Technique de dépôt des couches minces

MBE(Molecular Beam Epitaxy)/EJM(Epitaxie par Jets Moléculaire)

Présenté par : Mr Ali Djafour

Enseignant :Mr Berd.M

2013 /2014
Plant :

1. Introduction
2. Couches minces
3. méthodes d’élaboration de couches minces
4. Epitaxie
5. MBE (Molecular Beam Epitaxy), EJM (Epitaxie par Jets
Moléculaires)
6. Principe
7. Instrumentation
8. La diffraction d'électrons de forte énergie en réflexion(RHEED)
9. Applications et conclusion
 1. Introduction :
La micro et nanostructuration de surface et la reprise d’épitaxie sont des étapes
technologiques clés pour le développement de dispositifs optoélectroniques avancés et de
nanocomposants. Le but est de localiser au sein des composants, de manière repérée, des
zones de dimensions micrométriques ou nanométriques dont on exploitera les propriétés
d’émission ou de guidage. Il peut s’agir de boîtes quantiques que l’on souhaite isoler, ou de
structuration de couches enterrées dans une structure épitaxiée. La disponibilité de ces
techniques de fabrication est source d’innovation pour la conception de nouveaux
composants. Ce domaine est actif depuis de nombreuses années. Des travaux ont été
réalisés sur la reprise d’épitaxie dans des tranchées, sur des mésas, ou dans des trous formés
en surface par gravure humide ou sèche. Les résultats sont très différents suivant l’option
choisie, et l’objectif est donc déterminant. Maîtriser l’épitaxie sur des motifs micro et
nanostructurés est nécessaire pour envisager les applications visées.
 2. Couches minces :
1. Définition : Une couche mince d’un matériau donné est un élément de ce
matériau dont l’une des dimensions (appelée épaisseur) a été fortement réduite.
Cette épaisseur (en nanomètres) correspond à la distance entre deux surfaces
limites (quasi bidimensionnalité). Cette structure 2D entraîne une perturbation de
la majorité des propriétés physiques.

Exemple de couche mince:

Couche mince (2D)

Les effets liés aux surfaces limites sont prépondérants. qqs nm

Plus l’épaisseur est faible, plus l’effet 2D est exacerbé. Inversement, au-delà d’un certain
seuil, l’effet d’épaisseur devient négligeable et le matériau retrouve ses propriétés du
matériau massif.

2. Substrat : Quelle que soit la procédure employée pour sa fabrication, une

couche mince est toujours solidaire d’un support (parfois, à la suite de son
élaboration, le film mince est séparé du support). Le support (ou substrat)
influence fortement les propriétés structurales de la couche mince déposée. La
nature du substrat a une influence sur les propriétés physiques de la couche mince
déposée d’un même matériau (toutes autres caractéristiques étant égales par
ailleurs). Les propriétés physiques d’une couche mince seront sensiblement
différentes selon que la couche mince sera déposée sur un substrat isolant
amorphe (structure atomique désordonnée, comme le verre) ou un substrat
monocristallin (structure atomique ordonnée, comme un monocristal de silicium

3. méthodes d’élaboration des couches minces

Celles les méthodes les plus couramment employées dans les domaines de
l’électronique et de la technologie liée aux fonctionnalités de transport, optique,
magnétoptique et thermique seront citées. Les principales méthodologies de
fabrication utilisées par les fabricants de composants électroniques actifs ou
passifs font appel à des procédures physiques de dépôt du matériau sur un
substrat initialement dépourvu de dépôt. La couche mince va donc « croître » en
épaisseur à partir de zéro. Aucun procédé de décapage permettant d’araser
angström par angström un matériau n’est utilisé. En pratique, on distingue deux
grandes familles de méthodes :
 Celles qui font appel à un gaz porteur pour déplacer le matériau à déposer d’un
récipient au substrat et qui s’apparentent aux techniques de diffusion utilisées
dans la fabrication des composants actifs.
Celles qui impliquent un environnement à pression très réduite et dans
lesquelles le matériau à déposer sera véhiculé grâce à une impulsion initiale de
nature thermique ou mécanique.
Principales techniques de dépôts :
- pulvérisation cathodique: bombardement d’une cible par un gaz inerte (argon)
pour pulvériser les atomes constituant la cible.
- ablation laser: groupe d’atomes « évaporés » de la cible à l’aide d’un faisceau
laser de haute fluence.
- épitaxie par jets moléculaires: évaporation par chauffage, rayonnement ou
bombardement électronique (sous vide poussé) du matériau à déposer.
4. Epitaxie :
Définition :

« Epitaxie » a une étymologie grecque qui associe les mots "épi" qui signifie « par-dessus »
et "taxis" qui signifie ordre. La croissance par épitaxie est définie comme le dépôt d’un cristal
dont l’orientation est fixée par un substrat. C’est une étape technologique consistant à faire
croître une couche mince sur un substrat, par un apport d'éléments qui vont la constituer.
Lorsque les natures du substrat et du dépôt sont :

- identiques, on parle d’homoépitaxie (exemple : croissance de diamant sur un substrat de

diamant).

- différents, on parle d’hétéroépitaxie (exemple : croissance de diamant sur un substrat de

silicium).

Quelques techniques d’épitaxie :

Une méthode de dépôt est considérée comme une technique d’épitaxie si et

seulement si le matériau, déposé en couche mince, a l’orientation du
substrat. Les nombreuses techniques d’épitaxie existantes se différencient
principalement par les types de dépôt (chimique ou moléculaire) et le type de
sources (gazeuses, liquides, solides) employées :

- Dépôt chimique en phase vapeur (chimical vapor deposition : CVD) où

les précurseurs arrivant sur le substrat chauffé pour former la couche sont
des molécules :
MOCVD : Metal-Organic Chimical Vapor Deposition
MPCVD : Microwave Plasma Chimical Vapor Deposition
 - Epitaxie par jets moléculaires (molecular beam epitaxy : MBE) où les
précurseurs arrivant sur le substrat chauffé pour former la couche sont des atomes.

SSMBE : Solid Source Molecular Beam Epitaxy

GSMBE : Gas Source Molecular Beam Epitaxy

N’importe quel matériau ne peut pas être épitaxié par n’importe quelle technique d’épitaxie
et sur n’importe quel type de substrat. Il est nécessaire de chercher pour chaque matériau
quelle(s) technique(s) d’épitaxie et quel(s) type(s) de substrat sont nécessaires, et ce, pour
une application déterminée.

5. MBE (Molecular Beam Epitaxy), EJM(Epitaxie par Jets

Moléculaires ):
Les matériaux épitaxiés pour des applications en électronique, micro-électronique ou
optoélectronique nécessitent un contrôle drastique du niveau d’impuretés pour
limiter les contaminations (induite par le vécu du réacteur de croissance) pouvant
avoir des conséquences désastreuses sur les propriétés physiques des matériaux
épitaxiés. Les réacteurs d’épitaxie sont donc généralement dédiés à un nombre
restreint de matériaux. Ils ont des formes géométriques diverses (boulle, cylindre …)
et de nombreuses connections (sources, instruments …). Ils sont constitués de
différents matériaux (quartz, inox …).

Définition :
L'épitaxie par jets moléculaires (EJM) est une technique de dépôt de matériaux en couches minces,
utilisée notamment pour les semi-conducteurs III-V, et qui permet de maîtriser l'épaisseur déposée à
une fraction de couche monomoléculaire près. La croissance est effectuée dans une
enceinte de croissance EJM sous ultra-vide (10-10 à 10-11 torr).
 6. Principe :

Figure1 : principe de l’EJM

L'échantillon est placé dans un four de croissance. Les sources contenant les divers
éléments sont orientées vers l'échantillon et sont obstruées par des caches.

La pression dans les flux émis est assez basse pour que ceux-ci soient en régime moléculaire
au sens de la théorie cinétique des gaz, c'est à dire que les atomes ou molécules des flux
n'interagissent pas avant d'atteindre le substrat. Les flux sont contrôlés en régulant la
température des sources. Ces températures sont choisies selon la méthode des trois
températures proposée par Günther en 1958. La température d'évaporation des éléments III,
TIII, est supérieure à la température du substrat Ts. En revanche la température d'évaporation
de l'arsenic, TV, est inférieure à la température d'évaporation des éléments III et également à la
température du substrat (TIII > Ts > TV ). Ts est de l'ordre de 400 à 600°C suivant les
matériaux et les conditions de croissance recherchées. Les flux arrivant sur l'échantillon sont
caractérisés par la pression équivalente de flux, mesurée par une jauge ionique. Dans les
conditions de croissance standard, la pression équivalente du flux d'arsenic est de l'ordre de 5
10-6 torr. Le flux d'arsenic est largement excédentaire par rapport au flux d'éléments III (In et
Ga). Cet excès d'arsenic est caractérisé par le rapport des pressions équivalentes du flux
d'arsenic et du flux des éléments III (appelé rapport V/III). Ce rapport V/III est généralement
très supérieur à 1 (il peut atteindre des valeurs de l'ordre de 100 dans certains cas). Lorsque
les éléments V sont en excès, la croissance est contrôlée par les flux d'éléments III. Si l'on
peut négliger la désorption des éléments III (In ou Ga), et c'est généralement le cas, alors ces
atomes sont tous incorporés à la surface. La proportion respective d'indium et de gallium dans
le dépôt est déterminée par le rapport des flux incidents correspondants. Les molécules
excédentaires d'élément V (arsenic) ne s'incorporent pas à la surface car il n'y a pas de site
correspondant disponible. Elles sont désorbées et évacuées par la pompe ionique.
Lors de la croissance sur un plan (001), cette procédure implique notamment que le dernier
plan atomique est un plan d'arsenic. On parle alors de surface stabilisée par l'élément
V.L'homogénéité des flux peut ne pas être parfaite, notamment si la croissance est effectuée
sur des substrats de grandes dimensions. Il est alors possible que certaines zones de
l'échantillon soient plus riches en indium et d'autres plus riches en gallium. Pour éviter cet
inconvénient l'échantillon subit une rotation autour de l'axe des flux afin de moyenner les
effets d'inhomogénéité. Le contrôle de stoechiométrie des couches peut être réalisé ex-situ par
double diffraction de rayons X. Cette technique permet de déterminer avec une précision
inférieure à 10 -14 m le paramètre de maille de couches épaisses (d'une épaisseur de plusieurs
dizaines de microns). A ces épaisseurs les contraintes sont entièrement relaxées par la
formation de dislocations et le matériau déposé adopte son paramètre de maille au repos (non
contraint). Il est ainsi possible de déterminer avec une grande précision la composition du
matériau déposé et de calibrer les flux d'indium et de gallium qui dépendent de la géométrie
du système (ouverture des caches, angle d'incidence).

7. Instrumentation :
Un ensemble d'EJM est classiquement constitué par les éléments Suivants :

un bati d'ultra-vide
un système d'évaporation.
un porte-substrat chauffant et un dispositif de bombardement ionique pour
un décapage éventuel du substrat.
des moyens d'analyse de surface in situ.

Figure 2 : Schéma du porte-substrat

 Figure 3 : Schéma de l'enceinte d'épitaxie par

jets moléculaires (EJM).

Un exemple d'équipement :
- Le bati : est en acier inoxydable et il est muni d'une pompe ionique à effet getter et d'un
sublimateur de titane. Ce système de pompage permet d'obtenir un vide de 10 torr avant
évaporation et, a le principal avantage de fournir un vide propre. Son inconvénient majeur
réside dans le fait que les gaz rares et, en particulier, l'argon sont mal pompés. L'ensemble
du batí est étuvable jusqu'à 570 K. Nous réalisons l'étuvage toujours sans échantillon à
l'intérieur du batí pour éviter la pollution du substrat. Une vanne SAS non représentée sur la
figure 3, nous permet de changer l'échantillon sans "casser" le vide à l'intérieur de
l'enceinte. La pression est mesurée par une jauge thermocouple pour des vides de 1 à 10
torr et par une jauge Bayard-Alpert pour des vides jusqu'à 10 - 10
- Le système d'évaporation : comprend cinq creusets :

- 3 pour les corps principaux Al - Ga - As,

- 2 pour les dopants n et p

L'ensemble des cinq creusets est entouré d'un serpentin généralement refroidi à l'azote
liquide. De plus, chaque creuset et l'évaporateur sont munis de caches manœuvrés de
l'extérieur.

- Le porte-substrat : (figure 2) : possède cinq degrés de liberté et peut être chauffé jusqu'à
950 K. Le substrat est posé sur un disque en molybdène, et il est fixé par des brides de
serrage. Un canon à ions argon permet un décapage in situ du substrat.

Comme le montre la figure 2, l'enceinte comporte deux moyens d'analyse :

-Un spectroscope Auger qui permet de vérifier la propreté de la surface et la composition

des couches obtenues principe de la spectroscopie Auger

- un diffractomètre d'électrons à moyenne énergie (MEED, 5 kv. Son rôle principal est de
contrôler la cristallinité des couches déposées et de déterminer leur structure.

8. La diffraction d'électrons de forte énergie en

réflexion(RHEED) :
La diffraction d'électrons de haute énergie en réflexion (RHEED) est particulièrement utilisée
pour caractériser la surface in-situ pendant la croissance par EJM. En effet son
fonctionnement sous ultra vide et le fait que le faisceau d'électrons soit dirigé parallèlement
à la surface (donc perpendiculairement à l'axe de croissance) facilitent son implantation sur
un bâti d'épitaxie. La technique RHEED permet notamment de déterminer la reconstruction
de la surface, de mesurer la vitesse de croissance et d'apprécier qualitativement la planéité
de la surface.

Un dispositif RHEED consiste en un faisceau d'électrons d'une énergie de 10 à 50 keV

focalisé sur la surface. La longueur d'onde associée aux électrons est de l'ordre de 0.1 Å. Le
faisceau atteint la surface en incidence rasante avec un angle de 1 à 2 degrés (figure 4). Dans
cette configuration l'interaction des électrons avec la surface se limite à quelques plans
atomiques. Le faisceau qui en résulte est visualisé sur un écran fluorescent. Deux phénomènes
importants interviennent lors de l'interaction du faisceau avec la surface : la réflexion et la
diffraction. La réflexion pure du faisceau entraîne la présence d'une tache spéculaire sur
l'écran de visualisation. Or l'intensité du faisceau réfléchi est très sensible à la rugosité de la
surface. En effet les marches atomiques de la surface diffusent une partie des électrons (la
diffusion est une diffraction aléatoire qui ne permet pas la formation d'interférences).
Figure 4 : principe du RHEED : On observe sur un écran les figures de diffraction sur les électrons
réfléchis et diffractés par les atomes de la surface.

Aussi l'intensité de la tache spéculaire est directement liée à la densité de marches sur la surface. Or,
lors de la croissance sur un substrat non désorienté, la formation des nucléé et des marches se fait
de façon cyclique : Si on part d'une surface idéale, des terrasses nucléent et se développent. Puis les
atomes arrivant sur la surface s'incorporent préférentiellement aux terrasses existantes. Lorsque ces
terrasses atteignent une taille suffisante elles coalescent pour finalement former à nouveau un plan
cristallin complet. Le cycle peut recommencer par la formation de nucléi. Ce cycle peut être observé
en suivant l'intensité de la tache spéculaire qui présente des oscillations régulières (figure 5). Le
maximum d'intensité réfléchie correspond au moment où la couche est la plus proche d'un plan
cristallin idéal. Le temps séparant deux maxima d'intensité correspond donc au temps de dépôt
d'une couche monomoléculaire. Ainsi la mesure du temps séparant deux maxima d'intensité permet
de déterminer la vitesse de dépôt. D'autre part, la diffraction des électrons par le réseau atomique
de surface entraîne la formation d'interférences. La visualisation des interférences électroniques sur
un écran fluorescent peut être considérée comme une projection de l'espace réciproque. Dans le cas
d'une surface plane la faible pénétration des électrons permet de ne considérer que les interactions
avec le réseau 2D de surface. Les figures de diffraction observées représentent l'intersection du
réseau réciproque de la surface (de paramètre de maille 2 /a où a est la maille du réseau direct) et
de la sphère d'Ewald de rayon k où k est le nombre d'onde des électrons du faisceau (k=2 / ). Dans
le cas idéal d’une surface parfaitement plane et d’une sphère d’Ewald d’épaisseur nulle, la figure de
diffraction serait constituée de points.
 Figure 5 : oscillations d'intensité de la tache spéculaire liée à la densité de marches.

Cependant la sphère d’Ewald a une épaisseur non nulle liée à la dispersion des électrons du faisceau.
Le paramètre de maille de surface est de l'ordre de 4 Å et la longueur d'onde des électrons de l'ordre
de 0,1 Å. Le rayon de la sphère d'Ewald est donc grand devant le paramètre du réseau réciproque, et
la sphère d'Ewald peut être approximée par un plan (figure 6). C'est pourquoi la figure de diffraction
est constituée de raies parallèles plutôt que de points
 Figure 6 : intersection de la sphère d'Ewald (SE) avec les lignes du réseau réciproque.

La distance entre deux raies est directement proportionnelle à l'inverse du paramètre de maille de
surface dans la direction perpendiculaire au faisceau incident. Le coefficient de proportionnalité
dépend des conditions de projection du faisceau, i.e. de la géométrie de l'installation. Les
interférences ainsi observées permettent de déterminer la reconstruction de la surface. Il est
également possible d'obtenir des informations qualitatives sur la morphologie de la surface : pour
une couche parfaitement plane le diagramme RHEED est constitué de raies parallèles (figure 7-a).
Lorsque la couche présente une morphologie tridimensionnelle (3D), une partie du faisceau est
transmise à travers les îlots (figure 7-b). Il en résulte une nouvelle interférence de type volumique
avec les plans denses du cristal. Ainsi le diagramme RHEED qui est constitué de lignes pour une
surface plane se présente sous forme de taches de diffraction pour une surface 3D. Ces taches
somment l'intensité des raies observées sur la surface plane. Lorsque des plans cristallins
d'orientation différente de l'orientation nominale du substrat se forment sur la surface, les taches
s'allongent suivant des directions dont l'orientation est caractéristique de ces nouveaux plans
cristallins. Les taches adoptent alors une forme caractéristique en "V" observée notamment lors de la
formation de facettes (114) avec un faisceau parallèle à [1-10].
 Figure 7 : diffraction en fonction de la morphologie

Ainsi l'enregistrement du diagramme de diffraction RHEED pendant la croissance fournit des

informations précieuses sur la morphologie de la couche : l'évolution de l'intensité d'une tache de
diffraction peut être utilisée pour déterminer avec précision l'épaisseur critique au delà de laquelle la
croissance est 3D. On trace l'évolution de l'intensité d’une tache de diffraction en fonction du temps :
pour une couche plane l'intensité diffractée est répartie sur toute une ligne, et l'intensité du centre
de la tache est faible et approximativement constante (mis à part les oscillations). Lorsque la surface
évolue vers une morphologie 3D, les lignes évoluent vers des taches plus intenses. Aussi la rupture
de pente de la courbe de l'intensité en fonction du temps marque un changement de mode de
croissance et correspond à l'épaisseur critique de transition 2D-3D (figure 8). C'est l'épaisseur à partir
de laquelle se forment des îlots 3D.
Figure 8 : détermination de l’épaisseur critique de la transition 2D-3D.

9. Applications et conclusion :
Généralement utilisée pour des applications très spécifiques :

HBTs, MESFETs,et HEMTs

Quntum wells
Lasers de semi-conducteur
Croissance de Silicium sur Saphir

En outre, utilisée dans la production commerciale des transistors MOSFETs de SiGe

MBE crée des couches cristallines presque parfaite

MBE est un processus purement physique, ainsi le blocage du faisceau peut arrêter la
croissance de couche