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    Electronque Analogique

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    Oussama El B'charri
    Le document présente un exercice sur l'étude en régime statique et dynamique d'un circuit électronique composé de résistances, transistors et diodes. L'exercice comporte plusieurs parties demandant de déterminer des tensions, courants, gains et d'observer le comportement du circuit à différents instants.

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    Oussama El B'charri
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    electronque analogique

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    Contrôle d’Electronique 2009/2010

    Analogique

    • Devoir à déposer sur la plateforme moodle avant le 15 juin 2010 à


    00h00.
    • Les devoirs remis plus tard ne seront pas considérés
    • Ce travail est
    st individuel, les devoirs copiés ne seront pas tolérés et les
    fraudes seront sanctionnées.

    RAPPELS :
    Forme générale de la tension aux bornes de la capacité d’un circuit R.C :

    Modèle électrique équivalent de la diode lorsqu’elle est passante : VD = VS + RS.ID


    Modèle électrique équivalent de la diode lorsqu’elle est bloquée : VD = 0 et ID = 0
    Schéma électrique équivalent du transistor
    bipolaire NPN en régime de petit signal

    I et V représentent des courants et tensions en statique ou en statique + dynamique


    i et v représentent des variations de courants et de tensions (donc en dynamique)

    EXERCICE I
    Dans cet exercice, on se propose d’étudier le circuit de la Figure suivante :
    Simuler le circuit ci-dessus sur Workbench : Les valeurs des composants sont : R1 = 22 kW,
    R2 = 15 kW, R3 = R4 = 2,2 kW, R5 = 39 kW, R6 = R7 = 100 kW, R8 = 10 kW. Les capacités
    seront équivalentes à des fils aux fréquences considérées. Les trois transistors sont identiques :
    β=100, VCEsat = 0,2 V, pour la diode de base VS = 0,6 V et RS = 1 kW. On considérera que 1+ β»β
    (soit IC » IE). Les diodes D1 et D2 sont identiques avec VSD = 1 V et RSD = 10 W (indice D pour
    faire la différence avec la diode du transistor). La tension d’alimentation est VDD = 15 V.

    I.1. Etude de l’étage d’entrée (PARTIE 1) en régime statique


    I.1.1. Donner l’expression et la valeur (Eth et Rth) du générateur de Thévenin équivalent au pont
    de base (R1, R2 et VDD)
    I.1.2. Donner l’expression et la valeur de VBE, IB, IC et VCE. Dans quel régime est polarisé le
    transistor T1 ?
    I.1.3. Faire une copie d’écran du circuit simulé en faisant apparaitre les valeurs des composantes.

    I.2. Etude de l’étage d’entrée (PARTIE 1) en régime dynamique


    On considérera que l’on peut négliger l’impédance d’entrée de la PARTIE 2 devant R3 et R4. On
    supposera aussi que les variations de VE sont suffisamment faibles pour que le transistor reste en
    régime linéaire.

    I.2.1. Donner le schéma équivalent en petit signal de la PARTIE 1 du circuit

    I.2.2. Mesurer grâce à Workbench et déterminer l’expression et la valeur du gain en tension :


    Conclusion ? Simplifier cette expression en considérant les valeurs de RS et R4.

    I.2.2. Mesurer grâce à Workbench et déterminer l’expression et la valeur du gain en tension :

    I.3. Etude de la PARTIE 2 en régime statique


    Les deux diodes D1 et D2 sont passantes mais à la limite du blocage (VD proche de VS).
    Mesurer grâce à Workbench et déterminer les valeurs :
    • du courant qui circule dans D1
    • du courant qui circule dans D2
    • de la tension V2
    • de la tension V3
    • de la tension V4
    Conclusion ?

    I.4. Etude de la PARTIE 2 en régime dynamique


    Sans le vérifier, on admettra que l’application d’une tension v2 (dynamique) négative permet de
    bloquer la diode D1 et qu’une tension v3 (dynamique) négative bloque D2.
    On applique un signal sinusoïdale de période TP, donné par :

    Pour les trois questions qui suivent, il faudra garder à l’esprit qu’il y a un étage (PARTIE 1) entre
    VE et la PARTIE 2.
    I.4.1. A t = 0,25.TP, donner les valeurs :
    • de la tension v2
    • de la tension v3
    • de la tension V2
    • de la tension V3
    • du courant qui circule dans D1
    • du courant qui circule dans D2
    • de la tension V4

    I.4.2. A t = 0,75.TP, donner les valeurs :


    • de la tension v2
    • de la tension v3
    • de la tension V2
    • de la tension V3
    • du courant qui circule dans D1
    • du courant qui circule dans D2
    • de la tension V4

    I.4.3. Copier la courbe de la tension V4 en fonction du temps obtenue par workbench et indiquer
    la valeur de la tension VE. On indiquera sur le graphique les instants qui correspondent aux
    diodes D1et D2 passantes.
    I.4.4. Quelle est la fréquence du signal V4 en fonction de TP ?

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