Examen 04 02 2005

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CONSERVATOIRE NATIONAL DES ARTS ET METIERS ELECTRONIQUE A 11 (code n 26067)

Premire session vendredi 4 fvrier 2005 18h 15 - 21h 15
sans documents
Tout rsultat donn sans units sera considr comme faux Tout schma lectrique sans orientation des gnrateurs, des courants et des tensions sera considr comme faux.
Les exercices peuvent tre traits dans un ordre quelconque. EXERCICE 1 : dopage (3,5 pts) 1) On donne un fragment du tableau de la classification priodique des lments suivants :
On considre un cristal de silicium intrinsque de concentration intrinsque ni = 1010 cm-3 300K. On dsire obtenir partir de ce cristal un semi-conducteur de type P en le dopant. a) Quels atomes de la classification allez vous choisir comme impurets, pour quelles raisons ? b) On dsire obtenir une concentration en trous libres po = 1016cm-3 Quelle est la concentration des impurets ncessaire au dopage et leur proportion dans le silicium sachant que le nombre datomes par cm-3 du silicium est de 5 1022 ? c) En dduire la concentration en lectrons de ce semi-conducteur ainsi dop.
EXERCICE 2 photodiode et diode lectroluminescente. (3 pts) 1) Donner la dfinition du potentiel photovoltaque (on ne demande pas dquations). Illustrer cette dfinition au moyen de la caractristique dune photodiode sous clairement que lon aura trace. 2) On ralise un photocoupleur au moyen dune diode lectroluminescente lmission et dune photodiode la rception. Sachant que les deux diodes doivent tre polarises pour faire fonctionner le photocoupleur, indiquer en reliant les connexions (E,F, A,B) et (C,D, G,H) les branchements corrects des alimentations.
E A R1 C G
R2 V2 B F B
A
V1 D H photodiode
D.E.L.
Photocoupleur
EXERCICE 3 Transistor MOSFET (5 pts) Soit le transistor MOSFET enrichissement BSS 83 dont les caractristiques sont les suivantes : 1) Rappeler en dix lignes maximum le principe de conduction dun transistor enrichissement en prcisant ce que reprsente physiquement la tension de seuil. 2) En utilisant les graphes fournis, prciser la valeur de la tension de seuil de ce transistor. 3) Prciser la nature du substrat (p ou n) de ce transistor 4) On se polarise au point P des caractristiques. Donner les valeurs numriques au point de repos de ID ;VDS et VGS. 5) Dessiner le schma quivalent en petits signaux basses frquences de ce transistor. 6) Prciser, au moyen des caractristiques fournies, les valeurs numriques des lments de ce schma quivalent au point de repos. (une prcision de 20% est suffisante).
EXERCICE 4 Amplification (9 pts) Les parties I, II, sont indpendantes On considre le montage suivant utilisant un transistor bipolaire npn et une alimentation VCC = +10V Le gain statique en courant nominal (typique) est de 100. La tension (VBE)on est de 0,65V.
VCC = 10V
R1 = 10 k RC = 3,6 k C2
Rg = 1 k ig
C1
iL R2 = 2,2 k CE VL
Eg VI RE = 1 k RL = 10 k
I)
Etude gnrale et polarisation 1) Quel est le type de montage lmentaire utilis ( E.C. B.C. C.C.)? justifier votre choix. 2) Quelles sont les proprits essentielles de ce type de montage? 3) Dessiner le schma valable pour la polarisation. 4) Donner l'expression de la droite de charge statique et tracer cette droite. Voir la feuille en annexe. 5) Dterminer le point de fonctionnement statique du transistor ICR et VCER. (R pour Repos). Ce point de fonctionnement vous semble-t-il correctement choisi ? Justifier votre rponse.
II)
Etude en rgime dynamique Pour cette tude on supposera que les condensateurs prsentent une impdance nulle la frquence de travail. Les caractristiques dynamiques du transistor sont les suivantes : h11 = 2 k; h12 = h22 = 0; h21 = 100.
1) Dessiner le schma quivalent du montage valable pour les petits signaux. 2) Tracer sur le mme graphe que celui de la question I-4 la droite de charge dynamique. Voir la mme feuille annexe. 3) Donner les expressions littrales puis numriques du gain en tension Av = VL/VI; de l'impdance d'entre du montage Ze et du gain composite en tension Avc = VL/eg. 4) Dterminer le gain en courant Ai = iL/ig. 5) Dterminer l'expression et la valeur de l'impdance de sortie de ce montage. Conclusion ou remarques sur les valeurs des gains et des impdances obtenues. 6) Quelle est la valeur de l'amplitude maximale de la sinusode prsente l'entre du montage que l'on peut atteindre afin de ne pas avoir de distorsion en sortie. EXERCICE 5 : Amplification partir damplificateurs oprationnels. ( 4 pts) On considre le circuit suivant.
R2 R1
Ve Vs = 10V RL
1) Ce montage est il un montage inverseur ou non inverseur ? 2) Prciser lentre inverseuse et lentre non inverseuse + sur le schma. 3) La tension dentre est une sinusode damplitude 25 mV et dont la frquence est comprise entre 20Hz et 20 kHz. Quel doit tre le gain de ce montage pour obtenir en sortie une amplitude de 10V ? On supposera lamplificateur oprationnel idal. 4) Lamplificateur rel utilis possde un gain en boucle ouverte aux trs basses frquences de 5 105 et admet une frquence de transition de 3 MHz. Peut il convenir compte tenu du gain dsir obtenu la question 3 ? 5) On dispose maintenant en cascade de deux amplificateurs identiques celui de la figure prcdente (avec les mmes couples de rsistances). Montrer que cette solution permet davoir la bonne amplitude en sortie. Prciser la valeur de R2 si R1 = 1k.
EXERCICE 6 : Filtre ralis partirdunamplificateur oprationnel. ( 5,5 pts) Soit le circuit suivant :
R1
C + Ve R2 Vo
1) De quel type de filtre sagit-il ? (passe-bas ; passe-haut ; passe-bande ou coupe bande) ? Justifier les raisons de votre choix. 2) Quel est lordre de ce filtre ? Justifier votre rponse. 3) La tension dentre est sinusodale. Dterminer la fonction de transfert de ce filtre T(j ) = Vo/Ve en fonction de C , R1 et R2 et de . 4) On prend les valeurs suivantes : R1 = 12 k ; R2 = 24 k ; C = 4,7 nF. a) Quelle est la frquence fo de ce filtre dterminant le point de cassure du diagramme asymptotique du module? b) Quel est le coefficient de qualit Q de ce filtre ? c) Tracer sommairement le diagramme de Bode du module de cette fonction de transfert. On prcisera les pentes des asymptotes. Note : On rappelle que T(j) peut se mettre sous la forme mathmatique suivante : ( )2 0 T(j) = A 0 avec A0 un nombre rel constant et Q coefficient de qualit. 1 2 1+ j ( ) Q 0 0
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