ChapI - Théorie Simplifiée Des SC
ChapI - Théorie Simplifiée Des SC
ChapI - Théorie Simplifiée Des SC
M. KOUADJO ANO
Enseignant – Chercheur à l’ESATIC / Responsable UP physique
Email: [email protected] / Cel: +225 07 57 14 00 02
Wh: +225 01 71 49 11 11
Direction de la pédagogie - Bureau n°8
2022-2023
SOMMAIRE
CH1: THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS
CH2: JONCTION PN
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
L’atome est constitué d’un noyau autour duquel gravitent des électrons de charges électrique
négative ( 𝒒 = −𝟏, 𝟔 𝟏𝟎−𝟏𝟗 Coulomb).
Les électrons d’un atome gravitant autour du noyau sont assujettis à occuper des niveaux
d’énergie discrets E1, E2... En, définissant chacun une couche électronique.
Plus le niveau est élevé, plus la couche qui lui correspond est éloignée du noyau.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
Si l’on choisit comme origine énergétique (E = 0 eV) celle d’un électron soustrait à l’influence du
noyau (c’est-à-dire porté à une distance infinie), toutes les valeurs des nivaux d’énergies En sont
négatives (1 eV représente 1,6 10-19 Joule). Cela se traduit par le fait qu’il faut produire un
travail pour éloigner un électron.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
On distingue :
• Les électrons internes qui occupent les premières couches. Ils sont alors très
fortement liés au noyau
• Les électrons de valence (ou périphériques) qui occupent la couche la plus
externe. Ces électrons de valence sont peu liés au noyau.
• K (2 électrons)
• L (8 électrons)
K
• M (4 électrons) L
M
Contrairement aux deux premières, la dernière couche (M) est incomplète, elle peut
accueillir 4 électrons supplémentaires. En effet, Il faut savoir que tous les atomes
tendent à avoir huit électrons sur leur couche périphérique.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
1.2 Structure d’un cristal
Un cristal est constitué d’un ensemble d’atomes dont les noyaux sont répartis dans l’espace de
façon régulière. La cohésion des atomes est assurée par la mise en commun des électrons de
valence pour former des liaisons dites de covalence.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
Les bandes d’énergie accessibles aux électrons sont appelées bandes permises.
Deux bandes permises consécutives sont séparées par une bande dite bande interdite qui ne
peut être occupée par les électrons.
A l'état fondamental de la matière c.-à-d. T ≈ 0°K, les deux bandes externes déterminent
les propriétés électriques du solide.
EC
EG
EV
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
▪ La bande de conduction (BC): c’est la bande permise supérieure (la plus externe). Le niveau
d’énergie le plus bas est appelé niveau de conduction (EC). La BC est partiellement remplie ou
vide à 0°K. Les électrons de la bande de conduction sont dit électrons libres. Ils peuvent se
déplacer au sein du matériau, d'atome en atome, pour participer à la conduction électrique.
▪ La bande de valence (BV): c’est la bande permise inférieure. Son niveau d ’énergie le plus
haut est appelé niveau de valence (EV). A à 0°K, cette bande d'énergie est complètement
remplie d'électrons dits électrons de valence (électrons liés). De ce fait, ils ne participent pas
à la conduction électrique, permettent la cohésion locale du solide (stabilité de la structure).
NB: les électrons de valence peuvent passer de la BV à la BC , donc devenir électrons libres, avec un apport
extérieur d’énergie suffisant.
▪ La bande gap ou gap: c’est la bande interdite qui sépare la bande de conduction (BC) et la
bande de valence (BC). Sa largeur énergétique est notée EG : 𝑬𝑮 = 𝑬𝑪 − 𝑬𝑽 (eV)
Chaque type de matériau présente une hauteur de bande interdite qui lui est propre, cette
différence d’énergie, qui joue un rôle fondamental, permet de distinguer les matériaux isolants,
semi-conducteurs et conducteurs.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
1.3 Isolant, semi-conducteur, conducteur
La nature isolant, semi-conducteur ou conducteur d’un matériau est fonction de la
largeur de sa bande interdite.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
Structures isolant et semi-conducteur
▪ Pour un matériau isolant (EG ≥ 7eV), l’énergie nécessaire pour faire passer un électron de la
BV à la BC est supérieure à l’énergie maximale admissible sur le matériau. De ce fait, il y
aura destruction du matériau avant de générer des électrons libres. Ex: la silice SiO2 (9 eV).
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2 – Semi-conducteur à l’équilibre thermodynamique
L’industrie fabrique les semi-conducteurs avec un haut degré de pureté (moins de 1 atome étranger
pour 1011 atomes de semi-conducteur) : on parle alors de semi-conducteur intrinsèque.
exemple, l’atome de silicium possède 4 électrons sur sa couche périphérique car il appartient à la 4°
colonne de la classification périodique des éléments indiquée ci-dessous.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.1 Semi-conducteur pur ou intrinsèque
Considérons un cristal de silicium pur, non excité, au zéro absolu (0°K) et dans l’obscurité. Afin
d’avoir huit électrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 électrons
périphériques en commun avec les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de silicium la
représentation de la figure ci-dessous.
Le silicium p ur est alors un isolant, en effet sa bande de valence est saturée (toutes les places
sont occupées). Sa bande de conduction (qui offre cependant des places libres) est alors vide.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.2 Ionisation thermique : génération de paires électrons trous
Lorsque la température augmente, l’agitation thermique désordonne la configuration figée
précédente (0°K). En effet, les électrons qui possèdent une énergie positive supplémentaire,
provoque la rupture de quelques liaisons de covalences.
➢ La place vacante laissée par l’électron qui a quitté la bande de valence est devenue un trou.
➢ L’atome de silicium qui a perdu un électron n’est plus alors électriquement neutre : il est
devenu un ion positif.
Remarque : ce phénomène d’ionisation thermique n’intéresse qu’un nombre très faible d’atomes de
silicium (3 sur 1013 à la température de 300 °K).
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.3 Hauteur de bande interdite et génération de paires électrons trous
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2.4 Phénomène de recombinaisons des électrons libres
L’ionisation thermique devrait conduire à l’ionisation de tous les atomes de silicium à savoir :
5.1022 atomes par c m 3. En fait, elle est compensée par un autre phénomène : les
recombinaisons d’électrons libres.
En effet, un électron libre, arrivant, lors de son
déplacement dans le cristal, à proximité d’un ion
positif peut être “capturé” par ce dernier afin de
satisfaire sa liaison de covalence (trou libre). La
liaison de covalence est alors rétablie. Dans le
modèle des bandes (figure) un électron de la bande
de conduction libère sa place et vient occuper une
place libre dans la bande de valence, neutralisant
alors un trou.
Lorsque l’électron descend de la bande de conduction vers la bande de valence, le semi-conducteur
restitue l’énergie sous forme de chaleur ou émet de la lumière (photon). Ce dernier effet est utilisé
dans les diodes électroluminescentes (L.E.D.) ou les lasers semi-conducteurs. Le photon émis a une
énergie égale à EG selon :
En sens inverse, un photon qui possède une énergie supérieure ou égale à EG a le pouvoir de
générer une paire électron trou.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
Considérons un niveau d’énergie E dans une bande permise. Soient n(E), la densité
d’électrons et N(E) la densité d’états (nombre de places disponibles) sur le niveau E.
La probabilité d’occupation du niveau E par un électron, à la température T est donnée par
la fonction de Fermi-Dirac fn(E) :
𝑛(𝐸) 1
𝑓𝑛 𝐸 = =
𝑁(𝐸) 1 + 𝑒𝑥𝑝 𝐸 − 𝐸𝐹
𝑘𝑇
▪ Le niveau énergétique EF appelé niveau de Fermi représente la limite entre les niveaux
vides et les niveaux occupés.
▪ Dans une bande permise, les électrons occupent les niveaux d’énergie à partir du plus bas.
↳ Les niveaux E < EF ⇒ occupés
↳ Les niveaux E > EF ⇒ vides
▪ EF correspond à une probabilité d’occupation de 1/2, à T = 0°K :
↳ E < EF ⇒ fn(E) = 1
↳ E > EF ⇒ fn(E) = 0
↳ E = EF ⇒ fn(E) = 1/2
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
Quelque soit T :
1
f n ( EF ) =
2
Pour les matériaux semi-conducteurs, le niveau de Fermi EF est situé dans la bande
interdite. En effet, à 0°K, la BV est pleine et la BC vide: EV < EF < EC .
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
On a : 𝑓𝑛 𝐸 + 𝑓𝑝 𝐸 = 1
⇒ 𝑓𝑝 𝐸 = 1 − 𝑓𝑛 𝐸
1
⇒ 𝑓𝑝 𝐸 = 𝐸 − 𝐸𝐹
1 + 𝑒𝑥𝑝 −
𝑘𝑇
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.5.3. Densité des porteurs de charge dans les bandes permises
On montre que: 3ൗ
2𝜋𝑚𝑛∗ 𝑘𝑇 2 NC: Densité d’état effective dans la BC
𝑁𝐶 = 2
𝑛 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 ℎ2 NV : Densité d’état effective dans la BV
Avec 3ൗ mn*: Masse effective des électrons
2𝜋𝑚𝑝∗ 𝑘𝑇 2
𝑝 = 𝑁𝑉 𝑒 (𝐸𝑉 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 𝑁𝑉 = 2
ℎ2 mp*: Masse effective des trous
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Figure: densité des électrons et des trous du silicium intrinsèque position du niveau
de Fermi EFI
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
3ൗ 3ൗ 3ൗ 3ൗ
𝑚𝑛∗ 2 𝑇 2
et
𝑚𝑝∗ 2 𝑇 2
(cm-3)
𝑁𝐶 = 2,5. 1019 (cm-3) 𝑁𝑉 = 2,5. 1019
𝑚0 300 𝑚0 300
▪ Les masses effectives 𝑚𝑛∗ et 𝑚𝑝∗ sont les masses des particules en mouvement.
▪ La masse m0 est la mase au repos (m0= 9,1.10-31 kg).
𝑛. 𝑝 = 𝑁𝐶 . 𝑁𝑉 𝑒 −𝐸𝑔 /𝑘𝑇
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.6 Concentration des électrons et des trou dans un semi-conducteur intrinsèque
Ainsi, on montre que le niveau de Fermi d’un semi-conducteur intrinsèque est très proche
du milieu de la bande interdite à t = 0°K : 𝐸𝐶 + 𝐸𝑉
𝐸𝐹𝑖 ≈
2
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.3. Semi-conducteur extrinsèque (dopé)
La nature donneur ou accepteur d’un atome dopant est définie par sa position et celle de
l’espèce chimique semi-conductrice dans le tableau de Mendeleïev. Ainsi, on a:
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
▪ Les semi-conducteurs classiques sont obtenus dans le groupe IV du tableau (ex: Ge, Si).
▪ Les espèces chimiques du groupe III sont des atomes accepteurs (ex: le bore B) pour
le silicium (Si) et le germanium (Ge), donc des dopants de type P.
▪ Les espèces chimiques du groupe V sont des atomes donneurs (ex: le phosphore P)
pour le silicium (Si) et le germanium (Ge), donc des dopants de type N.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2.3.2. Semi-conducteur dopé type N
Le dopage de type N consiste à incorporer dans le réseau cristallin des atomes qui
possèdent 5 électrons périphériques. Dans le cas du dopage du silicium au phosphore, chaque
atome de phosphore cherche à partager des paires d’électrons (liaisons covalentes) avec
chacun de ses atomes de silicium voisins pour posséder chacun 8 électrons périphériques.
Electron excédentaire
Il reste un électron de phosphore
supplémentaire qui ne peut être partagé. Le
cristal présente donc un excès d'électrons. Un
très faible apport d’énergie au cristal permet de
libérer ces électrons qui pourront ainsi se
déplacer dans le matériau.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
𝑁𝐷 ⟶ 𝑁𝐷+ + 1𝑒 −
Bande de conduction
Bande de valence
L’énergie nécessaire pour emmener l’électron excédentaire dans la bande de conduction est:
𝐸 = 𝐸𝐶 − 𝐸𝐷 (Energie d’ionisation)
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
La densité de dopants est toujours très supérieure à densité de porteurs intrinsèques: ND >> n0.
𝑛 ≈ 𝑁𝐷
On déduit la densité des trous de la loi d’action de masse:
𝑛𝑖2
𝑛. 𝑝 = 𝑛𝑖2 𝑝≈
𝑁𝐷
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
Le dopage de type P consiste lui à incorporer dans le cristal des atomes appartenant à la
colonne III, qui possèdent 3 électrons périphériques. Dans le cas du dopage du silicium au
bore, chaque atome de bore cherche à partager des paires d’électrons avec chacun de ses 4
atomes de silicium voisins pour posséder chacun 8 électrons périphériques.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
𝑁𝐴 + 1𝑒 − ⟶ 𝑁𝐴−
Bande de conduction
+ + +
Bande de valence
L’énergie nécessaire pour emmener un électron sur le niveau accepteur (donc un trou dans la BV)
est: 𝐸 = 𝐸𝐴 − 𝐸𝑉 (Energie d’ionisation)
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
La densité de dopants est toujours très supérieure à densité de porteurs intrinsèques: NA >> p0.
𝑝 ≈ 𝑁𝐴
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
3 - Semi-conducteur hors équilibre thermodynamique
3.1. Mobilité des porteurs de charge
Considérons un ensemble de particules constitué de N électrons libres (nuage ou gaz
d’électrons). En l’absence de force extérieure appliquée (Champ électrique), les particules
se déplacent de façon aléatoire.
La vitesse moyenne de déplacement du nuage d’électrons est donnée par :
1
𝑉𝐷 = 𝑣𝑖 (E.1) Avec 𝑣𝑖 la vitesse instantanée des particules
𝑁
𝑛
La vitesse moyenne 𝑉𝐷 est nulle car aucune direction n’est privilégiée (mouvement Brownien).
Si maintenant, on applique une force extérieure, l’équation du mouvement est exprimée par :
𝑑𝑉𝐷
𝑚 = 𝐹Ԧ = 𝑞𝐸 (E.2)
𝑑𝑡
𝑞𝜏 𝑞𝜏
La solution de l’équation E.2 est donnée par : 𝑉𝐷 = 𝑚 𝐸 = 𝜇𝐸 Avec, 𝜇 =
𝑚
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
La figure suivante présente la variation de la mobilité des électrons et des trous dans
le silicium à 300K en fonction de la concentration d’impuretés.
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Théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
⇒ 𝐽Ԧ = 𝑞 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 𝐸
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3.2.2. Résistivité
1 1
D’après 𝐽Ԧ = 𝜎𝐸 ⇒ 𝜎 = 𝑞 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 On a donc: 𝜌= =
𝜎 𝑞 𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝
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Fin
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