquence de résonance
de filtres utilisés en radio et en télévision.
∗ Les valeurs usuelles de ces capacités vont de 1 pF à quelques centaines
de picofarads.
∗ Sur la figure, on a représenté les symboles de la diode Schottky et de la
diode varicap.

Diode PIN
∗ Une diode PIN est un composant semi-conducteur qui se comporte
comme une résistance variable aux fréquences RF et aux micro-ondes.
∗ La figure illustre l’organisation interne dune telle diode qui consiste en
une couche de semi-conducteur intrasec pur, I, insérée entre une
couche semi-conductrice de type P et une couche de type N
∗ Lorsque la diode est en direct, elle se comporte comme une résistance
contrôlée par un courant.
∗ La figure présente la courbe caractéristique dune diode PIN.
∗ On y voit que la résistance série Rs décroı̂t lorsque le courant direct IF
augmente.
∗ En mode inverse, la diode PIN se comporte comme une capacité fixe.
∗ Cette caractéristique est très utilisée en RF et en micro-ondes,
notamment dans les circuits de modulation.

Diode PIN
Figure: Diode PIN. organisation interne ; symbole; variation

caractéristique de la résistance série.

Concepts
∗ La plupart des systèmes électroniques tels que les postes TV HD, les
chaı̂nes stéréo, les ordinateurs, ont besoin d’une tension continue pour
fonctionner.
∗ Puisque la tension fournie par le réseau électrique est alternative, la
première chose que lon doit faire cest de transformer cette tension
alternative (tension AC) en tension continue (tension DC).
∗ La partie du montage qui effectue cette opération s’appelle
l’alimentation.
∗ Elle est constituée de circuits appelés redresseurs, qui permettent au
courant de circuler dans une seule direction.

Redressement simple alternance

∗ Une diode, soumise à une tension sinusoı̈dale, est bloquée pendant
l’alternance négative et passante durant l’alternance positive.
∗ Dans le cas dune diode idéale, l’alternance positive (demi-période
positive) polarise la diode en direct. L’interrupteur équivalent à la
diode est alors fermé et la tension de la source se retrouve sur la
résistance de charge.
∗ Pendant l’alternance négative (demi-période négative), la diode est
polarisée en inverse. Dans ce cas, l’interrupteur est ouvert et il n’y a
plus de tension sur la charge



∗ Contrairement au signal d’entrée, le signal de sortie s(t) a une valeur
moyenne non nulle.
∗ Expérimentalement, on doit s’assurer que le courant direct reste
inférieur à la valeur maximale prévue par le constructeur.
∗ Si la tension de seuil de la diode n’est pas négligeable devant
l’amplitude de la tension du GBF, le signal de sortie est nul sur une
durée supérieure à la demi-période du signal d’entrée ;

Transformateur
∗ La tension réelle à la prise de courant peut varier.
∗ Elle est trop haute pour la plupart des circuits des équipements
électroniques.
∗ C’est pourquoi un transformateur est couramment utilisé dans
l’alimentation pour amener la valeur de la tension du secteur à des
niveaux plus bas supportables par les diodes, transistors et autres
composants électroniques.
∗ La figure montre un transformateur ;
∗ la tension secteur est appliquée sur l’enroulement primaire.
∗ Habituellement, il y a une troisième cosse pour mettre le composant à
la terre.
∗ Selon le rapport du nombre de spires N1/N2, la tension du secondaire
est abaissée si N1 est plus grand que N2.

Transformateur

Transformateur
∗ La relation entre tension de sortie et tension d’entrée dans un
V1
transformateur est donnée par la formule : V 2 = N1/N2
∗ Cela signifie que la tension au secondaire est égale à la tension au
primaire divisée par le rapport de transformation. Parfois on trouve
cette relation sous la forme : V 2 = N2VN1
1
∗ Ces relations sont valables pour les tensions instantanées, efficaces et

crêtes.
∗ On utilise souvent la première relation avec les valeurs efficaces, car les
tensions de source sont généralement données en valeurs efficaces.

Redresseur double alternance

∗ Le redressement double alternance est l’équivalent de deux
redressements simple alternance.
∗ Du fait de la prise médiane, chaque redressement a une tension
d’entrée égale à la moitié de la tension au secondaire.
∗ La diode D1 est en conduction pendant l’alternance positive et la diode
D2 pendant l’alternance négative.
∗ Par conséquent, le courant redressé dans la charge existe pendant les
deux demi-cycles,
∗ le redressement double alternance agit comme deux redressements
simple alternance adossés l’un à l’autre. Pr

Redresseur double alternance

Redresseur en pont
∗ Il ressemble au redresseur double alternance car il donne une tension de
sortie redressée double alternance.
∗ Les diodes D1 et D2 conduisent pendant la demi-période positive, et
D3 et D4 conduisent pendant la demi-période négative.
∗ Par conséquent, le courant redressé existe pendant les deux
demi-cycles.
∗ La figure montre le circuit équivalent pour la demi-période positive.
∗ D1 et D2 conduisent et fournissent une tension positive sur la charge
repérée par les + et - de polarité de la résistance.
∗ A titre daide-mémoire, imaginons D2 court-circuitée, le circuit
redevient un redressement simple alternance déjà familier.
∗ La figure montre le circuit équivalent pendant la demi-période négative
∗ D3 et D4 sont polarisées en direct et fournissent une tension positive
sur la charge.
∗ Si la diode D3 est court-circuitée, le circuit ressemble à un redresseur
simple alternance.
∗ Le redresseur en pont agit comme deux redresseurs simple alternance
mis(ESP/UCAD/IPM)
[email protected] dos à dos. Semi-conducteurs March 3, 2023 67 / 75
Redresseur en pont

Synthèse

Filtre capacitif
∗ Lorsque la diode conduit l’alternance positive, la capacité se charge en
emmagasinant l’énergie, et la tension aux bornes de la capacité atteint
la valeur maximale de la tension v(t) fournie par la source dénergie.
∗ Lorsque la tension de la source commence à décroitre (de la valeur
Vmax ), la capacité commence à se décharger dans la charge R même,
elle continue à se décharger même quand la diode est bloquée
(polarisation inverse de la diode pour l’alternance négative de la
tension v(t)).
∗ La pente de décharge de la capacité (dans la résistance de charge R)
est égale au temps de réponse dune charge capacitive tr = RC .
∗ Plus la capacité est importante plus on a un meilleur filtrage de la
tension redressée.

Filtre capacitif

Ecrêteur à diodes
∗ Ce montage est utilisé pour protéger des circuits fragiles qui
n’admettent pas des tensions d’entrée supérieures à 600 mV.
∗ On place deux diodes montées tête-bêche en parallèle sur la charge du
générateur.
∗ On doit considérer trois cas.
La valeur négative de la tension d’entrée est supérieure à la tension de
seuil de D2. Celle-ci devient passante alors que D1 reste bloquée. La
majorité du courant est dérivée dans D2 et si on néglige la résistance
de la diode, la tension de sortie est égale à Vs.
La valeur positive de la tension d’entrée est supérieure à la tension de
seuil de D1 celle-ci devient passante alors que D2 reste bloquée. La
majorité du courant est dérivée dans D1 et si on néglige la résistance
de la diode la tension de sortie est égale à Vs.
Les valeurs positives et négatives de la tension d’entrée sont inférieures
à la tension de seuil Vs des diodes celles-ci sont bloquées et se
comportent comme des résistances infinies.
∗ Le circuit fonctionne de manière linéaire et se comporte comme un
diviseur de tension : Vout = Vin .Rc /(Rc + Rp ).
∗ L’utilisation
[email protected] d’une tensionSemi-conducteurs
(ESP/UCAD/IPM) d’entrée sinusoı̈dale permetMarch
de 3,visualiser
2023 les
72 / 75
Ecrêteur à diodes

Ecrêteur à diodes Zener
∗ 3 Ce montage est utilisé pour limiter la tension de sortie d’un circuit.
∗ On place deux diodes Zener (tension de claquage Vz ) montées en
opposition en parallèle sur la charge du générateur.
∗ On doit considérer trois cas:
Tension d’entrée négative : La diode D2 est polarisée en direct et D1
en inverse. Si la tension d’entrée est inférieure à U = (Vs + Vz ) alors
les deux diodes sont conductrices et la tension de sortie est U.
Tension d’entrée positive : La diode D1 est polarisée en direct et D2 en
inverse. Si la tension d’entrée est supérieure à U+ = (Vs + Vz ) alors
les deux diodes sont conductrices et la tension de sortie est U+.
Les valeurs positives et négatives de la tension d’entrée sont inférieures
à la tension U : les diodes sont bloquées et se comportent comme des
résistances infinies. .
∗ Le circuit fonctionne de manière linéaire et se comporte comme un
diviseur de tension : Vout = Vin .Rc /(Rc + Rp ).
∗ L’utilisation d’une tension d’entrée sinusoı̈dale permet de visualiser les
trois cas.
Ecrêteur à diodes zener

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Figure: Structure de l’atome de cuivre Cu

Figure: Coeur d’un atome de cuivre Cu

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Figure: Structure de l’atome de silicium Si

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Figure: Atome dans un cristal et ses voisins

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Figure: (a) Création d’une paire électron-trou par l’énergie thermique;

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[email protected] (ESP/UCAD/IPM) Semi-conducteurs March 3, 2023 18 / 75

Figure: (a) Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

Figure: (b) Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

Figure: Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

Figure: Dopage pour augmenter

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Figure: Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

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Figure: Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

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Polarisation directe : principe

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Polarisation directe : principe

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Polarisation directe : principe

∗ Le courant continu Id est dit courant direct, la tension extérieure, Vd

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Polarisation directe : principe

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Polarisation directe : principe

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Figure: Dopage pour augmenter le nombre d’électrons libres

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∗ Une résistance ordinaire est un composant linéaire, sa caractéristique

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Figure: Diode/Symbole graphique

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[email protected] (ESP/UCAD/IPM) Semi-conducteurs March 3, 2023 43 / 75

Courant continu direct maximal

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