Université Badji Mokhtar Annaba Master Chimie physique & électrochimie 2020

Chapitre IV revêtements par voie sèche –couches minces (partie1)

Introduction

Une couche mince (thin film) est un revêtement dont l’épaisseur peut varier de quelques
couches atomiques à une dizaine de micromètres. Ces revêtements modifient les propriétés
du substrat sur lesquels ils sont déposés.

Tous les procédés de déposition de couches minces contiennent quatre (parfois cinq) étapes
successives. La source qui constitue le matériau de base du film mince à élaborer peut être un
solide, un liquide, une vapeur ou un gaz. Lorsque le matériau est solide son transport vers le
substrat s'effectue par vaporisation. Ce qui peut être réalisé par évaporation thermique, canon à
électrons, ablation laser ou par des ions positifs "pulvérisation". L'ensemble de ces méthodes est
classé sous le nom de dépôt physique en phase vapeur PVD " physical vapor deposition". La
source solide est occasionnellement transformée en vapeur par voie chimique. Dans d'autre cas, le
matériau de base est sous forme d'un gaz ou d'un liquide ayant une pression de vapeur suffisante
pour qu'il soit transporté à des températures modérées. Les procédés qui utilisent, comme
matériau de base, les gaz, les liquides évaporés ou solides évaporés par voie chimique sont
connues sous le nom de dépôts chimiques en phase vapeur, CVD " Chemical vapor déposition.
L’élaboration d’une couche mince est une étape décisive car les propriétés physiques du matériau
en dépendent.
Les méthodes d’élaboration peuvent être classées en deux catégories : méthodes physiques et
méthodes chimiques.
Les techniques les plus utilisées de dépôts des couches minces découlant de ces deux
catégories sont regroupées dans le diagramme suivant :

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Diagramme représentant les techniques de dépôt des couches minces

IV.1 Préparation du substrat

La nature des substrats, ainsi que leur état de surface, affectent énormément les propriétés
physiques de dépôt. Pour obtenir une bonne qualité de ce dernier, quel que soit son procédé
d’élaboration, il est nécessaire d’avoir des substrats dont la surface est soigneusement
nettoyée afin d’éliminer toutes les impuretés ou les graisses qui pourraient être présentes.
Cela permet d’éviter les éventuels problèmes d’adhérence et de provoquer une activation de
la surface.
Le nettoyage se fait en deux traitements essentiels : nettoyage chimique et nettoyage ionique,
qui sont précédés généralement par un polissage mécanique dans le cas des substrats
métalliques afin d’améliorer leurs état de surface.

- Polissage mécanique - Dégraissage chimique - Décapage ionique

IV.2 Mécanismes physiques de formation d’une couche mince

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La formation des couches minces par dépôt physique en phase vapeur est le résultat de la
condensation des particules éjectées de la cible sur le substrat. Elle s’effectue par une
combinaison de processus de nucléation et de croissance décrits par la figure ci dessous.

Au moment de l’impact sur le substrat, les atomes incidents perdent leurs énergies cinétiques
limitant ainsi leur capacité à diffuser dans le substrat. Ceci n’est vrai que s’il n’y a pas une
énergie extérieure apportée à ces particules par chauffage du substrat ou bombardement
ionique. Comme ils sont d’abord adsorbés, ils sont connus sous le nom d’adatomes . Ces
derniers se déplacent sur la surface jusqu’à atteindre l’équilibre thermique avec le substrat.

Pendant leur déplacement, les adatomes interagissent entre eux; créant ainsi des nucleus
appelés aussi «clusters» ou îlots qui poursuivent leur déplacement en se développant et en
entrant en collision les uns avec les autres.

Processus de croissance de couches : nucléation, croissance des îlots, coalescence des

îles.

IV.3 Techniques de dépôts physiques en phase vapeur

Le dépôt physique en phase vapeur «PVD» est un procédé de recouvrement de surface par
des atomes ou molécules d’un matériau à déposer, qui viennent adhérer sur le substrat à
recouvrir en passant par un milieu passif (vide ou atmosphère inerte) ou actif (plasma, gaz
réactif). Différents mécanismes physiques permettent de générer les espèces constituant le
dépôt.

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Principe du procédé PVD

IV.3 .1 L’évaporation sous vide

Cette technique consiste à chauffer sous vide le matériau à déposer sous une température à
laquelle il y a une pression de vapeur appréciable pour son évaporation ou sublimation. La
matière ainsi éjectée perpendiculairement à la cible vient se condenser sur le substrat placé à
son voisinage pour former un revêtement.

Le dépôt est réalisé sous vide à une pression aux alentours de 10-3-10-4 Pa, de façon à limiter
la collision entre les atomes évaporés et celles du gaz résiduel pour limiter la contamination
des couches déposées et augmenter la vitesse de dépôt.

L’évaporation par bombardement électronique est la méthode la plus utilisée actuellement, dû

à sa forte énergie de bombardement permettant d’évaporer les matériaux réfractaires, et sa
grande vitesse de dépôt qui peut atteindre 50 μm/s. Malgré la facilité de mise en oeuvre de ce
procédé, il présente plusieurs problèmes dus à la génération des émissions électrostatiques
qui peuvent produire des étincèles et la pulvérisation du substrat lors de l’évaporation des
matériaux diélectriques.

Quant à l’évaporation par ablation laser, c’est une technique qui utilise un faisceau laser
impulsionnel pour l’évaporation de la cible dans un milieu ultravide. Les impulsions lasers
permettent l’évaporation de matériaux sous forme de plasma. La pureté des dépôts ne dépend,
dans ce cas, que de la pureté de la cible utilisée. C’est un procédé qui permet le dépôt d’une
large variété de matériaux de haute pureté à température ambiante, permettant ainsi le
revêtement sur tout type de substrats.

IV.3.2 Pulvérisation cathodique

Le procédé de pulvérisation cathodique était classé comme non productif, jusqu’au

développement du «système diode » (diode radiofréquence, triode, cathode magnétron…) qui
permet d’augmenter la qualité et surtout la vitesse de dépôt. Les systèmes de pulvérisation
cathodique bénéficient maintenant d’une très grande popularité en milieu industriel. Ils sont
peu performants au niveau du nombre de couches traitées simultanément et de la vitesse de
dépôt, mais ils sont plus simples à mettre en oeuvre que d’autres procédés et ils permettent le
dépôt de n’importe quel matériau solide à température ordinaire, surtout des matériaux
difficiles à évaporer. La cible dans ce cas est portée à un potentiel négatif (la cathode) comme
indique la figure, d’où le nom de pulvérisation cathodique.

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Principe de la pulvérisation cathodique.

Les paramètres gouvernant le dépôt de couches minces par pulvérisation sont :

- La pression du gaz partiel ;

- La composition du gaz partiel ;
- La puissance appliquée sur la cible ;
- La tension de polarisation du porte-substrat ;
- La densité de courant ;
- L’angle d’incidence des particules de bombardement ;
- La présence ou non des champs magnétiques.

Comme le matériau à déposer passe en phase vapeur à la suite d’un processus mécanique
(transfert d’énergie de l’ion incident vers l’atome de surface au moment de la collision), on
peut déposer pratiquement tous les matériaux inorganiques avec une bonne adhérence et
recouvrement, et une faible porosité.

IV.3 .2.1 Dépôts par pulvérisation cathodique magnétron

Une autre méthode variante de la pulvérisation cathodique est la pulvérisation cathodique
magnétron. Quand on place derrière la cible des aimants de la manière présentée dans la figure,
on obtient devant la cible une zone ou le champ magnétique est pratiquement parallèle à la cible
c'est-à-dire perpendiculaire au champ électrique. Dans cet espace, les électrons ont des
trajectoires cycloïdales qui s’enroulent autour des lignes de champ magnétique. Les électrons sont
donc retenus au voisinage de la cible ce qui augmente leur probabilité d’interaction avec les
atomes de la phase gazeuse et favorise l’ionisation. L’augmentation de la concentration ionique
se concrétise par une augmentation de la vitesse de pulvérisation donc de dépôt. De plus, il est
possible de maintenir la décharge à plus faible pression, ce qui permet d’obtenir des dépôts de
plus grande pureté. Le seul inconvénient de cette pulvérisation cathodique dite à "effet
magnétron" est l’apparition d’une érosion non-uniforme de la cible.

Configuration d'une cathode magnétron.

IV.3.2.2 Dépôts par pulvérisation cathodique à canon à électrons

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La technique du canon à électron consiste à apporter suffisamment d’énergie sur un matériau à

l’aide d’un faisceau d’électrons. Ces électrons sont créés par effet thermoélectrique (chauffage
d’un filament). Sous l’action conjuguée d’une différence de potentiel électrique et d’un champ
magnétique, la trajectoire du faisceau est focalisée sur la charge à vaporiser (cible). Les atomes
pulvérisés sont déposés sur des substrats formant ainsi les couches minces désirées. Toutefois, il
est souhaitable de faire tourner les substrats en permanence afin d’améliorer l’homogénéité des
couches déposées.

Bâti de dépôt par canon à électrons.

Les techniques de pulvérisation cathodique classique, magnétron et à canon à électrons, de par

leurs principe, permettent d'effectuer des dépôts de couches isolantes mais aussi de couches
métalliques (aluminium, tungstène, titane, chrome, etc...). Elles interviendront donc
principalement pour la réalisation de couches d'interconnexion dans les dispositifs intégrés.

IV.3.3 Pulvérisation ionique

Le matériau d'apport est évaporé par chauffage sous vide. Le métal s'évapore puis vient se
condenser sur le substrat dans un plasma de gaz neutre argon. Le plasma est obtenu en chargeant
la pièce à un potentiel négatif en haute tension.

Cette méthode permet l’évaporation du matériau dans une enceinte sous pression résiduelle (10 -1
à 10-2 Torr) en introduisant de l’argon. La décharge pendant le dépôt sert à ioniser les vapeurs du
matériau à déposer. Un nuage diffus se forme alors autour du substrat puis le dépôt s’effectue de
façon uniforme. L’avantage de cette technique est qu’elle permet d’obtenir de très faibles vitesses
de dépôt et de contrôler avec précision son épaisseur. De plus, l’environnement ultra vide
minimise la contamination des couches contrairement à la pulvérisation cathodique ou le film en
croissance est soumis aux effets du plasma.

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Schéma représentatif de la pulvérisation ionique

IV.3.4. Ablation laser (PLD: Pulsed Laser Deposition)

IV.3.4.1. Ablation laser directe
Cette technique consiste à bombarder une cible solide (constituée du matériau à déposer) par des
impulsions lumineuses intenses générées par un laser, généralement dans le domaine de
l’ultraviolet.
Un faisceau laser impulsionnel est focalisé sur une cible massive, placée dans une enceinte
ultravide. Dans certaines conditions d'interaction, une quantité de matière est éjectée de la cible,
et peut être collectée sur un substrat placé en face de la cible.
La nature et la qualité du dépôt dépendent de nombreux paramètres (énergie du laser, nature et
pression du gaz résiduel dans l'enceinte, température du substrat, etc.). Dans tous les cas, il est
nécessaire de contrôler le transport des espèces de la cible jusqu'au substrat.

Dispositif expérimental d'ablation laser

IV. 3.4.1.Le dépôt par ablation laser réactive

La technique de dépôt en couches minces par ablation laser réactive consiste à vaporiser une cible
d'un matériau donné, en présence d'un gaz réactif avec un faisceau laser à impulsion de forte
intensité. Le plasma laser qui se forme au-dessus de la cible est susceptible de réagir directement

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avec le milieu ambiant pour former des molécules et des espèces que l'on peut collecter sur un
substrat adéquat. Le dépôt obtenu aura une composition différente de celle de la cible d'origine,
qui dépendra principalement de la nature du gaz réactif susceptible de réagir avec les espèces
ablatées

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