Résumé Sur La Physique Des Semi-Conducteurs: Universite Abdelmalek Essaadi Faculte Des Sciences Tetouan

UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI ‫جامعة عبد المالك السعدي‬
FACULTE DES SCIENCES ‫كلية العلوم‬

TETOUAN ‫تطوان‬
Résumé sur la physique des semi-conducteurs
 Introduction
 Matériaux semiconducteurs
 Structures cristallines
 Notion de bandes d’énergie permises
 Semiconducteurs intrinsèques et dopés
 Concentrations des porteurs d’un semiconducteur intrinsèque et
extrinsèque.
 Semiconducteurs hors d’équilibre.
 Phénomènes de transport dans les semiconducteurs.
 Dérive ou conduction
 Diffusion
 Processus de génération et recombinaison
 Equation de continuité.
Introduction
La physique des semi-conducteurs est l’une des branches les

plus riches et ouvertes de la physique des solides. L’intérêt
particulier porté à ces matériaux provient essentiellement de
leurs propriétés électroniques très intéressantes. En effet, le
semi-conducteur est un matériau plutôt résistif si il est pur ou
intrinsèque. On peut modifier sa conductivité en y introduisant
en quantité infime certains atomes, dits dopants, de nature
différente de ceux qui le composent.
Les paramètres fondamentaux d’un semi-conducteur sont d’une part
l’état de la population d’électrons à l’équilibre thermodynamique (qui
dépend fortement de la structure des niveaux d’énergie), et d’autre part
Filière SMP/S4/2020-2021 Résumé du cours d’électronique de base Prof.M.AGHOUTANE

l’évolution de cette population lorsqu’intervient une perturbation. On

distingue deux types de perturbations :
- les perturbations douces qui donnent lieu aux phénomènes de
transport par conduction et par diffusion,
- Les perturbations dures, éclairement par exemple, qui sont à
l’origine des phénomènes de génération-recombinaison.
 propriétés des semiconducteurs.
o Les trois catégories de matériaux classés par leur résistivité.
 Les isolants (verre, diamant, SiO2, . . .) : ρ ∼ 1010 `a 1022 Ω .cm.

 Les métaux (Cu, Al, . . .) : ρ ≈ 10−6 Ω. cm. Avec ρ augmente
lorsque la température augmente.
 Les semiconducteurs (Ge, Si, GaAs, GaN, . . .) : ρ varie de 10−3 Ω
.cm à 109 Ω .cm.
Résistivité et conductivité de différents matériaux
La particularité d’un semiconducteur est que sa résistivité, ρ, diminue si T

augmente et qu’elle dépend considérablement du dopage (présence des
impuretés dans le matériau).

ρ(T) = A exp (B/T) où A et B sont des constantes qui dépendent du

semiconducteur.
o Matériaux semiconducteurs.
Il existe deux catégories de semiconducteurs : organiques et inorganiques.

Les techniques de fabrications des semiconducteurs inorganique (épitaxie,
diffusion, etc..) diffèrent de celles des semiconducteurs organiques( synthèse
organique).
o Les semi-conducteurs inorganiques se subdivisent en :

 semiconducteurs simples comme le silicium (Si) ou le
germanium (Ge) ou constitués d’autre éléments de la colonne
IV de la table périodique.
 Semiconducteurs composés de type binaire comme GaAs ,
GaN, SiGe..etc. ou alliages ternaires comme AlxGa1−xAs
(dispositifs optoélectroniques comme les diodes lasers,
transistors particuliers) ou des composés quaternaires
Comme GaInAsP qui sont de la forme AxB1-xCyD1-y où x et y
sont des proportions situées entre 0 et 1.

 Structure cristalline et liaisons atomiques

Le silicium(Si) et le germanium(Ge) cristallisent dans un structure cubique de type diamant ou
chaque atome est entouré par quatre voisins situés au sommet d’un tétraèdre régulier comme le
montre la figure 1(voir le mot tetrahedron en anglais).
Cellule unité de la structure cristalline des monocristaux semiconducteurs à structure

diamant ;

Le matériau composé comme ZnS cristallise dans une structure dite Zincblende.
Structure Zincblende (ZnS comme exemple).
 Liaisons atomiques
Dans le cas des semiconducteurs simples comme le silicium, les liaisons entre
atomes sont de types covalents, elles sont basées sur un partage électronique
où chaque atome partage ses quatre électrons de valence avec ses quatre
voisins pour assurer quatre liaisons.
La projection de la structure dans le plan peut être représentée comme
suit :
A température T=0°K, toutes les liaisons sont assurées, le semiconducteur se

comporte comme un isolant. Lorsque T devient différente de 0°K, les atomes du
réseau gagnent de l’énergie thermique et vibrent autour de leurs positions
d’équilibre ce qui conduit à briser certaines liaisons covalentes et donc à libérer
des électrons.

Dans un semiconducteur, la conduction électrique est effectuée par deux types de

porteurs de charges : électrons qui sont des charges négatives et trous qui sont des
charges positives.
 Notions de bandes d’énergie.

 Les électrons d’un atome isolé se répartissent sur des niveaux discrets
d’énergie
 Lorsqu’on rapproche deux atomes, ces niveaux (ou sous-niveaux) vont se
dédoubler. En étendant ce raisonnement à N atomes, cette dégénérescence
fait apparaître des bandes d’énergie permises : bande de valence et bande
de conduction séparées par une bande interdite ou gap.
 La bande supérieure est appelée « Bande de Conduction »

 A 0 °K, la bande de conduction est vide d’électrons, par contre la bande
inférieure ou bande de valence est pleine d’électrons.
 Entre ces deux bandes se trouve une zone de largeur Eg (en Joule ou en
électronvolt) interdite aux électrons appelée « Bande Interdite » ou
« Gap ». Le fait que ces deux bandes (BC ou BV) soient entièrement
pleines ou vides implique que la conduction électrique ne peut exister. Le
semiconducteur se comporte alors comme un isolant.

 Pour une température différente de 0 °K, certains électrons de la BV

peuvent recevoir suffisamment d’énergie, supérieure à Eg, pour passer
dans la BC. Un « trou » apparaît alors dans la BV ce qui rend possible la
conduction électrique. Le matériau n’est alors plus isolant.
 Plus Eg sera grand plus le nombre de porteurs libres (électrons dans la BC
et trous dans la BV) sera faible, et plus le matériau sera isolant.
Eg dépend de la température et du matériau semiconducteur (égal à 1.12eV pour

le silicium, 0.67eV pour le germanium, 1.42eV pour GaAs…..).
Le gap dépend très peu de la température
 Equilibre : (équilibre thermodynamique)
 Aucune force externe telle que des tensions, des champs électriques, des
champs magnétiques ou des gradients de température agissent sur le semi-
conducteur
 Toutes les propriétés du semi-conducteur seront indépendantes du temps à
l’équilibre
 L'équilibre est notre point de départ pour développer la physique du semi-
conducteur. Nous pourrons alors déterminer les caractéristiques qui
résultent lorsque des écarts par rapport à l'équilibre se produisent.
 Objet de l’étude :

 Porteurs de charge dans les semi-conducteurs

 Atomes dopants et niveaux d'énergie
 Le semi-conducteur extrinsèque
 Statistiques des donneurs et accepteurs
 Neutralité électrique
 Position du niveau de Fermi dans la bande interdite
 Concentration des électrons dans la BC et des trous dans la BV
 On désigne par :
- n la concentration des électrons libres dans la BC
- p la concentration des trous dans la BV.
1- Porteurs de charge dans les semi-conducteurs

 On définit le courant électrique comme résultat d’un mouvement
de charges électrique (électrons de la bande de conduction et trous
dans la bande de valence pour le cas des semiconducteurs).
 La densité des électrons et des trous est liée à la densité de la
fonction d'état et de la fonction de distribution de Fermi-Dirac
- n(E) dE = gC (E) fF (E) dE pour les électrons.
- p (E) dE = gV (E) [1− fF (E)] dE pour les trous.
- n (E) dE : densité d'électrons dans la bande de conduction à des
niveaux d'énergie compris entre E et E + dE
- p (E) dE : densité de trous dans la bande de valence à des niveaux
d'énergie compris entre E et E + dE.

 Calcul de la concentration des électrons dans la bande de

conduction : n0
Avec :
Pour les électrons dans la BC, on a :
Soit :
On définit la densité effective des états dans la BC par :

La concentration des électrons est alors :
Exemple :
 Calcul de la concentration des trous dans la BV :
Après intégration, on trouve :

D’où la concentration des trous est :
o On remarque que NC et NV dépendent du semiconducteur à travers

la masse effective et de la température.
Exemple :
Soit un semiconducteur caractérisé par :
NV (300°K)= 1.04x1019cm-3 et un niveau de Fermi situé à 0.27eV
au-dessus de EV. Déterminer la concentration des trous à 400°K.
Solution :
On détermine d’abord NV (400°K) à partir du rapport ci-dessous
puis on déduit pO (400°K).

 Semiconducteur intrinsèque
 Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu’il est pur c’est à dire non
dopé, volontairement ou non, par des impuretés pouvant changer la
concentration en porteurs libres (voir semiconducteur dopé dans le
paragraphe qui suivra).
 Pour une température différente de 0 K, des électrons peuvent passer de la
BV vers la BC où ils deviennent libres ; leur concentration est notée par n.
Ces électrons laissent derrière eux des trous dans la BV, avec une
concentration notée p, qui eux-aussi sont libres de se déplacer dans cette
bande.
 On a une égalité entre les concentrations n et p. Pour ce cas particulier, on
définit une concentration intrinsèque notée par ni égale aux concentrations
n et p des électrons et des trous respectivement. L’expression de n i est
donnée par :
−(𝐸𝐶−𝐸𝑉 )
 n=p= ni→ 𝑛𝑝 = 𝑛𝑖2 = 𝑁𝐶 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇
3
𝑁𝐶 𝑒𝑡 𝑁𝑉 𝑠𝑜𝑛𝑡 𝑝𝑟𝑜𝑝𝑟𝑡𝑖𝑜𝑛𝑛𝑒𝑙𝑙𝑒𝑠 à 𝑇 2 .
(𝐸𝐶 − 𝐸𝑉 ) = 𝐸𝑔
−𝐸𝑔 3 −𝐸𝑔
𝑛𝑖2= 𝐶𝑇 𝑒𝑥𝑝 3 𝐾𝑇 , soit 𝑛𝑖 = 𝐴𝑇 𝑒𝑥𝑝
2 2𝐾𝑇 avec A=√𝐶 où A et C sont des
constantes.
 On remarque plus T augmente pour Eg donné,
′ ′
𝑛𝑖 𝑎𝑢𝑔𝑚𝑒𝑛𝑡𝑒, 𝑐 𝑒𝑠𝑡𝑢𝑛𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑎𝑐𝑡é𝑟𝑖𝑠𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒 𝑑 𝑢𝑛 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟.
 Pour T constant et Eg augmente, 𝑛𝑖 diminue.
Semiconducteur 𝐸𝑔 (𝑒𝑉) 𝑁𝐶 (𝑐𝑚−3 ) 𝑁𝑉 (𝑐𝑚−3 ) 𝑚𝑛∗ 𝑚𝑝∗ 𝑛𝑖 (𝑐𝑚−3 )

à300°𝐾 à300°K 𝑚0 𝑚0 à300°K
Silicium : Si 1.12 2.8𝑥1019 1.04𝑥1019 1.08 0.56 1.5𝑥1010
GaAs ( arséniure de 1.42 4.7𝑥1017 7𝑥1018 0.067 0.48 1.8𝑥106
gallium)
Germanium : Ge 0.67 1.04𝑥1019 6𝑥1018 0.55 0.37 2.5𝑥1013

 Position du niveau de Fermi intrinsèque

−(𝐸𝐶 −𝐸𝐹𝑖) −(𝐸𝐸𝑖 −𝐸𝑉 )
On a 𝑛0 = 𝑝0 → 𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 = 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 , soit :
𝐸𝑔
Le deuxième terme est négligeable devant , d’où :
2
𝐸𝑔
𝐸𝐹𝐼 ≅ 𝑠𝑜𝑖𝑡 𝐸𝐹𝑖 𝑠𝑖𝑡𝑢é 𝑎𝑢 𝑚𝑖𝑙𝑖𝑒𝑢 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑒 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑑𝑖𝑡𝑒.
2
 Semiconducteur dopé ou extrinsèque

L’introduction de certaines impuretés dans un matériau semi-conducteur permet d’y modifier
le nombre de porteurs libres, de choisir le type de conduction, par électrons ou par trous, et de
contrôler sa conductivité. L’opération d’introduction des impuretés est dite dopage. L’impureté
introduite, de proportion contrôlée, est appelée dopant. Si l’impureté est acceptrice d’électron
pour un semiconducteur, la concentration des trous, p, sera plus importante par rapport à ni. Si
on dope par des impuretés de type donneur d’électrons, on favorise n par rapport à p.
 Si 𝒏 > 𝒑, 𝒍𝒆 𝒔𝒆𝒎𝒊𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒆𝒖𝒓 𝒆𝒔𝒕 𝒅𝒊𝒕 𝒅𝒆 𝒕𝒚𝒑𝒆 𝑵. Les électrons sont

dits majoritaires, les trous sont dits minoritaires.
 Si p>n, le semiconducteur est dit de type P. Les trous sont dits
majoritaires, les électrons sont dits minoritaires.
 Si n=p, le semiconducteur est intrinsèque.
 Semiconducteur de type N

 Pour un tel matériau, des atomes ou impuretés de type donneur d’électrons sont
introduits, en général en faible quantité de l’ordre de 1015 à 1016 cm-3, afin de privilégier
la conduction par électrons plutôt que par trous. Les atomes dopants sont de la colonne
V si le cristal initial est constitué d’atomes de la colonne IV. Considérons l’exemple du
silicium dopé au phosphore qui possède cinq électrons sur la couche externe.
Dopage de Si par le phosphore
 Le silicium est tétravalent, 4 électrons de valence, tandis que le phosphore possède

5électrons de valence. Le cinquième électron de P est très peu lié et peut être libéré dans
le réseau.
P⇌ 𝑷+ + 𝟏𝒆−
 En libérant un électron, P devient un ion positif.

 P se comporte conne donner d’électron pour le silicium. On désigne par 𝑁𝐷 (𝑐𝑚−3 ) la
concentration des donneurs et par 𝑁𝐷+ celle des donneurs ionisés.
𝑁𝐷 = 𝑁𝐷+ si l’ionisation est totale.
 Le dopage par des donneurs se traduit énergétiquement par l’apparition d’un niveau
d’énergie ED dans la bande interdite avec EC - ED = 0,04 eV pour P dans Si.

 Les atomes d’impureté s’ionisent progressivement avec l’augmentation de la

température.
 A partir d’environ 50 K toutes les impuretés sont ionisées. La concentration n0 en
électrons, appelée concentration en porteurs majoritaires, sera alors égale à la
concentration en dopant ND (n0 = ND >> ni >> p0 concentration en trous, minoritaires).
 Le comportement intrinsèque du matériau se produit pour une température supérieure à
500 K (ordre de grandeur usuel) et rend à nouveau la concentration en électrons
dépendante de la température.

 Equation de neutralité électrique d’un semiconducteur N

Dans un semiconducteur dopé par les donneurs seul supposés ionisés totalement,
les charges sont :
- Electrons (charges négatives mobiles dans la bande de conduction) de
concentration 𝑛0
- Trous (charges positives mobiles dans la BV) de concentration 𝑝0
- Charges positives fixes de concentration 𝑁𝐷 si l’ionisation est totale.
- Neutralité électrique → charges positives = charges négative,
- soit : 𝑝0 + 𝑁𝐷 = 𝑛0
- Le dopage par les donneurs se traduit par l’apparition d’un niveau
donneur proche de la bande de conduction.
 Concentrations 𝒏𝟎 𝒆𝒕 𝒑𝟎 :

−𝑬𝒈
Le produit 𝒏𝟎 𝒙𝒑𝟎 = 𝑵𝑪 𝒙𝑵𝑽 𝒆𝒙𝒑 𝑲𝑻 = 𝒏𝟐𝒊 : Loi d’action de
masse
qui caractérise l’équilibre.
Exemple de calcul de n0 et p0 :
Soit du silicium à T=300°K, de concentration ni=1.5x1010 cm-3. NC=2.8x1019cm-3. Le
matériau est dopé avec ND donneurs de concentration 1016cm-3. Déterminer no et p0 et la
position de EF par rapport à EC et sa position par rapport à EFi.
On associe la neutralité électrique à la loi d’action de masse, soit :
𝒏𝟐
no= po +ND et nOxpO=ni2 soit : 𝒏𝟎 = 𝒏𝒊 +𝑵𝑫 ou encore 𝒏𝟐𝟎 − 𝑵𝑫 𝒏𝟎 − 𝒏𝟐𝒊 = 𝟎
𝟎
La solution positive de 𝒏𝟎 est ;
𝑵𝑫 + √𝑵𝟐𝑫 + 𝟒𝒏𝟐𝒊
𝒏𝟎 =
𝟐
𝒏𝟐𝒊
Et 𝒑𝟎 = 𝒏
𝟎
D’où
𝟐
𝟏𝟎𝟏𝟔 +√𝟏𝟎𝟏𝟔 +𝟒(𝟏.𝟓 𝟏𝟎𝟏𝟎)
𝒏𝟎 = =𝟏𝟎𝟏𝟔 𝒄𝒎−𝟑 = 𝑵𝑫
𝟐

(𝟏.𝟓.𝟏𝟎𝟏𝟎 )𝟐
𝒑𝟎 = =2.25x𝟏𝟎𝟒 𝒄𝒎−𝟑 :
𝟏𝟎𝟏𝟔
𝑵
𝑬𝑪 − 𝑬𝑭 = 𝑲𝑻𝑳𝒏(𝑵 𝑪 )= 0.206eV
𝑫
𝑵 𝑬𝒈 𝟏.𝟏𝟐
𝑬𝑭 − 𝑬𝑭𝒊 = 𝑲𝑻𝑳𝒏( 𝒏𝑫 )= − (𝑬𝑪 − 𝑬𝑭 ) = − 𝟎. 𝟐𝟎𝟔 = 𝟎. 𝟑𝟓𝟒𝒆𝑽
𝒊 𝟐 𝟐
 Semiconducteur de type P
 Pour avoir ce type de conduction par trous, on dope le matériau par des accepteurs
d’électrons de concentration 𝑁𝐴 (𝑐𝑚−3 ) de l’ordre de 1016 𝑐𝑚−3 .
 Ce dopage par accepteurs favorise la concentration des trous par rapport à celle des
électrons, 𝑝0 > 𝑛0 .
 Si tous les accepteurs introduits sont ionisés négativement, ils ont tous acceptés un
électron, on aura𝑁𝐴− = 𝑁𝐴 .
Dopage de Si par le bore(B)
En terme d’énergie, l’introduction des accepteurs se traduit par la présence d’un niveau
accepteur situé dans la bande interdite et proche de la bande de valence comme le montre la
figure.

 Concentration des électrons et des trous :

 Equation de neutralité électrique et expressions de 𝑝0 et 𝑛0

𝑛0 + 𝑁𝐴 = 𝑝0 si l’ionisation est totale.
𝑛0 𝑝0 = 𝑛𝑖2 : loi d’action de masse
𝑛𝑖2
+ 𝑁𝐴 = 𝑝0 → 𝑝02 − 𝑁𝐴 𝑝0 − 𝑛𝑖2 = 0: équation de second degré en 𝑝0
𝑝0
2 +4𝑛2
𝑁𝐴 +√𝑁𝐴 𝑖
La solution positive de 𝑝0 est : 𝑝0 =
2
𝑛𝑖2
𝑛0 =
𝑝0
 Semiconducteur compensé
Le semiconducteur est dit compensé s’il est dopé simultanément par des donneurs de
concentration ND et par des accepteurs de concentration NA. De point de vue
énergétique, il apparait dans la bande interdite un niveau donneur proche de la bande de
conduction et un niveau accepteur proche de la bande de valence.

 L’équation de neutralité électrique s’exprime par :

∑ 𝐶ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒𝑠 𝑛é𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑒𝑠 = ∑ 𝐶ℎ𝑎𝑟𝑔𝑒𝑠 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑒𝑠
𝒏𝟎 + 𝑵− +
𝑨 = 𝒑𝟎 + 𝑵𝑫
 𝑆𝑖 𝑙 ′ 𝑖𝑜𝑛𝑖𝑠𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠𝑡 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙𝑒, 𝑜𝑛 𝑎:
𝒏𝟎 + 𝑵𝑨 = 𝒑𝟎 + 𝑵𝑫
 Si NA>ND→ 𝒑𝟎 = 𝒏𝟎 + (𝑵𝑨 − 𝑵𝑫 ) → 𝒑𝟎 > 𝒏𝟎 → 𝒍𝒆 𝒔𝒆𝒎𝒊𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒆𝒖𝒓 𝒆𝒔𝒕 𝑷

 Si 𝑵𝑫 > 𝑵𝑨 → 𝒏𝟎 = 𝒑𝟎 + (𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 ) → 𝒏𝟎 > 𝒑𝟎 → 𝒔𝒆𝒎𝒊𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒆𝒖𝒓 𝑵
Exercice d’application
Soit un semiconducteur au silicium, à 300°K, dopé avec 1016 𝑐𝑚−3 donneurs et
3𝑥1015 𝑐𝑚−3 accepteurs. On donne𝑛𝑖 = 1.5𝑥1010 𝑐𝑚−3 .
Déterminer 𝑛0 , 𝑝0 𝑒𝑡 𝑙𝑒 𝑡𝑦𝑝𝑒 𝑑𝑢 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟.
En associant l’équation de neutralité électrique et la loi d’action de masse, on obtient :
𝒏𝟐𝒊
𝒏𝟎 = + (𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 ) → 𝒏𝟐𝟎 − (𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 )𝒏𝟎 − 𝒏𝟐𝒊 = 𝟎
𝒏𝟎
La solution positive de 𝑛0 𝑒𝑠𝑡 :
(𝑵𝑫 −𝑵𝑨 )+√(𝑵𝑫 −𝑵𝑨 )𝟐 +𝟒𝒏𝟐𝒊
𝒏𝟎 = = 𝟕. 𝟓𝒙𝟏𝟎𝟏𝟓 𝒄𝒎−𝟑 ≅ (𝑵𝑫 − 𝑵𝑨 )
𝟐
(𝟏.𝟓𝒙𝟏𝟎𝟏𝟎 )𝟐
𝒑𝟎 = = 3.21x𝟏𝟎𝟒 𝒄𝒎−𝟑
𝟕.𝟓𝒙𝟏𝟎𝟏𝟓 𝒄𝒎−𝟑
𝒏𝟎 ≫ 𝒑𝟎 → Le semiconducteur est N
 Transport de charges dans un semiconducteur : Dérive et diffusion
 Courant de conduction :
 Soi un semiconducteur de dimensions l, L et W soumis à une différence de
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑉 , un champ électrique
potentiel V. A cause de la relation 𝐸⃗ = −𝑔𝑟𝑎𝑑
apparait dans le semiconducteur dirigé du potentiel croissant vers le potentiel
décroissant c’est-à-dire vers la droite.

 En présence du champ, les électrons subissent une force ⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗

𝑭𝒏 = −𝒒𝑬
(opposée au champ).
 Les trous subissent une force dans le sens du champ, 𝑭⃗⃗⃗⃗𝒑 = +𝒒𝑬
⃗⃗ .
 Forces implique accélérations → un mouvement avec une vitesse
𝒗𝒏 = −𝝁𝒏 𝑬 pour les électrons et une vitesse𝒗𝒑 = 𝝁𝒑 𝑬. Le champ et les
vitesses sont dans le même sens.
 𝝁𝒏 (𝒄𝒎𝟐 /𝑽𝒔) : mobilité des électrons en présence du champ.
 𝝁𝒑 (𝒄𝒎𝟐 /𝑽𝒔) : mobilité des trous en présence du champ.
 Il résulte du mouvement des électrons une densité de courant dite de
conduction des électrons 𝒋𝒏𝒄 = −𝒒𝒏𝒗𝒏 = 𝒒𝒏𝝁𝒏 𝑬 = 𝝈𝒏 𝑬. 𝝈𝒏 (𝜴−𝟏 𝒄𝒎−𝟏 ):
est la conductivité des électrons. 𝑗𝑛𝑐 𝑒𝑠𝑡 𝑑𝑎𝑛𝑠 𝑙𝑒 𝑠𝑒𝑛𝑠 𝑑𝑒 𝐸.
 Du mouvement des résulte une densité de courant des trous :
𝒋𝒑𝒄 = 𝒒𝒑𝒗𝒑 = 𝒒𝒑𝝁𝒑 𝑬. Avec 𝒒𝒑𝝁𝒑 = 𝝈𝒑 la conductivité des trous.
 La densité totale de courant de conduction est :
𝒋𝒕𝒐𝒕𝒄 = 𝒋𝒏𝒄 + 𝒋𝒑𝒄 = 𝝈𝒕𝒐𝒕 𝑬
 𝝈𝒕𝒐𝒕 = 𝝈𝒏 + 𝝈𝒑 est la conductivité totale du semiconducteur.
𝟏
 𝑂𝑛 𝑑é𝑓𝑖𝑛𝑖𝑡 𝑙𝑎 𝑟é𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑡é du semiconducteur par : 𝜌(𝞨. 𝒄𝒎) = .
𝝈𝒕𝒐𝒕
𝝆𝑳
 La résistance du matériau est : R (𝝮)= .
𝑨
 La relation entre V et E est :
V(V)=E (V/cm).L (cm)= RI avec I(A)=𝒋′𝒕𝒐𝒕𝒄 (𝑨/𝒄𝒎𝟐 )𝒙𝑨(𝒄𝒎𝟐 ).

 Courant de diffusion
 Ce type de courant apparait s’il y’a gradient de concentrations de n ou
p.
 Supposons un gradient des électrons :
 La diffusion des électrons donne lieu à une densité de courant de

𝒅𝒏 𝒄𝒎𝟐
diffusion 𝒋𝒏𝒅𝒊𝒇 = 𝒒𝑫𝒏 avec 𝑫𝒏 ( ) : coefficient de diffusion des
𝒅𝒙 𝒔
électrons.
 Supposant un gradient de trous.
 La diffusion des trous donne lieu à une densité de courant de diffusion des trous, 𝑗𝑝𝑑𝑖𝑓
𝒅𝒑
 𝒋𝒑𝒅𝒊𝒇 = −𝒒𝑫𝒑 avec𝑫𝒑 (𝒄𝒎𝟐 /𝒔) : coefficient de diffusion des trous.
𝒅𝒙
 Si le semiconducteur est objet simultanément d’une conduction et d’une diffusion, la
densité totale de courant est :
𝒋𝒕𝒐𝒕 = 𝒋𝒏𝒕𝒐𝒕 + 𝒋𝒑𝒕𝒐𝒕 = 𝒋𝒏𝒄 + 𝒋𝒏𝒅𝒊𝒇 + 𝒋𝒑𝒄 + 𝒋𝒑𝒅𝒊𝒇

𝒅𝒏 𝒅𝒑
Soit : 𝒋𝒕𝒐𝒕 = 𝝈𝒕𝒐𝒕 𝑬 + 𝒒𝑫𝒏 −𝒒𝑫𝒑
𝒅𝒙 𝒅𝒙
Un semiconducteur est à l’équilibre si 𝒋𝒕𝒐𝒕 =0→ 𝒋𝒏𝒕𝒐𝒕 = 𝟎 et 𝒋𝒑𝒕𝒐𝒕 = 𝟎
mais non 𝒋𝒏𝒕𝒐𝒕 = −𝒋𝒑𝒕𝒐𝒕
Equations utiles dans l’étude des semiconducteurs

Pour étudier la physique des composants à semiconducteurs, diodes, transistors, etc..), on a
besoin des équations suivante :
 Equations de conservation ou de continuité
 Equation de poisson
Equations de continuité
L’équation de continuité est une équation locale valable en chaque point du semi-conducteur et
à chaque instant.
Suivant la direction x on regarde la différence entre le flux d’électrons entrant en x et sortant

en x+dx. En exprimant la différence des flux [n(x+dt) – n(x,t)] en fonction des grandeurs
précédemment étudiées (Sc à l’équilibre et hors équilibre) on montre aisément que pour les
électrons, on a:
De même pour les trous, on montre que :

Gn et Gp sont dites vitesses de génération des électrons et des trous et s’expriment en cm-3/s.
Rn et Rp sont appelés taux net de recombinaisons qui sont approximés par :
∆𝑛 ∆𝑝
Rn= 𝜏 et Rp= 𝜏 , ∆𝑛 𝑒𝑡 ∆𝑝 caractérisent les excès des électrons et des trous, n et p
𝑛 𝑝
sont les durées de vie des électrons et des trous.
Equation de Poisson
𝜌
 div (𝐸⃗ ) = c’est-à-dire là où il y a charge, il y a
𝜀𝑠𝑐
champ électrique.
 𝜌 : la densité de charge d’espace.
 𝜌 = 𝑞(𝑝 + 𝑁𝐷 − 𝑛 − 𝑁𝐴 )
 𝜌 = 0 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑢𝑛 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑛𝑒𝑢𝑡𝑟𝑒.
 𝜀𝑠𝑐 : permittivité du semiconducteur.
Relations d’Einstein :
𝐾𝑇 𝐷𝑛 𝐷𝑝
 = =
𝑞 𝜇𝑛 𝜇𝑝

TD d’électronique de base (avec solutions)
Série 1
Exercice 1 :
Calculer la probabilité de trouver un électron sur un niveau énergétique au dessus du niveau de

Fermi de 3KT.
Exercice 2 :
Calculer la concentration des trous libres dans du silicium à l’équilibre à T=400°K. On donne
NV (300°K)= 1.04.1019cm-3.
Exercice 3 :
1) En désignant par NC et NV , densités équivalentes respectives des états énergétiques dans

les bandes de conduction et de valence, donner l’expression de la concentration
intrinsèque des porteurs libres dans la bande de conduction et la bande de valence. En
déduire la position du niveau de Fermi intrinsèque dans la bande interdite, de largeur
EG.
2) Soit un semiconducteur au silicium à 300°K caractérisé par EG=1.12eV, NC=2.7.1019cm-
3
et NV=1.1.1019cm-3, déterminer la concentration intrinsèque à :
a) 27°C
b) 127°C
c) 227°C
d) Si le niveau de Fermi est situé à 0.25 eV au-dessous de la bande de conduction,
calculer la concentration des électrons et des trous à l’équilibre.
On donne KT=26meV à 300°K, on suppose que la valeur de EG n’est pas affectée par la
température.
Exercice 4 :
Considérons un échantillon semiconducteur au silicium à T=300°K . Déterminer les

concentrations des électrons et des trous pour les dopages suivant :
1) Dopage par le bore de concentration 4x1016cm-3.

2) Dopage par l’antimoine de concentration 8x1015cm-3.
3) Dopage par NA=ND=3x1015cm-3.
On donne ni (300°K)=1.5x1010cm-3.
Exercice 5 :

Soit un échantillon au silicium dopé avec NA=1016cm-3 accepteurs. Déterminer la

concentration des donneurs ND qu’il faut ajouter à l’échantillon pour rendre le
semiconducteur de type N avec un niveau de Fermi situé au-dessous de la bande de
conduction de 0.20eV. On donne NC=2.8.1019cm-3.
Exercice 6 :
Considérons du GaAs à T=300°K dopé avec 2x1016cm-3 donneurs.
1) Déterminer la résistivité du matériau.
2) Déterminer le champ électrique qu’il faut appliquer pour avoir une densité de courant
de 175A/cm2.
On donne : µ𝑛 = 8500cm2/V.s et µ𝑝 =400cm2/V.s
Exercice 7 :
On désire réaliser une résistance avec un matériau semi-conducteur. Pour cela, on utilise du
Silicium placé à 300 K. Il est initialement dopé avec des donneurs en densité 5.1015 cm-3.On
rajoute des accepteurs pour le compenser et le rendre de type P. La résistance doit avoir une
valeur de 10 kΩ et supporter une densité de courant de 50 A/cm² lorsqu’une tension de 5 volts
est appliquée. On donne µp = 410 cm²/Vs et le champ électrique limite de 100 V/cm.
Déterminer :
1) la section de la résistance
2) la longueur de la résistance
3) le dopage en accepteurs.
Solutions

Exercice 1 :
La probabilité de trouver un électron sur un niveau énergétique supérieur au niveau de
Fermi, EF , est donnée par la statistique de Fermi-Dirac, soit :
1
𝑓𝑛 (𝐸 ) = 𝐸−𝐸𝐹
1 + 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇
1
E-EF= 3KT, d’où : fn(E)= = 0.047
1+𝑒𝑥𝑝3
Exercice 3 :
−𝐸𝐺
1) 𝑛𝑖 = √𝑁𝐶 . 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 2𝐾𝑇
Pour un semi-conducteur intrinsèque, on a :n= 𝑝 = 𝑛𝑖

−(𝐸𝐶 −𝐸𝐹𝑖) −(𝐸𝐹𝑖 −𝐸𝑉)
𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 → 𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 = 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇
𝐸𝐶 +𝐸𝑉 𝐾𝑇 𝑉 𝑁 𝐺 𝐸 𝐾𝑇 𝑉𝑁
𝐸𝐹𝑖 = + Ln( )= + Ln( )
2 𝑞 𝑁 2
𝐶 𝑞 𝑁 𝐶
2) On suppose la valeur de EG indépendante de la température. Pour déterminer 𝑛𝑖 à
une température donnée, il faut déterminer 𝑁𝐶 , 𝑁𝑉 𝑒𝑡 𝐾𝑇 à cette température en
utilisant les relations :

3
𝑇 2
𝑁𝐶 (𝑇 ≠ 𝑇0 ) = 𝑁𝐶 (𝑇0 ). ( )
𝑇0
3
𝑇 2
𝐸𝑡 𝑁𝑉 (𝑇 ≠ 𝑇0 ) = 𝑁𝑉 (𝑇0 ). ( )
𝑇0
Avec 𝑇0 = 300°𝐾

𝑇
De même on a : KT=𝐾𝑇0. .
𝑇0
a) T=27°C= 300°K
−1.12
( )
𝑛𝑖 = √2.7𝑥1019 ∗ 1.1𝑥1019 𝑒𝑥𝑝 2∗26∗10−3 =9.48x109 𝑐𝑚−3
b) T=127°C=400°K
3
4 2
𝑁𝐶 (400°𝐾) = 𝑁𝐶 (300°𝐾). (3) = 2.7 1019x1.5396=4.15 1019cm-3.
Tapez une équation ici.
3
2 4 4
𝑁𝑉 (400°𝐾) = 𝑁𝑉 (300°𝐾). ( ) =1.6935x1019cm-3.KT(400°K)=20x10-3x =34.66x10-3meV
3 3
−1.12
𝑛𝑖 (400) = √4.15𝑥1019 𝑥1.693519 xexp(2.34.6610−3 ) = 2.55x1012cm-3.
c) T=500°C
NC(500°K)= NC(300°K)x(5/3)3/2=2.7 1019x2.1517=5.81x1019cm-3.
NV(500°K) =NV(300°K)x(5/3)3/2=2.367x1019cm-3.
KT(500°K)= 26x10-3x(5/3)= 43.33x10-3eV
ni(500°K)= 5.94x1012cm-3
d) La concentration des électrons est :Tapez une équation ici.
−(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 ) −0.25
n(300°K)= 𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 = 2.7x10 x𝑒𝑥𝑝
19 0.026 = 1.8x1015cm-3.
−(𝐸𝐹 −𝐸𝑉 ) −0.87
p(300°K)= 𝑁𝑉 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 = 1.1x1019x𝑒𝑥𝑝 0.026 = 3.23x104cm-3.
On remarque que 𝑛 ≫ 𝑝; le semi-conducteur en question est de type N.
Exercice 4 :
1) Le bore, B, appartient à la colonne III de la table périodique, le silicium appartient à la

colonne IV. B se comporte comme accepteur d’électron pour Si. La concentration des
accepteurs introduite est NA=4x1016cm-3. NA>>ni, on obtient alors un semiconducteur P
où n>>p. Pour calculer n et p on utilise les deux équations :
𝑛𝑥𝑝 = 𝑛𝑖 2 : Loi d’action de masse
𝑝 = 𝑛 + 𝑁𝐴 : Équation de neutralité électrique.
𝐸𝑛 𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑡 𝑙𝑒𝑠 𝑑𝑒𝑢𝑥 é𝑞𝑢𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛𝑠, 𝑜𝑛 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑣𝑒 :
𝑝2 − 𝑁𝐴 𝑝 − 𝑛𝑖2 =0
𝐿𝑎 𝑠𝑜𝑙𝑢𝑡𝑖𝑜𝑛 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑒 𝑑𝑒 𝑝 à 𝑟𝑒𝑡𝑒𝑛𝑖𝑟 𝑒𝑠𝑡:

2 +4𝑛2
𝑁𝐴 +√𝑁𝐴 𝑖 4𝑥1016 +√1632 +4𝑥(1.5)2 𝑥1020
𝑝= = ≅ 4𝑥1016 cm-3= 𝑁𝐴
2 2
𝑛𝑖2 (1.5𝑥1010 )2
𝑛= = = 5.6253 𝑐𝑚−3
𝑝 4𝑥1016
On remarque que p>>n, d’où le semiconducteur est P
2) L’antimoine, Sb, appartient à la colonne V ; il est donc donneur d’électron pour Si qui
appartient à la colonne IV. La concentration des donneurs est ND= 8x1015cm-3.
Pour obtenir n et p, on utilise les équations de neutralité électrique et la loi d’action de
masse, soit :
𝑛𝑥𝑝 = 𝑛𝑖 2 𝑒𝑡 𝑛 = 𝑝 + 𝑁𝐷
𝐸𝑛 𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑛𝑡 𝑙𝑒𝑠 𝑑𝑒𝑢𝑥 é𝑞𝑢𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛𝑠, 𝑜𝑛 𝑜𝑏𝑡𝑖𝑒𝑛𝑡:
𝑛2 − 𝑁𝐷 𝑛 − 𝑛𝑖2 = 0
La solution positive de n est :
2 +4𝑛2
𝑁𝐷 +√𝑁𝐷 𝑖
𝑛= = 8x1015cm-3= ND
2
𝑛𝑖2 2.25𝑥1020
𝑝= = =2.8125x104cm-3
𝑛 8𝑥1015
𝑛 ≫ 𝑝, 𝑑 ′ 𝑜ù𝑙𝑒 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑒𝑢𝑟 𝑒𝑠𝑡 𝑁
3) Le semi-conducteur est dopé simultanément par des donneurs et des accepteurs,
l’équation de neutralité électrique s’écrit :
𝑛 + 𝑁𝐴 = 𝑝 + 𝑁𝐷
Or NA=ND implique n=p , on dit que le semiconducteur est totalement compensé et

qu’il est intrinsèque. On a alors n=p= 𝑛𝑖= 1.5𝑥1010 𝑐𝑚−3
Exercice 5 :
Le semiconducteur dopé initialement par les accepteurs est compensé par des donneurs de
concentration ND. En le compensant, il devient N où le niveau de Fermi est tel que (EC-
EF)=0.2eV. Connaissant NC et (EC-EF), on peut déduire n et p.
−0.2
−(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )
On a n=𝑁𝐶 𝑒𝑥𝑝 =2.8x1019 𝑒𝑥𝑝0.026 = 1.277716 𝑐𝑚−3
𝐾𝑇
𝑛𝑖2 (2.25𝑥1020 )
𝑝= = = 1.76x104cm-3.
𝑛 1.27716
Semiconducteur compensé, on a :
𝑛 + 𝑁𝐴 = 𝑝 + 𝑁𝐷

D’où 𝑁𝐷 = 𝑛 + 𝑁𝐴 − 𝑝 = 1.277𝑥1016 -1016 -1.76x104 =2.77x101015 𝑐𝑚−3
Exercice 6 :
Le semiconducteur est dopé par des donneurs seuls de concentration ND=2x1016cm-3.
1) La résistivité du matériau est : ρ=q(nµn=pµp)

n est solution de l’équation :
𝑛2 − 𝑁𝐷 𝑛 − 𝑛𝑖2 = 0
2 +4𝑛2
𝑁𝐷 +√𝑁𝐷 𝑖
Soit 𝑛 = avec 𝑛𝑖 = 2𝑥106 𝑐𝑚−3 pour GaAs à 300°K
2
𝑛 ≅ 2𝑥1016 𝑐𝑚−3 = 𝑁𝐷
𝑝 ≪ 𝑛 𝑒𝑡 𝜇𝑝 ≪ 𝜇𝑛 → 𝜌 ≅ 𝑞𝑁𝐷 𝜇𝑛 = 1,6.10-19x2.1016x8500= 27.2Ω.cm

2) La densité de courant dite de dérive ou de conduction due au champ électrique est :
1𝑥𝜉
𝐽𝐶 = 𝐽𝑛𝐶 + 𝐽𝑝𝐶 ≅ 𝐽𝑛𝐶 = 𝜎𝑛 𝜉 = , d’où 𝜉 = 𝜌. 𝐽𝑛𝐶 = 175𝑥27.2 = 4,76. 103 𝑉/𝑐𝑚
𝜌
Exercice 7 :
1) On calcule d’abord le courant I :
On déduit alors la section A, soit :
2) La relation entre le potentiel V et le champ E est donnée par V=ExL où L est la longueur
de l’échantillon. D’où :
3) La conductivité du semiconducteur est :
Le semiconducteur est de type P dopé simultanément par des donneurs et des accepteurs,
on a :

𝜎 ≅ 𝜎𝑝 = 𝑞(𝑁𝐴 − 𝑁𝐷 )𝜇𝑝 = 0.5

0.5
On trouve : 𝑁𝐴 = 𝑁𝐷 + 1,6.1019 .410 = 1,262. 1016 𝑐𝑚−3

TD d’électronique de base (avec solution)
Série 2
On considère une jonction abrupte PN à base de germanium à 300°K avec comme

dopage en accepteurs de la zone P, NA = 1018 cm-3 et dopage en donneurs de la
zone N est ND = 1015 cm-3.
1) Expliquer qualitativement l'établissement de la barrière de potentiel dans
une jonction PN à l'équilibre thermodynamique appelé potentiel de
diffusion.
2) Etablir l'expression donnant le potentiel de diffusion, 𝑉𝑏𝑖 . Pour l’application
numérique, on donne : ni = 2,3×1013 cm-3.
3) Rappeler l'hypothèse de complète désertion que l'on utilisera dans toute la
suite.
4) Etablir les expressions du champ électrostatique dans les différentes
régions côté P et côté N. Tracer l'allure de ses variations dans la jonction.
Où le champ est-il maximum et quelle est son expression Emax ?
5) Etablir l'expression de 𝑉𝑏𝑖 en fonction de Emax et de l'épaisseur de la zone
de charge d'espace W.
6) Etablir l'expression donnant l'épaisseur de la zone de charge d'espace totale
et celles donnant ses extensions xP et xN dans les régions P et N. Application
numérique pour les trois grandeurs. On prendra 𝜀 0𝜀 r = 1,4×10-10
F.m-1 où 𝜀 r représente la permittivité relative du semiconducteur et 𝜀0 est la
permittivité du vide.
7) Comment polariser la jonction PN en direct ? Comment évolue l’épaisseur
de la zone de charge d’espace ? Comment un courant s’établit-il à travers
la jonction ?
8) Décrire ce qui se passe en polarisation inverse. Déterminer le courant
inverse qui traverse la jonction. Que se passe-t-il si la tension en inverse
devient très grande en valeur absolue ?
9) Tracer l’allure de la caractéristique courant-tension de la jonction PN.
Solutions
1) Lorsqu’on met en contact une zone P avec une zone N, on crée un gradient de
concentration des porteurs de part et d’autre de la jonction. Les trous sont majoritaires
dans P et minoritaires dans N par contre sont majoritaires dans N et minoritaires dans P
figure1. La figure 1 représente les deux semi-conducteurs de point de vue charges ainsi
que les diagrammes énergétiques des deux matériaux.

Figure 1
Mettons en contact les deux matériaux, comme le montre la figure 2.
Figure 2

X=0 représente l’abscisse de la jonction.
La présence des deux gradients de part et d’autre de la jonction a provoqué la diffusion des
tous de P vers N et des électrons de N vers P. Les trous qui ont diffusé ont laissé derrière
eux des ions négatifs non compensés ; les électrons laisse derrière eux des ions positifs non
compensés. Une zone de charge d’espace apparait alors au niveau de la jonction, positive
du côté N et négative du côté P. Qui dit charge d’espace, dit présence d’un champ
électrostatique, 𝐸⃗ dirigé de N vers P donc de sens opposé à la direction de la diffusion. Une
fois le champ apparait, la diffusion s’arrête et la jonction atteint l’équilibre caractérisé par
un niveau de Fermi constant dans la structure donc un courant nul.
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑉 = 1 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
Sachant que le champ est relié au potentiel et à l’énergie ( 𝐸⃗ = −𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑔𝑟𝑎𝑑𝐸 ′ ) où
𝑞
𝐸 ′ 𝑟𝑒𝑝𝑟é𝑠𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑙 ′ é𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑒, une barrière d’énergie donc de potentiel apparaissent au niveau
de la jonction comme le montre la figure 3.
Figure 3
La hauteur de la barrière empêche la diffusion des électrons de la bande de conduction de

N vers celle de P et la diffusion des trous de la bande de valence de P vers celle de N..

𝑉𝑏𝑖 est dit potentiel de diffusion croissant de P vers N avec comme origine en x=-𝑥𝑝 et
maximal en x=𝑥𝑛 , c’est-à-dire 𝑉𝑏𝑖 = [𝑉(𝑥 = 𝑥𝑛 ) − 𝑉(𝑥 = −𝑥𝑝 )].
𝑞𝑉𝑏𝑖 est la barrière d’énergie au niveau de la jonction qui croit pour les électrons en allant
de N vers P et pour les trous en allant de P vers N.
𝑁𝐶 𝑁
2) 𝑞𝑉𝑏𝑖 = (𝐸𝐶𝑃 − 𝐸𝐹𝑃 ) − (𝐸𝐶𝑁 − 𝐸𝐹𝑁 )= KT x Ln( ) –KT x Ln( 𝐶 ) avec 𝑛𝑝 =
𝑛𝑝 𝑛𝑛
𝑛𝑖2 𝐾𝑇 𝑁𝐴 .𝑁𝐷
et 𝑛𝑛 = 𝑁𝐷 , soit 𝑉𝑏𝑖 = 𝑥 𝐿𝑛( )
𝑁𝐴 𝑞 𝑛𝑖2
𝑹𝒒: 𝒐𝒏 𝒑𝒆𝒖𝒕 𝒄𝒂𝒍𝒄𝒖𝒍𝒆𝒓 𝑽𝒃𝒊 𝒆𝒏 𝒖𝒕𝒊𝒍𝒊𝒔𝒂𝒏𝒕 𝒍𝒂 𝒓𝒆𝒍𝒂𝒕𝒊𝒐𝒏:
𝑝𝑝 𝑛2
𝑉𝑏𝑖 = [(𝐸𝐹𝑁 − 𝐸𝑉𝑁 ) − (𝐸𝐹𝑃 − 𝐸𝑉𝑃 )] = 𝐾𝑇𝑥𝐿𝑛(𝑝 ) avec 𝑝𝑝 = 𝑁𝐴 𝑒𝑡 𝑝𝑛 = 𝑁𝑖
𝑛 𝐷
3) L’hypothèse d’une désertion ou déplétion complète suppose l’absence totale des électrons
et des trous de la zone de charge d’espace, c’est-à-dire que la densité de charge d’espace
s’exprime par :
𝜌 = −𝑞𝑁𝐴 𝑝𝑜𝑢𝑟 −𝑥𝑝 < 𝑥 < 0
𝜌 = 𝑞𝑁𝐷 𝑝𝑜𝑢𝑟 0 < 𝑥 < 𝑥𝑛
La figure ci-dessous représente la variation de la densité ce charge d’espace en fonction
de x. Elle est positive du côté N et négative du côté P.
4) Pour déterminer l’expression du champ électrique dans la zone de charge d’espace, on

𝑑𝐸 𝜌
utilise le théorème de Gauss : =𝜀 .
𝑑𝑥 𝑠𝑐
Soit :

𝑑𝐸 −𝑞𝑁𝐴 𝑑𝐸 𝑞𝑁𝐷
= pour –xp<x<0 et = pour 0<x<𝑥𝑛
𝑑𝑥 𝜀𝑠𝑐 𝑑𝑥 𝜀𝑠𝑐
En intégrant les deux équations et en prenant E(x=-xp=0) et E(x=xn=0) c’est-à-dire
E=0 en régions neutres, on trouve :
−𝑞𝑁𝐴
E(x)= (𝑥 + 𝑥𝑝 ) 𝑝𝑜𝑢𝑟 − 𝑥𝑝 < 𝑥 < 0
𝜀𝑠𝑐
𝑞𝑁𝐷
E(x)= (𝑥 − 𝑥𝑛 ) 𝑝𝑜𝑢𝑟 0 < 𝑥 < 𝑥𝑛
𝜀𝑠𝑐
E=0 ailleurs.
Le tracé de E(x) possède l’allure suivante :
𝑞𝑁𝐴 𝑥𝑝 𝑞𝑁𝐷 𝑥𝑛
𝐴𝑣𝑒𝑐: 𝐸𝑚𝑎𝑥 = =
𝜀𝑠𝑐 𝜀𝑠𝑐
L’épaisseur de la zone de charge d’espace est W= 𝑥𝑝 + 𝑥𝑛

5)
𝑉𝑏𝑖 représente l’aire du triangle de base W et de hauteur Emax, soit :

1
𝑉𝑏𝑖 = 𝐸 .𝑊
2 𝑚𝑎𝑥
6)
𝑥 0 −𝑞𝑁𝐴 𝑥𝑛 𝑞𝑁𝐷
𝑉𝑏𝑖 =-∫−𝑥𝑛 𝐸(𝑥)𝑑𝑥 = − ∫−𝑥
𝑝 𝑝 𝜀𝑠𝑐
( 𝑥 + 𝑥 𝑝 ) 𝑑𝑥 - ∫0 𝜀𝑠𝑐
(𝑥 − 𝑥𝑛 )𝑑𝑥
2
𝑞𝑁𝐴 𝑥𝑝 2
𝑞𝑁𝐷 𝑥𝑛 1
𝐷′ 𝑜ù: 𝑉𝑏𝑖 = + = 2 𝐸𝑚𝑎𝑥 . 𝑊
2𝜀𝑠𝑐 2𝜀𝑠𝑐
L’allure de V(x) est la suivante :
2
𝑞𝑁𝐴 𝑥𝑝
Vp est la chute de potentiel du côté P, 𝑉𝑃 =
2𝜀𝑠𝑐
𝑞𝑁𝐷 𝑥𝑛2
𝑉𝑁 𝑒𝑠𝑡 𝑙𝑎 𝑐ℎ𝑢𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑡𝑖𝑒𝑙 𝑑𝑢 𝑐ô𝑡é 𝑁 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑉𝑁 =
2𝜀𝑠𝑐
𝑞𝑁𝐴 𝑥𝑝 𝑞𝑁𝐷 𝑥𝑛
Sachant que 𝐸𝑚𝑎𝑥 = = , on déduit que : 𝑁𝐴 𝑥𝑝 = 𝑁𝐷 𝑥𝑛
𝜀𝑠𝑐 𝜀𝑠𝑐
En associant l’égalité ci-dessus à l’expression de Vbi , on déduit :

2𝜀𝑠𝑐 𝑉𝑏𝑖
𝑥𝑛 = √ 𝑁
𝑞𝑁𝐷 (1 + 𝑁𝐷)
𝐴
2𝜀𝑠𝑐 𝑉𝑏𝑖
𝑥𝑝 = √ 𝑁
𝑞𝑁𝐴 (1 + 𝑁𝐴 )
𝐷
2𝜀𝑠𝑐 𝑉𝑏𝑖 (𝑁𝐷 + 𝑁𝐴 )

𝑊=√
𝑞𝑁𝐷 𝑁𝐴
7) Pour polariser la jonction endirect, on applique une tesion VF entre les extrémités de la
jonction PN avec la borne positive du côté P et la borne négative du côté N comme le
montre la figure ci-dessous.
En direct la barrière de potetiel diminue de la quantité VF comme le montre la figure. La

barrière d’énergie est aussi abaissée, de même E et W. Un flux d’électrons reprend entre
la bande de conduction de N et celle de P, celui des trous reprend entre les deux bandes
de valence dans la direction p vers N. La jonction n’est plus à l’équilibre et un courant non
nul, Id, traverse la jonction.
𝐼𝑑 = 𝐴[𝐽𝑝𝑑 (𝑥 = 𝑥𝑛 ) + 𝐽𝑛𝑑 (𝑥 = −𝑥𝑝 )]
A est la section de la jonction ;

𝑑𝑝𝑛 𝑑𝑛𝑝
𝐽𝑝𝑑 = −𝑞𝐷𝑝 𝑝𝑜𝑢𝑟𝑥 = 𝑥𝑛 et 𝐽𝑛𝑑 = 𝑞𝐷𝑛 𝑝𝑜𝑢𝑟𝑥 = −𝑥𝑝
𝑑𝑥 𝑑𝑥
Avec 𝑝𝑛(𝑥) et 𝑛𝑝(𝑥) sont solutions des équations de continuités . Le calcul est développé
dans le cours.
𝑞𝑉𝐹
Le calcul donne Id= IS( 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 -1) avec :
𝐿𝑝 𝑒𝑡 𝐿𝑛 : longueurs de diffusion des trours dans N et des électrons dan P, Dp et Dn sont

𝑛𝑖2 𝑛𝑖2
les coefficients de diffusion des trous et des électrons ; pn0= , 𝑛𝑝0 =
𝑁𝐷 𝑁𝐴
L’allure de Id est :
8) En inverse, on applique une VR négative du côté P et positive du côté N (figure ci-dessous)
On remarque qu’en inverse la barrière a augmenté d’une quantité qVR, le module du

champ à son tour augmente de même W. Il devient très difficile pour les électrons et trous

de passer des zones où ils sont majoritaires vers de zones où ils sont minoritaires. Par
contre le champ va permettre aux minoritaires d’aller vers les régions où ils sont
majoritaires. Ce transfert de charges minoritaires donne lieu à un courant dit de
minoritairess qui est faible. Le courant inverse est de l’ordre de -𝐼𝑆 .
La démostration du calcul de ce courant est détaillée dans le cours.
En inverse la caractéristique possède l’allure suivante :
Si la tension inverse dépasse une certaine valeur dite de claquage de la jonction, le courant
inverse qui était faible avant augmente considérablement , on doit limiter sa valeur à celle
permise par le constructeur.
9) La relation entre I et V dite caractéristique I-V de la jonction est :

𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒𝑥𝑝𝐾𝑇 − 1) avec V=VF supérieure à zéro en direct et V=VR<0 en inverse, d’où :

𝑞𝑉𝐹
𝐼𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡 ≅ 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 en direct et 𝐼𝑖𝑛𝑣 ≅ −𝐼𝑆 en inverse.
𝐿′ 𝑎𝑙𝑙𝑢𝑟𝑒𝑑𝑒 𝐼 − 𝑉 𝑒𝑠𝑡:
Résumé sur les diodes redresseuses

1) Symbole et caractéristique I-V de la diode

Une diode à jonction PN est un composant électronique constitué de deux électrodes : l’anode
(A) et la cathode (K). On la symbolise par :
𝑞𝑉𝐷
La relation entre ID et VD est exponentielle, soit : 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒𝑥𝑝 𝐾𝑇 -1) où IS est appelé
courant de saturation ou des minoritaires, il est faible.
La diode laisse passer le courant dans le sens anode→ cathode et le bloque dans le sens cathode
→ 𝑎node.
La caractéristique I-V de la diode présente l’allure suivante :
On remarque que la diode commence à conduire, ID>0, lorsque VAK atteint un seuil Vo dit seuil
de conduction de la diode en direct. Pour des tensions inférieures ou égales à Vo, 𝐼𝐷 ≤ 0, on
dit que la diode est bloquée.

Pour étudier un circuit contenant une diode, on a besoin de la remplacer par un schéma
électrique équivalent selon l’état électrique de la diode, passante, ID>0, ou bloquée, 𝐼𝐷 ≤ 0.
2) Schéma électrique équivalent
a) Diode réelle
Pour obtenir le schéma équivalent, on doit d’abord linéariser la caractéristique comme
le montre la figure ci-dessous.
On remarque que la caractéristique est approximée par deux segments :

 Pour VAK≤Vo, IAK≤ 𝟎, la diode est bloquée, il est approximée par un circuit ouvert
La diode est équivalente à un circuit ouvert, c’est dire elle bloque le courant. IAK≤ 𝟎
est donc la condition de conduction de la diode.
 Pour VAK>0, on a ID>0, la diode est dite passante, la relation entre VAK et IAK est une
droite d’équation VAK=Vo+RdxIAK. On représente cette équation par le schéma
électrique suivant :
Rd est appelée
Rd est appelée résistance dynamique de la diode qui représente la pente du segment où

VAK>Vo.

La situation ci-dessus représente une diode dite réelle où Vo≠ 𝟎 et Rd≠0.

b) Diode parfaite
On dit que la diode est dite parfaite si Rd=0 et Vo≠ 𝟎.
c) Diode idéale : Vo=0 er Rd=0

La caractéristique I-V a la forme ci-dessous :
3) Méthode d’étude d’un circuit à diode

 Si le circuit contient une seule diode
1ère étape : On suppose la diode passante
2ème étape : On remplace la diode par son schéma électrique lorsqu’elle est passante
selon qu’elle soit réelle, parfaite ou idéale.

3ème étape : On calcule le courant traversant la diode dans le sens passant qui doit être
positif. On déduit alors la condition de conduction de la diode.
 Si le circuit contient plus d’une diode
 On suppose les diodes passantes

 On les remplace chacune par un schéma équivalent
 On calcule le courant traversant chaque diode.
 Si un des courants n’est pas positif, la supposition n’est pas correcte, il faut alors refaire
une autre supposition et redessiner le circuit qui lui correspond et ainsi de suite.
Exemple 1 :
1) Soit le circuit de la figure 1 où la diode est supposée parfaite et caractérisée par
Vo=0.7V. Déterminer la tension aux bornes de R.
Figure 1
E=3V, R=1KΩ
𝐸−𝑉 3−0.7
En appliquant la loi des mailles, on obtient 𝐼𝐷 = 𝑅 𝑜= 1000 = 2.3mA>0 ; la diode est donc
effectivement passante. VR= RxID= 2.3V
2) Soit le circuit de la figure 2.
En supposant D passante, on obtient le circuit :
Figure 2
−𝐸−𝑉 −3−0.7
En appliquant la loi des mailles, on obtient 𝐼𝐷 = 𝑅 𝑜 = 1000 = -3.7mA<0 ; d’où la
diode n’est pas passante, il faut alors redessiner le circuit réel en utilisant le schéma
équivalent d’une bloquée, circuit-ouvert.

On a remplacé la diode par un circuit–ouvert, le courant traversant R est nul donc VR=0.
Exemple 2 :
Considérons le circuit de la figure 3 où D1 et D2 sont parfaites et caractérisées par
Vo=0.7V.
Figure 3
Calculer I1, I2 et ID2.
En supposant D1 et D2 passantes on obtient :
𝐸−2𝑉0 20−3.4
La maille 1 donne 𝐼2 = = = 3.22𝑚𝐴 >0 donc D1 est effectivement
𝑅2 5600
passante.
La maille 2 donne :
𝑉
𝐼1 = 0 = 0.212mA.
𝑅1
𝐸𝑛 𝑢𝑡𝑖𝑙𝑖𝑠𝑎𝑛𝑡 𝑙𝑎 𝑙𝑜𝑖 𝑑𝑒𝑠 𝑛𝑒𝑢𝑥, 𝑜𝑛 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑣𝑒 ∶ 𝐼𝐷2 = 𝐼2 − 𝐼1 = 3.11𝑚𝐴
𝐼𝐷2 > 0, donc la diode D2 est aussi passante, par suite la supposition émise au début de la
solution est vraie.

Quelques circuits à diodes


















TD d’électronique de base ( avec solutions)
Série n°3
Exercice 1 :
En supposant les diodes parfaites de seuil V0=0.7V, calculez le courant traversant la résistance
de 1kΩ dans les 4 cas suivants :
Figure 1
Exercice 2
Sachant que R1 = R2 = 1kΩ et R3 = 2kΩ et que la diode est idéale, calculez le courant qui
traverse la diode.

Figure 2
Exercice 3 :
La diode utilisée dans les deux circuits de la figure 3 est supposée caractérisée par un seuil
V0=0.7V et une résistance dynamique négligeable.
1) Déterminer dans chaque cas la condition de conduction de D.

2) Déterminer la fonction de transfert de chaque circuit vo=f(vin) et la représenter sur un
graphe.
3) Représenter sur un même graphe vin(t) et vo(t).
Figure 3
Exercice 4 :
Les diodes utilisées dans le circuit de la figure 4 sont supposées idéales. Les générateurs de
tension et de courant sont aussi idéaux.
Figure 4
1) Quel est l’état électrique de la diode, passante ou bloquée ?

2) Calculer le courant traversant la résistance R pour E= 10V et E=30V.
Exercice 5 :
On considère le montage de la figure 5 dans lequel la diode D est supposé idéale.
Figure 5
1) Déterminer la condition de conduction de la diode.
2) Déterminer l’expression de Vs si la diode est bloquée.
3) Reprendre la question 2 si la diode est passante.
4) Représenter le graphe de la fonction de transfert du circuit VS= f(Ve) si Ve est un signal
triangulaire variant entre -10V et +10V.
5) Représenter sur un même graphe ve(t) et vs(t).
On donne : Rg=100Ω, R2=1KΩ, R1=250Ω et E=3V
Exercice 6 :
On considère que les diodes de la figure 6 sont parfaites avec Vo=0.6V. ve(t) est un signal
sinusoïdal avec ve(t)= 5sin(wt).On donne R1=R2=1KΩ.
Figure 6
1) Déterminer les conditions de conductions de chaque diode, on doit trouver trois
combinaisons possibles, lesquelles ?
2) Pour chaque combinaison, déterminer la tension VR2.
3) Représenter la fonction de transfert du circuit.

4) Représenter sur un même graphe Ve(t) et VR2(t).
Solutions
Exercice 1 :
Reprenons les quatre circuits en choisissant le sens des courants des diodes dans le sens
passant c’est-à-dire de l’anode vers la cathode.
Supposons les diodes passantes puis déterminons le courant ID. Si ID est supérieur à zéro
la diode est passante ; si ID est inférieur ou égale à zéro, la diode est bloquée.
(a) En appliquant la loi des mailles, on obtient : E-Vo= RID

𝐸−𝑉𝑜 10−0.7
Soit 𝐼𝐷 = = =9.3mA, ce courant est positif, la diode est
𝑅 1000
effectivement passante.
Le courant traversant R est IR=ID=9.3mA.

(b) La loi des mailles fournit :

𝐸 −(𝐸 +𝑉 ) 10−15−0.7
RxID= E1-(E2+Vo), soit : 𝐼𝐷 = 1 𝑅2 0 = 1000 =-5.3mA
𝐼𝐷 < 0, donc la diode est bloquée, donc équivalente à un circuit-ouvert
On a E2+VD= E1, soit VD=E1-E2=10-15=-5V<0

Le circuit est ouvert donc IR=0
(c) En appliquant la loi des mailles, on trouve :
𝐸−2𝑉0 10−1.4
𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 = = =8.6mA >0 donc D1 et D2 sont effectivement
𝑅 1000
passantes. Le courant traversant la résistance est IR= ID1=ID2=8.6mA
(d) En appliquant la loi des mailles, on trouve :
𝐸−𝑉𝑜 +𝑉0 𝐸
𝐼𝐷1 = =𝑅= 10mA. Or 𝐼𝐷2 = −𝐼𝐷1 = −10𝑚𝐴<0. On a alors le schéma
𝑅
effectif suivant :
D2 est un circuit ouvert, IR=0. VD2= Vo-E=-9.3V<0.
Exercice 2 :
Soit le circuit suivant :

En appliquant le théorème de Thévenin à la partie du circuit située à gauche des points a et b,

on obtient :
𝑅2 𝑥𝐸 𝐸
Avec 𝐸𝑇ℎ = = = 10𝑉
𝑅1+𝑅2 2
𝑅1𝑥𝑅2
𝑅𝑇ℎ = 𝑅1 //𝑅2 = = 500Ω
𝑅1+𝑅2
En supposant la diode passante, on la remplace par un court-circuit car la diode est idéale, soit :
En appliquant la loi des mailles, on trouve :

(𝑅𝑇ℎ + 𝑅3 )𝐼𝐷 = 𝐸𝑇ℎ + 𝐸
𝐸𝑇ℎ +𝐸 22
𝐼𝐷 = = = 8.8𝑚𝐴 >0,
𝑅𝑇ℎ +𝑅3 2500
La diode est donc effectivement passante, ce qui confirme la supposition du départ.
Exercice 3 :
1) Les deux diodes utilisées sont supposées parfaites caractérisées par un seuil de
conduction, Vo, en directe et par une résistance dynamique nulle, Rd=0.
En supposant les diodes passantes, les deux circuits deviennent :

On calcule le courant ID pour les deux circuits puis on détermine la condition de

conduction de D qui est ID>0.
Pour calculer ID on peut soit appliquer les lois de Kirchhoff, maille et nœuds, ou
simplifier le montage en appliquant le théorème de Thévenin. En optant pour
Thévenin, on obtient :
𝑅𝐿 𝑅𝑆 𝑅𝐿
𝑒𝑇ℎ = 𝑅 𝑉𝑖𝑛 , 𝑅𝑇ℎ = 𝑅𝑆 //𝑅𝐿 =
𝑆 +𝑅𝐿 𝑅𝑆 +𝑅𝐿
 Pour le circuit(a), on appliquant la loi des mailles on trouve :
𝑒 −𝑉 −𝑉
𝐼𝐷 = 𝑇ℎ 𝑅 𝑜 𝐵 ; ce courant est positif si ID>0 c’est-à-dire 𝑒𝑇ℎ > (𝑉𝑜 + 𝑉𝐵 ) ou 𝑉𝑖𝑛 >
𝑇ℎ
𝑅𝑆
(1 + 𝑅 )(𝑉𝑜 + 𝑉𝐵 ) c’est la condition de conduction de la diode.
𝐿
 Pour le circuit (b), en appliquant la loi des mailles, on obtient :
𝑒𝑇ℎ + 𝑉𝑜 + 𝑉𝐵
𝐼𝐷 = −
𝑅𝑇ℎ
𝐼𝐷 > 0 𝑠𝑖 (𝑒𝑇ℎ + 𝑉𝑜 + 𝑉𝐵 ) < 0 , 𝑠𝑜𝑖𝑡 𝑒𝑇ℎ < −(𝑉𝑜 + 𝑉𝐵 )
𝑅
ou encore : 𝑉𝑖𝑛 < −(1 + 𝑅𝑆 )(𝑉𝑜 + 𝑉𝐵 ) c’est la condition de conduction de la
𝐿
diode.
2) Pour le circuit (a), on a : vo= VB+VO si la diode est passante, dans le où ID≤0 la diode
est bloquée, le circuit se ramène à :

𝑅𝐿
𝑣𝑜 = 𝑒𝑇ℎ = 𝑉
𝑅𝑆 + 𝑅𝐿 𝑖𝑛
Pour le circuit (b), on a :
 vo=-(VB+Vo) si la diode est passante
 Si la diode est bloquée on a le circuit :
𝑅𝐿
𝑣𝑜 = 𝑒𝑇ℎ = 𝑉
𝑅𝑆 + 𝑅𝐿 𝑖𝑛
En résumé on a :
 Circuit (a)
𝒆𝑻𝒉 −𝑽𝒐 −𝑽𝑩 𝑹𝑺
- vo= VB+VO si 𝑰𝑫 = > 𝟎 soit : 𝑽𝒊𝒏 > (𝟏 + )(𝑽𝒐 + 𝑽𝑩 )
𝑹𝑻𝒉 𝑹𝑳
𝑹𝑳 𝑹𝑺
- 𝒗𝒐 = 𝒆𝑻𝒉 = 𝑽𝒊𝒏 si 𝑽𝒊𝒏 ≤ (𝟏 + )(𝑽𝒐 + 𝑽𝑩 )
𝑹𝑺 +𝑹𝑳 𝑹𝑳
 Circuit (b)
𝑹𝑺
- vo=-(VB+Vo) si ID<o soit : 𝑽𝒊𝒏 < −(𝟏 + )(𝑽𝒐 + 𝑽𝑩 )
𝑹𝑳
𝑹𝑳 𝑹𝑺
- 𝒗𝒐 = 𝒆𝑻𝒉 = 𝑽𝒊𝒏 si 𝑽𝒊𝒏 ≥ −(𝟏 + )(𝑽𝒐 + 𝑽𝑩 )
𝑹𝑺 +𝑹𝑳 𝑹𝑳
Les fonctions de transfert des deux circuits sont représentées ci-dessous :

+VM représente la valeur maximale de vin, -VM est sa valeur minimale car vin=VMsin(wt)
3) Représentation de vin(t) et de vo(t) sur un même graphe.

Exercice 4 :
 La diode D2 est traversée par un courant de 1A allant positivement de son anode
vers sa cathode, donc elle est passante. On peut alors remplacer D2 par un court-
circuit, d’où le schéma électrique suivant :
Pour déterminer l’état électrique de D1, on :

 Suppose D1 passante
 On remplace D1 par un court-circuit
 On calcule ID1
 Si ID1>0 la diode D1 est passante ; si ID1<0, elle est bloquée.
𝐸 𝐸
La loi des nœuds en A donne : I=ID1+ID2 = , soit ID1= – ID2
𝑅 𝑅

𝐸
La diode D1 est passante si > ID2
𝑅

10
 Si E=10V, on a I= 20 = 0.5𝐴, ID1= 0.5-1=-0.5A, D1 est alors bloquée.
30
 Si E=30V, on a I= 20 = 1.5𝐴, ID1= 1.5-1= 0.5A>0, D1 est donc passante.
Exercice 5 :
La diode est supposée idéale :

- Court-circuit si elle est passante
- Circuit-ouvert si elle est bloquée.
1) En appliquant le théorème de Thévenin c’est-à-dire en suivant les démarches de
l’exercice 3, on trouve le circuit suivant :
Avec :
𝑣𝑒
𝑒𝑇ℎ = 𝑅2
𝑅2 + 𝑅𝑔
𝑅2 𝑅𝑔
𝑅𝑇ℎ =
𝑅2 + 𝑅𝑔
Pour obtenir la condition de conduction de D, on suppose D passante, on la remplace
par un court-circuit, on calcule iD puis on cherche sous quelle condition iD>0 c’est-à-
dire la condition de conduction de D.
En supposant D passante on obtient :

En appliquant le théorème de Thévenin, on trouve :

𝑒𝑇ℎ −𝐸 𝑅𝑔
𝑖𝐷 = ; 𝑖𝐷 > 0 𝑠𝑖 𝑒𝑇ℎ > 𝐸 𝑐 ′ 𝑒𝑠𝑡à 𝑑𝑖𝑟𝑒 𝑠𝑖 𝑣𝑒 > (1 + )𝐸 ; dans le cas
𝑅𝑇ℎ +𝑅1 𝑅2
contraire la diode est bloquée (𝑖𝐷 ≤ 0).
𝑅𝑔
La condition de conduction de la diode est 𝑣𝑒 > (1 + )𝐸 .
𝑅2
2) Si la diode est bloquée, elle sera équivalente à un circuit-ouvert :
𝑣𝑒
𝑣𝑠 = 𝑒𝑇ℎ = 𝑅2
𝑅2 + 𝑅𝑔
3)
Si la diode est passante, ve>3.3V,on reprend le circuit de la question 1 :

𝑒𝑇ℎ −𝐸
𝑣𝑠 = 𝐸 + 𝑅1 𝑖𝐷 avec 𝑖𝐷 =
𝑅𝑇ℎ +𝑅1
𝑆𝑜𝑖𝑡: 𝑣𝑠 = 0.66𝑣𝑒 + 0.79, la fonction vs=f(ve) est une droite de pente 0.66
et qui ne passe pas par l’origine.
𝑆𝑖 𝑣𝑒 ≤ 3.3𝑉, 𝑙𝑎 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑡 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢é𝑒, 𝑜𝑛 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑣𝑒 𝑣𝑠 = 0.9𝑣𝑒 , cette
fonction est une droite de pente 0.9.
4) Le tracé de la fonction de transfert du circuit est alors :
Caractéristique de transfert vs=f(ve)

5) Tracés de ve(t) et vs(t) sur un même graphe :
Ve(t) est un signal triangulaire variant entre -10V et +10V
L’expression de vs(t) dépend de l’état de la diode :

- Vs(t) =0.66ve(t)+0.79 si d est passante, c’est-à-dire si ve(t)>3.3V.

- Vs(t)=0.9ve(t) si ve(t)≤ 3.3V.
Les tracés sont représentés sur la figure ci-dessous.
T est la période du signal d’entrée.

 0<t<t1 : ve(t)<3.3V, D est bloquée, vs(t)=0.9ve(t) ; à t1, vs=2.97V
 t1<t<t2, ve(t)>3.3V, D est passante, vs(t)=0.66ve(t)+0.79 ; à t1 et à t2,
vs=2.97V ; lorsque ve=10V, vs=7.39V.
 t2<t<t3, ve<3.3V, D est bloquée, vs=0.9ve ; lorsque ve=-10V, vs=-
9v.
 t3<t<t4, les phénomènes précédents reprennent.
Exercice 6 :
 ve est un signal qui dépend de t, on alors quatre combinaisons possibles :
 D1 et D2 passantes.
 D1 passante, D2 bloquée.
 D1 bloquée, D2 passante.
 D1 et D2 bloquées.
Supposons le cas où les deux diodes sont passantes ; on remplace chaque diode
par Vo seule, on a alors le circuit suivant :

D’après le schéma, on remarque que VR2= VD1= Vo=-VD2= -Vo, soit :

VR2=+0.6= -0.6V ce qui est impossible car une même tension ne peut pas être
simultanément positive et négative. La combinaison D1 et d2 passantes est
impossible, donc à écarter.
Examinons les trois autres :
 D1 passante, D2 bloquée : D1 sera remplacée par Vo, D2 sera
remplacée par un circuit ouvert.
𝑉0 0.6
𝐼𝑅2 = = = 0.6𝑚𝐴.
𝑅2 1000
En appliquant la loi des mailles à la maille (1), on obtient :
𝑣𝑒 − 𝑉𝑜
𝐼𝑅1 =
𝑅1
En appliquant la loi des nœuds en A, on a :
𝑣 −𝑉 𝑉 𝑣 1 1
𝐼𝐷1 = 𝐼𝑅1 − 𝐼𝑅2 = 𝑒 𝑜 − 0 = 𝑒 − 𝑉𝑜 ( + ).
𝑅1 𝑅2 𝑅1 𝑅1 𝑅2
ID1 doit être positif pour que la diode soit passante, d’où la condition de conduction
𝑅
de D1 est 𝑣𝑒 > 𝑉𝑜 ( 1 + 1) = 1.2𝑉. Si 𝑣𝑒 ≤ 1.2𝑉, la diode D1 est bloquée.
𝑅2
 D1 bloquée, D2 passante : D1 remplacée par un circuit-ouvert, D2
remplacée par Vo.

−𝑉0
𝑉𝑅2 = 𝐼𝑅2 𝑥𝑅2 = −𝑉0 → 𝐼𝑅2 =
𝑅2
𝑣𝑒 + 𝑉𝑜
𝐿𝑎 𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 (2): 𝐼𝑅1 =
𝑅1
La loi des nœuds donne :
−𝑉0 𝑣𝑒 +𝑉𝑜 𝑣 1 1
𝐼𝐷2 = 𝐼𝑅2 − 𝐼𝑅1 = − = − 𝑅𝑒 -𝑉𝑜 (𝑅 + 𝑅 ).
𝑅2 𝑅1 1 1 2
𝑣 1 1 𝑅
𝐼𝐷2 > 0 𝑠𝑖 {𝑅1𝑒 + 𝑉𝑜 (𝑅 + 𝑅 )} < 0 → 𝑣𝑒 < −𝑉0 (1 + 𝑅1 )=-1.2V
1 2 2
La condition de conduction de D2 est ve<-1.2V. si ve≥ −1.2𝑉, 𝐷2 𝑠𝑒𝑟𝑎 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢é𝑒.
A partir de ce que nous avons démontré en haut on peut déduire le graphe suivant :
Zone 1 : ve<-1.2V : D1 bloquée, D2 passante.
Zone 2 : −1.2𝑉 ≤ 𝑣𝑒 ≤ 1.2𝑉 : D1 et D2 bloquées.
Zone 3 : 𝑣𝑒 > 1.2𝑉 : D1 passante , D2 bloquée.
 Pour D1 passante, D2 bloquée, on a VR2=+Vo=0.6V

 Pour D1 bloquée, D2 passante, on a VR2= - Vo= - 0.6V
 Pour D1 et D2 bloquée, on a le circuit:

IR1= IR2, le circuit est un diviseur de tension, d’où :

𝑹𝟐
𝒗𝑹𝟐 = 𝒗𝟐 = 0.5 𝒗𝒆
𝑹𝟏 +𝑹𝟐
 ve<-1.2V : D1 bloquée, D2 passante, VR2= - Vo= - 0.6V, VR2 indépendante

de 𝒗𝒆 .
 −1.2𝑉 ≤ 𝑣𝑒 ≤ 1.2𝑉 : D1 et D2 bloquées, VR2=0.5𝑣𝑒 , c’est une droite de pente 0.5
 𝑣𝑒 > 1.2𝑉 : D1 passante, D2 bloquée, VR2= 0.6V, donc indépendante de 𝑣𝑒 .
4) Tracés de 𝒗𝒆 𝒆𝒕 𝒅𝒆 𝑽𝑹𝟐 𝒔𝒖𝒓 𝒖𝒏 𝒎ê𝒎𝒆 𝒈𝒓𝒂𝒑𝒉𝒆.


Diode Zener
La diode Zener est constituée d’une jonction PN destinée à fonctionner en inverse.
Son utilisation principale est la stabilisation de la tension aux bornes d’une charge.
1) Symbole et caractéristique I-V
 Vz0 : seuil de conduction de la diode en inverse, quelques Volts à

quelques dizaines de volts.
 V0 : seuil de conduction en direct, 0.6-07V pour le silicium ; 0.3V
pour le germanium.
 On remarque qu’en inverse la diode conduit losque Iz est située
entre sa valeur minimale, Izmin , et sa valeur maximale , Izmax,
fournie par le constructeur pour protéger la diode.
 IZT et VZT : Coordonnées d’un point test situé sur la caractéristique
inverse.
∆𝑉𝑍
 VZT= VZ0+rdzIZT avec𝑟𝑑𝑧 = pente autour du point test: résistance
∆𝐼𝑍
dynamique de la diode Zener.
 Pour les tensions situées entre VZ0 et V0, le courant traversant la
diode est nul, la diode est donc bloquée.
 Pour VZ>Vz0, IZ>0 la diode est conductrice en inverse.

 Pour VAK >V0, IAK>0, la diode est conductrice en directe.

2) Schéma électrique équivalent.
Selon que la diode fonctionne en directe ou en inverse, on a un schéma
équivalent différent.
3) Exemple d’application dans un écrêteur de tension à deux niveaux

Considérons le circuit ci-dessous utilisant deux diodes Zner identiques
caractérisées par V0=0.6V et VZ0= 19.4V, les résistances dynamiques rd et
rdz sont supposées nulles.
 Si I>0, DZ1 est passante en direct, DZ2 est passante en inverse, on a

alors le circuit suivant :

En appliquant la maille, on obtient :

𝑣𝑖 −(𝑉0 +𝑉𝑍0 )
I= >0, d’où 𝑣𝑖 > (𝑉0 + 𝑉𝑍0 ), dans ces conditions, on a :
𝑅
𝑣𝑜 = (𝑉𝑍0 + 𝑉0 ) =19.4+0.6=20V.
 Si I<0, DZ1 sera conductrice en inverse, DZ2 conductrice en direct,
d’où le schéma équivalent suivant :
En appliquant la loi des mailles, on a :

𝑣𝑖 +(𝑉0 +𝑉𝑍0 )
I= < 0, d’où 𝑣𝑖 < −(𝑉0 + 𝑉𝑍0 );
𝑅
𝑆𝑜𝑖𝑡: 𝑣𝑜 = −(𝑉𝑍0 + 𝑉0 ) = −(19.4+0.6)=-20V
 Pour −(𝑉0 + 𝑉𝑍0 ) < 𝑣𝑖 < (𝑉0 + 𝑉𝑍0 ), les deux diodes sont bloquées
donc équivalentes à un circuit-ouvert.
On a 𝑣0 = 𝑣𝑖 .
Le tracé de 𝑣0 présente deux niveaux d’écrêtage, −(𝑉0 + 𝑉𝑍0 )𝑒𝑡 (𝑉0 + 𝑉𝑍0 ).

4) Stabilisateur de tension
Le circuit le plus simple est le suivant :
Supposons DZ caractérisée par VZ0 et rdz=0.
Le montage ci-dessus est un stabilisateur de tension. Il permet de maintenir la

tension U, aux bornes de la charge Ru, sensiblement constante lorsque le courant
IU , varie entre 0 et IUmax et/ou lorsque la tension d'entrée (non régulée) VC varie
entre VCmin VCmax, c'est le cas des tensions redressées filtrées.
Pour que la diode Zener fonctionne et assure son rôle de stabilisateur, il faut qu'un
courant Iz non nul circule en permanence dans ce composant, et ce quelque soient
les variations de la tention d’entrée VC et de la charge RU.
La résistance R assure le rôle de polarisation de la Zener, et elle sera calculée
pour que la condition énoncée ci-dessus soit remplie. Il faudra aussi veiller à ce
que le courant IZ ne dépasse pas le courant IZ max .
La valeur de la résistance R est calculée de façon à ce que le courant IZ , vérifie la condition suivante
: 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 ≤ 𝐼𝑍 ≤ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
𝑉𝐶 −𝑉𝑍0
Loi des nœuds : I=𝐼𝑍 + 𝐼𝑈 → 𝐼𝑍 = 𝐼 − 𝐼𝑈 = − 𝐼𝑈
𝑅

Or à IZmax correspond IUmin qu’on peut considérer nul. On a alors :

𝑉𝐶𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑍0
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = −0
𝑅
𝑉 −𝑉
 𝐿𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑖𝑡𝑖𝑜𝑛 𝐼𝑍 ≤ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 → 𝐶𝑚𝑎𝑥𝑅 𝑍0 ≤ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
𝑉𝐶𝑚𝑎𝑥 −𝑉𝑍0
Soit R≥
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
 La condition 𝐼𝑍 ≥ 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 impose les conditions défavorables 𝑉𝐶 =
𝑉𝐶𝑚𝑖𝑛 𝑒𝑡 𝐼𝑈 = 𝐼𝑈𝑚𝑎𝑥
𝑉𝐶𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍0 𝑉𝑍0
D’où: 𝑅
≥ 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝑈𝑚𝑎𝑥 avec 𝐼𝑈𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝑈𝑚𝑖𝑛
VCmin −VZ0
Soit : R ≤ I
Zmin +IUmax
 Coefficient de stabilisation amont:

Ce coefficient est représentatif de la sensibilité du montage aux variations de la tension
non régulée VC lorsque la charge, RU, est constante, soit IU =Cte.
Il est le rapport:
 Coefficient de stabilisation aval :

Ce coefficient est représentatif de la variation de la tension de sortie quand le courant dans
la charge varie (Ru, varie) et la tension d'entrée est constante (V c =cte).
Il est le rapport:
Exercices d’application

Exercice 1 :
La diode Zener mise en œuvre dans les montages de cet exercice est une diode Zener silicium
de VZ0 =7,5 V et de puissance maximale à ne pas dépasser, Pmax= 0,4 W.
On adoptera pour cette diode Zener le modèle à seuil V0=0.7V en direct et le modèle linéaire
(seuil et résistance dynamique VZ0=7.5V et rdz=3.5Ω) en inverse
1) Calculer la valeur IZmax, circulant dans la diode zener, à ne pas dépasser, en régime
permanent, en polarisation inverse.
2) Représenter l’allure de la caractéristique IZ en fonction de VZ pour un courant variant
de IZmin à IZmax (Préciser les valeurs des points remarquables).
3) On considère le montage ci-dessous où La source de tension est réalisée avec un
Générateur Basse Fréquence de résistance interne r = 50Ω, qui délivre une f.e.m. « e ».
Une résistance de protection R = 50 Ω limite le courant dans la diode zener.
a) Supposons la diode zener bloquée. Préciser l’intervalle dans lequel doit se trouver la valeur
de VZ et l’intervalle dans lequel doit se trouver la valeur de la f.e.m. « e » pour que cette
hypothèse soit vraie. Justifier votre réponse.
b) Supposons la diode zener conductrice en inverse (IZ>0). Préciser la condition sur la
valeur de la f.e.m. « e » pour que cette hypothèse soit vraie. Justifier par un schéma et
un calcul.
Solution

3)
a) Si la diode zener est bloquée : - 0,7 V < VZ < 7,5 V (voir graphe ci-dessus).
Le courant iZ est nul, donc e=VZ ( voir circuit ci-dessous)
b) Si la diode zener est conductrice en inverse, le courant iZ est positif et donc e > 7,5 V
(loi des mailles sur la figure ci-dessous)
𝑒−𝑉
On a (R+𝑟𝑑𝑧 + 𝑟)𝑖𝑍 = 𝑒 − 𝑉𝑍0 → 𝑖𝑍 = 𝑅+𝑟+𝑟𝑍0 > 0 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑞𝑢𝑒 la diode Zener soit
𝑑𝑧
passante, soit e> VZ0 , e>7.5V, est la condition de conduction de la diode Zener.

Exercice 2 :
On dispose d’une source de tension constante Ve= 9V à partir de laquelle on souhaite
alimenter une charge sous une tension constante VCH=5V quel que soit la valeur du
courant consommé ICH. Pour cela, on utilise une diode zener de tension zener VZ0=5V.
(On négligera sa résistance dynamique en polarisation inverse, rdz=0).
1) Sachant que la puissance maximale qui peut être dissipée dans la diode zener est de
500 mW, en déduire IZmax.
2) Montrer que la somme ICH+IZ=Ie est une valeur constante tant que la diode zener
est passante en inverse.
3) Sachant que 0 < 𝐼𝐶𝐻 < 𝐼𝐶𝐻𝑚𝑎𝑥 , en déduire que la valeur R=40Ω protège la diode
zener contre les risques de courant excessif supérieur à IZmax.
4) Pour que la charge reste alimentée sous VCH=5V, il faut que Iz>0. En déduire la
valeur limite de ICH qui garantit ce bon fonctionnement.
5) Quelle est la valeur de VCH si la charge consomme un courant ICH=200mA ?
Corrigé
3) Le courant dans la diode zener est maximum lorsque ICH=0. Dans ce cas on a :

4
𝐼𝑍 = 𝐼𝑒 = 40 = 100𝑚𝐴, ce qui est égal au courant maximum admissible par cette diode.
La valeur de R choisie permet la protection de la diode.
Quelques exercices supplémentaires en anglais










Série n°4 (avec solutions)

Soit le montage de la figure ci-dessous. Il s’agit d’un régulateur de tension aux bornes de la
résistance d’utilisation RU par diode Zener caractérisée par un seuil VZ0 et une résistance
dynamique rdz.
1) On suppose que la diode est idéale, avec : VZ0 = 10 V et rdz = 0, La tension d’entrée du
circuit est une tension continue, E, variant entre 15 et 20 V, la résistance d’utilisation
RU est une résistance fixe de 200 Ω. Le courant dans la diode Zener doit être d’intensité
supérieure ou égale à 5 mA pour que la diode stabilise la tension. Calculer la valeur de
la résistance série RS.
2) On garde la valeur de RS et on suppose maintenant que RU est une résistance variable
entre 200 Ω et 2 kΩ. Calculer les valeurs limites du courant I et du courant IZ . En
déduire les puissances dissipées dans la diode Zener et dans RS.
3) La diode Zener possède maintenant une résistance dynamique rdz = 20 Ω et une
tension Zener de 10 V. Donner le schéma équivalent du circuit calculer les coefficients
de régulation amont, 𝑎, et aval, 𝜆.
Solution
1) Calcul de la valeur de la résistance série RS

Puisque le courant dans la diode Zener doit être supérieur ou égal à 5 mA et sachant que la
tension VZ0 = 10 V, On raisonne sur la valeur minimale Emin de la tension E :
Or, le courant d’utilisation dans la charge est :
𝐸𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍 15−10

On en déduit : 𝑅𝑆 = = 55∗10−3 = 90.90Ω
𝐼𝑍 +𝐼𝑈
2) Calcul des limites de I et de 𝑰𝒁

Le courant maximal délivré par la source de tension E est Imax :

𝐸𝑚𝑎𝑥 −𝑉𝑍 20−10

𝐼𝑚𝑎𝑥 = = 90.90 = 110𝑚𝐴
𝑅𝑆
Le courant minimal délivré par la source de tension E est Imin :

𝐸𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍 15 − 10
𝐼𝑚𝑖𝑛 = = = 55𝑚𝐴
𝑅𝑆 90.90
Le courant circulant dans 𝑅𝑈 varie entre 𝐼𝑚𝑖𝑛 pour 𝑅𝑈𝑚𝑎𝑥 et 𝐼𝑈𝑚𝑎𝑥 pour 𝑅𝑈𝑚𝑖𝑛 , 𝑠𝑜𝑖𝑡:
𝑈𝑈 10
𝐼𝑈𝑚𝑖𝑛 = = = 5𝑚𝐴
𝑅𝑈𝑚𝑎𝑥 2 ∗ 103
𝑒𝑡:
𝑈𝑈 10
𝐼𝑈𝑚𝑎𝑥 = = = 50𝑚𝐴
𝑅𝑈𝑚𝑖𝑛 2 ∗ 102
Il y a stabilisation de la tension si I est constant c’est-à-dire si 𝐼𝑍 est minimal, le

courant 𝐼𝑈 est maximal et inversement. Les limites de 𝐼𝑍 sont alors :
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑚𝑖𝑛 − 𝐼𝑈𝑚𝑎𝑥 = 55 − 50 = 5𝑚𝐴
Et
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝑈𝑚𝑖𝑛 = 110 − 5 = 105𝑚𝐴
La puissance maximale dissipée par la diode Zener est :
𝑃𝑍𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ∗ 𝑉𝑍0 = 105 ∗ 10−3 ∗ 10 = 1.05𝑊
3) Calcul des coefficients 𝛼 et λ

En supposant la diode Zener passante, on peut la remplacer par le schéma équivalent
suivant :
Le circuit stabilisateur se ramène à :

En appliquant la loi des mailles à (1), on obtient :

E=RSI+rdz+VZ0 avec IU=I-IZ (loi des nœuds) et UU= rdzIZ+VZ0 (maille 2)
𝑈𝑈 −𝑉𝑍0
Soit : E= RSIU+RSIZ+UU avec 𝐼𝑍 = 𝑟𝑑𝑧
𝑅𝑆 𝑅
Ce qui donne : 𝐸 = 𝑅𝑆 𝐼𝑈 + (1 + 𝑟 )𝑈𝑈 − 𝑟 𝑆 𝑉𝑧0
𝑑𝑧 𝑑𝑧
 Si E est une constante, toute variation de la charge RU (ce qui revient à une variation du
courant IU), s’accompagne d’une variation de la tension de sortie UU .
En dérivant l’expression précédente et tenant compte du fait que Vz0 est constante on obtient:
𝑅𝑆
𝑅𝑆 𝑑𝐼𝑈 + (1 + 𝑈 )d𝑈 = 0
𝑟𝑑𝑧
On a finalement à E=constante, régulation par rapport à RU :
𝑑𝑈𝑈 𝑅𝑆 𝑟𝑑𝑧
λ= = − = −16.5Ω=−𝑟𝑖
𝑑𝐼𝑢 𝑅𝑆 +𝑟𝑑𝑧
Le signe « − » signifie que les variations du courant et de la tension sont en sens inverse. Lorsque l’une
augmente, l’autre diminue et vice versa. Avec ri qui représente la résistance interne du régulateur.
 si IU est une constante, toute variation de la tension E s’accompagne d’une variation de la
tension de sortie UU . L’expression précédente s’écrit :
𝑅𝑆 𝑅
E= (1 + )𝑈𝑈 + 𝑅𝑆 𝐼𝑈 + − 𝑟 𝑆 𝑉𝑧0
𝑟𝑑𝑧 𝑑𝑧
En différentiant l’équation on obtient :
𝑅
dE=+(1 + 𝑆 )d𝑈𝑈 , doù :
𝑟 𝑑𝑧
𝑑𝑈𝑈 𝑟𝑑𝑧
𝛼= à 𝐼𝑈 = 𝐶𝑡𝑒 = = 0.18
𝑑𝐸 𝑅𝑆 +𝑟𝑑𝑧

Rappels sur le transistor bipolaire en régime statique
1) Structure
On a deux catégories de structures NPN et PNP (figure 1)
Il est constitué de deux jonctions, la jonction base-émetteur (JBE) et la jonction base-

collecteur (JBC). La base est placée en sandwich entre l’émetteur et le collecteur.
2) Fonctionnement normal du transistor bipolaire
Considérons la structure NPN. Pour faire fonctionner normalement cette structure, on polarise
la JBE en direct et la JBC en inverse (figure 2).
Figure 2

VBB polarise la jonction base-émetteur en direct.
VCC polarise la jonction base-collecteur en inverse.
 L’émetteur (E) est fortement dopé. Son rôle est d’injecter des électrons dans la base.
 La base (B) est faiblement dopée et très mince. Elle transmet au collecteur la plupart
des électrons venant de l’émetteur.
 Le collecteur (C) recueille les électrons qui lui viennent de la base d’où son nom.
 La jonction émetteur est polarisée en directe pour créer un champ externe ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸𝑒𝑥𝑡 opposé
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
au champ interne 𝐸𝑖𝑛𝑡 . Si|𝐸𝑒𝑥𝑡 | > |𝐸𝑖𝑛𝑡 |, les électrons majoritaires au niveau de
l’émetteur peuvent passer dans la base et donnent lieu au courant IE. La base étant
faiblement dopée et très mince, donc très peu d’électrons se recombinent avec des trous
de la base. Le courant de base, IB, est très faible.
 Jonction collecteur polarisée en inverse : Le champ externe⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸𝑒𝑥𝑡 est dans le même sens
que le champ interne⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸𝑖𝑛𝑡 . Les électrons qui n’ont pas été recombinés avec les trous au
niveau de la base peuvent passer dans le collecteur ce qui donne le courant IC
Deux autres modes de fonctionnement du transistor sont possibles :
- Fonctionnement : bloqué lorsque la JBE et la JBC sont polarisées simultanément en

inverse.
- Fonctionnement : Saturé si les deux jonctions sont en direct.
3) Symboles et sens des courants et tensions en fonctionnement normal
La figure 3 représente le symbole pour les types NPN et PNP.
Figure 3

Le Transistor bipolaire est élément actif constitué de trois pôles, la base (B), le Collecteur(C)
et l’Emetteur (E)) et de 3 couches semi-conductrices NPN et PNP.
On a trois configurations de montage :
 Emetteur commun :
 Base commune :
 Collecteur commun :

Les relations entre les trois courants du transistor sont :
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝛽 ≫ 1
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝛼 < 1
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 = (1 + 𝛽)𝐼𝐵
𝛽 𝛼
Avec : 𝛼 = 1+𝛽 ; 𝛽 = 1−𝛼
La relation liant les trois tensions est : 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐶𝐵 .
4) Caractéristiques I-V du transistor

Elles mettent en jeu les relations graphiques entre courants et tensions du transistor. La
figure 4 représente ces caractéristiques.
Figure 4
5) Polarisation, droite de charge et point de fonctionnement

L’objectif de la polarisation est de fixer les valeurs des tensions VBE, VCE et des courants
IB, IC pour imposer la localisation des points de fonctionnement dans le réseau de
caractéristiques. Il existe une multitude de circuits permettant la polarisation d’un
transistor. Le choix d’un circuit dépend de la position du point de fonctionnement que
nous souhaitons choisir et de la stabilité de ce point de fonctionnement.

Prenons par exemple un transistor NPN que nous polarisons avec le circuit de la figure
5 qui est de type émetteur commun.
Figure 5
Pour déterminer le point de fonctionnement, on utilise soit une méthode graphique en
associant les équations déduites du circuit et le réseau de caractéristiques, soit une
méthode basée purement sur l’étude du circuit.
a) Méthode graphique
En plus du réseau qui doit être fourni, on déduit du circuit deux équations dites droite
de charge à l’entrée et droite de charge en sortie.
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
 A l’entrée, du côté base, on a :𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝑑 ′ 𝑜ù 𝐼𝐵 = , soit
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 , c’est une droite dite de charge à l’entrée ou d’attaque
.
 A la sortie, du côté collecteur, on obtient : 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 , soit : 𝑉𝐶𝐸 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝑐 , c’est une droite dite de charge.
En représentant les deux droites sur le graphe des réseaux, on obtient le schéma de
la figure 6.
Figure 6

IB0, VBE0, IC0 et VCE0, représentent les coordonnées du point de fonctionnement du

transistor en régime statique.
b) Méthode utilisant les équations du circuit seules
Supposons que le transistor est caractérisé par 𝛽 = 100 et VBE=0.7V.
On donne : VCC=15V, RC=1KΩ, et RB=1MΩ. Déterminer IB, IC et VCE.
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 15−0.7
En utilisant la droite d’attaque, on déduit IB, soit 𝐼𝐵 = = 14.3𝜇𝐴
𝑅𝐵 106
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 102 ∗ 14.3 ∗ 10−6 = 1.43mA.
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 15 − 1.43 = 13.57𝑉
Remarque : Si les éléments du circuit sont mal choisis, on risque soit de saturer ou
de bloquer le transistor comme le montre la figure 7.
Figure 7
La partie de la droite de charge statique située entre les points de blocage et de
saturation définit la zone active ou de fonctionnement normal du transistor.
Au point de saturation, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur fermé
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 ≅ 0 et IC prend sa valeur maximale, peu différente de VCC/RC.
Au point de blocage, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur ouvert, IC=0
et VCE=VCC.
6) Autres circuits de polarisation
La figure 8 représente d’autres circuits de polarisation.

Figure 8
Exercices d’application
Exercice 1 :
Soit le circuit de la figure 9 , les caractéristiques du transistor sont précisées.
Figure9
1) Calculer IE, IC, VE, VC, VCE et VB :

2) Pour 𝛽’ = 110, calculer I’E et V’E. Conclure.

Solution
1) En précisant les courants et les tensions, on obtient( figure 10) :
Figure 10
Du côté base on a :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 avec 𝐼𝐸 = (1 + 𝛽)𝐼𝐵
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸 15−0.7
𝐷′ 𝑜ù: 𝐼𝐸 = (1 + 𝛽) =101* = 628𝜇𝐴
𝑅𝐵 +𝑅𝐸 (1+𝛽) 2.2∗106 +103 ∗101
𝛽
𝐼𝐶 = 𝐼 = 621𝜇𝐴
𝛽+1 𝐸
𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 103 ∗ 628−6 = 628𝑚𝑉.
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 15 − 104 ∗ 621−6 = 8.79𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 8.79 − 0.628 = 8.16𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 1.33𝑉
2) 𝛽 ′ = 110, on remplaçant 𝛽 = 100 par 𝛽 ′ = 110, on trouve :
𝐼𝐸′ = 687𝜇𝐴 et 𝑉𝐸′ = 687𝜇𝑉.
Si augmente IE augmente la tension VE = RE IE augmente la tension

VRB = Vcc – (VE + VBE) diminue IB diminue IC diminue IE diminue.
L’augmentation initiale de IE est compensée par une diminution finale. On dit que
la présence de RE dans le montage permet de stabiliser le point de fonctionnement.
𝑉
Si 𝑅𝐸 (1 + 𝛽) ≫ 𝑅𝐵 et 𝑉𝐶𝐶 ≫ 𝑉𝐵𝐸 , on a 𝐼𝐸 = 𝐶𝐶 ,don indépendant du transistor
𝑅𝐵 +
par 𝛽 et de la température par l’intermédiaire de VBE.
Exercice 2 :
Considérons le circuit de polarisation par pont ci-dessous (figure 11).Le transistor
est caractérisé par VBE=0.7V et 𝛽 = 100.
Figure 11
On donne R1= 10KΩ, R2= 100KΩ et VCC=15V.
1) En utilisant de Thévenin à l’entrée du montage, B, simplifier le montage en calculant

ETH et RTH.
2) Etablir l’expression de IE.
3) Calculer IE pour = 100 et ’=110. Conclure.
4) Calculer IC, VE, VC, VCE et VB
Solution
1) En appliquant le théorème de Thévenin entre la base et la masse, on trouve :
𝐸𝑇𝐻 = 𝑉𝐵 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝐼𝐵 = 0, soit :

𝑅2
R1 et R2 en série, on donc un diviseur de tension, d’où : 𝐸𝑇𝐻 = 𝑉 = 1.36𝑉
𝑅1 +𝑅2 𝐶𝐶
𝑅 𝑅
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝐵𝑀 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝐼𝐵 = 0 𝑒𝑡 𝑉𝐶𝐶 = 0, 𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1//𝑅2 = 𝑅 1+𝑅2 = 9.09KΩ
1 2
𝐿𝑒 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡 𝑠𝑒 𝑟é𝑑𝑢𝑖𝑡 𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 à:
Figure 12
2) En appliquant la loi des mailles à la maille (1), on obtient:

𝑅𝑇𝐻 𝐼𝐸
𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝑅𝑇𝐻 𝐼𝐵 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = + 𝑅𝐸 𝐼𝐸
(1 + 𝛽)
𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐷′ 𝑜ù: 𝐼𝐸 = (1 + 𝛽)
𝑅𝑇𝐻 + (1 + 𝛽)𝑅𝐸
3) Pour 𝛽 = 100, 𝐼𝐸 = 605𝜇𝐴 ; pour 𝛽 = 𝛽 ′ =110, on trouve 𝐼𝐸′ = 610𝜇𝐴
(’ - ) / =/ =10%
(I’E - IE) / IE = IE / IE = (610μA - 605μA) / 605μA = 0,0082 = 0,82%
IE varie faiblement et le montage est stable. Ceci est dû au fait que le terme Rth / (+1) est
petit comparé à RE; il peut même être négligé.
4) IC = IE x / (+1) = 605μA x 100 / (100 + 1) = 600μA
VE = IE x RE = 605μA x 1kΩ = 605mV
VC = VCC – IC x RC = 15V - 600μA x 10kΩ = 9V
VCE = VC - VE = 9V - 605mV = 8,4V
VB = VE + VBE = 605mV + 0,7V = 1,31V
Différents types de polarisation d’un transistor bipolaire à jonctions
Type de Circuit équations

polarisation
Pilarisation par
résistance de
base

Polarisation
par réaction
d'émetteur
Polarisation
par réaction
de collecteur :

Polarisation
par pont de
base et
résistance
d'émetteur
Emetteur
suiveur
Base
commune

TD d’électronique de base
Série n°5
Exercice 1 :
Enoncé :
Considérons le circuit de la figure 1. Le transistor est caractérisé par 𝜷 = 𝟓𝟎 et VBE=0.7V.
Figure 1
Calculer IB, IC, VCE, VB, VC et VBC.
Solutions :
Exercice 2 :

Enoncé :
Soit le circuit de la figure 2. On donne VBE=0.7V.
Figure 2
Calculer IB, IC, VCE, VC, VE, VB et VBC.
Solutions :

Exercice 3 :
Enoncé :
Le transistor utilisé sur le circuit de la figure 3 est de type NPN et caractérisé par
VBE=0.7V et 𝜷 précisée sur le schéma.
Figure 3

Calculer IB, IC, IE, VC, VB, VE VCE et VCB.
Solutions :
IC= 𝜷𝑰𝑩 = 4.116mA
IE= (𝜷 + 𝟏)𝑰𝑩 =4.16mA
Le collecteur est relié à la masse, donc VC=0V.
VB=-RBxIB= 𝟐𝟒𝟎𝒙𝟏𝟎𝟑 𝒙𝟒𝟓. 𝟕𝟑−𝟔 = −𝟏𝟎. 𝟗𝟖𝑽
VE= -VEE+RExIE= -20+𝟐𝒙𝟏𝟎𝟑 𝒙𝟒. 𝟏𝟔𝒙𝟏𝟎−𝟑 = -11.68V.
VCE= VC-VE= 11.68V
VCB=VC-VB=0-10.98= -10.98V
A remarquer que tous les courant sont positif et que VCB<0 et VBE>0 ; ce qui caractérise
le fonctionnement normal d’un transistor.
Exercice 4 :
Enoncé :
Soit le circuit de la figure 4. Le transistor est NPN et caractérisé par VBE=0.7V et 𝜷 =

𝟔𝟎.
Figure 4

Calculer IE, IB, VCE et VCB.
Solutions :

Résumé sur le transistor à effet de champ à jonction ou JFET

24/4/2020
C’est un composant dit unipolaire, car la conduction électrique est due à un seul type de
porteurs, électrons pour un JFET à canal N ou trous pour un JFET à canal P.
Le flux de porteurs dans le canal est contrôlé par une tension. Il présente trois électrodes, grille,
source et drain.
1) Structure et symbole :
Il se présente sous forme de deux structures selon le type du canal, N ou P. Le JFET à
canal N est le plus utilisé en raison de la mobilité des électrons plus importante que celle
des trous.
Figure 1 : Structure d’un JFET à canal N(a) et à canal P (b)

La structure à canal N est constituée d’un semiconducteur N situé entre deux régions P.
Au niveau de chaque jonction P-N apparait une zone de charge d’espace. La région N
située sous la grille constitue le canal.
La structure à canal P est constituée d’un semiconducteur P placé entre deux régions N.
On voit aussi l’apparition de deux zones de charge d’espace. La zone P située sous la
grille constitue le canal N.
On symbolise les deux structures par la figure 2.

Figure 2 : Symbole d’un JFET, (a) à canal N, (b) à canal P
2) Fonctionnement d’un JFET à canal N

Considérons le montage source commune, c’est-à-dire la source est reliée à la masse
(VS=0). En fonctionnement normal, on polarise la jonction grille source en inverse,
VGS<0, on applique une tension VGG entre la grille et la source ; on polarise la jonction
grille drain en inverse, VGD<0, on applique une tension VDD entre le drain et la source
qui sert en même temps à déplacer les électrons de la source vers le drain en passant par
le canal. Le déplacement de ces électrons à travers le canal donne lieu à un courant ID
allant de D vers S, avec ID=IS. La figure 3 représente un JFET à canal N fonctionnant
normalement.
Figure 3 : Polarisation d’un JFET à canal N en fonctionnement normal

VGS=-VGG <0 et VDS=VDD>0, le courant ID est compté positivement de D vers S. ID=IS

car IG=0 puisque VGS<0
On remarque sur la figure 3 que les zones de charge d’espace sont plus étendues du côté
drain que du côté source car la jonction D-G est plus polarisée en inverse que la jonction
G-S.
A VDS=constante, Plus VGS augmente en valeur absolue plus la zone de charge d’espace
s’élargit, plus le canal se rétrécit, plus le courant ID diminue.
A VGS= 0, pour les faibles valeurs de VDS, ID augmente linéairement avec VDS, le JFET
se comporte comme une résistance contrôlée par la valeur de VGS. Lorsque VDS atteint
une valeur dite de saturation ou de pincement, le courant ID se sature à sa valeur de
saturation, IDSS (figure 4).
Les valeurs de VP et IDSS sont fournies par le constructeur. On remarque que plus |𝑉𝐺𝑆 |
augmente, plus ID diminue.
Pour VGS = VP, le canal est totalement envahi par les deux zones de charge d’espace et
ne laisse pas passer les électrons de S vers D ; le courant ID est alors nul (figures 4). Les
figures 5 et 6 représentent respectivement le pincement partiel et total du canal.
Nous pouvons exprimer la tension Grille - Drain (tension grille - canal au niveau du
drain) par :
VGD = VGS + VSD

Lorsque VGD = VP, le canal est pincé et le courant ID ne dépend plus dépendre de la
valeur de VDS, c’est le début de la saturation du courant ID.
On a alors:
VGD = VGS + VSD = VP
VDSsat = VGS-VP
3) Caractéristique de transfert tension-courant, ID=f (VGS) pour VDS constante

Dans la zone de saturation (pinch- off region), VDS≥ ( 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 ), le courant ID s’exprime
en fonction de VGS par la relation ci-dessous, dite caractéristique de transfert ou équation
de Shockley.
L’allure de cette caractéristique est représentée sur la figure 7.
4) Polarisation d’un JFET à canal N

La polarisation d’un transistor sert à fixer son point de fonctionnement dans circuit. Il
existe plusieurs circuits de polarisation : polarisation fixe, polarisation automatique,
polarisation par pont…En pratique, on choisit celui qui permet d’avoir un oint de
fonctionnement stable.
a) Polarisation fixe et polarisation automatique

b) Polarisation par pont au niveau de la grille :
𝑹𝟐
I1= I2 car IG=0, d’où 𝑽𝑮 = 𝑹 𝑽𝑫𝑫 , 𝒄𝒆𝒔𝒕 𝒖𝒏𝒆 𝒅𝒊𝒗𝒊𝒔𝒊𝒐𝒏 𝒅𝒆 𝒕𝒆𝒏𝒔𝒊𝒐𝒏.
𝟏 +𝑹𝟐
Au niveau de la grille on a :
𝑽𝑮 = 𝑽𝑮𝑺 + 𝑹𝑺 𝑰𝑫𝑺 , d’où VGS= VG-RSIDS

𝑽𝑮𝑺 𝟐
On a encore la relation 𝑰𝑫𝑺 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − )
𝑽𝑷
La loi des mailles en sortie donne :
𝑽𝑫𝑺 = 𝑽𝑫𝑫 − (𝑹𝑫 + 𝑹𝑺 )𝑰𝑫𝑺
5) Exercices d’application
Exercice 1 :
Enoncé
Soit le circuit ci-dessous où le JFET est caractérisé par VP=-7V et IDSS=9mA.
Déterminer les coordonnées du point de fonctionnement du montage.

On donne : VDD=5V, VGG= -0.5V et RD=500Ω.
Solution :
Les coordonnées du point de fonctionnement du montage sont : IDS, VDS et VGS.
Pour les calculer, il faut d’abord commencer par préciser sur le schéma les
courants et les tensions du montage comme le montre la figure suivante :
IG=0, d’où VGS=- VGG=-0.5V

𝑽𝑮𝑺 𝟐
On détermine IDS à partir de la relation 𝑰𝑫𝑺 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − ) ; IDS=
𝑽𝑷
−𝟎.𝟓 𝟐
9.10-3( 𝟏 − ) = 7.76mA
−𝟕
VDS= VDD-RD IDS= 5-500x7.76x10-3=1.12V.
Exercise 2:
Enoncé:
Soit le circuit ci- dessous ; les paramètres du JFET sont précisés sur le schéma. On
donne ID=6mA
Determiner: VGS, VD, VG, VS, and VDS.
Solution:
En précisant les courants et les tensions, on obtient le circuit ci-dessous

Du côté grille, on a VGS= - RS IDS= 680x6x10-3=-4.08V

VD= VDD- RDIDS= 12-1.5x103x6x10-3= 6.3V (loi des mailles du côté drain)
VG=0 (G est reliée à la masse)
VS= RSIDS=680x6x10-3= 2.58V (loi d’Ohm)
VDS= VD- VS= 3.72V
Exercise 3:
Enoncé:
Considérons le circuit ci-dessous. Le JFET est caractérisé par IDSS=30mA et VP=-
2.4V. On désire avoir ID=6mA.
Déterminer VGS, RS et VDS.

Solution :
Précisons d’abord sur le schéma VDS et IG qui manquent.

La relation de Shockley s’écrit :

ID = IDSS (1 - VGS/VP)² = (IDSS / VP²)(VP - VGS)²
L’équation ci-dessus peut écrite sous forme de l’équation ci-dessous :
VGS² -2VPVGS - IDVP²/IDSS + VP² =0, c’est une équation de second degré en VGS.
En remplaçant ID et VP par leurs valeurs, on trouve :
VGS² + 4,8VGS +4,6 =0
Les solutions de cette équation sont :
VGS1 = -3,47 V et VGS2 = -1,33 V.
On sait que la valeur de VGS doit être située entre VP=-2.4V et 0, la solution à
retenir est alors :
VGS= -1.33V.
IG=0 implique VGS= -RSID, d’où RS=-VGS/ID = -1.33/6x10-3=220Ω.
En appliquant la loi des mailles au niveau de D, on trouve :
VDS=VDD-RSID= 12-1.33=10.67V.

TD d’électronique de base ( avec solutions)
Série 6
Exercice 1 :
Considérons le circuit de la figure 1 où le transistor utilisé est caractérisé par IDSS= 8mA et VP=-
4V.La caractéristique de transfert du transistor présente l’allure de la figure 2.
On donne : VDD = + 16 V, R1 = 2.1 MΩ, R2 = 270 kΩ, RD = 2.4 kΩ, and RS = 1.5 kΩ,
determine the following: VGSQ, IDQ, VD, VS, VDS, and VDG.
Déterminer : VGS, ID, VD, VS, VDS et VDG.
Solution :
Commençons par calculer VGS et IDS en utilisant une méthode graphique qui associe des
équations déduites du circuit et le graphe de la figure 2. Pour cela, on a besoin de
déterminer une droite dite de transfert qui fournit une relation linéaire entre V GS et IDS.
Le point de fonctionnent doit être sur la droite et sur la caractéristique, sa position
correspond donc à l’intersection de la droite avec la caractéristique.
Pour avoir la droite de transfert, analysons le circuit du côté grille (figure 3)

ID=IS puisque IG=0.

On a : I1= I2 car IG=0 ; donc R1, R2 et VDD constituent un diviseur de tension, d’où :
𝑅 𝑉 270𝑥103 𝑥16
𝑉𝐺 = 2 𝐷𝐷 = = 1.82𝑉.
𝑅1 +𝑅2 270𝑥103 +2.1𝑥106
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝑥𝐼𝐷𝑆 (Loi des mailles).
𝐷"𝑜ù: 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑅𝑆 𝑥𝐼𝐷𝑆 : C’est l’équation de la droite de transfert.
En représentant la droite de transfert sur le graphe de la figure 2, on obtient (figure 4):

L’intersection de la caractéristique avec la droite se fait en Q dont les

coordonnées sont : VGS=-1.8V et IDS=2.4mA, elles correspondent aux
valeurs demandées.
Pour avoir VD, on utilise la loi des mailles au niveau du drain, soit :
VD= VDD- RD IDS= 16- 2.4x103x2.4x10-3=10.24V.
Pour avoir VS, on utilise la loi d’Ohm aux bornes de RS, soit : VS=
3 -3
RSIDS=1.5x10 x2.4x10 = 3.6V
VDS= VD-VS= 10.24-3.6=6.64V.
VDG= VD-VG=10.24-1.82=8.42V.
Exercice 2 :
Considérons le circuit de la figure 5. Le transistor utilisé est caractérisé par
IDSS=9maA et VP=-8V.
Figure 5
Solution :
Déterminer les valeurs des résistances RD et RS qui permettent d’avoir
IDS=IDSS/2 et VDS=VDD/2 (polarisation au point milieu)
IDSS=9mA, donc IDS= 4.5mA, VGS=IDSS (1-VGS/VP)2= -147mV.
VGS= -RS IDS, d’où RS=- VGS/IDS= 147x10-3/4.5x10-3=32.6Ω.
Du côté drain on a : VDS= VDD-(RS+RD) IDS (droite de charge du circuit),
d’où :
𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷𝑆 12−6
RD= − 𝑅𝑆 = − 32.6 = 1.3𝐾Ω.
𝐼𝐷𝑆 4.5𝑥10−3

Résumé Sur La Physique Des Semi-Conducteurs: Universite Abdelmalek Essaadi Faculte Des Sciences Tetouan

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UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI ‫جامعة عبد المالك السعدي‬

FACULTE DES SCIENCES ‫كلية العلوم‬

Résumé sur la physique des semi-conducteurs

La physique des semi-conducteurs est l’une des branches les

Filière SMP/S4/2020-2021 Résumé du cours d’électronique de base Prof.M.AGHOUTANE

l’évolution de cette population lorsqu’intervient une perturbation. On

 Les isolants (verre, diamant, SiO2, . . .) : ρ ∼ 1010 `a 1022 Ω .cm.

Résistivité et conductivité de différents matériaux

La particularité d’un semiconducteur est que sa résistivité, ρ, diminue si T

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ρ(T) = A exp (B/T) où A et B sont des constantes qui dépendent du

Il existe deux catégories de semiconducteurs : organiques et inorganiques.

o Les semi-conducteurs inorganiques se subdivisent en :

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 Structure cristalline et liaisons atomiques

Cellule unité de la structure cristalline des monocristaux semiconducteurs à structure

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Structure Zincblende (ZnS comme exemple).

A température T=0°K, toutes les liaisons sont assurées, le semiconducteur se

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Dans un semiconducteur, la conduction électrique est effectuée par deux types de

 Notions de bandes d’énergie.

 La bande supérieure est appelée « Bande de Conduction »

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 Pour une température différente de 0 °K, certains électrons de la BV

Eg dépend de la température et du matériau semiconducteur (égal à 1.12eV pour

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 Porteurs de charge dans les semi-conducteurs

 Concentration des électrons dans la BC et des trous dans la BV

1- Porteurs de charge dans les semi-conducteurs

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 Calcul de la concentration des électrons dans la bande de

Pour les électrons dans la BC, on a :

On définit la densité effective des états dans la BC par :

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La concentration des électrons est alors :

 Calcul de la concentration des trous dans la BV :

Après intégration, on trouve :

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D’où la concentration des trous est :

o On remarque que NC et NV dépendent du semiconducteur à travers

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Semiconducteur 𝐸𝑔 (𝑒𝑉) 𝑁𝐶 (𝑐𝑚−3 ) 𝑁𝑉 (𝑐𝑚−3 ) 𝑚𝑛∗ 𝑚𝑝∗ 𝑛𝑖 (𝑐𝑚−3 )

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 Position du niveau de Fermi intrinsèque

 Semiconducteur dopé ou extrinsèque

 Si 𝒏 > 𝒑, 𝒍𝒆 𝒔𝒆𝒎𝒊𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒆𝒖𝒓 𝒆𝒔𝒕 𝒅𝒊𝒕 𝒅𝒆 𝒕𝒚𝒑𝒆 𝑵. Les électrons sont

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Dopage de Si par le phosphore

 Le silicium est tétravalent, 4 électrons de valence, tandis que le phosphore possède

 En libérant un électron, P devient un ion positif.

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 Les atomes d’impureté s’ionisent progressivement avec l’augmentation de la

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Dopage de Si par le bore(B)

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