Cours Diodes

APPROCHE THEORIQUE
INTRODUCTION A L'ELECTRONIQUE
A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS
SOMMAIRE
A4.1 Thorie des atomes
A4.2 Semi-conducteur pur
A4.3 Dopage d'un semi-conducteur
A4.4 Effet diode, la jonction P - N
A4.5 Mcanisme de conduction d'une diode
A4.5.1 Le plus la zone P
A4.5.2 Le plus la zone N
A4.6 Effet Zener, une jonction fortement dope
A4.7 Effet transistor, du microscope l'ohmmtre
A4.8 Effet transistor, du microscope l'ampremtre
A4.9 Effet transistor, du microscope l'effet transistor
A4.10 Effet de champ
A4.11 Bibliographie
(Les renvois entre crochets [*] y font rfrence)
A4.1 Thorie des atomes

Pour comprendre quelque peu le fonctionnement des composants lectroniques raliss l'aide des matriaux ou
alliages semi-conducteurs, il nous faut avoir en tte la thorie des atomes. L'explication actuelle que nous donne
les physiciens sur la matire met en jeux la composition de celle-ci.
La matire serait compose d'atomes d'un diamtre d'environ 1 10-10 1 10-12 mtre de diamtre, distincts
entre eux par leur nombre de particules dont ils sont eux-mmes composs. Ces atomes sont classs prcisment
par l'volution du nombre de ces particules, le premier atome n'en contenant que deux jusqu'aux derniers qui en
contiennent plus de cent. C'est le tableau priodique des lments cr par Dmitri Mendeleev (1834 - 1907).
Il est admis que les particules qui composent l'atome sont organises avec un noyau, dont le diamtre est
d'environ 1 10-14 mtre, qui contient des protons et des neutrons accompagn autour d'un nuage de petits
lectrons qui gravitent au loin, des distances bien dfinies appeles couches lectroniques. Chaque proton ou
neutron, appels tous deux nuclons, est d'un diamtre et
d'une masse environ 2000x suprieure un lectron.
Les forces qui interagissent entre toutes ces particules
ainsi que celles qui interviennent entre les diffrents
atomes d'un objet vont fortement influencer le
comportement d'un matriau en fonction des contraintes
qu'il subit.
En ce qui concerne l'lectricit et ces effets, ce sont
essentiellement les lectrons qui gravitent sur la dernire
couche lectronique qui sont impliqus.
La nature fabriqu des atomes ne possdant jamais plus
de 8 lectrons priphriques (pour un tat stable). Le
tableau priodique des lments nous le confirme.
La reprsentation la plus usuelle d'un atome est celle
propose par le physicien Niels Bohr (1885-1962) qui est
une reprsentation trs pratique pour un lectronicien qui
va encore le simplifier.
IMAGE A4.1, J.KANE, PHYSIQUE, 1994, INTEREDITIONS, PARIS
EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers *.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 20/09/01
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A4.2 Semi-conducteur pur

Il est facile de simplifier au maximum la reprsentation de Niels Bohr en ne laissant apparatre que le noyau
avec les couches lectronique interne et la dernire couche lectronique, appele couche priphrique ou couche
de valence.
Un matriaux semi-conducteur la particularit de

possder 4 lectrons priphriques, soit exactement la
moiti d'une couche compltement sature.
Cette particularit va lui donner un comportement

particulier en ce qui concerne les phnomnes
lectriques, entre autres.
S
Sii
noyau + couches internes
couche priphrique
IMAGE A4.2
Le matriaux semi-conducteur actuellement le plus utilis est le SILICIUM.
Toutefois, pour utiliser du silicium en lectronique, il faut obtenir des plaquettes d'une puret extraordinaire. La
puret est de l'ordre de un atome impur pour un million d'atomes de silicium. Le tout reste totalement stable si la
temprature est trs basse.
Pour illustrer non seulement un seul atome de silicium mais une plaquette entire, nous simplifions la
reprsentation en ne faisant apparatre que les noyaux avec les couches atomiques intrieures par les cercles
comme ci-dessus et avec des traits doubles pour illustrer les lectrons priphriques entre chaque atomes.
liaisons Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
plaquette de Si pur
IMAGE A4.3
De plus, les atomes du silicium purifi s'organisent entre eux de manire trs rgulire, suite aux traitements
subis, ce qui nous amne parler d'un cristal semi-conducteur, ou d'une structure cristalline du silicium. Cette
organisation atomique donne des proprits lectriques particulires au silicium lectronique.
Grce l'organisation cristalline, chaque atome est entour de quatre atomes voisins qui vont combiner
ensemble leurs lectrons de valence de fait que chaque atome se trouve entourer de huit lectrons priphriques.
Ce qui donne la proprit d'un isolant parfait:
A TRES BASSE TEMPERATURE, AU VOISINAGE DU ZERO ABSOLU (0 KELVIN) LE SILICIUM PUR

EST UN ISOLANT PARFAIT.
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Ds que la temprature augmente, l'agitation des atomes entre eux va va bousculer cet ordre tabli et des
lectrons priphriques peuvent se retrouver arrachs la liaison cristalline des atomes. Ces lectrons se
retrouvent une distance des noyaux qui leur permet de se dplaer dans la plaquette de silicium.
lectrons librs
par agitation
thermique
"trou" laiss par
un lectron
Les lectrons ainsi librs ont chacun rompu

une liaison cristalline du silicium. Ils ont donc
laiss derrire eux un emplacement vide, nous
parlons d'un "trou".
Ces lectrons vont se dplacer librement dans
la plaquette jusqu'au moment o ils rencontre
un "trou" et se fixer nouveau dans le rseau. liaisons Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Ce dplacement alatoire d'lectrons (dans

n'importe quel sens) correspond un courant
lectrique alatoire qui reprsente ce que nous
appelons du souffle lectronique.
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
plaquette de Si pur
IMAGE A4.4
Toutefois, ce courant est trs, trs faible et nous parlons de conduction intrinsque. Cette conduction
intrinsque est pratiquement non mesurable pour un technicien de maintenance. Ces courants, souvent
indsirables, sont de l'ordre du nanoampre et appels courants de fuites.
Mme non mesurable, ces courants de fuites existent nanmoins et deviennent trop important si la temprature
n'est pas contrle.
UN SEMI-CONDUCTEUR EST DONC TRES SENSIBLE A LA TEMPERATURE ET NECESSITERA DES
MOYENS EXTERNES DE STABILISATION. SANS QUOI UN EMBALLEMENT THERMIQUE
ENTRANE TRES VITE LA DESTRUCTION DU SEMI-CONDUCTEUR.
A4.3 Dopage d'un semi-conducteur

Afin d'amliorer la conduction d'un semi-conducteur, les fabricants injectent dans une plaquette semiconductrice des matriaux trangers, ou impurets, qui possdent un nombre d'lectrons priphriques juste
infrieur ou juste suprieur aux 4 lectrons du semi-conducteur.
IMAGE A4.5
Le dopage N consiste ajouter au semi-conducteur des atomes possdants 5 lectrons priphriques. Quatre de
ces lectrons vont participer la structure cristalline, et un lectron supplmentaire va se retrouver libre et
pouvoir se dplacer dans le cristal. Nous parlons de porteurs de charges mobiles.
+
+
+
-
+
-
+ -
+
-
ions +
immobiles
lectrons
mobiles
Les ions + sont fixes car ils font partie de la structure

atomique cristalline de la plaquette de silicium.
Rappelons que les ions comprennent le noyau des atomes
et qu'ils sont gros, lourds et solides par rapports aux
porteurs de charges mobiles. Un lectron est environ
2000x plus petit qu'un seul proton.
plaquette de Si dop N
IMAGE A4.6
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Le dopage P consiste ajouter au semi-conducteur des atomes possdants 3 lectrons priphriques. Ces trois
lectrons participent la structure cristalline, mais un "trou" est cr par chaque atome tranger puisqu'il lui
manque un lectron priphrique.
+
-
Les "porteurs de charges lectriques" mobiles sont

responsables de la conduction d'une plaquette de silicium
dope.
+
-
+
-
+
-
ions immobiles
"trous" +
mobiles
plaquette de Si dop P
Si la proportion de dopage est de l'ordre de dix atomes de

dopant P pour 100 atomes de silicium, la conductibilit
du semi-conducteur est amliore dans la mme
proportion, soit de 10%.
IMAGE A4.7
Il est donc possible de "rgler" la conduction d'un semi-conducteur en choisissant la quantit de dopage. A
l'intrieur d'un circuit intgr, il est ais d'imaginer des zones plus ou moins dopes de manire obtenir des
rsistances lectriques.
A4.4 Effet diode, la jonction P - N

Il est ais de s'imaginer ce qui se passe lorsque deux zones de dopage P et N sont ralises sur une mme
plaquette. A la jonction (runion) des deux zones, les porteurs de charges mobiles se combinent et il apparat
une zone d'espace vide de porteurs de charges mobiles, donc une zone isolante.
Zone N
+
-
+
+
-
+
+
+ - +
-
Zone P
IMAGE A4.8
En observant attentivement la polarit rsultante des charges lectriques de la zone isolante, on s'apperoit
qu'elle est inverse la polarit de la rgion de dopage: charge positive dans la zone N et charge ngative dans la
zone P.
Cela signifie qu'une jonction PN non alimente est l'image d'un condensateur, savoir deux zones
conductrices spares par une zone isolante.
Le symbole de la diode reprsente directement ces deux zones:
L'anode reprsente la zone P
La cathode reprsente la zone N

IMAGE A4.9
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A4.5 Mcanisme de conduction d'une diode

Lorsque l'on alimente une diode, donc une jonction PN, l'effet change selon la polarit de la tension applique.
Une diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Essayons de comprendre ce phnomne particulier :
A4.5.1 Le PLUS la zone P

Si l'alimentation (Ug) est suprieure 0,6 - 0,7 volts, les porteurs de charges mobiles ont suffisamment d'nergie
pour "traverser" la zone isolante.
+
+
+ +
+
-
+
+
- +
+
+
- +
+
+
+
+
Uj
_
R ig
+
_
Ug
+
Uj = 0,6 - 0,7V
I
IMAGE A4.10
IMAGE A4.11
Nous constatons la circulation du courant lectrique. La jonction est conductrice en prsentant une diffrence de
potentiel de 0,6 - 0,7 volts ses bornes.
La diode conduit et nous pouvons idaliser ce fonctionnement en remplaant la diode par un gnrateur DC et
un interrupteur ferm.
Nous parlons de: polarisation dans le sens passant, ou sens direct; courant direct; en anglais "forward".
A4.5.2 Le PLUS la zone N

Les porteurs de charges mobiles sont attirs vers les connexions extrieures par la prsence des charges
lectriques de l'alimentation.
+
+ +
+
+
+
++
+ -
_
Uj
R ig
_
Ug
Uj Ug
IMAGE A4.13
IMAGE A4.12
Nous constatons l'largissement de la zone vide de porteurs de charges. La jonction reste isolante.
La diode est bloque et nous pouvons reprsenter cet tat par un interrupteur ouvert.
Nous parlons ici de: polarisation dans le sens bloquant, ou dans le sens inverse; en anglais "reverse"
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A4.6 Effet Zener, une jonction fortement dope

Nous savons qu'une jonction P-N ne laisse passer le courant que dans un seul sens, en polarisation directe. Par
contre, en polarisation inverse, il ne circule pratiquement aucun courant tant que la tension inverse ne dpasse
pas une valeur limite, limite appele tension de claquage UINV MAX.
+
+ +
+ +
+
La tension inverse donne naissance un champ lectrique lintrieur de

la plaquette de silicium, et plus prcisment dans la zone isolante de la
jonction.
La quantit faible des lments de dopage fait que la jonction PN dune
diode conventionnelle supporte des champs lectriques intenses
correspondants des tensions inverses allant de plusieurs centaines de
volts plusieurs milliers de volts.
+ -+ +
+
-+
+
-
champ lectrique
IMAGE A4.14
V
m
Si cette tension UINV MAX est dpasse, lemballement thermique dtruit la diode dans la plupart des cas. C'est ce
qui est appel la zone de claquage.
Par contre, les diodes Zener ont t spcialement conues et fabriques de manire pouvoir tre utilise en
polarisation inverse, dans la zone de claquage, notamment en
modifiant les dimensions de la jonction et surtout la quantit de
dopage des zones P et N.
IMAGE A4.16
IMAGE A4.15
+
- - - - + + +
- - - - + + +
- - - - + +
+ + + + +
- - + + + + +
- + +
champ lectrique
V
m
+ + +
-
Plus fortement dope que les diodes conventionnelles, un champ

lectrique relativement faible devient dj suffisamment intense
pour que les liaisons de covalence s'affaiblissent et se rompent.
Les porteurs de charges (des lments de dopage) ainsi librs
sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement
et pour que la tension aux bornes de la diode ne varie
pratiquement plus. Cest ce qui est appel leffet Zener.
Pour dautres diodes Zener, il est possible que sous l'action du champ lectrique interne, les porteurs de charges
minoritaires (du silicium) de la zone isolante acquirent une nergie telle qu'il puisse y avoir ionisation par choc,
et, par effet d'avalanche, le courant crot extrmement vite et la tension aux bornes de la diode ne varie
pratiquement plus. Cest ce qui est appel effet davalanche.
avalanche
+
zener
IMAGE A4.17
En pratique, pour les diodes dont la tension zener dpasse 10V, seul l'effet d'avalanche est possible. Ce qui
pour consquence que la caractristique de la diode est moins franche (la pente est plus grande), et le coefficient
de temprature est positif.
Les diodes dont la tension Zener est infrieure 5V ont une jonction trs mince et seul l'effet Zener peut avoir
lieu, ce qui entrane que la caractristique de la diode est trs raide et, de plus, ces diodes ont un coefficient de
temprature ngatif.
Entre 5V et 10V, les deux effets peuvent se combiner, et la caractristique est la plus raide ainsi que le
coefficient de temprature qui peut tre proche de zro. Ce qui signifie que les diodes Zener prvues pour un
fonctionnement inverse compris entre 5V et 10V seront utilises pour un fonctionnement trs stable.
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A4.7 Effet transistor, du microscope l'ohmmtre

Avant 1950, tout quipement lectronique comportait des tubes vide. Ces "lampes" luminescentes, dont le
filament lui seul consommait dj quelques watts, ncessitaient une alimentation volumineuse et un dispositif
de circulation d'air afin de dissiper la chaleur mise.
Effectuant des recherches depuis 1948 aux Bells Telephone Laboratories, trois chercheurs mirent au point, vers
1951, un dispositif semi-conducteur deux jonctions appel transistor (de l'expression anglaise TRANSfer
resISTOR). Ces trois physiciens et techniciens amricains, JOHN BARDEEN, WALTER BRATTAIN et
WILLIAM SCHOCKLEY obtinrent d'ailleurs le prix Nobel de physique en 1956 pour leur invention.
L'impact de cette dcouverte sur l'lectronique fut considrable et donna naissance toute une industrie ainsi
qu'au dveloppement de composants lectroniques allant jusqu'au microprocesseur actuel prsent dans tout
micro-ordinateur.
Un transistor est ralis partir d'une plaquette semi-conductrice, germanium ou silicium, dans laquelle trois
zones de dopage P ou N, telles que nous l'avons dj dcrit pour les diodes, sont cres, ce qui reprsente la
ralisation de deux jonctions P-N.
Il est donc possible d'obtenir des transistors PNP ou NPN qui sont complmentaires. Les courants et les tensions
d'un transistor PNP sont opposs aux courants et tensions d'un transistor NPN, mais le principe de
fonctionnement est exactement le mme pour les deux types.
Vu l'aide d'un microscope, l'intrieur d'un transistor peut se visualiser (en simplifi, bien sr) selon le dessin
ci-dessous.
IMAGE A4.18 [2]
Il est utile de savoir que la zone d'metteur est fortement dope, la zone de base est trs troite (de l'ordre du
m) et faiblement dope, alors que la zone collecteur, dope moyennement, est par contre la plus large des trois
zones et dissipe le plus de chaleur.
Le transistor ressemble donc deux diodes, l'une pouvant tre appele diode collecteur pour la jonction basecollecteur, et l'autre diode metteur pour la jonction base-metteur. Le transistor peut se comparer au schma de
deux diodes dont soit les anodes (cas du NPN) ou les cathodes (cas du PNP) sont relies et symbolisent la base.
IMAGE A4.19
IMAGE A4.20
Ce schma quivalent des deux diodes reprsente bien ce que nous pouvons mesurer l'aide d'un ohmmtre,
mais la comparaison s'arrte l car pour que l'effet transistor existe, il faut bien que la base soit trs mince et
faiblement dope, le tout sur la mme plaquette semi-conductrice.
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A4.8 Effet transistor, du microscope l'ampremtre

Si nous alimentons le transistor de telle manire polariser les diodes collecteur et metteur dans le sens direct,
nous constatons un grand courant du aux porteurs de charges majoritaires amens par les atomes du dopage.
IMAGE A4.21 [2]
Si au contraire nous alimentons le transistor de manire polariser les diodes collecteur et metteur dans le sens
inverse, nous constaterons un trs faible courant, d aux porteurs de charges minoritaires amens par l'agitation
thermique. Ce courant est souvent ngligeable, mais il existe nanmoins.
IMAGE A4.22 [2]
Chacun des courants ci-dessus est dpendant de la temprature et augmente avec celle-ci. En effet, la rsistivit
des semi-conducteurs diminue avec l'augmentation de la temprature (le coefficient est ngatif). Cette
dpendance physique sera lourde de consquence lorsqu'il faudra obtenir des montages lectroniques stables
quelque soit la temprature de fonctionnement.
A4.9 Effet transistor, du microscope l'effet transistor

Rien d'inhabituel ne s'est produit lors de la polarisation directe ou inverse des deux jonctions. Ce que nous
pouvons appeler l'effet transistor se produit losque le transistor est aliment de manire polariser la diode
metteur dans le sens direct et la diode collecteur dans le sens inverse:
IMAGE A4.23 [2]
Nous pouvons nous attendre un courant d'metteur provenant de la base, puisque la jonction base-metteur est
polarise dans le sens direct, et aucun courant de collecteur, car la jonction base-collecteur est polarise en
inverse. Mais ce serait oublier que la base est trs mince et faiblement dope.
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APPROCHE THEORIQUE
L'effet transistor peut se rsumer (et se simplifier) de la manire suivante: Les lectrons venant de l'metteur
(cas du NPN) arrivent dans la rgion de la base. Deux trajets sont offerts, l'un vers la zone de la base, et l'autre
travers la jonction collecteur et ensuite dans la rgion du collecteur.
IMAGE A4.24 [2]
La base tant trs mince et remplie d'lectrons provenant de l'alimentation de l'metteur, ceux-ci provoquent un
champ lectrique sur la jonction collecteur, renfor par la polarisation inverse de l'alimentation de collecteur,
qui entrane une conduction par effet d'avalanche, l'image d'une diode Zener.
En fait, dans la plupart des transistors, plus du 95% des lectrons vont dans la rgion du collecteur, et moins de
5% des lectrons vont dans la rgion de la base et passent au conducteur externe de la base.
L'effet transistor n'existe donc que si la diode metteur est polarise dans le sens direct et la diode collecteur
dans le sens inverse. Si ces conditions sont remplies, nous constatons deux vnements essentiels pour
l'utilisation du transistor, savoir :
1 - Le courant de collecteur est peu prs gal au courant

d'metteur. (IE = IC 5% prs)
2 - Le courant de collecteur n'est existant que si la jonction
base-metteur est polarise dans le sens direct (UBE = 0,6V) ce
qui implique un courant de base IB.
IMAGE A4.25 [2]
En rsum, pour que l'effet transistor existe, il faut :
- que la diode collecteur soit polarise en inverse

- que la diode metteur soit polarise dans le sens direct
et dans ce cas le transistor devient une source de courant commande :

Le faible courant de base commande un fort courant d'metteur ( et donc de collecteur )
Le transistor peut se reprsenter l'aide d'un schma quivalent compos d'une source de courant (commande)
et d'une diode.
IMAGE A4.26 [2]
IMAGE A4.27 [2]
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APPROCHE THEORIQUE
A4.10 Effet de champ

Au paragraphe 4.6 sur l'effet Zener, nous avons remarqu que les porteurs de charges mobiles de l'lment de
dopage pouvaient se dplacer sous l'influence d'un champ lectrique. Par exemple, une jonction PN se vide lors
d'une polarisation inverse, ce qui amne l'existence d'un champ l'intrieur mme de la jonction.
Ce phnomne est utilis par les transistors effet de champ que nous pouvons rsumer de la manire suivante,
un canal conducteur (P ou N) est rendu plus ou moins conducteur grce une tension de commande qui le vide
tout ou en partie de ses porteurs de charges mobiles.
La tension UGS commande
le courant de drain ID
ID
D
B
G
UGS
S
IMAGE A4.28
Sur un barreau de silicium P, deux zones N sont diffuses pour former le drain et la source. Le barreau P forme
galement un condensateur avec la grille dont le dilectrique est la couche d'oxyde.
connexions
mtalliques (Al)
S
Couche d'oxyde (SiO 2)
N
Couche inverse
canal N
Barreau P
B
IMAGE A4.29
Lorsque la grille est rendue positive par rapport le source, les lectrons du barreau sont attirs dans la zone
situe entre le drain et la source. Par cet artifice, un canal de type N est cr entre la source et le drain. Si une
tension est applique entre le drain et la source, un courant de drain ID circulera.
En variant la tension de commande UGS, la densit des lectrons dans le canal change. Ce qui signifie que le
courant de drain varie ou que la rsistance de passage du drain est modifie, ce qui revient au mme.
L'avantage de cette commande, dite en tension, est qu'il n'y a aucun courant de grille, donc aucun courant de
commande, ce qui diminue d'autant la puissance de commande ncessaire. De plus, comme il n'y a pas
d'lectrons dplacer dans la grille, la rapidit de commande est accrue ce qui permet ces transistors de
"travailler" plus haut en frquence.
En technique audio, ils sont parfois prfr aux transistors bipolaires (PNP ou NPN) car le rsultat de cette
commande en tension est d'obtenir un son plus "chaud", l'image des tubes lectroniques sous vide.
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LES COMPOSANTS ELECTRONIQUES
APPROCHE THEORIQUE --
B5 LES DIODES
SOMMAIRE
B5.1
B5.2
B5.3
B5.4
B5.5
B5.6
B5.7
Premire approche
De la jonction PN la diode
Caractristique d'une diode
Mcanisme de conduction d'une diode
Approximation d'une diode
Principales utilisations
Bibliographie
B5.1 Premire approche
Selon la Mthode d'analyse, M. J.Neuenschwander
SYMBOLE*
Anode
Cathode
IMAGE B5.1
FONCTION*
SPECIFICATIONS*
TYPES*
La fonction "gnrique" d'une diode est d'une part, elle laisse passer le courant dans un sens,
nous disons qu'elle est conductrice (dans le sens passant ou sens direct) et d'autre part, elle
bloque le courant dans l'autre sens. Nous disons alors qu'elle est bloque (dans le sens
bloquant ou inverse).
Puissance nominale PNOM. [W],
Tension inverse UINV. [V] et
Courant direct IDIR. [A].
TECHNOLOGIE
Actuellement pratiquement toutes les diodes sont ralises l'aide de silicium. Leur aspect
diffre essentiellement en fonction des limites qu'elles peuvent supporter, savoir le courant
direct maximal et la tension inverse maximale.
Petits signaux : Commutations de commandes, petites protections, limitation, dmodulation.
UTILISATIONS
Grands signaux : Redressements, protections d'lectroaimants.

Ohmiquement, il n'y a gnralement aucune disposition particulire.
METHODE DE
CONTRLE*
Pour mesurer les valeurs principales de sa caractristique tension - courant, il faut veiller
limiter les courants maximum admissibles
Il n'est peut-tre pas inutile de prciser ici qu'un bon praticien a besoin de connatre "par coeur" les indications suivies de l'astrisque * pour
une pratique efficace du dpannage des circuits lectroniques..
EPSIC.ch / Site Technique Electronique / Fichiers B*.pdf - Version aot 2000 - Date conversion : 15/11/01
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B5 LES DIODES
B5.2 De la jonction PN la diode

Une diode est un lment en silicium form de deux rgions de dopage diffrent, savoir dopage P et dopage
N. La runion des deux zones de dopage, sur une mme plaquette de silicium, s'appelle une jonction PN.
Zone N
IMAGE B5.2
A la jonction (runion) des deux zones P et N, les porteurs de charges

mobiles se combinent et il apparat une zone d'espace vide de porteurs de
charges mobiles, donc isolante. Les proprits physiques qui rsultent de
cet espace donnent naissance aux phnomnes de conduction lectrique
particulire, comme la conduction dans un seul sens du courant
lectrique.
Une forte majorit d'lments lectroniques, du transistor aux circuits
intgrs, sont composs de jonctions PN.
+
+
-
+
+
+
-
+ - +
-
Zone P
IMAGE B5.3
Pour cette raison qu'il est utile de comprendre le mcanisme physique qui se droule dans une jonction PN. Une
brve introduction aux semi-conducteurs est prsente sur les pages Introduction l'lectronique / thorie des
semiconducteurs de ce site et donne une explication succincte sur le fonctionnement d'une jonction P-N.
B5.3 Caractristique d'une diode
polarisation
directe
+
ID
Le comportement d'une diode peut se dduire de sa

caractristique courant - tension :
zone de
conduction
ID = f (UD).
La courbe obtenue n'tant pas une droite, nous parlons

d'un lment non-linaire. Ce qui signifie que le courant
qui circule dans l'lment n'est pas proportionnel la
tension applique, donc ne dpend pas uniquement de la
loi d'ohm.
Dans le sens direct, la tension de seuil est la tension
ncessaire appliquer la diode pour qu'elle devienne
conductrice. USEUIL 0,6V pour le Si ( 0,3V pour le
Ge).
zone de
blocage
U INV.MAX.
U
emballement
thermique
UD
SEUIL
exemple: 1N4007
zone de
U
U
claquage
polarisation
SEUIL
= 0,6 V
INV.MAX.
= 1000V
+
inverse
IMAGE B5.4
Au del de la tension de seuil, le courant ne dpend pratiquement plus que de la rsistance totale du circuit. La
tension aux bornes de la diode est comprise entre 0,6V et 0,8V.
Le courant inverse est trs faible (de l'ordre du nanoampre). Il augmente trs fortement au del d'une certaine
tension inverse, appele tension de claquage. La tension inverse de claquage varie entre 10 et 1000 Volts
suivant le type de diode. Dans la plupart des cas, l'emballement thermique entran par la tension de claquage
dtruit la diode.
Les caractristiques varient considrablement avec la temprature et les concepteurs de circuits doivent en tenir
compte. Nous n'entrerons pas ici dans plus de prcisions concernant ces caractristiques, car pour le dpanneur,
de plus amples dtails sont fournis dans les livres de correspondances (data-book) auxquels nous pouvons ici
quencourager la lecture. Par contre, et avant d'analyser les divers circuits d'utilisations des diodes, voici
quelques grandeurs que nous pouvons considrer comme importantes et qu'il faut garder en mmoire :
Courant direct maximum :
IF
Courant direct maximum de crte : IFM
Tension inverse maximum :
UR
Tension inverse maximum de crte : URM
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B5 LES DIODES
B5.4 Mcanisme de conduction d'une diode

Lorsque l'on alimente une diode, donc une jonction PN, l'effet change selon la polarit de la tension applique.
Une diode ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Essayons de comprendre ce phnomne particulier :
Le PLUS la zone P
+
+ +
+
-
+
- +
+
- +
+
+
Le PLUS la zone N
+
+ +
+
+
+
+
+
+
++
+-
+
I
IMAGE B5.5
Si l'alimentation (V ) est suprieure 0,6 - 0,8

volts, les porteurs de charges mobiles ont
suffisamment d'nergie pour "traverser" la zone
isolante.
IMAGE B5.6
Les porteurs de charges mobiles sont attirs

vers les connexions extrieures par la
prsence des charges lectriques de
l'alimentation.
Le PLUS la zone P
+
Uj
_
R ig
Ug
Le PLUS la zone N
+
_
IMAGE B5.7
Ug
Uj = 0,6 - 0,8V
Nous constatons qu'un courant lectrique circule.

La jonction est conductrice en prsentant une
diffrence de potentiel de 0,6 - 0,8 volts ses
bornes.
La diode conduit et nous pouvons idaliser ce
fonctionnement en la remplaant par un
gnrateur DC (0,6 - 0,8V) et un interrupteur
ferm.
Uj
R ig
_
IMAGE B5.8
Uj = Ug
Nous constatons que la zone vide de porteurs de

charges s'largit. La jonction est isolante.
La diode est bloque et nous pouvons reprsenter
cet tat par un interrupteur ouvert.
Nous parlons ici de: polarisation dans le sens
bloquant, ou dans le sens inverse; en anglais
"reverse" .
Nous parlons de: polarisation dans le sens

passant, ou sens direct; courant direct; en anglais
"forward".
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B5 LES DIODES
B5.5 Approximation d'une diode

En technique de maintenance ou de dpannage, si nous dsirons comprendre le fonctionnement d'un montage
comprenant des diodes, il est souvent plus simple de considrer la diode de manire approximative. Pour
illustrer ces approximations, nous utilisons une technique dite de schmas quivalents.
Selon le besoin, nous pouvons avoir en tte, l'un ou l'autre des schmas quivalents ci-dessous. Le choix de
l'approximation dpend de la valeur des tensions prsentes dans le circuit, de l'utilit du circuit diode
(dvelopp dans les pages suivantes) ou encore des courants circulant dans le montage.
ID
ID
UD
UD
UD
0,6 V
Diode idale:
1re approximation :
IMAGE B5.9
IMAGE B5.10
ID
UD
RID
UD
ID
0,6 V
R ID =
U D
I D
UD
Deuxime approximation:
IMAGE B5.11
B5.6 Principales utilisations

Les diodes sont utilises principalement dans les circuits selon trois groupes de fonction diffrents:
Les circuits de redressement
qui permettent la conversion d'une tension

alternative en une tension continue.
Les circuits d'crtage,

ou circuits de limitation
qui permettent d'empcher un signal

dpasser une valeur (amplitude) choisie.
Les circuits de commutation
qui permettent la commande ou le

changement de normes, ou encore pour
circuits logiques.
PAGE 4 / 5
B6 LES DIODES ZENER
SOMMAIRE
B6.1
B6.2
B6.3
B6.4
B6.5
B6.6
B6.7
Premire approche
De la diode conventionnelle la diode Zener
Caractristique tension - courant d'une diode Zener
Valeurs pratiques des tensions Zener
Principales caractristiques des diodes Zener
Principales utilisations
Bibliographie
B6.1 Premire approche

Selon la Mthode d'analyse, M. J.Neuenschwander
SYMBOLE*
Anode
Cathode
IMAGE B6.1
FONCTION*
SPECIFICATIONS*
TYPES*
La fonction principale d'une diode Zener est de maintenir une tension

constante ses bornes. Ce sont des diodes stabilisatrices de tension.
Puissance nominale PZ NOM. [W],
Tension inverse (ou Zener) nominale UZ [V] et
Courant Zener maximal IZ MAX. [A].
TECHNOLOGIE
Toutes les diodes Zener sont ralises l'aide de silicium. Les Zener les plus
courantes ont une PZ NOM. = 450mW
UTILISATIONS
La grosse majorit des diodes Zener sont utilises dans des circuits de
commande faible consommation. Egalement comme circuit de limitation ou
crtage.
METHODE DE CONTRLE*
Ohmiquement, on mesure uniquement l'tat de la jonction PN (ouvert ou

court-circuit).
Pour mesurer les valeurs de sa caractristique tension - courant, il faut
veiller limiter le courant maximal admissible.
Il n'est peut-tre pas inutile de prciser ici qu'un bon praticien a besoin de connatre "par coeur" les indications suivies de
l'astrisque * pour une pratique efficace du dpannage des circuits lectroniques.
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B6 LES DIODES ZENER
B6.2 De la diode conventionnelle la diode Zener

Plus fortement dope que les diodes conventionnelles, un champ lectrique relativement faible devient dj
suffisamment intense pour que les liaisons de covalence s'affaiblissent et se rompent. Les porteurs de charges
(des lments de dopage) ainsi librs sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et que la
tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement plus. Cest ce qui est appel leffet Zener.
+
+ +
+ +
+
+ - + +
+
- +
+
-
+
- - + + +
- - ++ +
- - + +
+ + + +
- + + + +
- + + + +
-
+
+
+
-
champ lectrique
champ lectrique
V
m
V
m
IMAGE B6.2
IMAGE B6.3
Pour dautres diodes Zener, il est possible que sous l'action du champ lectrique interne, les porteurs de charges
minoritaires (du silicium) de la zone isolante acquirent une nergie suffisante pour qu'il puisse y avoir
ionisation par choc, et, par effet d'avalanche, le courant crot extrmement vite. La tension aux bornes de la
diode ne varie pratiquement plus. Cest ce qui est appel effet davalanche.
IMAGE B6.4
B6.3 Caractristique tension - courant d'une diode

Zener
ID
La caractristique tension - courant dune diode Zener montre

ces phnomnes.
IZ = f (UZ)
+
UZ-NOM.
Dans le sens direct :

La diode Zener se comporte comme une diode
conventionnelle.
I Z-NOM.
UD
UZ 0,6V et le courant maximum direct dpend du

circuit externe la diode.
Dans le sens inverse :

La diode prsente une rsistance trs petite ds que la
tension de claquage, ou tension Zener, est atteinte.
I Z-MAX.
La diode est dans ce cas en conduction inverse, et il est impratif de limiter le courant dans celle-ci, avec une
rsistance en srie, par exemple.
Dans ce cas, UZ UZ NOM
(si IZMIN < IZ < IZMAX)
Nous pouvons galement tablir la valeur de la rsistance interne que la diode prsente au circuit. Nous parlons
de rsistance interne dynamique, qui se calcule selon la formule :
R IZ DYN =
U Z
I Z
Si la tension inverse redescend en dessous de la valeur Zener, la diode se bloque nouveau.

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B6 LES DIODES ZENER
B6.4 Valeurs pratiques des tensions Zener

En pratique seul l'effet d'avalanche est possible pour les diodes dont la tension Zener dpasse 10V. Ce qui
deux consquences, la caractristique de la diode est moins franche (la pente est plus grande) d'une part et le
coefficient de temprature est positif d'autre part.
Les diodes dont la tension Zener est infrieure 5V ont une jonction trs mince et seul l'effet Zener peut avoir
lieu, ce qui entrane que la caractristique de la diode est plus raide et, de plus, ces diodes ont un coefficient de
temprature ngatif.
avalanche
+
zener
o
IMAGE B6.5
Entre 5V et 10V, les deux effets se combinent. La caractristique est la plus raide ainsi que le coefficient de
temprature qui peut tre proche de zro. Les diodes Zener sont particulirement indiques pour les circuits
dont la tension doit tre trs stable en temprature (Vrf. , par exemple).
B6.5 Principales caractristiques des diodes Zener

Nous pouvons reprer le fonctionnement de la diode Zener, avec ses limites, sur la courbe caractristique
IZ = f (UZ) de la diode Zener.
Nous avons vu que la valeur Zener nominale
donne pour un courant Zener nominal IZNOM. .
ID
IMAGE B6.6
UZNOM est
+
U
I Z-MIN.
I Z-MAX.
UD
La diode Zener prsente une valeur de rsistance interne

dynamique trs faible dans la zone de fonctionnement. En
d'autres termes, pour une petite variation de la tension UZ
(=UZ,) la diode modifie fortement le courant IZ (= IZ.)
UZ
RIZ =------------- 0,1

IZ
Enfin, en connaissant la puissance maximale que peut dissiper la diode, nous pouvons calculer le courant Zener
maximal qui peut traverser la diode.
De la puissance maximale PZMAX. nous tirons le courant Zener maximum IZMAX. .
PZMAX.
IZMAX. = --------------UZNOM.
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B6 LES DIODES ZENER
De plus, il est possible de dterminer, comme pour les diodes conventionnelles, une valeur de rsistance interne
de la diode, soit de manire statique RIZ_STAT. , soit de manire dynamique RIZ_DYN. , en fonction des besoins.
Ce dernier point nous amne considrer la diode Zener selon la mme technique d'approximation utilise pour
les diodes conventionnelles:
Deuxime approximation:
ID
Diode Zener idale:

UZ
ID
UD
UD
R IZ =
U
I
UZ
+
-
+
+
IMAGE B6.7
IMAGE B6.8
Lors du dpannage, il peut tre suffisant de considrer la diode Zener dans un circuit comme une diode Zener
idale. Par contre, dans la conception et le calcul de circuits lectroniques, il est souvent ncessaire de prendre
en compte la valeur de la rsistance interne RIZ .
B6.6 Principales utilisations

Les diodes Zener sont utilises pour leur proprit de maintenir une tension constante leurs bornes : Les
circuits de stabilisation de tension ou "rgulateur Zener" ou les circuits gnrateurs de tension de rfrence. Le
schma est toujours semblable et consiste relier une rsistance en srie avec la Zener et de se connecter aux
bornes de celle-ci pour obtenir une tension fixe.
RS
UE +
U Rch fixe
R ch
IMAGE B6.9
ID
Pour le fonctionnement du montage, il est impratif que la diode

zener fonctionne dans la zone de claquage, appele galement zone
d'utilisation Zener.
Il faudra pour cela contrler si la tension d'entre est suffisante et
surveiller que le courant dans la zener ne descende pas en dessous
d'un minimum, ce qui entranerait le blocage de la diode.
IZ-MIN.
+
zone
d'utilisation
IMAGE B6.10
IZ-MAX.
PAGE 4/ 5
UD
U petit
I grand

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IMAGE A4.22 [2]

A4.9 Effet transistor, du microscope l'effet transistor

IMAGE A4.23 [2]

A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

IMAGE A4.24 [2]

1 - Le courant de collecteur est peu prs gal au courant

En rsum, pour que l'effet transistor existe, il faut :

- que la diode collecteur soit polarise en inverse

et dans ce cas le transistor devient une source de courant commande :

IMAGE A4.26 [2]

IMAGE A4.27 [2]

A4 THEORIE DES SEMI-CONDUCTEURS

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