FSSM- UCA

2021/2022

Cours
Bases de la Conversion Photovoltaïque

Pr. ABDELKADER EL KISSANI

LP3ER- Conversion photovoltaïque 1

 Programme
A. La cellule solaire
Chapitre 1 : Introduction aux semi-conducteurs
Chapitre 2 : La jonction PN

Chapitre 3: La cellule solaire

B. Les modules photovoltaïques et les champs de modules
Technologie des cellules solaires, Groupement, protection, Panneau et champ de module, systèmes à concentration

C. Travaux pratiques
Mesures des caractéristiques des cellules solaires, effet d’orientation, effet de température,
2
L’électronique moderne utilise

3
 Bibliographie

1. INTRODUCTION A LA PHYSIQUE DE L’ETAT SOLIDE

Charles Kittel - Dunod-Université (3ème édition)

2. PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS ET DES COMPOSANTS

ELECTRONIQUES
H. MATHIEU ET HERVE FANET – Sciences Sup – Dunod (6ème édition)

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 Introduction aux semi-conducteurs
I – Matériaux semi-conducteurs

I – Matériaux semi-conducteurs.
Les semi conducteurs purs sont des solides cristallisés :
1 – Introduction. les atomes sont régulièrement disposés dans l'espace
Qu’est ce qu’un semi-conducteur ?
Ni un conducteur, ni un isolant. Colonne IV A :
Si, Ge.
Association III A-V A :
AsGa, GaP,… binaire
AlxGa1-xAs...ternaires
AlxGa1-xAsyP1-y quaternaires
Association IIB-VIA:
CdS, HgTe, CdTe….
5
 Introduction aux semi-conducteurs
I – Matériaux semi-conducteurs

2– Modèle des bandes d’ énergie

 Cas d’un atome
noyau comporte 14 protons Energie (eV)
Atome de silicium :
nuage comportant 14 e−
Répartition électronique : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
couche de valence : 4 e-

Niveaux d’énergie électronique

d’un atome isolé

Les électrons évoluent sur des orbites stables correspondant à des niveaux
d’énergie discrets (séparés les uns des autres).
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 Introduction aux semi-conducteurs
I – Matériaux semi-conducteurs

 Si deux atomes identiques sont approchés à

une distance de l’ordre de leur rayon
atomique les niveaux d’énergie se
dédoublent. Principe
Energie (eV)
d’exclusion
de Pauli

Niveaux d’énergie électronique

de atomes proches

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 Introduction aux semi-conducteurs
I – Matériaux semi-conducteurs

 Dans le cas d’un cristal, la multiplication des niveaux crée des bandes
d’énergie permise (quasi-continuum), séparées par des bandes d’énergie
interdites (c.-à-d. ne contenant pas d’état stable possible pour les e-).
Energie (eV)

Bande de valence : contient les états électroniques des couches périphériques bande permise
des atomes du cristal (c.-à-d. les e- de valence, 4 pour le Si)
bande permise

Bande de conduction : bande permise immédiatement supérieure en bande permise

énergie à la bande de valence. Les e- y sont quasi-libres, ils ont rompus leur
lien avec leur atome d’origine, ils permettent la conduction d’un courant.
Niveaux d’énergie électronique
d’un cristal

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 Introduction aux semi-conducteurs
I – Matériaux semi-conducteurs

3- Comparaison isolants, conducteurs, et semi-conducteurs.

Classification en fonction de leur résistivité 𝜌 (𝛺.m):
Isolant Conducteurs Semi-conducteur
𝜌 ≥ 106 𝛺.m 𝜌 ≤ 10-6 𝛺.m 10-6 𝛺.m < 𝜌 < 10 𝛺.m
𝑳
 Résistance : R= 𝝆
𝑺
𝟏
 Conductivité 𝛔=
𝝆
300°K Si Ge AsGa
Eg [eV] 1,12 0,66 1,43

Isolant Semi- conducteur

Eg > 5 eV conducteurs
Eg ~ 1 eV Eg ~ 0 eV 9
 Introduction aux semi-conducteurs
I – Matériaux semi-conducteurs

4- Notion de paires électron- trou

Exemple : cristal de silicium ( 4 e- de valence)

Liaison
covalent
association avec 4 atomes voisins pour obtenir 8 e- (Stable)
sur la couche de valence (règle de l’octet, la
couche de valence est saturée) :

Structure de la maille cristalline : cubique face centrée Cristal de Silicium

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 Introduction aux semi-conducteurs
I – Matériaux semi-conducteurs

Création de paires électrons - trous

A T= 0 K (pas d’agitation thermique), les électrons sont fixés, pas de déplacement des
électrons ⟹ 𝑴𝒂𝒕é𝒓𝒊𝒂𝒖 𝒆𝒔𝒕 𝒊𝒔𝒐𝒍𝒂𝒏𝒕
A T > 0 K L’agitation thermique ⟹ rupture de quelque liaisons covalente
⟹ 𝒅𝒆𝒔 é𝒍𝒆𝒄𝒕𝒓𝒐𝒏𝒔 𝒍𝒊𝒃𝒓𝒆𝒔 ⟹ 𝑴𝒂𝒕é𝒓𝒊𝒂𝒖 𝒆𝒔𝒕 𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒆𝒖𝒓

Lumière ou Chaleur

Lorsqu'on" brise" une liaison de valence on fait grimper un électron de la bande de valence (BV) sur l'un des niveaux de la
bande permise Située immédiatement au dessus que l'on appelle bande de conduction (BC). Cette opération entraine la
création d'un électron libre et une place vacante dans la bande de valence que l'on appelle: trou
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 Introduction aux semi-conducteurs
I – Matériaux semi-conducteurs

sous l’action d’un apport d’énergie thermique

Energie ( eV)

Eg

Énergie minimale nécessaire pour rompre (briser) la liaison covalente

représente l’énergie de band gap Eg.
Déplacement des e- libres courant (charge -)
Déplacement des trous : de proche en proche courant (de charges +)
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 Introduction aux semi-conducteurs
I – Matériaux semi-conducteurs

5- Phénomène de recombinaison Energie ( eV)

Dans un semi-conducteur il existe 2 types de porteurs

de charges :

 Porteurs négatifs : les électrons de la bande de conduction,

 Porteurs positifs : les trous de la bande de valence.

Le phénomène de création de paires e- - trous s’accompagne d’un phénomène de

recombinaison (les e- libres sont capturés par les trous, ils redeviennent e- de valence).

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs
II- Nature de semiconducteurs,
On distingue : Semi-conducteurs Intrinsèque et extrinsèque
1- Semiconducteurs intrinsèques
L’agitation thermique
a- Définition
( lumière ou chaleur)
Cristal pur (Taux d’impureté ≤ 10 ), non dopé,
-10

isolant à température très basse (0 K), devient ⇓

conducteur lorsque la température s’élève et par Rupture de la liaison
suite l’augmentation de concentrations des covalente
porteurs »électron-trou « . ⇓
Un électron libre (−e)
Un trou (+e)
Exemple : cristal de silicium
L’atome ion positif
( 4 e- de valence)
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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

b-Concentration intrinsèque de porteurs à l’équilibre thermodynamique

Le cristal est électriquement neutre
 Densité des électrons (n) égale celle des trous (p)
⇓ ⇓

𝒏 = 𝒑 = 𝒏𝒊
 𝒏𝒊 dépend de la température
Semiconducteur A (cm-3 K-3/2
𝟑 𝟐 𝑬𝒈 Si 7,5 10-15
𝒏 = 𝒑 = 𝒏𝒊 = 𝑨𝑻 𝒆𝒙𝒑(− 𝟐𝒌𝑩 𝑻)
𝐸𝑔
Loi d’action de masse : 𝑛𝑖2 3
= 𝐶𝑇 exp(− )
𝒌𝑩 𝑇
A: constante spécifique du matériau
𝑱
𝒌𝑩 = 𝟏, 𝟑𝟖 𝟏𝟎−𝟐𝟑 𝑲 = 𝟖, 𝟔𝟏𝟎 −𝟓 𝒆𝑽.K −1 𝒄𝒐𝒏𝒔𝒕𝒂𝒏𝒕𝒆 𝒅𝒆 𝒃𝒐𝒍𝒕𝒛𝒎𝒎𝒂𝒏

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

c- Loi d’action de masse :

𝐸𝑔
2 𝑛𝑖2 =𝐶𝑇 3 exp(− )
𝑛 𝑝 = 𝑛𝑖 𝒌𝑩 𝑇
Elle est toujours vérifiée pour un cristal à l’équilibre thermique (qu’il soit
intrinsèque ou non).
300 K, Si : ni ≈1,4.1010 cm-3
300 K, Ge : ni ≈ 1013 cm-3
300 K, AsGa : ni ≈107 cm-3
Remarque:
La résistivité d’un semiconducteur intrinsèque décroit avec la température car le
nombre de porteur croit très rapidement.
16
 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

2- Semi-conducteurs extrinsèques

Obtenus par dopage, en injectant des impuretés électriquement actives et

en quantité contrôlées dans le semi-conducteur intrinsèque, on obtient une
conduction par électron (semiconducteur de type N) ou une conduction par
trous ( semiconducteur de type P).

 On distingue deux types:

 Semi-conducteurs type N (conduction par électron )

Semi-conducteurs type P (conduction par trous)

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

a- Semi-conducteurs type N: Exemple Si de type N

 lorsque on introduit dans un semi-conducteur intrinsèque des impuretés
de valence 5 (pentavalent) exemples: Arsenic As, Phosphore P, l’antimoine
Sb…. on obtient un semi-conducteur extrinsèque de type N
Situation schématisée en figure suivante: Si dopé par As Energie ( eV)

Atome d’ arsenic (As)

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs
Chaque atome d’impureté pentavalent (P ou As ou Sb…) contient 5 électron
dans la bande de valence :

Energie ( eV)
 4 électrons s’engagent à la formation des quartes
liaisons covalentes avec Si.
 1 électron faiblement lié et devient libre à la
température ambiante.
⟹ La densité des électrons est supérieur à celle du
semi-conducteur intrinsèque
⟹ 𝑺𝒆𝒎𝒊 − 𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒆𝒖𝒓 𝒇𝒐𝒓𝒎é 𝒆𝒔𝒕 𝒅𝒆 𝒕𝒚𝒑𝒆 𝑵

⟹ L’atome d’impureté dans ce cas est appelée donneur

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

Remarque
Le cristal garde sa neutralité électrique globale (à chaque électron libre
donné par les atomes d’impureté correspond un cation fixe).
Porteurs de charges :
• majoritaires : e- ; n ≈ ND , concentration du dopage,
• minoritaires : trous issus de la générations thermique de paires (e-) & trous
tel que :

𝒏𝒑= 𝒏𝟐𝒊 𝒑 = 𝒏𝟐𝒊 /ND

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

 Modèle d’un semi-conducteur extrinsèque de type N :

Semi-conducteur extrinsèque de type N

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

b- Semi-conducteurs type P: Exemple Si de type P

Obtenus par dopage = introduction d’atomes du groupe III qui possèdent 3 e-
sur la couche de valence (Trivalent); In, Ga, Al…

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs
Situation schématisée sur figure suivante: Si dopé par Bore B
Electron Energie ( eV)
Noyau
de valence

B
Atome de Bore (B)

Processus: Dès que une liaison covalente se brise un

électron est libéré et qui vient saturer la 4ème liaison Si=B
Création d’un trou et d’un ion B- 𝑆𝑖 + 𝐵 ⇆ 𝑆𝑖 + + 𝐵 −
trou Ion fixe

𝑺𝒆𝒎𝒊 − 𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒆𝒖𝒓 𝒇𝒐𝒓𝒎é 𝒆𝒔𝒕 𝒅𝒆 𝒕𝒚𝒑𝒆 𝑷

⟹ L’atome d’impureté B dans ce cas est appelée atome accepteur 23
 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

 Modèle d’un semi-conducteur extrinsèque de type P :

Semi-conducteur extrinsèque de type P

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

Remarque

 En équilibre pour un SC. de type P:

 Les trous sont majoritaires les électrons sont minoritaires

p >> n : densité des trous supérieur à la densité des électrons.

 Majoritaire: trous, 𝒑 ≈ 𝑵𝒂 avec 𝒑 densité des trous et 𝑵𝑨 densité des

atomes accepteurs.

 Minoritaires: électrons issus de la générations thermique de paires,

𝒏𝒊 𝟐
𝒏=
𝑵𝑨

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

II- Concentration des porteurs libres

1- Concentration des porteurs quasi-libres dans un semiconducteur dopé
a- Concentration des atomes donneur ionisés
+
Cas d’atome donneur: D ⇆ 𝐷 + 𝑒 −
le nombre d’atomes ionisés est exprimé en fonction du nombre total d’atomes
ND, introduits dans le cristal + 1
𝑁𝐷 = 𝑁𝐷
𝐸𝐷 − 𝐸𝐹
1 + 2exp( )
𝑘𝑇
ED est le niveau d’énergie donneur auquel se trouve l’électron lié à l’atome dopant
EF est le niveau d’énergie de Fermi
Le facteur 2, est appelé facteur de dégénérescence
26
 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

b- Concentration des atomes accepteurs ionisés

Cas d’atome accepteur: A + 𝑒− ⇆ 𝐴 −

concentration d’atomes donneurs ionisés, 𝑁𝐴− s’exprime par:
+ 1
𝑁𝐴 = 𝑁𝐴
𝐸𝐹 − 𝐸𝐴
1 + 2exp( )
𝑘𝑇
EA est le niveau d’énergie accepteur, c’est-à-dire le niveau d’énergie statistique
auquel se trouve l’électron lié à l’atome dopant.

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 Introduction aux semi-conducteurs
II-Nature de semiconducteurs

c- Cas d’un semi-conducteur de type N

Le semiconducteur est globalement neutre
la somme des charges positives est égale à celle des charges négatives.
𝑁𝐷 + + 𝑝𝑛 = 𝑛 𝑛
En raisonnant à température ambiante, si l’élément ajouté a
effectivement le comportement de dopant, pratiquement tous les
atomes de cet élément sont ionisés, c’est-à-dire ND+ ≈ ND
𝑛𝑖 2 2−𝑁 𝑛 −𝑛 2 =0
𝑁𝐷 + 𝑝𝑛 = 𝑛 𝑛 𝑁𝐷 + =𝑛𝑛 𝑛 𝑛 𝐷 𝑛 𝑖
𝑛𝑛 𝟐
2
𝑁𝐷 + 𝑁𝐷 +4𝑛𝑖 2 𝒏 𝒊
Si 𝑁 ≫ 𝑛 𝒏𝒏 ≈ 𝑵𝑫 et 𝒑𝒏 =
𝑛𝑛 = 𝐷 𝑖 𝑵𝑫
2 28
 Introduction aux semi-conducteurs
Exercice 1
A 300 K, un barreau en silicium de est dopé par des atomes de phosphore de
concentration 1017 cm-3 . On donne concentration intrinsèque étant de 1,6 1010cm-3 et la
concentration totale d’atomes de silicium étant de 5.1022cm-3 .
1-Préciser le type du semiconducteur formé.
2- Déterminer la concentration des électrons.
3- Déterminer la concentration des trous.
Exercice 2
Un barreau en silicium de est dopé par des atomes de Arsenic de
concentration 1015 cm-3 . On donne concentration intrinsèque étant de 1,6
1010cm-3 Déterminer n et p.

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 Introduction aux semi-conducteurs

d- Cas d’un semi-conducteur de type P

Le semiconducteur est globalement neutre
la somme des charges positives est égale à celle des charges négatives.
𝑁𝐴 − + 𝑛 𝑝 = 𝑝𝑝
En raisonnant à température ambiante, si l’élément ajouté a
effectivement le comportement de dopant, pratiquement tous les
atomes de cet élément sont ionisés, c’est-à-dire 𝑁𝐴 − ≈ NA
𝑛𝑖 2 2−𝑁 𝑝 −𝑛 2 =0
𝑝𝑝 −𝑁𝐴 −𝑛 𝑝 = 0 𝑝𝑝 − 𝑁𝐴 − =0 𝑝𝑝 𝐴 𝑝 𝑖
𝑝𝑝
𝑁𝐴 + 𝑁𝐴 2 +4𝑛𝑖 2 𝒏𝒊 𝟐
𝑝𝑝 = Si 𝑁𝐴 ≫ 𝑛 𝑖 𝒑𝒑 ≈ 𝑵𝑨 et 𝒏𝒑 =
2 30 𝑵𝑨
 Introduction aux semi-conducteurs

d- Cas général
Dans le cas général, les deux types de dopants peuvent exister simultanément dans le
matériau. − +
Equation de neutralité dans le semiconducteur: 𝑁𝐴 + 𝑛 = 𝑁 𝐷 +𝑝
−
𝑁𝐴 concentration des accepteurs ionisés
Le semiconducteur sera de type n ou de type p , si à 𝑁𝐷 + concentration en donneurs ionisés
la température considérée, la concentration en
𝑛 é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠 𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒
donneurs ionisés ou en accepteurs ionisés
respectivement est la plus grande (le plus nombreux 𝑝 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑠 𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒
l’emporte).

𝑁𝐴 − 𝑁𝐷 + 𝑁𝐴 − 𝑁𝐷 2 +4𝑛𝑖 2 𝑁𝐷 − 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 − 𝑁𝐴 2 +4𝑛𝑖 2
Si 𝑁𝐴 > 𝑁𝐷 Si 𝑁𝐴 < 𝑁𝐷 𝑛𝑛 =
𝑝𝑝 = 2
2

31
32