Chapitre III

Le transistor bipolaire

I. Généralités

1. Définition :
Un transistor bipolaire est constitué par 2 jonctions P-N. Il est équivalent à deux
diodes. La partie commune aux 2 jonctions pouvant être de type P ou de type N ; il en résulte
l’existence de deux types de transistor :
-Transistor PNP
-Transistor NPN
La partie centrale commune aux deux jonctions est appelée la base (B). Les régions
extrêmes (de même conductibilité) sont appelées émetteur E et collecteur (C).
La fonction de l’émetteur est d’émettre ou d’injecter des électrons dans la base. La
base très étroite conduit la plupart des électrons injectés par l’émetteur dans le collecteur. Le
collecteur recueille les électrons provenant de la base, d’où son nom.

2. Représentation symbolique

-La flèche permet à la fois de distinguer l’émetteur du collecteur et de distinguer le

type de transistor (PNP ou NPN).
-La flèche est portée sur l’émetteur et dirigé dans le sens passant de la jonction
émetteur-base (de P vers N).

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3. Convention d’écriture

Par convention, les tensions seront représentées par la lettre V, suivie de deux indices :
le 1er indiquant l’électrode où se fait la mesure, le 2éme l’électrode de référence ;
Exemple : VCE = VC –VE
VBE = VB – VE
On notera aussi : IB : courant de base
IC : courant de collecteur
IE : courant d’émetteur
Dans toute la suite, nous allons étudier le transistor NPN. Le raisonnement sera
identique par permutation des rôles des électrons et des trous. Les courants et les tensions
d’un transistor PNP sont donc opposés aux courants et aux tensions d’un transistor NPN.
Le transistor comportant 3 électrodes, nous pouvons définir trois tensions inter-
électrodes et trois courants d’électrodes.
Il pourra être décrit comme un quadripôle à condition d’utiliser une électrode
commune à l’entrée et à la sortie. Il y’a donc 3 descriptions de type quadripôles possibles :
-base commune
-émetteur commun
-collecteur commun

Base commune Emetteur commun Collecteur commun

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II. Principes de fonctionnement et relations
fondamentales

1. Montage à base commune

L’électrode centrale du transistor (base) est mise à la masse, le collecteur est relié à
une tension positive. La jonction base-collecteur est bloquée (VN > VP). Il viendra dans le
collecteur un courant ICB très faible (courant de minoritaires).
On notera ICB0 = ICB quand la troisième électrode (Emetteur) est parcourue par un
courant nul.

Si maintenant on polarise l’émetteur par rapport à la base. Deux cas sont possibles soit
VE > VB, soit VE < VB.

a) Si VE>VB : la jonction EB est bloquée elle aussi. Il circule dans le transistor un

courant total négligeable.
b) Si VE<VB : la jonction EB est passante, les électrons de l’émetteur vont se précipiter
dans la base, pour ces électrons, il y’a deux possibilités :
-Soit se recombiner avec les trous majoritaires de la base,
-Soit arriver au voisinage de la jonction base-collecteur.
Si ils arrivent à la jonction BC qui est bloquée pour les trous, ces électrons sont attirés par le
champ électrique accélérateur intense de cette région et sont renvoyés dans le collecteur ou ils
sont de nouveaux majoritaires et contribuent aussi au courant total EC.
Dans ce cas intervient « l’effet transistor » qui n’a lieu que lorsque la base est mince. Si cet
effet se présente, la quasi-totalité des électrons injectés par l’émetteur vont se retrouver au
collecteur.
La quantité α telle que IC = αIE +ICB0 sera voisine de 1.

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Ce montage n’amplifie pas en courant IE≠IC mais nous avons une amplification de tension. En
effet le même courant IE est fournit par la source VEB sous une faible tension (base-émetteur)
et recueilli à la sortie au collecteur sous une tension élevée (diode bloquée)
Le facteur d’amplification en tension est très élevé (quelques milliers).

2. Montage émetteur commun

Le fonctionnement d’un transistor en montage EC est le même qu’en montage base commune
les électrons libres se déplacent de la même façon qu’auparavant.
Lorsque VBE est ≠0, l’émetteur injecte des électrons dans la base. La base étroite va permettre
la diffusion de pratiquement tous ces électrons dans le collecteur. La diode collecteur étant
polarisée en inverse va permettre la collection de tous ces électrons.
Le transistor se trouve dans le même état électrique que précédemment, donc toutes les
distributions de courants et potentiels sont les mêmes que précédemment. On a encore :

= +
Loi de nœud = +
= ( + )+

= +

On pose =  + =

= +( + )
=( + )
D’où la 2éme relation fondamentale :
= +
Relation entre α et β.
Loi de nœud = +

4
 = +

= +

= =
− +
β est appelé gain en courant du montage EC. β est d’autant plus grand que α est voisin de 1.
α = 0.95  β = 10
α = 0.995  β = 200
Conclusion : Le montage émetteur commun est un amplificateur de puissance.
Remarque : Pour un transistor PNP, le raisonnement sera identique par permutation des rôles
des électrons et des trous. Les courants et les tensions d’un transistor PNP sont donc opposés
aux courants et aux tensions d’un transistor NPN.

III. Réseaux de caractéristiques : Montage émetteur

commun

1. Montage expérimental

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Le montage expérimental le plus couramment utilisé est celui de l’émetteur commun. 4
grandeurs électriques caractérisent le comportement externe des transistors.
-circuit d’entrée IB, VBE
-circuit de sortie : IC, VCE
La résistance RB permet la variation de IB, et RC permet la variation de VCE. Dans un
transistor, il y a caractéristiques dont deux sont fondamentales :
-coté sortie : IC = f (VCE) à IB donné = Cte
-coté entrée : VBE = f (IB) à VCE donné = Cte

IV I

2 3

III II

a) Caractéristique statique de sortie (Quadrant I)

La caractéristique IC = f (VCE) à IB = Cte se compose de trois régions bien distinctes:
-Pour les VCE faibles (zone 1) IC est une fonction linéaire de VCE. Le transistor se comporte
comme une résistance.
-Zone de saturation, le transistor est en fonctionnement normal, IC dépend peu de VCE.
-Pour VCE important, IC augmente brusquement. Le constructeur précise VCEmax pour un type
de transistor donné.

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 b) Caractéristique statique d’entrée (Quadrant III)
La caractéristique VBE = f (IB) à VCE = Cte présente l’allure de la caractéristique d’une
diode à jonction P-N polarisée en direct. Cette caractéristique dépend peu de VCE.
Les caractéristiques I et III caractérisent le comportement externe d’un transistor. Ce sont les
deux courbes les plus importantes.

c) Caractéristique de transfert en tension (Quadrant II)

En raison de la faible influence de la tension VCE sur la tension VBE les caractéristiques
VBE = f (VCE) à IB = Cte sont quasi horizontales.

d) Caractéristique de transfert en courant (Quadrant IV)

Pour les transistors de faible puissances pour lesquels β (amplification en courant) est
pratiquement constant, les caractéristiques IC = f (IB) à VCE = Cte sont rectilignes et très
serrées.

IV. Polarisation d’un transistor

1. Point de repos ou point de polarisation

Dans ce montage, les circuits d’entrée et de sortie sont appelés circuits de polarisation.

(2)

(1)

Les éléments du circuit externe étant donnés, on détermine les courants IC, IB et les tensions
VBE et VCE.
Loi de maille dans (1) : = +
= − droite d’attaque statique
Cette droite passe par : (dans le plan IB, VBE)

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 = → =
= → =

La loi de maille appliquée au circuit de sortie (2)

= + → = −
Dans le plan (IC, VCE) cette droite passe par :
= → =
= → =

Le point de repos ou de fonctionnement a quatre images.

2. Exploitation des caractéristiques

∆
 Résistance dynamique de sortie : = ∆
∆
 Résistance dynamique d’entrée : ( ) =
∆
∆
 Gain en courant : =∆

Les variations ΔVCE, ΔIC, ΔVBE et ΔIB sont des faibles variations autour du point de
fonctionnement.

3. Procédé de polarisation
Polariser un transistor c’est fixer un point de repos statique ou un point de fonctionnement. Il
existe trois procédés principaux de polarisation :
-Polarisation par une résistance entre VCC et la base,
-Polarisation par une résistance entre le collecteur et la base,
-Polarisation par un pont et une résistance d’émetteur.

a) Polarisation par deux sources et une résistance de base

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RB, RC, VCC, VBB et le transistor sont donnés. On cherche à déterminer IB0, IC0, IE0, VBE0, et
VCE0.
Ces valeurs sont déterminées par l’intersection des caractéristiques d’entrée et de sortie avec
les droites d’attaque et de charge.
Dans ce montage on demande par exemple la valeur de la résistance R B pour que IB = IB0 ou
bien la valeur de RC pour que IC = IC0.
Exemple : on se fixe un point de repos.
VCE0 = 4 V, IC0 = 5 mA, IB0 = 80 µA, VBB = VCC = 9 V, VBE0 = 0.2 V.
Et on demande de trouver la valeur RB et RC ?
−
= = = ,
.
− −
= + → = = =
.

b) Polarisation par une résistance entre VCC et la base

= +

Si ≪ → =

Les tensions du montage à deux sources sont remplacées par une seule.
Exemple :
On veut polariser le transistor de telle sorte que VCE = VCC/2, point de repos est au milieu de
la droite de charge.
Quelle doit être la valeur de RB connaissant β et RC pour que VCE = VCC/2 ? VBE étant
négligeable devant VCC.
= +

= =

= =

= = → =

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c) Polarisation par une résistance entre collecteur et base

Exemple :
On suppose que le transistor a un gain en courant β = 100. On donne RC = 1,5 kΩ,
RB = 100 kΩ, VCC = 9V VBE0 = 0.2 V.
Déterminer IB0, IC0, VCE0 sachant que IB << IC et IC + IB = I1.
= + + ; = + ≈
= + +
= + +
−
= ≈ =
+ +
= = × . = ,
+ = = ( + )+ = +
= − = − , . × , . = ,

d) Polarisation par un pont et une résistance d’émetteur

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En appliquant le théorème de Thévenin, le montage se ramène au cas (a).

= ( ∕∕ )

Déterminer IB = f(Vth, VBE, Rth, RE et β)

= ( + )+ +
= ( + )+ +
= + ( + ) +
−
=
+ ( + )

4. Les domaines de fonctionnement d’un transistor

Le tableau suivant représente l’état de polarisation des jonctions B.E. et B.C. :

Jonction B.E. Jonction B.C. Etat du transistor

D I normal
D D saturé
I I bloquée

Les caractéristiques IB = f(VBE) et IC = f(IB) peuvent être simplifiées comme suit :

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Il en résulte trois domaines de fonctionnement pour un transistor :
Domaine 1 :
Lorsque VBE <VS (VS = 0.7 V pour un transistor au Silicium)
On a IB = 0, IC = 0 et VCE = UC. Dans ce cas le transistor est bloqué.
Domaine 2 :
Lorsque VBE = VS
on : IC = βIB, β >> 1 et IC = IE. Dans ce cas le transistor est un amplificateur linéaire de
courant.
Domaine 3 :
VBE =VS, IC = ICS = UC/RC, VCE = 0.
Dans ce cas, on dit que le transistor est saturé.
En conclusion : il y a deux domaines de fonctionnement possibles pour un transistor.
Mode en tout ou rien ou en commutation : le transistor est bloqué ou saturé et se comporte
comme un interrupteur commandé (domaines (1) et (3)).
Mode amplification linéaire de courant (domaine (2)).

5. Le schéma équivalent en basses fréquences, paramètres hybrides

Les petites variations vbe, vce, ib et ic affectent VBE, VCE, IB et IC autour d’un point particulier
des caractéristiques (IC = f (VCE, IB)), sont liées par :
= + , = +

Les paramètres hybrides peuvent se mesurer sur les caractéristiques, pour VCE = Cte (vce=0),
h11e = ΔVBE/ΔIB et h21e = ΔIC/ΔIB, pour IB = Cte (ib=0), h12e = ΔVBE/ΔVCE et h22e = ΔIC/ΔVCE.
Ils sont réels, valables uniquement en basse fréquence, dépendant des courants et tensions
statiques et de la température. En général h12e est négligeable d’où le schéma de la figure ci-
dessous avec r = h11e résistance d’entrée, β d= h21e gain dynamique en courant ≠ β gain
statique, ρ = 1/h22e résistance interne :
= , = + /

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Selon que IC vaut quelques dizaines de mA ou d’ampères, r, β d et ρ valent environ 2 kΩ
ou 100 Ω, 400 ou 10, 20 kΩ ou 2 kΩ ; en circuit intégré, avec IC ≤ 1µA, β d peut atteindre
4000, r et ρ peuvent dépasser 100 kΩ.
L’indice e indique que les paramètres sont ceux du montage émetteur commun, utilisés aussi
pour décrire les autres montages. Il est inutile de changer les sens des courants et tensions sur
le schéma équivalent d’un transistor PNP puisqu’il ne s’agit que de variations.

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