Semiconductores Intrínsecos

Semiconductores
Intrínsecos
Carlos Vargas / Ángel Gámiz / Cesar Villarreal
¿Qué es un semiconductor?
Existen materiales conductores y aislantes, (es decir que conducen o no conducen corriente eléctrica)
aunque también podemos encontrar materiales semiconductores que tienen propiedades intermedias
para conducir o no la corriente y los encontramos en algunos elementos de la tabla periódica. Los
semiconductores son elementos químicos que permiten el flujo de los electrones, pero con capacidad
de conducción inferior a la de un conductor metálico y superior a la de un material aislante.
El semiconductor más utilizado es el Silicio empleado en

diodos, otros materiales semiconductores empleados son
el Germanio y el Selenio. Se debe tener en cuenta que
tanto el Silicio como el Germanio son semiconductores
con características conductoras que dependen de la
temperatura o la cantidad de luz que incide sobre ellos.
Grupo de Semiconductores
En el grupo 4B de la tabla periódica se encuentran los semiconductores elementales, entre los cuales
están el Silicio y el Germanio. Los semiconductores compuestos están formados por elementos de los
grupos 2B y 6B de la tabla periódica (por ejemplo, CdSe, CdTe, HgCdTe, etc.) y se conocen como
semiconductores II-VI (dos-seis). También pueden formarse al combinar elementos de los grupos 3B
y 5B de la tabla periódica (por ejemplo, GaAs, AlAs, AlP, InP, etc.). Estos últimos se conocen como
semiconductores III-V (tres-cinco).
¿Qúe es un semiconductor intrínseco?
El semiconductor intrínseco es aquel que está formado por un solo tipo de átomo y no tiene ningún tipo de
dopante presente. Los más frecuentes y empleados son el germanio (Ge) y el silicio (Se). De ambos, el silicio es el
que encontraremos en la mayoría de los dispositivos electrónicos, por ser el que más abunda en la naturaleza y el
que mejor se comporta a grandes temperaturas.
Silicio
El Silicio tiene 14 electrones de los que 4 son de

valencia, lo que quiere decir que están disponibles
para unirse con electrones de valencia de otros
átomos. En un cristal de Silicio químicamente puro,
cada átomo está unido de forma covalente con otros
4 átomos así que dentro del cristal no hay electrones
libres como consecuencia del enlace.
Los átomos de silicio forman enlaces covalentes. La
ilustración mostrada es un esquema simplificado; la
estructura cristalina real del Silicio es una celosía de
diamante y al ser un Semiconductor intrínseco puede
transportar una pequeña cantidad de corriente.
Comportamiento de los Semiconductores Intrínsecos
A simple vista es imposible que un Semiconductor Intrínseco permita el movimiento de electrones a través de
sus bandas de energía. Idealmente a temperatura 0°K, el semiconductor es un aislante porque todos los
electrones están formando enlaces. La brecha de energía Eg entre las bandas de valencia y de conducción en
los semiconductores es relativamente pequeña. Como resultado, cuando aumenta la temperatura, algunos
electrones poseen suficiente energía térmica para ascender de la banda de valencia a la banda de
conducción. Los electrones excitados dejan tras de sí orificios, en la banda de valencia.
Cuando un electrón se mueve para llenar un orificio,

se forma otro orificio. Cuando se aplica un voltaje, los
electrones de la banda de conducción van hacia el
terminal positivo (hueco) y los huecos de la banda de
valencia se mueven hacia el terminal negativo. La
corriente es conducida por el movimiento tanto de
electrones como de huecos en los semiconductores.
En los semiconductores intrínsecos se controla el número de portadores de carga y, en consecuencia, la conductividad
eléctrica, al controlar la temperatura. A la temperatura de cero absoluto, todos los electrones están en la banda de
valencia, mientras que todos los niveles de la banda de conducción están desocupados.
El incremento de la conductividad con la

temperatura en semiconductores hace un fuerte
contraste con la disminución de la conductividad
de metales con una temperatura creciente. No
obstante, incluso a altas temperaturas la
conductividad de un metal es de varios órdenes
de magnitud mayor que la conductividad de un
semiconductor.
Ejercicio de concentración de portadores en Ge intrínseco
Para el germanio a 25°C, estime a) el número de portadores de carga y b) la constante n0. (Constante utilizada para
determinar el número de electrones en la banda de conducción, que es igual al número de orificios en la banda de valencia).
De la siguiente tabla necesitamos los siguiente datos:

El número de portadores de carga está
dada por la ecuación:
Donde:
n = número de portadores de
carga
un = movilidad de electrones
up = movilidad de orificios
q = 1.6 x 10^-19
Respuesta inciso a): Hay 2.51 x 10^13 electrones/cm3 y 2.51 x 10^13 orificios/cm3 que conducen carga en el
germanio a temperatura ambiente.
La constante utilizada para determinar el número de
electrones en la banda de conducción, que es igual al
número de orificios en la banda de valencia, está dada
por la expresión:
Donde:
Eg = brecha de banda
kb = Constantes de Boltzmann y
Planck
T = Temperatura en Kelvin
c

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