TP Transistor bipolaire

Transistor bipolaire

I. Objectifs :
Étude des montages :
• base commune,
• émetteur commun,
• collecteur commun
et en petits signaux :
• émetteur commun

II. Étude des caractéristiques statiques ou à forts signaux du transistor :

A- montage base commune :
Un montage équivalent fort signal est utile pour fixer le point de fonctionnement du
transistor. On néglige souvent la résistance Rd.

Rd
E C E C

0,6V α.IE
B B

Figure 1 : Modèle équivalent en mode statique du montage

base commune.

Réaliser le montage de la Figure 2 :

1MΩ à 500Ω

E C 1kΩ
-
VEE +
IE IC VCC
0 à 20V + B
- 0 à 20V
Figure 2 : Montage base commune.

– Tracer la courbe IC= f(VCB) pour des courants émetteurs IE = 1, 3, 5, 10mA. Pour cela :
– on fixe le courant émetteur avec l'alimentation VEE et la résistance variable associée,
– puis on fait varier la tension d'alimentation VCC de 0 à 20V.
– A partir de ces courbes en déduire la valeur du paramètre α.
– Conclure sur la validité des mesures effectuées.
– En déduire la valeur « approximative » de la résistance de sortie RS.

Remarques
– Pour ce montage le courant collecteur ne s'annule que pour une tension inverse de 0,5 à 0,8V
-fonction du type de transistor-. Expliquez pourquoi ?
– Une résistance est placée en série entre le collecteur et V CC. Cela signifie que les caractéristiques
IC= f(VCB) s'arrêtent pour une tension égale à VCC-RC.IC.

page 1/4
 TP Transistor bipolaire

B- montage collecteur commun :

Réaliser le montage de la Figure 3 :

IE

1kΩ
1MΩ à 500Ω
- VCC
E
0 à 20V
+ B +
VEE
IB
0 à 20V - C

Figure 3 : Montage Collecteur commun.

– Tracer la courbe IE= f(VEC) pour des courants de base IB = 10, 50, 100, 500µA, 1mA. Pour cela :
– on fixe le courant émetteur avec l'alimentation VEE et la résistance variable associée,
– puis on fait varier la tension d'alimentation VCC de 0 à 20V.
– Ce réseau de courbes est-il convergent en un point particulier VA'?
– Donner sa valeur.
– Tracer la courbe IE=f(IB).
– A partir de ces courbes en déduire la valeur du paramètre β.
– Conclure sur la validité des mesures effectuées.

C- montage émetteur commun :

Si on néglige l'effet Early on arrive à un modèle équivalent suffisant pour le calcul du circuit
de polarisation. Ce montage comme le précédant -base commune- ne prend pas en compte les effets
de rétroaction qui sont la base de l'effet transistor.

B B C
βF.IB
E 0,6V E

Figure 4 : Modèle statique du montage émetteur commun.

Réaliser le montage de la Figure 5 :

page 2/4
 TP Transistor bipolaire

IC

1kΩ
1MΩ à 500Ω
+ VCC
C
0 à 20V
+ B -
VEE
IB
0 à 20V - E

Figure 5 : Montage émetteur commun.

– Tracer la courbe IC= f(VCE) pour des courants de base IB = 10, 50, 100, 500µA, 1mA. Pour cela :
– on fixe le courant émetteur avec l'alimentation VEE et la résistance variable associée,
– puis on fait varier la tension d'alimentation VCC de 0 à 20V.
– Peut-on à partir de ce réseau de courbes évaluer la valeur de la tension de Early VA ?
– Donner la valeur de la tension d'Early VA.
– Tracer la courbe IC=f(IB).
– A partir de ces courbes en déduire la valeur du paramètre β.
– Conclure sur la validité des mesures effectuées.

Comparaison des différents montages

Donner pour ces 3 montages :
– la position des plots d'entrée et de sortie,
– le gain en tension,
– le gain en courant,
– Conclure sur une application probable de ces montages.
– Les tensions VA et VA' vérifient-elles VA'= (β+1).VA ?

III. Étude des paramètres dynamiques ou à faibles signaux du transistor :

Il faut vérifier en permanence les conditions de polarisation du transistor, sous peine

d'erreurs de mesure et de lecture.

Émetteur commun :

Réaliser le montage suivant :

page 3/4
 TP Transistor bipolaire

R1=47kΩ
IC RC=1kΩ

C
1MΩ à 500Ω
+ B
VEE IB +
0 à 20V - ~ Vac1 Vac2 Vac3 Vac4 VCC
E
- 0 à 20V
Figure 6 : Montage émetteur commun en petits signaux.

De manière à mesurer la résistance d'entrée on utilise la méthode de la demi-tension, pour selon :

1- On règle le générateur de manière à ce qu'il délivre 3mVeff.
2- On place à la sortie du générateur BF une résistance variable.
V
3- On fait varier cette résistance jusqu'à ce que V ac2 = ac1 .
2

Attention :
Cette méthode n'est valable que si la résistance interne du générateur est très faible par rapport à la
résistance à mesurer. Dans le cas contraire on considère le générateur Thévenin équivalent de fem
Vac1et résistance interne rg= 50Ω et on applique la demi-tension par rapport à la tension à vide.
V
Quand V ac2 = ac1 =Rh 50 .
2
Faire la mesure pour IC = 1, 2, 5 et 10mA. Conclusion.

Mesure de β ou h21e :
– Remplacer la résistance variable par une résistance en série dans la maille d'entrée de valeur très
grande 100k ou 1MΩ. Régler le générateur de manière à avoir une tension de l'ordre de 3 à
10mVeff en sortie de cette résistance.
– Remplacer la résistance collecteur par une résistance de 100Ω.
– Le courant de sortie est mesuré aux bornes de cette résistance. Puisqu'elle a été choisie
suffisamment faible par rapport à la résistance de sortie r0 du transistor pour que la maille de
sortie soit assimilable à un court-circuit.
– Tracer la courbe de variation du gain en courant en fonction du courant continu de polarisation I C
pour 0,1mA à 10mA.

Résistance de sortie r0 ou h22e :

– Supprimer le générateur BF et la résistance correspondante.
– Insérer dans la maille de sortie entre le collecteur et la résistance R C un transformateur en
position élévateur de tension.
– On réglera le générateur afin d'obtenir une tension de l'ordre de 3Vcc en sortie du transformateur.
– Mesurer la résistance de sortie du transistor r0 pour de courants de polarisation de 1, 5 et 10mA.
– Refaire les mesures pour des fréquences de 50, 100, 500Hz.

page 4/4