Asdhjaskdja VS

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ÉLECTRONIQUE

AVANCÉE
Abdelhadi
MASTER : Ingénierie des Réseaux Informatiques et des Systèmes Radouane
des Télécommunications Intelligents
DESCRIPTIF DU MODULE
OBJECTIFS DU MODULE :
Compléter la formation de l’étudiant en électronique de base en étudiant des circuits de plus en plus complexes.
Permettre à l’étudiant d’acquérir une véritable maîtrise des fonctions de l’électronique et leurs applications.

CONTENU DU MODULE
I- Les amplificateurs opérationnels et leurs applications :
 Introduction à l'amplificateur opérationnel,
 Les deux types de contre-réaction utilisés,
 Les caractéristiques réelles des AOP,
 Montages linéaires.

II- Étude de circuits intégrés spéciaux (propriétés, spécifications et mise en œuvre) :


 Analyse et conception des amplificateurs intégrés,
 Asservissement en électronique analogique linéaire,
 Fonctionnement en fréquence des amplificateurs bouclés,
 Les amplificateurs spéciaux.

III- Synthèse des filtres.


 Filtre passe bas
 Filtre passe haut
 Filtre passe bande
 Filtre réjecteur de bandes

IV- Amplificateurs
 Amplification de puissance.
 Amplification en haute fréquence.

V- Systèmes réfactionnés
 Oscillateurs. Contre réaction.
 Boucle à verrouillage de phase : structure, équilibre statique, modélisation, fonctionnement dynamique.

VI- Systèmes de modulations


 Modulateurs, démodulateurs.
 Convertisseur fréquence / tension ; convertisseur tension / fréquence.

ELECTRONIQUE AVANCÉE 1
Introduction à l’Amplification
1) Généralités :

Les composants électroniques

Électronique
Les circuits électroniques

Circuits Numériques/digitales Circuits Analogiques

Les circuits analogiques sont caractérisés par le fait que le signal de sortie varie continuellement dans
le temps, en plus on a une relation mathématique entre le signal de sortie et celui d’entrée, cette loi
sera la fonction de Transfert du circuit.

Circuits Analogiques

Circuits Analogiques Linéaires : Circuits Analogiques Non Linéaires :


(Amplification de puissance, …) (Redressement, Régulation, …)

 Amplificateur : (définition)
C’est un circuit qui réalise un traitement et une amplification de la puissance d’un signal électrique.
L’augmentation du niveau de la puissance se fait par le contrôle de l’alimentation continue, ce contrôle
est assuré par des dispositifs actifs qui transforment une puissance continue en une puissance de signal.

Source d’alimentation

Rg

Zout
eg RL
Vi Vo
AvVi
Zin

Xi(t) Xo(t)
A PXi(t) << PXo(t)

Les signaux d’entrée et de sortie (xi(t) et xo(t)) peuvent être des courants ou des tensions. La relation
temporelle qui les relie est :
xo (t )  A  xi (t  )
Pour étudier un amplificateur, on peut le considérer comme un quadripôle décrit par deux pares de
grandeurs :

ELECTRONIQUE AVANCÉE 2
- Paire de grandeurs d’entrée ( ii (t ), vi (t ) ) ii(t) io(t)

- Paire de grandeurs de sortie ( io (t ), vo (t ) )


vi(t) Q vo(t)

2) Classification des Amplificateurs :

 Selon le niveau du signal d’entrée :


 Ampli Petits signaux
 Ampli Grands signaux
 Selon la nature du facteur de transfert :
 Courant
 Tension
 Impédance
 Admittance
 Puissance
 Selon la nature des composants :
 Ampli À composants discrets ( Transistor bipolaire, FET, …)
 Ampli Intégrés (ampli Opérationnel, ampli Spéciaux …)
 Ampli Hybrides
 Selon le domaine des fréquences du signal
 Ampli de courant continu [0 ………10KHz] couplage direct
 Ampli audio fréquence [20Hz …..20KHz]
 Ampli Large Bande [0 ………50MHz]
 Ampli Hautes fréquences [1MHz ….10GHz]

 Selon les niveaux de distorsion acceptables :


 Inférieur à 1% (Ampli professionnel, Appareillage de mesure)
 Inférieur à 5% (Hi-fi)
 Inférieur à 10% (Audio)
 Inférieur à 20% (Applications industrielles)

3) Paramètres (Numériques) et caractéristiques (graphiques) d’un amplificateur :

 Paramètres d’entrée :
 Gamme de tension, de courant d’entrée ;
v
 Impédance d’entrée Z in  in
i in
 Paramètres de sortie :
 Gamme de tension, de courant de sortie ;
v 
 Impédance de sortie Z out   o 
 io  vg 0
 Paramètres de transfert :
v out
 Gain en tension Av 
v in
i
 Gain en courant Ai  out
i in

ELECTRONIQUE AVANCÉE 3
iout
 Admittance de transfert Ay 
v in
v
 Impédance de transfert Az  out
i in
P
 Gain en puissance A p  out
Pin
v out  iout
 Relation entre les paramètres : Ap   Av  Ai ; A p dB  10log(Ap )
v in  i in
 Taux ou facteur de distorsion :

Puissancedes harmoniques
u
n 2
2
n
 à la Sortie 
Puissancedu fondamentale u1

 Caractéristique de fréquence :

Elle décrit le comportement de l’ampli dans le domaine de la fréquence, en régime stationnaire et


faible niveau signal :

Ui(t) Uo(t) Ui(j) Uo(j)


A A(j)

U out ( j)
uout (t )  A  uin (t  ) A( j)   A()  e j ( )
U in ( j)

Bande passante BP et fréquence de coupure fc : Fréquence pour laquelle le gain diminue de 3dB
(réduction de la puissance de moitié).

4) Couplages des étages des amplificateurs :

Le couplage des étages doit éventuellement simplifier la conception (calcul) et la réalisation pratique
de l’amplificateur.

ii(t)

vi(t) A1 A2 A3 vo(t)

Si les gains des étages sont indépendants alors le gain total sera : At  A1  A2  A3
En réalité, chaque étage représente une charge pour l’étage qui le précède et un générateur avec une
résistance interne pour l’étage suivant.

ELECTRONIQUE AVANCÉE 4
 Couplage courant continu :

Avantage : Bande passante à partir de zéro.


Désavantage : Calcul statique onéreux.

 Couplage capacitif :

Avantage : Isolation des points statiques de


fonctionnement
Désavantage : Bande passante réduite.

 Couplage par transformateur :(très sélectif)

- Isolation en courant continu


- Isolation galvanique
- Éventuel croissance des grandeurs électriques
- Adaptation avec la charge des générateurs.

5) L’amplificateur vu comme quadripôle :


ii(t) io(t)
Un quadripôle est une structure électronique dont on
considère l’entrée entre deux bornes et la sortie entre vi(t) Q vo(t)
deux bornes. Les signaux électriques en entrée et en
sortie peuvent être de nature différente (tension, courant, puissance)
Selon la façon d’associer les grandeurs électriques, on a plusieurs descriptions. On prend deux
variables indépendantes et on exprime les deux autres dépendants.
a) Les paramètres impédances :

 v1   z11 z12  i1 
     
 v 2   z 21 z 22  i2 

b) Les paramètres admittances :

 i1   y11 y12  v1 
     
 i2   y21 y 22  v 2 

ELECTRONIQUE AVANCÉE 5
c) Les paramètres Hybrides « h » :

 v1   h11 h12  i1 
     
 i2   h21 h22  v 2 

d) Les paramètres Hybrides « g » :

 i1   g11 g12  v1 
     
 v2   g21 g 22  i2 

Association des Quadripôles :

Il existe cinq façons de connecter deux quadripôles


: en cascade, en série, en parallèle, en série
parallèle et en parallèle série.

ELECTRONIQUE AVANCÉE 6
Rappels : Les Amplificateurs à Transistors

1) Classification des transistors


Les transistors sont réalisés par la jonction de différentes zones de semi-conducteurs de types N et de
type P. Il existe deux grandes classes de transistors

- Le transistor TEC à jonction ou le J-FET pour Junction –FET.


- Le transistor TEC à grille isolée ou MOS-FET pour acronyme anglais de Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor –
Par comparaison aux transistors bipolaires, les TEC présentent :
Les avantages suivants,
- Leur fabrication est plus simple et ils occupent moins de place sur un circuit intégré.
- Leur résistance d’entrée est très grande (plusieurs dizaines de Mohms).
- Leur bruit est plus faible.
Les inconvénients suivants,
- Performances moins bonnes aux fréquences élevées c'est-à-dire Gain x bande passante moins bon

2) Transistors à effet de champ

ELECTRONIQUE AVANCÉE 7
Amplificateur Source commune :

3) Transistors Bipolaires

ELECTRONIQUE AVANCÉE 8
Amplificateur à émetteur commun

ELECTRONIQUE AVANCÉE 9
4) Notion de charge Active et de miroir de courant :

 Émetteur commun à charge Active :

Les miroirs de courants sont très utilisés dans les circuits intégrés analogiques pour polariser les étages
amplificateurs. Ils permettent en outre de charger ces derniers par une « charge active ».

ELECTRONIQUE AVANCÉE 10
5) Les amplificateurs différentiels :

Pourquoi utiliser un amplificateur différentiel ?

Un amplificateur normal amplifie le signal et le bruit : Un amplificateur différentiel amplifie la différence entre
2 signaux, le bruit n’est donc pas amplifié :

L’amplificateur différentiel est un dispositif électronique à deux


entrées et deux sorties. Il est alimenté par deux sources d’alimentations
de tensions opposées : +VCC et –VEE (le plus souvent VCC = VEE).

- Lorsque la différence VSD des deux sorties VS1 et VS2 est utilisée, le montage est dit « symétrique ».
- Lorsqu’on exploite uniquement la sortieVS1 (ou VS2) le montage est « dissymétrique ».

 Le gain différentiel :
Le montage différentiel a pour fonction principale l’amplification de la tension différentielle d’entrée VD. Il
est caractérisé par son gain différence Ad défini selon le type de la sortie (symétrique ou asymétrique) :
VS1  Ad Ve1 Ve 2 
VS1 VS1
- Montage à sortie asymétrique : Ad   
Vd Ve1  Ve 2
V  VS 2
VSD  VS1 VS 2   Ad Ve1 Ve 2 
V
- Montage à sortie symétrique : Ad  Sd  S1 
Vd Ve1  Ve 2
 Le gain du mode commun :
Cependant le montage est aussi sensible à la somme des tensions continues d’entrées : (Ve1  Ve 2 )
En effet, les entrées Ve1 et Ve2 peuvent varier tout en conservant une différence constante. On parle alors de «
mode commun » caractérisé par le gain de mode commun Ac tel que :
Ve1  Ve 2 VS
On pose : Vc   Ac 
2 Vc
L’expression de la tension de sortie asymétrique (resp. symétrique) sera alors :

VS ( S1)  AdVd  AcVc  Ad Ve1  Ve 2   Ac


Ve1  Ve 2 
2
- Le comportement du système lorsque v1=v2=vc est appelé comportement en mode commun, alors vd=v1-v2=0.
- Le comportement du système lorsque v1=-v2=vd/2 est appelé comportement en mode différentiel car alors
vc=0.

 Taux de Rejection du Mode Commun


Les tensions de sorties VS1 (ou VS2) seront proportionnelles à la tension différentielle d’entrée Vd à condition
que le gain de mode commun AC soit très faible vis-à-vis du gain différence Ad. Ainsi, on définit un coefficient
de qualité du montage, le facteur de différentiation t ou Taux de Réjection du Mode Commun :
Ad
TRMC   TRMC dB  20 log( Ad )  20 log( Ac )
Ac
Un amplificateur différentiel de bonne qualité doit donc posséder un facteur TRMC  80dB .

 Exemple de réalisation d’ampli différentiel

ELECTRONIQUE AVANCÉE 11
Étude statique du montage :
Au repos les deux entrées sont portées au potentiel nul (0V).
I0
Ic1  I c1  ;
2
I0
VS1  VS1  Vcc  Rc  VSD  0
2
Ic 2  V V  V 
 exp BE 2 BE1   exp D 
Ic1  uT   uT 
I0 I0
I c1  ; Ic 2 
 V  V 
1  exp  D  1  exp D 
 uT   uT 
 VD  V
Pour VD  uT  exp   1  D
 uT  uT
I0 I  V  I V I I
I c1   0 1  D   0  D 0  0  I
 V  2  2uT  2 4uT 2
1  exp  D 
 uT 
I0 I  V  I V I I
Ic 2   0 1  D   0  D 0  0  I
 V  2  2uT  2 4uT 2
1  exp D 
 uT 
VD I 0
I 
4uT

Analyse dynamique du montage :

Le schéma équivalent du montage Ampli différentiel en régime dynamique est le suivant:

Montage à sortie flottante :


VSD  VS1 VS 2  Rc ib1  ib2 
- En Mode commun : Ve1  Ve 2 VSD  0  Ac  0
 Rc
- Mode différentiel : Ve1  Ve 2 VSD  Ve1  Ve 2  Ad   Rc  Ad  gm Rc
rbe rbe
Nous allons maintenant étudier la tension de sortie prise entre un des collecteurs et la masse (vs1 ou vs2).
 Rc
- En Mode commun : Ve1  Ve 2  Ac 
rbe  2(  1)
 Rc V  Rc 1
- Mode différentiel : Ve1  Ve 2 VSD  Vd  Ad  S    gm Rc
2h11 VD 2rbe 2

ELECTRONIQUE AVANCÉE 12
 rbe  2(  1) 
Pour l'amplificateur réel étudié, le TRMC s'écrit : TRMC  20 log   20 log0.5  gm
 2rbe 
Impédance d'entrée différentielle

On définit alors une impédance d'entrée différentielle comme le quotient de la tension


Vd
différentielle par le courant d'entrée : Zed 
I ed
Dans le cas de l'amplificateur idéal qui vient d'être étudié, on obtient : Zed  2h11

CImpédance d'entrée en mode commun

On définit alors une impédance d'entrée en mode commun comme le


quotient de la tension en mode commun par le courant d'entrée :
Vc
Zc 
Ic
Amplificateur différentiel à charge active

Montage à référence commune :


gm rCE 6
En Mode commun : VS  VS1 ; Ac  
1  2(  1)rCE3 / rBE1
VS r
Mode différentiel : Ad    CE 6
VD 2rBE1
TRMC  20log0.5  (  1)rCE3 / rBE1 

ELECTRONIQUE AVANCÉE 13
Les Amplificateurs opérationnels & Applications

1) Généralités :
Pratiquement tous les amplificateurs opérationnels ont la
même structure interne.il s’agit d’un circuit monolithique
dont une « puce » de silicium constitue le substrat commun.
Il admet deux entrées et une sortie. Il est conçu de sorte que
la tension de sortie soit proportionnelle à la différence des
tensions d’entrées. Il est, en général, composé de trois étages
(voir figure) :

 Le premier étage est un amplificateur différentiel (Q1, Q2)


avec charge active (Q3, Q4). IQ est la source de
polarisation de l’étage.
 Le second, est un amplificateur de tension inverseur de
fort gain K. La capacité Co sert à fixer la bande passante
pour que AO soit stable.
 Le dernier, est un amplificateur de gain unitaire qui sert à
produire le courant circulant dans la charge.

Un amplificateur opérationnel est caractérisé par :


 Un gain en tension très important : Av  105 à 107
 Une impédance d’entrée très grande : Re  105 à 1012 
 Une impédance en mode commun très grandes :
REMC  108 à1012 
 Une impédance de sortie très faible : Rs  10à 500
AD
 La réjection du mode commun est très grande 
AMC
 La réponse en fréquence va du continu ( f  0 )jusqu’à des fréquences élevées.
 Le facteur de mérite Gain Bande Passante peut dépasser 100MHz.

ELECTRONIQUE AVANCÉE 14
Symbolisation :

L’impédance d’entrée est très élevée 


ie  0 ;   v   v  ; vS  Av   .
La tension de sortie v S peut varier entre les
valeurs extrêmes  VSat  et
VSat  « tension de saturation ». En
Boucle ouverte le gain est important, la
saturation est obtenue pour de tension très
faible.
12
En effet : AD  2105 ; VSat  12v     6 105  0.06 mV
2 105

C/C :

Dans les montages amplificateurs, L’AO ne sera jamais utilisé en boucle ouverte (pour éviter le saturation)

ELECTRONIQUE AVANCÉE 15
2) Contre réaction et Stabilité en boucle fermée :
2.1) Contre réaction négative :

Ve Ad Vs

  R
V  Ve ; on pose   R  R V 1
On a :  r
   V   V   Ve   Vs  s  Ve  (  )Vs
R
 V  
Vs  Vs A v Av
 R  Rr
V 1 R
Puisque Av est assez grand  Ve  Vs et s   1  r
Ve  R
Étude la stabilité :   Ve  Vs
 Si Vs      Vs 
 Si Vs      Vs 
D’où la stabilité du montage.

2.2) Contre réaction positive :



Ve Ad Vs

  R
V  Ve ; on pose   R  R V 1
On a :  r
   V   V    Vs  Ve  s  Ve  (  )Vs
R
 V  Vs  Vs A v Av
 R  Rr

Étude la stabilité :   Vs  Ve


 Si Vs      Vs  ; Vs diverge vers +Vsat
 Si Vs      Vs  ; Vs diverge vers -Vsat
D’où l’instabilité du montage.

ELECTRONIQUE AVANCÉE 16
3) Les imperfections des Amplificateurs opérationnels réels :

3.1) Imperfections statiques :


 Les courant de polarisation ne sont pas nuls i0  i0 qlq nA
 Existence d’une tension de décalage en entrée non nulle (tension d’offset)
 Résistance d’entrée non infinie
 Résistance de sortie non nulle
 Limitation du courant de sortie : Les AOP intègrent un circuit de limitation
du courant de sortie ce qui implique une valeur de saturation en courant .

3.2) Imperfections Dynamiques :

 La réponse en fréquence : en prémière approximation, le comportement


en fréquence peut être modélisé par un premier ordre.
A0
Ad ( jf )  ; avec A0  120dB et f 0  10Hz
f
1 j
f0
Le produit Gain-Bande Passante d’un AOP est constant dans toute la bande de
fréquence où il se comporte comme un système du premier ordre. Cette constante appelée « facteur de
mérite » est une des caractéristiques de l’AOP.
f0  A0  f '0 G  1 f1  cte

Exemple : Considérons un montage amplificateur inverseur, avec A0  120dB et f 0  10Hz


106 10
Si G  100 alors sa bande passante sera : f   100KHz
100
f1  10MHz Unity-gain BandWidth.

 Vitesse maximale de variation de la tension de


sortie (Slew-rate)

ELECTRONIQUE AVANCÉE 17
La vitesse de balayage en sortie d’un amplificateur opérationnel est limitée. Cette limitation se traduit par une
limitation de la vitesse d’évolution du signal en sortie de l’AO qui s’exprime en Volts par unité de temps.
 dV 
S R   s  enV / s
 dt max

 TL081 S R  13V / s

A741 S R  0.5V / s

Pour un signal d’entrée sinusoïdale, en régime linéaire


le signal de sortie sera aussi sinusoïdale :
dvs (t )
vs (t )  Vm sin t   Vm cos t
dt
 dvs (t ) 
    Vm 
 dt max
Pour ne pas avoir de déformation du signal de sortie il
 dvs (t )  S
faut que :    Vm   Vm 2f  S R  f  R
 dt max 2Vm

Limitation par saturation

Limitation du Slew Rate

Limitation par Bande Passante

4) Applications de l’AO en régime linéaire (Montages Fondamentaux) :


4.1) Amplificateur Non Inverseur (Multiplicateur)

Montage Suiveur,

Application :
Adaptation d’impédance

4.2) Amplificateur Inverseur & Additionneur

4.3) Amplificateur de différence

ELECTRONIQUE AVANCÉE 18
Amplificateur d’instrumentation

4.4) Intégrateur

4.5) Dérivateur :

- La tension de sortie est proportionnelle à la dérivée du signal d’entrée


Ve(t).
- R’R/10, pour limiter les bruits haute fréquence.

4.6) Convertisseur Tension /Courant (Source de Howland)

ELECTRONIQUE AVANCÉE 19
Le courant est indépendant de la nature de la charge. Le montage est équivalent à un générateur de
courant commandé par une tension.
4.7) Convertisseur courant /Tension

Utilisation dans des capteurs.

4.8) Source de tension positive (Vz<Vs)

4.9) Réalisation de résistance Négative :

R1 introduit une réaction négative et R introduit une réaction positive.


On a :
Ve-Vs=RI ; Ve=V+=V- =RI’
Or Vs=2RI’  Vs=2Ve
RI=Ve-Vs=Ve-2Ve=-Ve
D’où Ve=-RI et Ve/I=-R

Utilisation : les oscillateurs

4.10) Réalisation Filtres actifs :


Structure de Sallen & Key Structure de Rauch

Y1  Y2  Y1 Y5
T ( j)  T ( j) 

Y2  Y1  Y4 Y1  Y2  Y3  
Y4 Y5  Y3 Y1  Y2  Y4  Y5 

ELECTRONIQUE AVANCÉE 20
5) Applications de l’AO en régime Non linéaire :
5.1) Fonctionnement en comparateur simple :

Si Ve<0  <0  Vs=-Vsat Vs


Si Ve>0  >0  Vs=+Vsat
+Vsat

Ve

-Vsat

Si Ve<0  >0  Vs=+Vsat Vs

Si Ve>0  <0  Vs=-Vsat


+Vsat

Ve

-Vsat

Applications :
Détecteur de zéro Détecteur d’une tension de référence :

Comparateur à sortie limitée :

5.2) Comparateur à Hystérésis – Trigger de Schmitt

Trigger Non Inverseur :

ELECTRONIQUE AVANCÉE 21
Vs Ve

 R1 R2 Vs R2  Ve R1
On a :   V  
1s 1
 R2  R1
R1 R2
Tant que   0  Vs  Vsat , le Basculement de Vs  Vsat à Vs  Vsat
aura lieu au seuil Bas Vs
quand : +Vsat
R2
Ve   Vsat  VB
R1 VB

De même Tant que   0  Vs  Vsat , le Basculement


Ve

VH
de Vs  Vsat à Vs  Vsat aura lieu au seuil Haut quand :
R2
Ve   Vsat  VH ; -Vsat
R1
2 R2
la largeur du cycle d’hystérésis : V  Vsat
R1

Trigger Inverseur :

Vs R2
On a : V   Ve   
R2  R1
Tant que   0  Vs  Vsat , le Basculement de Vs  Vsat à Vs  Vsat
R2
aura lieu au seuil Haut quand : Ve   Vsat  VH
R1  R2
De même Tant que   0  Vs  Vsat , le Basculement de Vs  Vsat à
Vs  Vsat aura lieu au seuil Bas quand :
Vs R2
+Vsat Ve  Vsat  VB ;
R1  R2
VB
2 R2
Ve
la largeur du cycle d’hystérésis : V  Vsat
VH R1  R2

-Vsat

Applications : élimination de bruit superposé à un signal util.

4.3) Réalisation d’un astable (voir TD) :

ELECTRONIQUE AVANCÉE 22
5.4) Génération de signaux Carré et Triangulaire (Voir TD)

ELECTRONIQUE AVANCÉE 23
Étude de circuits intégrés spéciaux
1) Analyse et conception des amplificateurs intégrés,
En électronique analogique, l’amplificateur constitue sans aucun doute le système électronique le plus
populaire. La technologie intégrée a permis d’améliorer sans cesse ses performances. Conçu initialement
comme un amplificateur à courant continu, l’amplificateur intégré, dont le plus connu est l’amplificateur
opérationnel, s’impose rapidement dans le domaine fréquentiel. Dans cette première partie on étudie la
structure interne d’un tel amplificateur.
1.1) Analyse d’un montage différentiel et symétrique :
Soit le montage amplificateur suivant :
 5.6  15
La source de courant est définie par : I 0   2mA d’où
4.7103
Vc1  Vc 2  10.3volts et VM  1,6volts lorsque E1 et E2 sont à la
masse.
La tension de sortie est donc égale à : vsd  Vc1  Vc 2  0 . Cette
tension reste égale à zéro si v1  v2

Calculons la tension de sortie pour : v1  1v et v2  0v


On a le schéma équivalent de la figure ci-contre :
Le courant ie1 :
v sd
Le gain en tension est : Av  Add   4.7
v1  v2
C’est le gain de mode différentiel. Il est bien faible. Il est d’autant plus élevé que
la chute de tension aux bornes de Rc est plus forte ; cependant elle ne doit pas
atteindre Vcc car le potentiel du collecteur est (Vcc-RcIc) . le courant de base doit
être faible (Ic=0IB). La solution évidente consiste à remplacer la résistance Rc par
une charge active constituée par une source de courant à transistor, c’est la
résistance de sortie de cette source qui joue le rôle de résistance de charge en régime de petits signaux.
1.2) Effet des charges actives :
Les sources de courant sont composées de transistors et
de résistances. Elles fournissent un courant constant.
Elles sont facilement réalisables en technologie intégré,
elles sont utilisées d’une part comme éléments de
polarisation des transistors et d’autre part comme
charge actives des transistors amplificateurs.
Exemple : Montage à émetteur courant
Pour montrer l’effet de la charge active sur le gain
d’amplificateur, considérons deux montages à émetteur
commun : l’un à charge résistive Rc, l’autre à charge
active constituée par une source de courant.
Le courant I0 de la source est imposé par le transistor T3(fonctionnant en diode) et la résistance R :
Vcc  VBE
I0   cte
R

ELECTRONIQUE AVANCÉE 24
Les transistors T2 et T3 constituent un miroir de courant, ils sont donc traversés par le même courant I0 ; en
v
effet lorsque deux jonctions PN (diodes) sont montées en parallèle, la loi de Schockley : I  I s (exp  1)
VT
montre qu’elles sont traversées des courants identiques si les jonctions sont caractérisées par le même courant
de saturation Is. C’est le cas des deux transistors T2 et T3. Le transistor T2 fournit à T1 le courant I0 pour
polariser ce dernier ; T2 est au même temps une source de courant (en régime statique) et une charge active
pour T1 car il joue le rôle de Rc.
Le gain du montage à charge active est déterminé à partir du schéma équivalent : vs  rce 2    ie1

Tension d ' Early v r


rce 2  ; le gain est donc: Av'  s   ce 2   gm1rce 2
I0 ve re1
vs R
alors que : Av    c   gm1 Rc  Av'  Av le gain Av' est très supérieur à Av .
ve re1
Exemple Numérique :
Soient :
- I0=Ic=1mA, Rc=5K

- Tension d’Early de T2 : VA=50 Volts ;   1
1 
On calcule :
VT 25mV VA 50V
- re1    25 et rce 2    50.103 
I0 1mA I 0 1mA
Rc 5.103 rce 2 50.103
- Av     200 et Av'     2000
re1 25 re1 25

1.3) Analyse d’un amplificateur intégré :


Soit le schéma suivant d’un amplificateur intégré, c’est un amplificateur qui présente deux bornes d’entrée
E1 et E2 isolées par rapport à la masse, et une borne de sortie ; il est alimenté par deux tensions continues
+Vcc=+15v et –Vcc=-15v.
On distingue trois étages :
- Un amplificateur différentiel (T1, T2) polarisé
par une source de courant constant (T, D, R) et
chargé par une charge active (T3, T4). Il a pour
rôle de fournir à l’étage suivant un courant
proportionnel à la différence de potentiels e1-e2.
C’est donc un convertisseur tension-courant.
- Un étage amplificateur et translateur de niveau
réalisé à l’aide d’un transistor PNP (T5) monté
en émetteur commun,
- Un étage de sortie constitué par le transistor
NPN (T6) monté en collecteur commun, il doit
fournir une résistance de sortie aussi faible que
possible.

ELECTRONIQUE AVANCÉE 25
 Étude de la polarisation :
Dans la technologie intégrée, les caractéristiques des
transistors sont à peu près identiques ; le courant de
saturation inverse Is est même pour tous les transistors. La
diode D est en fait réalisée à l’aide d’un transistor (B relié à
C).
Calculons le courant I0 :
La jonction BE de T est en // avec D, d’après la loi de
Schockley ID=IE, en effet :
VD V
I D  I s (exp  1) et I E  I s (exp BE  1) , avec VD=VBE  ID=IE
VT VT
Vcc  VD 15  0.6
Puisque IB<<IE  I 0  I D    1mA
R 14.4 103
Les transistors T1 et T2 sont donc polarisés par cette source de courant continu et constant. Le même
I0
raisonnement est applicable aux transistors T 3 et T4 : I 3  I 4   0.5mA
2
La polarisation des transistors T 5 et T6 est classique :
- En tenant compte du fait que la sortie est nulle lorsque e1=e2=0
0  (Vcc ) 15V
I E6    1mA  I E 6  IC 6
R' E 15 103
- La tension de base de T6 : VB6=VBE6=0.6V= VC5
VB 6  (Vcc ) 0.6V  15V
IC 5    2mA  IC 5  I E 5
RC 7.8 103
- La tension de base de T5 : VB5=Vcc –REIE5-VEB(T5)=15-4.4-0.6V=10V
- Pour =200  IB1= IB2=I0/2=2.5 µA

 Calcul des caractéristiques dynamiques :


Les trois caractéristiques essentielles sont : le Gain différentiel en tension, la résistance d’entrée et la
résistance de sortie.
Calcul du gain :
 1er étage :
La résistance re3 est traversée par le courant ie1  ie1 , le miroir de
courant formé de pat T3 et T4 impose ie 4  ie1

Au point S on a : i  ie 4  ie 2 et ie 2  ie1

e1  e2 e  e2 e1  e2
 i  2ie1 avec ie1  et i   1  ; car   1
2re re re
VT 25mV
On note re    50 pour tous les transistors.
I 0 0.5mA
2
 2ème étage :
C’est un montage à émetteur commun, le courant ib est amplifié par la transistor T5 :

ELECTRONIQUE AVANCÉE 26
e1  e2
v5  Rc ib  Rc
re
 3ème étage :
C’est un montage à collecteur commun, son gain est très
proche de 1.
s  R'E ie 6 et v5  (re6  R'E )ie6
s R' E 25mV
Av 3   avec re 6   25  R' E
v5 re 6  R' E 1mA
Av 3  1
Le gain total de l’amplificateur est donc :

s v .Rc 200 7,8.103


AvT   s    31200
e1e2 e1e2 re 50
La résistance d’entée en mode différentiel: Red  re (  1)  10k
La résistance de sortie :
Rc
Rs  R's // R'E  (re 6  ) // R'E  25  39  36
1 

2) Asservissement en électronique analogique linéaire – la contre-réaction


La réaction positive risque de d’entrainer une instabilité rendant inutilisable l’amplificateur. Par contre la
réaction négative possède une action stabilisatrice, elle est utilisée dans les systèmes asservis.
L’instabilité d’un système est interprétée par l’existence du signal de sortie même si le signal d’entrée est nul,
le montage se transforme en générateur de signal (oscillateur). Les oscillations peuvent apparaitre sous l’effet
d’une faible perturbation (régime transitoire à la mise sous tension).
Soit le schéma fonctionnel d’un amplificateur à réaction
négative avec: 
Ve Av Vs
Vs
- La fonction de transfert du système de base : Av 


M
- La fonction de transfert du circuit de réaction :  
Vs
- Le signal d’erreur à la sortie du comparateur :   Ve  M  Ve    Vs

Les signaux d’entrée et de sortie ne sont pas forcément de la même nature. Le système de base (chaine directe)
peut être un amplificateur (même nature) ou un convertisseur (nature différente). Le comparateur est
généralement un amplificateur différentiel (ou sommateur avec un changement de signe dans la chaine directe).

ELECTRONIQUE AVANCÉE 27
Le système de base est nécessairement à base d’éléments actifs (Transistors, Ampli Op, …). Le circuit de
réaction est généralement un réseau passif, il doit convertir le signal de sortie prélevé en un signal de nature
appropriée à la comparaison avec ve.
Vs  Av N
Le gain en boucle fermée (closed-loop gain) : Ab   
Ve 1  . Av D

Le produit T  . Av est appelé fonction de transfert en boucle ouverte (open loop gain).

D  1  T  1  . Av : différence de retour ou taux de réaction, il doit être positif pour une réaction négative.

1
NB : Si T  1  Ab  le gain sera parfaitement stable (fonction de transfert d’un circuit passif)

On montrera dans la suite que la technique de réaction négative a plusieurs intérêts :
 Stabilisation des systèmes bouclés
 Réduction des distorsions non linéaires
 Réduction des signaux parasites (bruits de fond, champs magnétiques parasites,)
 Élargissement de la bande passante (Rapidité)
 Modification des impédances d’entrée et de sortie dans le sens d’améliorer les performances du
système étudié.
En régime harmonique le taux de réaction peut être écrit sous une forme polaire : D  e j

- Lorsque le module   1 le gain en BF est augmenté (réaction positive) ;


- Lorsque le module   1 le gain en BF est diminué (réaction négative) ;
- Lorsque le module   1 le gain en BF reste inchangé, et le bouclage n’introduit qu’une rotation de phase.
2.1) Action de la réaction négative sur la Sensibilité du Gain :
une variation x du paramètre x d’un composant entraine une variation G du gain G de l’amplificateur :
G / G

G
 ;
x x / x
x G dG x dG dG / G

G
Pratiquement  1     
x G G x G dx dx / x


G
 Lorsque  1 , G est peu sensible à la variation de x ;
x

Lorsque 
G
  1, la variation relative de G est égale à la variation de x ;
x

Lorsque 
G
  1 , G est très sensible à la variation de x ;
x

Dans le cas du système bouclé, calculons la sensibilité du gain en boucle fermée Ab par rapport au gain de la
chaine directe Av :
Av T Av 1 Av 1 T
on a:  car T    Av ;  reste invariable ; et Ab     
Av T 1  Av  1  Av  1  T
Ab / Ab A / A
   b b
Ab Ab

Av Av / Av T T / T

ELECTRONIQUE AVANCÉE 28
T
Ab T T (1  T  T ) 1

Ab
 et  
Ab T (1  T  T ) T T 1  T  T
T
Ce résultat montre que la sensibilité du gain du système à réaction négative est bien affaiblie, elle est très
inférieure à 1. Il y’a donc stabilisation du gain en boucle fermée Ab.
Exemple :
Si T=100, suite à l’augmentation de la température ambiante le gain Av de l’amplificateur augmente de 10%.
1 1 1

Ab
   ;
T 1  T  T 1  100  10 111
Ab T 1 1 1

Ab
La variation relative du gain Ab en BF est de :      0.1%
Ab T T 10 111 1110
C/C : Le gain en boucle fermée du système en réaction négative est très peu sensible vis-à-vis de la variation
du gain de l’amplificateur de base. Il est rendu stable grâce à la contre-réaction.
2.2) Action de la réaction négative sur la Distorsion non-linéaire :

h
La distorsion est due à l’amplificateur. Elle est engendrée
par la déformation de l’onde sinusoïdale engendrée  Vs
essentiellement au niveau de l’étage de sortie. Soit h le
Ve Av
signal dû à cette déformation, pouvant comprendre non
seulement des harmoniques mais aussi des tensions
parasites issues de la non linéarité des composants et des

bruits divers. On a :
Av h
  ve  vs et vs  Av  h  vs  ve 
1 T 1 T
Le signal parasite h est divisé par la différence de retour D=1+T supérieur à l’unité en réaction négative.
h h
Soit le taux parasite :   ; à comparer avec le taux :  ' 
Av ve Av 
h h v '
'    e  (1  T )   
Av  Av ve  D
C/C : la réaction négative diminue le taux de parasite ou le taux d’harmoniques, elle permet ainsi
d’augmenter le rapport signal/bruit.
2.3) Action de la réaction négative sur l’Élargissement de la bande passante :
A0
Soit le gain complexe en boucle ouverte : Av  , avec 0 la pulsation de coupure en BO et A0 le gain
j
1
0
Av A0 1
en BO. En boucle fermée : Ab   
1    Av 1  A0 1  j
0 (1  A0 )
C/C : En réaction négative la bande passante est donc bien élargie 0 (1  A0 )

2.4) Action de la réaction négative sur la Modification des impédances d’entrée et de sortie

ELECTRONIQUE AVANCÉE 29
Exemple Réaction Série-parallèle (tension-tension):
On a :   ve  vmes  ve  v s  Si v s     il s’agit d’une réaction négative.

Déterminons les trois principales caractéristiques du système bouclé :


Av A
 Le gain en boucle fermée Ab : Ab   v ; T  Av
1  Av 1  T
ve
 L’impédance d’entrée Zeb : Z eb  ;
ie
on a: ve    vmes    vs    Av   (1  Av )  Ze ie  (1  Av )
ve
d’où Z eb   Z e  (1  Av )  Z e  (1  T )  Z e  D ;
ie
L’impédance d’entrée Zeb du système bouclé est supérieure à l’impédance d’entrée Ze de l’ampli de base
(D > 1). En terme de consommation, la réaction négative dans ce cas les performances de l’amplificateur
car elle diminue la consommation grâce à une impédance d’entrée élevée (bonne chose pour des sources
d’attaque faibles : capteurs – antennes, …)
Exemple numérique :
l’impédance d’entrée d’un étage amplificateur comporte une résistance R shuntée par une capacité parasite 
( ex :R=100K ;  =100pF). La différence de retour D=1+T=10.
la capacité d’entrée et la résistance d’entrée du système bouclée deviennent :  b= /10=10pF,
Rb=10*R=1M
v
 L’impédance de sortie Zsb : Z sb  
i ve 0
v  Av v 1  Av
On a : i   v
Zs Zs
v Zs Z Z
D’où : Z sb    s  s 
i 1  Av 1  T D
La réaction négative diminue l’impédance de sortie. C’est une technique intéressante dans la réalisation de
certains amplificateurs (amplificateur audio, amplificateur de mesure, …)

ELECTRONIQUE AVANCÉE 30
Exemple numérique :
Soit un amplificateur de mase de gain Av=2.105, d’impédance
d’entrée Ze=0.1M et d’impédance de sortie Zs=75. Le gain du
retour =1/200.
Av 2.105
 Ab    200
1  Av 1  103
 Zeb  Ze  (1  103 )  100M
Zs
 Z sb   75m
1  103

3) Fonctionnement en fréquence des amplificateurs bouclés,


La réaction négative permet d’améliorer certaines performances de l’amplificateur. Elle agit de
manière fondamentale sur la rapidité de fonctionnement. Cette rapidité est une notion liée au
comportement de l’amplificateur vis-à-vis de la vitesse du signal. Elle se traduit souvent en termes de
réponse fréquentielle, de la vitesse de balayage (Slew rate) du temps de recouvrement et du temps
d’établissement.
 La courbe de réponse caractérise la variation du gain et du déphasage du système en fonction
de la fréquence (en régime harmonique)
 La vitesse de balayage est définie en régime dynamique non linéaire. Elle représente la vitesse
maximale de variation du signal de sortie.
 Le Temps de recouvrement (recovery-time) définit la rapidité avec laquelle le système retrouve
ses caractéristiques initiales à la suite d’une surcharge.
 Le temps d’établissement (settling-time) : est celui consacré par le système pour réagir à
l’application d’un échelon de tension à l’entrée.
3.1) Stabilité des amplificateurs en boucle fermée (à réaction négative)
Soit un système bouclé, sa fonction de transfert dans
le plan de Laplace est donnée par : 
Av ( p) A ( p) N ( p) Ve Av Vs
Av ( p)   v 
1    Av ( p) 1  T ( p) D( p)
Le système sera stable en boucle fermée Si tous les 

pôles de sa FTBF Av ( p) soient situés dans le demi-


plan complexe gauche : c.-à-d. qu’ils doivent avoir des parties réelles strictement négatives.

L’étude de la stabilité en boucle fermée se fait en analysant la FTBO T ( p) . Le système est stable si tous les
racine de l’équation caractéristique 1  T ( p)  0 sont dans le demi-plan complexe gauche.

ELECTRONIQUE AVANCÉE 31
3.1.1) Stabilité dans le plan de Nyquist :
En régime harmonique sinusoïdale,
p  j et T ( j)  e()  jm()
Le diagramme de Nyquist consiste à
tracer la partie imaginaire m() en
fonction de la partie réelle e() et ce
pour   0,  . C’est un lieu polaire qui
permet de voir l’évolution du module et
de la phase de la FTBO T ( j)  ()e j() .
Pour étudier la stabilité on s’intéresse aux racines de l’équation caractéristique :
1  T ( j)  0  T ( j)  1 ;
Le système est stable en boucle fermée
lorsque le lieu de nyquist de la FTBO
T ( j) n’encercle pas le point critique (-1).
Ou bien, lorsqu’on parcourt le lieu de
T ( j) dans le sens croissant des  on
doit laisser le point (-1) à gauche.

3.1.2) Stabilité dans le plan de Bode :

ELECTRONIQUE AVANCÉE 32
Dans le plan de bode, le système est stable en boucle fermée si à la pulsation : osc telle que
Arg(T ( josc ))  1800 le module en dB 20 log(T ( josc ))  0dB
3.1.3) Les marges de Stabilité:
En pratique on a souvent besoin de quantifier la stabilité du système, c-à- d mesurer la distance qui nous
sépare de l’instabilité. On définit alors les marges de stabilités :
- Marge de stabilité du gain : G  20 log(T ( j  ) ) où  / Arg(T ( j ))  1800
- Marge de stabilité de phase :   180  Arg(T ( j1 )) où 1 / T ( j1 )  1

3.2) Compensation pour assurer la stabilité


La compensation peut agir soit sur le
réseau de réaction  ou sur la courbe de
réponse de l’ampli de base.
- Correction de la courbe 1/
Avec la transmittance purement résistive
le montage risque l’instabilité.
3.3) Temps de recouvrement et temps
d’établissement
4) Les amplificateurs spéciaux.
4.1) Amplificateurs de puissance

Alimentation CC
(Pa)

Signal à amplifier Amplificateur de Charge


(Pe) Puissance (Pu)
(Pd)

On a :

ELECTRONIQUE AVANCÉE 33
- Pa : puissance fournie par l’alimentation
- Pu : puissance utile reçue par la charge
- Pd : puissance dissipée dans l’ampli sous forme de chaleur
- Pe : puissance d’entrée fournie par la source du signal
Pe+ Pa= Pd+ Pu
Pu
le gain en puissance : Ap  , pour les amplificateurs BF (f<100KHz), Pe est très faible  Pa Pd+ Pu
Pe
La distorsion :
Pour les signaux ayant des amplitudes importantes, la courbe des caractéristiques des composants produit une
distorsion de non linéarité :

ve (t )  VeM sin t Amplificateur v s (t )  VsM1 sin t  VsMn sin nt
de Puissance n 2

V
n 2
2
sMn
Le taux de distorsion est : d 
VsM1
L’Amplificateur de classe B :
On démontre qu’en classe A que le rendement est au maximum égale à 25%. En effet :
V cc
On pose la tension de sortie maximale : VSM   (01 : taux d’attaque de l’étage de puissance)
2

Vcc2
P 8Ru  2
Le rendement est alors :   u  
Pa Vcc2 4
2 Ru
Pour améliorer le rendement il faut polariser le transistor de telle sorte que le courant de repos soit nul, c’est la
classe B. Pour restituer un signal de sortie sinusoïdal, il faut utiliser deux transistors complémentaires
(exemple : 2N 3055 « NPN », BDX18 « PNP » ).
Ce montage est connu sous le nom de montage en « push-pull ». Chaque transistor fonctionne pour
l’alternance qui le concerne comme un montage collecteur commun, avec une impédance de sortie très faible.

ELECTRONIQUE AVANCÉE 34
Bilan de puissance : On pose : VSM  Vcc 01 ; vs (t )  VSM sin t
- La puissance reçue par la charge est :
2Vcc2
2
VSeff
Pu  
Ru 2 Ru
- La puissance fournie par l’alimentation :
IM VSM Vcc 2Vcc2
Pa  2Vcc  ich  2Vcc avec : I M    Pa 
 Ru Ru Ru
- La puissance dissipée par les deux transistors :
2Vcc2  2Vcc2 Vcc2 2  2
Pd  Pa  Pu    (  )
Ru 2 Ru Ru  2
 2Vcc2
2 Ru  
- Le rendement est donc:     Sa valeur maximale est :    78,5%
2Vcc 2
4 4
Ru

La distorsion de croisement :
Solutions :
 Compensation des seuils des transistors par des diodes

 Amplificateur de puissance avec contre réaction

ELECTRONIQUE AVANCÉE 35
4.2) Amplificateurs sélectifs
Ce sont des amplificateurs de gain élevé dans une zone de fréquence
étroite. La sélectivité est le critère de qualité de ce type d’amplificateur.
Pour les basses & moyennes fréquences, ces amplis sont réalisés à l’aide
d’un ampli à Large Bande suivi d’un filtre passe-bande.
Pour les fréquences élevées l’ampli est chargé par un circuit anti-
résonant accordé à la fréquence désirée.

4.3) Amplificateurs de précision


4.3.1) Amplificateur à découpage
C’est un amplificateur destiné à éliminer la tension de
décalage et sa dérive. L'amplificateur de classe D
convertit le signal analogique d'entrée en forme d'onde
à modulation de largeur d'impulsion (PWM). La forme
d'onde PWM active ou désactive complètement l'étage
de sortie du FET push-pull à chaque impulsion.
Il a le rendement le plus élevé de tous les amplificateurs
linéaires, mais il présente un taux de distorsion
harmonique légèrement supérieur aux amplificateurs de
la classe B. L'étage de sortie fonctionne en commutation,
c'est-à-dire entre deux niveaux de tension. La fréquence
de commutation est fixe mais le rapport cyclique de
commutation est variable. Le signal BF à amplifier est
donc codé en modulation de largeurs d'impulsions (MLI
ou PWM : Pulse-Width-Modulation). La fréquence de commutation est au moins d'un ordre de grandeur
supérieur à la fréquence maximum du signal BF. Ce signal est reconstitué par filtrage passe-bas à la sortie.
Constitution de l’amplificateur classe D :
Modulateur en Largeur d’Imp ulsions (MLI)

ELECTRONIQUE AVANCÉE 36
Après amplification du signal binaire, un filtre passe-bas ≪ calcule ≫ la valeur moyenne qui doit refléter la
valeur instantanée du signal analogique d’entrée. Cela suppose que la fréquence des impulsions PWM doit
être largement supérieure à la fréquence maximale du signal audio. Si cette fréquence maximale est de 10
kHz, alors la fréquence du signal PWM ne peut pas vraiment être inférieure à plusieurs centaines de kHz.
Le rapport des amplitudes m =VaudioMAX/VtriangleMAX est appelé ≪ taux de modulation ≫, 0<m< 1
Amplification des signaux MLI/PWM – Demi-pont et en pont « H »

Moyennage – filtrage des impulsions PWM amplifiées


On effectue la moyenne du signal PWM(t) amplifié à l’aide d’un filtre passe-bas (intégrateur).
Puisque la puissance à ce niveau est importante, seuls les filtres passifs comportant des inductances et des
capacités peuvent être envisagés.
La démodulation par filtrage est d’autant plus précise que la période des signaux PWM est élevée par rapport
à la fréquence maximale du signal à amplifier.

Observée dans le domaine temporel, la sortie épouse les variations de la valeur observée du
signal PWM amplifie.
4.3.2) Amplificateur d’instrumentation
C’est un amplificateur utilisé pour minimiser la tension
parasite en mode commun. Il est destiné à extraire les
signaux issus des capteurs ayant des amplitudes souvent
faibles (qlq µv) d’une tension de mode commun élevée,
considérée comme perturbation, et à l’amplifier avec un
gain ajustable, précis et stable.
C’est un amplificateur de haute précision à entrées
différentielles et de sortie référencée à la masse. Il doit en
plus réaliser un bon isolement entre la source et le reste du
système de mesure.

ELECTRONIQUE AVANCÉE 37
Applications: ECG (électrocardiographe)

(capteur de son ; capteur de température )

4.3.3) Amplificateur d’isolement


C’est un amplificateur utilisé pour assurer un bon isolement entre la source du signal à amplifier et la charge
placée à la sortie de l’amplificateur tout en offrant une
réjection de mode commun élevée.
Lorsque les tensions de mode commun dépassent ou
risquent de dépasser 70% des tensions d’alimentation,
l’amplificateur d’instrumentation n’est plus utilisable :
c’est l’amplificateur d’isolement qui dans ce cas est
susceptible d’apporter une solution. Il est constitué de :
- Un étage A1 dont l’entrée est un ampli opérationnel ou
d’instrumentation, alimenté par une source flottante dont le
point commun G1 « garde » est relié à la masse de la source du
signal,
- Un étage A2 dont le point commun G2 est relié à la masse
commune de l’ensemble de traitement en aval de gain unité.
- Une barrière d’isolement qui rompt toute liaison ohmique entre
les étages A1 et A2 tout en permettant le transfert du signal
entre ces étages par couplage électromagnétique ou
optoélectronique.
4.4) Amplificateurs à large bande
Les amplificateurs à large bande sont réalisés par des transistors ayant des fréquences de transition de l’ordre
de quelques Gigahertz, ou par des amplificateurs opérationnels performants. Les amplificateurs vidéo sont en
général des circuits intégrés constitués de deux étages différentiels suivis d’un étage de sortie à faible
impédance ; le gain est fixé par une résistance de réaction extérieure (exemple LM 733).
Exemple de structure à amplificateurs opérationnels : HA-2540 (Matra-Harris Semiconducteurs)
SR=400V/µs ; BP=400MHz ; Temps d’établissement: 250ns

ELECTRONIQUE AVANCÉE 38

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