1.

Materiales semiconductores: Ge, Si Y GaAS

La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) de estado sólido (estructura de cristal duro) o circuito
integrado, se inicia con un material semiconductor de la más alta calidad.
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la
de un aislante.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
Un semiconductor es un material a medio camino entre los conductores y los aislantes, en lo que a su capacidad de conducir
corriente eléctrica respecta. Un semiconductor en estado puro (intrínseco) no es ni buen conductor ni aislante.
Los diodos y transistores construidos con germanio como material base eran poco confiables, sobre todo por su sensibilidad a
los cambios de la temperatura. El silicio tenía mejores sensibilidades a la temperatura, y éste de inmediato se convirtió en el
material semiconductor preferido, pues no sólo es menos sensible a la temperatura, sino que es uno de los materiales más
abundantes en la Tierra.
El GaAs es más caro, pero a medida que los procesos de fabricación mejoran y las demandas de mayores velocidades se
incrementan, comenzará a desafiar al Si como el material semiconductor dominante.

2. Niveles de energía
Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es su estado de energía y cualquier electrón que haya abandonado a
su átomo padre tiene un estado de energía mayor que todo electrón que permanezca en la estructura atómica.

Los electrones que describen órbitas alejadas del núcleo tienen más energía y están flojamente enlazados al átomo que aquellos
más cercanos al núcleo. Esto se debe a que la fuerza de atracción entre el núcleo cargado positivamente y el electrón cargado
negativamente disminuye con la distancia al núcleo. En la capa más externa de un átomo existen electrones con un alto nivel de
energía y están relativamente enlazados al núcleo. Esta capa más externa se conoce como la capa de valencia y los electrones
presentes en esta capa se llaman electrones de valencia. Estos electrones contribuyen a las reacciones químicas y al enlace
dentro de la estructura de un material y determinan sus propiedades eléctricas.
Aunque el enlace covalente produce un enlace más fuerte entre los electrones de valencia y su átomo padre, aún es posible que
los electrones de valencia absorban suficiente energía cinética proveniente de causas externas para romper el enlace covalente
y asumir el estado “libre”.
El término libre se aplica a cualquier electrón que se haya separado de la estructura entrelazada fija y es muy sensible a
cualquier campo eléctrico aplicado, como el establecido por fuentes de voltaje, o por cualquier diferencia de potencial. Las
causas externas incluyen efectos como energía luminosa en forma de fotones y energía térmica (calor) del medio circundante.
Los electrones libres presentes en un material debido a sólo causas externas se conocen como
portadores intrínsecos.
Un cristal intrínseco es uno que no tiene impurezas.

Una importante e interesante diferencia entre semiconductores y conductores es su reacción ante la aplicación de calor.
Los materiales semiconductores presentan un nivel incrementado de conductividad con la aplicación de calor. Conforme se
eleva la temperatura, un mayor número de electrones de valencia absorben suficiente energía térmica para romper el enlace
covalente y así contribuir al número de portadores libres.
Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo.

3. Bandas de energía
La capa de valencia de un átomo representa una banda de niveles de energía, en la que los electrones de valencia están
confinados. Cuando un electrón adquiere suficiente energía adicional puede abandonar la capa de valencia, convertirse en un
electrón libre y existir en lo que se conoce como banda de conducción.
La diferencia de energía entre la banda de valencia y la banda de conducción se llama banda prohibida. Ésta es la cantidad de
energía que un electrón de valencia debe tener para saltar de la banda de valencia a la de conducción. Una vez en la banda de
conducción, el electrón es libre de moverse por todo el material y no queda enlazado a ningún átomo dado.
Los aislantes tienen una banda prohibida muy ancha. la banda de conducción está vacía. Al no tener ningún electrón con ese
nivel de energía, el aislador no conduce corriente eléctrica cuando se le aplica una tensión eléctrica en sus extremos. Los
electrones de valencia no saltan a la banda de conducción excepto en condiciones de ruptura en las que se aplican voltajes
extremadamente altos a través del material. Los semiconductores tienen una banda prohibida mucho más angosta, la cual
permite que algunos átomos de valencia salten a la banda de conducción y se conviertan en electrones libres. La acción de la
temperatura y la luz puede provocar el salto de algunos de los electrones de valencia y pasar a la conducción. Las bandas de
energía en conductores se traslapan. En un material conductor metálico siempre existe un mayor número de electrones de
valencia que electrones libres.
Un electrón en la banda de valencia de silicio debe absorber más energía que uno en la banda de valencia de germanio para
convertirse en portador libre. Asimismo, un electrón en la banda de valencia de arseniuro de galio debe absorber más energía
que uno en la de silicio o germanio para entrar a la banda de conducción.
Esta diferencia en los requerimientos de las brechas de energía revela la sensibilidad de cada tipo de semiconductor a los
cambios de temperatura.
La brecha de energía también revela qué elementos son útiles en la construcción de dispositivos emisores de luz como diodos
emisores de luz (LED). Cuanto más ancha es la brecha de energía, mayor es la posibilidad de que la energía se libere en forma de
ondas luminosas visibles o invisibles (infrarrojas).
3.1. Electrones de conducción y huecos
Un cristal de silicio intrínseco (puro) a temperatura ambiente tiene energía calorífica (térmica) suficiente para que algunos
electrones de valencia salten la banda prohibida desde la banda de valencia hasta la banda de conducción, convirtiéndose así en
electrones libres, que también se conocen como electrones de conducción.

Cuando un electrón salta a la banda de conducción, deja un espacio vacío en la banda de valencia dentro del cristal. Este espacio
vacío se llama hueco. Por cada electrón elevado a la banda de conducción por medio de energía externa queda un hueco en la
banda de valencia y se crea lo que se conoce como par electrón-hueco; ocurre una recombinación cuando un electrón de banda
de conducción pierde energía y regresa a un hueco en la banda de valencia.
A partir de esta vacante al núcleo lo rodea un electrón de menos produciéndose una carga neta “positiva”.

4. Materiales extrínsecos: materiales tipo “n” y tipo “p”

Las características de un material semiconductor se pueden modificar de manera significativa con la adición de átomos de
impureza específicos al material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas pueden alterar la estructura de las bandas
lo suficiente para cambiar del todo las propiedades eléctricas del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como material extrínseco.
Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de dispositivos semiconductores: materiales tipo
“n” y tipo “p”.
4.1. Material tipo n
Tanto los tipos N como P se forman agregando un número predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio.
El tipo N se crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el
antimonio, el arsénico y el fósforo.

Los cuatros enlaces covalentes permanecen. Existe, sin embargo, un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza, el
cual no está asociado con cualquier enlace covalente particular. Este electrón restante está en cierto modo libre para moverse
dentro del material tipo N recién formado. El átomo de impureza insertado ha donado un electrón relativamente “libre” a la
estructura.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como átomos donadores.
El material tipo N, sigue siendo eléctricamente neutro.
Efecto de este proceso de dopado en la conductividad relativa (figura siguiente): un nivel de energía discreto (llamado nivel
donador) aparece en la banda prohibida con una Eg significativamente menor que la del material intrínseco. Los electrones
libres creados por la impureza agregada se establecen en este nivel de energía y absorben con menos dificultad una cantidad
suficiente de energía térmica para moverse en la banda de conducción a temperatura ambiente. El resultado es que, a
temperatura ambiente, hay un gran número de electrones en el nivel de conducción y la conductividad del material se
incrementa de manera significativa.

4.2. Material tipo p

Se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con átomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los más
utilizados son boro, galio e indio.

Ahora el número de electrones es insuficiente para completar las bandas covalentes de la estructura recién formada. El vacío
resultante se llama hueco. El vacío resultante aceptará con facilidad un electrón libre:
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman átomos aceptores.
El material tipo p es eléctricamente neutro.
4.3. Flujo de electrones contra flujo de huecos
Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía cinética para romper su enlace covalente y llenar el vacío creado por un
hueco, entonces se creará un vacío o hueco en la banda covalente que cedió el electrón. Existe, por consiguiente, una
transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha. La dirección que se utilizará es la del flujo
convencional, la cual está indicada por la dirección del flujo de huecos.

4.4. Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o Si se debe sólo a los electrones en la banda de valencia que
adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas o luminosas para romper la banda covalente o a las impurezas que no
pudieron ser eliminadas. Los vacíos que quedan en la estructura de enlace covalente representan una fuente muy limitada de
huecos. En
un material tipo N, el número de huecos no cambia significativamente con respecto a este nivel intrínseco. El resultado neto, por
consiguiente, es que el número de electrones sobrepasa por mucho al de huecos.
En un material tipo n el electrón se llama portador mayoritario y el hueco portador minoritario.

En el material tipo p el número de huecos excede por mucho al de electrones.

En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario.
Cuando el quinto electrón de un átomo donador abandona el átomo padre, el átomo que queda adquiere una carga positiva
neta: de ahí el signo más en la representación de ion donador. Por las mismas razones, el signo menos aparece en el ion aceptor.
Los materiales tipo N y P representan los bloques de construcción básicos de los dispositivos semiconductores.

5. Diodo semiconductor
El diodo semiconductor se crea uniendo un material tipo N a un material tipo P, nada más que eso; sólo la unión de un material
con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos.
5.1. Características físicas de la unión PN
5.1.1. Difusión
Cuando la unión se forma, debido al gradiente de portadores de carga se produce el proceso de difusión.
Difusión: corriente de portadores que cruzan la juntura, dejando a cada lado de esta los iones de los átomos del cristal (iones
positivos del lado N y negativos del lado P).
5.1.2. Formación de la región de empobrecimiento
Los electrones libres en la región N se mueven aleatoriamente en todas direcciones. En el instante en que se forma la unión PN,
los electrones libres que se encuentran cerca de la unión en la región N comienzan a difundirse a través de la unión hacia la
región P, donde se combinan con los huecos que se encuentran cerca de la unión, como se muestra en la figura (b).
Cuando se forma la unión PN, la región N pierde electrones libres a medida que se difunden a través de la unión. Esto crea una
capa de cargas positivas (iones pentavalentes) cerca de la unión. A medida que los electrones se mueven a través de ésta, la
región P pierde huecos a medida que los electrones y huecos se combinan. Esto crea una capa de cargas negativas (iones
trivalentes) cerca de la unión. Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la región de empobrecimiento.
El término empobrecimiento se refiere al hecho de que la región cercana a la unión PN se queda sin portadores de carga
(electrones y huecos) debido a la difusión a través de la unión. Tenga en cuenta que la región de empobrecimiento se forma
muy rápido y que es muy delgada en comparación con la región N y la región P.
Se llega a un punto donde la carga negativa total en la región de empobrecimiento repele cualquier difusión adicional de
electrones
(partículas cargadas negativamente) hacia la región P (las cargas iguales se repelen) y la difusión se detiene. En otras palabras, la
región de empobrecimiento actúa como barrera ante el movimiento continuado de electrones a través de la unión.

En el equilibrio y sin un campo eléctrico externo aplicado a la juntura, la corriente neta que atraviesa la juntura es igual a cero.
Se habla de corriente “neta” ya que igual existen corrientes debidas a portadores minoritarios generados térmicamente y la de
difusión de portadores mayoritarios.
5.1.2.1. Barrera de potencial
En la región de empobrecimiento existen muchas cargas positivas y muchas cargas negativas en los lados opuestos de la unión
PN. Las fuerzas entre las cargas opuestas forman un campo eléctrico, como se indica en la figura (b). Este campo eléctrico es una
barrera para los electrones libres en la región N y se debe consumir energía para mover un electrón a través del campo eléctrico.
La diferencia de potencial del campo eléctrico a través de la región de empobrecimiento es la cantidad de voltaje requerido para
mover electrones a través del campo eléctrico. Esta diferencia de potencial se llama potencial de barrera y se expresa en volts.
Expresado de otra manera, se debe aplicar una cierta cantidad de voltaje igual al potencial de barrera y con la polaridad
apropiada
a través de una unión PN para que los electrones comiencen a fluir a través de la unión.
El potencial de barrera de una unión PN depende de varios factores, incluido el tipo de material semiconductor, la cantidad de
dopado y la temperatura.

5.2. Unión o Juntura PN: Sin polarización

Como se mencionó anteriormente, en el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la región
de la unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la región próxima a la unión formando la ya
mencionada zona de empobrecimiento.
Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material, se produce un dispositivo de dos terminales. Se dispone
entonces de tres opciones: sin polarización, polarización en directa y polarización en inversa. El término polarización se refiere a
la aplicación de un voltaje externo a través de las dos terminales del dispositivo para extraer una respuesta.

En condiciones sin polarización, cualesquier portadores minoritarios (huecos) del material tipo N localizados en la región de
empobrecimiento por cualquier razón pasarán de inmediato al material P. Cuanto más cerca de la unión esté el portador
minoritario, mayor será la atracción de la capa de iones negativos y menor la oposición ofrecida por los iones positivos en la
región de empobrecimiento del material tipo N. Concluiremos que cualesquier portadores minoritarios del material tipo N
localizados en la región de empobrecimiento pasarán directamente al material tipo P.
Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo N deben vencer las fuerzas de atracción de la capa de iones positivos
en el material tipo N y el escudo de iones negativos en el material tipo P para que emigren al área más allá de la región de
empobrecimiento del material tipo P. Sin embargo, el número de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo N
que invariablemente habrá un menor número de portadores mayoritarios con suficiente energía cinética para que atraviesen la
región de empobrecimiento hacia el material P.
Se puede aplicar el mismo tipo de planteamiento a los portadores mayoritarios (huecos) del material tipo P.
Sin ninguna polarización aplicada a través de un diodo semiconductor, el flujo neto de carga en una dirección es cero.
La corriente en condiciones sin polarización es cero.
5.3. Unión o Juntura PN: Polarización inversa – PI (VD < 0V)
Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión PN con la terminal positiva conectada al material tipo N y la
negativa conectada al material tipo P.
El número de iones positivos revelados en la región de empobrecimiento del material tipo N se incrementará por la gran
cantidad de electrones libres atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el número de iones
negativos no revelados se incrementará en el material tipo P. El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la
región de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios la puedan superar,
por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero.
Sin embargo, el número de portadores minoritarios que entran a la región de empobrecimiento no cambia.
La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de saturación en inversa y está representada por Is.

La corriente de saturación en inversa rara vez es de más de algunos microamperes, excepto en el caso de dispositivos de alta
potencia. En los últimos años, su nivel se encuentra en el intervalo de los nanoamperes en dispositivos de silicio.
5.4. Unión o Juntura PN: Polarización directa – PD (VD > 0V)
Se establece aplicando el potencial positivo al material tipo P y el potencial negativo al tipo N.

La aplicación de un potencial de polarización en directa VD “presionará” a los electrones en el material tipo N y a los huecos en
el material tipo P para que se recombinen con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de la región de empobrecimiento.
El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo P al material tipo N (y de huecos del material tipo N
al tipo P) no cambia de magnitud, aunque la reducción del ancho de la región de empobrecimiento produjo un intenso flujo de
portadores mayoritarios a través de la unión.
Un electrón del material tipo P ahora “ve” una barrera reducida en la unión debido a la región de empobrecimiento reducida y a
una fuerte atracción del potencial positivo aplicado al material tipo P. En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización
aplicada, el ancho de la región de empobrecimiento continuará reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar
la unión, lo que produce un crecimiento exponencial de la corriente como se muestra en la región de polarización en directa.

Se puede demostrar que las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente
ecuación, conocida como ecuación de Shockley, para las regiones de polarización en directa y en inversa:
VD
( nVT
I D =I S e −1 )
I S: corriente de saturación en inversa.
V D: voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo.
n: factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y construcción física; varía entre 1 y 2 según una
amplia diversidad de factores.
V T : voltaje térmico.
kT
V T=
q
k : constante de Boltzmann 1.38 x 10−23 J / K
T : temperatura absoluta en Kelvin
q : magnitud de la carga del electrón 1.6 x 10−19 C

Teóricamente, con todo perfecto, las características de un diodo de silicio deben ser como las muestra la línea punteada. Sin
embargo, los diodos de silicio comerciales se desvían de la condición ideal por varias razones, entre ellas la resistencia de
“cuerpo” interna y la resistencia de “contacto” externa de un diodo. Cada una contribuye a un voltaje adicional con el mismo
nivel de corriente, como lo determina la ley de Ohm, lo que provoca el desplazamiento hacia la derecha.
La dirección definida de la corriente convencional en la región de voltaje positivo corresponde a la punta de flecha del símbolo
de diodo.
Es particularmente interesante observar que la corriente de saturación en inversa de la unidad comercial es notoriamente
mayor que la de I S en la ecuación de Shockley. Esto se debe a efectos que no están incluidos en la ecuación de Shockley, como
la generación de portadores en la región de empobrecimiento y corrientes de fuga superficiales, las cuales son sensibles al área
de contacto en la unión.
5.5. Región Zener
Hay un punto donde la aplicación de un voltaje demasiado negativo producirá un cambio abrupto de las características, como se
muestra en la figura.
La corriente se incrementa muy rápido en una dirección opuesta a la de la región de voltaje positivo. El potencial de polarización
en inversa que produce este cambio dramático de las características se llama potencial Zener V Z .
A medida que se incrementa el voltaje a través del diodo en la región de polarización en inversa, también se incrementará la
velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturación en inversa I S . Con el tiempo, su velocidad y

energía cinética asociada (W = 12 m v )

K
2
serán suficientes para liberar más portadores por colisiones con otras estructuras

atómicas que de lo contrario serían estables. Es decir, se producirá un proceso de ionización por medio del cual los electrones de
valencia absorben suficiente energía para abandonar el átomo padre. Estos portadores adicionales pueden ayudar entonces al
proceso de ionización al punto en que se establece una corriente de avalancha y determina la región de ruptura de avalancha.
Este cambio abrupto de la característica a cualquier nivel se llama región Zener y los diodos que emplean esta parte única de la
característica de una unión PN se llaman diodos Zener.
El máximo potencial de polarización en inversa que se puede aplicar antes de entrar a la región Zener se llama voltaje inverso
pico (conocido como valor PIV) o voltaje de reversa pico (denotado como valor PRV).
Si una aplicación requiere un valor PIV mayor que el de una sola unidad, se pueden conectar en serie varios diodos de las
mismas características. Los diodos también se conectan en paralelo para incrementar la capacidad de llevar corriente.
A una temperatura fija, la corriente de saturación en inversa de un diodo se incrementa con un incremento de la polarización
en inversa aplicada.
5.6. Ge, Si y GaAs

Los desplazamientos de las curvas se deben a la cantidad de e- de los átomos: Ge>Si>GaAs.

Menor energía para romper enlace (cuanto más lejos e- del núcleo).
Cuando se consideran los niveles de las corrientes de saturación en inversa y los voltajes de ruptura, el Ge ciertamente sobresale
porque tiene las características mínimas deseables.
Una de las características más importantes que aporta cada elemento es la tensión umbral o de rodilla (V K ).
5.7. Efectos de la temperatura
Puede tener un marcado efecto en las características de un diodo semiconductor como lo demuestran las características de un
diodo de silicio mostradas en la figura.
En la región de polarización en directa las características de un diodo de silicio se desplazan a la izquierda a razón de 2.5 mV
por grado centígrado de incremento de temperatura.
En la región de polarización en inversa la corriente de saturación en inversa de un diodo de silicio se duplica por cada 10°C de
aumento de la temperatura.
Es importante señalar:
El voltaje de saturación en inversa de un diodo semiconductor se incrementará o reducirá con la temperatura según el
potencial Zener.
5.8. Lo ideal vs. Lo práctico
Vimos que la unión PN permite un flujo abundante de carga cuando da una polarización en directa, y un nivel muy pequeño de
corriente cuando la polarización es en inversa.
Una analogía utilizada con frecuencia para describir el comportamiento de un diodo semiconductor es un interruptor mecánico.

El diodo semiconductor se comporta como un interruptor mecánico en el sentido de que puede controlar el flujo de corriente
entre sus dos terminales.
También es importante tener en cuenta que:
El diodo semiconductor es diferente del interruptor mecánico en el sentido de que cuando éste se cierra sólo permite que la
corriente fluya en una dirección.
Idealmente, para que el diodo semiconductor se comporte como un cortocircuito en la región de polarización en directa, su
resistencia deberá ser de 0 [ Ω ] . En la región de polarización en inversa su resistencia deberá ser de ∞ [ Ω ]para representar el
equivalente a un circuito abierto.
A cualquier nivel de corriente sobre la línea vertical, el voltaje a través del diodo ideal es de 0 [ V ] y la resistencia es de 0 [ Ω ] .

Como la corriente es de 0 [ mA ] en cualquier parte de la línea horizontal, la resistencia es de ∞ [ Ω ]en cualquier punto del eje.
Para la unidad comercial en la región de polarización en directa, habrá una resistencia asociada con el diodo de más de 0 [ Ω ] .
Sin embargo, si la resistencia es lo bastante pequeña comparada con los otros resistores de la red conectados en serie con el
diodo, a menudo es una buena aproximación suponer que la resistencia de la unidad comercial es de 0 [ Ω ] . En la región de
polarización en inversa, si suponemos que la corriente de saturación en inversa es tan pequeña que puede ser aproximada a
0 [ mA ] , tenemos la misma equivalencia de circuito abierto provista por el interruptor abierto.
Existen suficientes similitudes entre el interruptor ideal y el diodo semiconductor que lo hacen ser un dispositivo electrónico
eficaz.
5.9. Niveles de resistencia
A medida que el punto de operación de un diodo se mueve de una región a otra, su resistencia también cambia debido a la
forma no lineal de la curva de características.
5.9.1. Resistencia de CD o estática
La aplicación de un voltaje CD produce un punto de operación en la curva de características que no cambia con el tiempo. La
resistencia del diodo en el punto de operación se halla determinando los niveles correspondientes de V D e I D .
VD
R D=
ID

Los niveles de resistencia en la región de polarización en inversa son por naturaleza bastante altos.
En general, por consiguiente, cuanto mayor sea la corriente a través de un diodo, menor será el nivel de resistencia de CD.
5.9.2. Resistencia de CA o dinámica
Si se aplica una entrada senoidal en lugar de una de CD, la situación cambiará por completo. La entrada variable moverá el punto
de operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo de una región de las características, y por lo tanto define un cambio
específico de la corriente y voltaje.
Sin ninguna señal variable aplicada, el punto de operación sería el punto Q que aparece en la figura, determinado por los niveles
de CD aplicados.

Una línea recta trazada tangente a la curva por el punto Q definirá un cambio particular del voltaje y corriente que se puede
utilizar para determinar la resistencia de CA en esta región de las características del diodo. Se deberá hacer un esfuerzo por
mantener el cambio de voltaje y corriente lo más pequeño posible y equidistante a ambos lados del punto Q.

ΔV d
rd = ; Δ indica un cambio finito de la cantidad
Δ Id
Cuanto más inclinada sea la pendiente menor es la resistencia.
En general, por consiguiente, cuanto más bajo esté el punto de operación (menor corriente o menor voltaje), más alta es la
resistencia de CA.
La ecuación implica que la resistencia dinámica se determina con sólo sustituir el valor quiescente de la corriente de diodo en la
ecuación.
Es importante tener en cuenta que la ecuación es precisa sólo con valores de I D en la sección de levantamiento vertical de la
curva.
Todos los niveles de resistencia determinados hasta ahora fueron definidos por la unión PN y no incluyen la resistencia del
material semiconductor propiamente dicho (llamada resistencia del cuerpo) y la resistencia introducida por la conexión entre el
material semiconductor y el conductor metálico externo (llamada resistencia de contacto). Estos niveles de resistencia
adicionales se pueden incluir en la ecuación agregando una resistencia denotada r B.
5.9.3. Resistencia de CA promedio
Si la señal de entrada es suficientemente grande para producir una amplia variación la resistencia asociada con el dispositivo en
esta región se llama resistencia de CA promedio. La resistencia de CA promedio es, por definición, la resistencia determinada por
una línea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores máximo y mínimo del voltaje de entrada.

ΔV d
r prom =
ΔId |
PUNTO A PUNTO

Como con los niveles de resistencia de CD y CA, cuanto más bajo sea el nivel de las corrientes utilizadas para determinar la
resistencia promedio, más alto será el nivel de resistencia.
5.10. Circuitos equivalentes del diodo
Un circuito equivalente es una combinación de elementos apropiadamente seleccionados para que representen mejor las
características terminales reales de un dispositivo o sistema en una región de operación particular.
5.10.1. Circuito lineal equivalente por segmentos
Los segmentos de línea recta no duplican con exactitud las características reales, sobre todo en la región acodada. Sin embargo,
los segmentos resultantes son suficientemente parecidos a la curva real como para establecer un circuito equivalente que
producirá una excelente primera aproximación del comportamiento real del dispositivo.
El diodo ideal se incluye para establecer que sólo hay una dirección de conducción a través del dispositivo, y una situación de
polarización en inversa producirá el estado de circuito abierto del dispositivo. Como un diodo semiconductor de silicio no
alcanza el estado de conducción hasta que V D alcanza 0.7 V con una polarización en directa.
Debe aparecer una batería V K opuesta a la dirección de conducción en el circuito equivalente.
Cuando se establezca la conducción, la resistencia del diodo será el valor especificado de r prom .

5.10.2. Circuito equivalente simplificado

En la mayoría de las aplicaciones, la resistencia r prom es suficientemente pequeña para ser ignorada en comparación con los
demás elementos de la red. La eliminación de r prom del circuito equivalente es lo mismo que suponer que las características del
diodo son las que se muestran en la figura.

5.10.3. Circuito equivalente ideal

Establezcamos que el nivel de 0.7 V con frecuencia puede ser ignorado en comparación con el nivel de voltaje aplicado. En este
caso el circuito equivalente se reducirá al de un diodo ideal.
 5.11. Capacitancias de difusión y transición
Es de suma importancia tener presente que:
Todo dispositivo electrónico o eléctrico es sensible a la frecuencia.
En el diodo semiconductor p-n hay dos efectos capacitivos que tienen que ser considerados. Ambos tipos de capacitancia están
presentes en las regiones de polarización en directa y en inversa, pero uno predomina sobre el otro en cada región por lo que
consideramos los efectos de sólo uno en cada región.
En la región de polarización en inversa tenemos la capacitancia de transición o de región de empobrecimiento (CT) en tanto
que en la región de polarización en directa tenemos la capacitancia de almacenamiento o difusión (CD).
En el diodo los niveles de capacitancia parásita son los que tienen un mayor efecto.

5.12. Tiempo de recuperación en inversa (t rr )

En el estado de polarización en directa ya antes se demostró que hay una gran cantidad de electrones del material tipo N que
avanzan a través del material tipo P y una gran cantidad de huecos en el material tipo N, lo cual es un requisito para la
conducción. Los electrones en el material tipo P y los huecos que avanzan a través del material tipo N establecen una gran
cantidad de portadores minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado se tiene que invertir para establecer una situación de
polarización en inversa, nos gustaría ver que el diodo cambia instantáneamente del estado de conducción al de no conducción.
Sin embargo, por el gran número de portadores minoritarios en cada material, la corriente en el diodo se invierte como se
muestra en la figura y permanece en este nivel medible durante el intervalo t s (tiempo de almacenamiento) requerido para que
los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. En esencia, el diodo
permanece en el estado de cortocircuito con una corriente I inversa determinada por los parámetros de la red. Con el tiempo,
cuando esta fase de almacenamiento ha pasado, el nivel de la corriente se reduce al nivel asociado con el estado de no
conducción. Este segundo lapso está denotado por t t (intervalo de transición). El tiempo de recuperación en inversa es la suma
de estos dos intervalos: t rr =t s +t t
La mayoría de los diodos de conmutación comerciales tienen un t rr en el intervalo de algunos nanosegundos a 1 ms.

5.13. Parámetros eléctricos suministrados por fabricantes

 El voltaje en directa V F (a una corriente y temperatura especificadas).
 La corriente máxima en directa I F (a una temperatura especificada).
 La corriente de saturación en inversa I R (a un voltaje y temperatura especificados).
 El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR)] a una temperatura especificada.
 El nivel de disipación de potencia máximo a una temperatura particular.
 P Dmax=V D I D
Corriente y voltaje en el diodo en un punto de operación particular.
Pdisipada ≅ ( 0.7 V ) I D

 Niveles de capacitancia.
 Tiempo de recuperación en inversa t rr.
 Intervalo de temperatura de operación

6. Análisis por medio de la recta de carga

Normalmente para un análisis rápido de un circuito con diodos se asume que este es ideal, es decir que se utiliza la primera o la
segunda aproximación del diodo. Sin embargo, para hacer un análisis con la curva real del diodo se puede utilizar un
procedimiento basado en la recta de carga del circuito.

La intersección de las dos curvas definirá la solución para la red, así como los niveles de corriente y voltaje.
Las intersecciones de la recta de carga con las características del diodo se determinan aplicando la ley de mallas de Kirchhoff:
E=V D + I D R

Las intersecciones de la recta de carga con los ejes haciendo para el eje horizontal I D =0 [A], y para el eje vertical V D=0 [V].
E
I D=
R |
VD =0V
V D= E|ID=0 A

7. Diodos especiales
7.1. Diodos Zener
Un diodo Zener es un dispositivo de silicio con unión PN diseñado para operar en la región de ruptura en inversa. El voltaje de
ruptura de un diodo Zener se ajusta controlando cuidadosamente el nivel de dopado durante su fabricación. Recuerde, de
cuando analizamos la curva característica de diodo que cuando un diodo alcanza la ruptura en inversa (−V ZK ) su voltaje
permanece casi constante aun cuando la corriente inversa aumente drásticamente (se produce la “ruptura de la juntura”);
dentro de ciertos límites de corriente inversa, esta ruptura no es destructiva. Ésta es la clave para la operación de un diodo
Zener; la región normal de operación de diodos Zener se muestra como un área sombreada.
La corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a la de un diodo polarizado en directa.

Para el diodo Zener la dirección de conducción es opuesta a la de la flecha del símbolo, como se señaló anteriormente.
Por sus excelentes capacidades de corriente y temperatura, el silicio es el material preferido en la fabricación de diodos Zener.
Como algunas aplicaciones de los diodos Zener oscilan entre la región Zener y la región de polarización en directa, es importante
entender la operación del diodo Zener en todas las regiones. Como se muestra en la figura:

7.1.1. Características de temperatura

La tensión de ruptura es función de la temperatura. Esta dependencia se especifica, mediante el coeficiente de temperatura,
definido como “el cambio de la tensión de referencia (%) por grado centígrado de variación de la temperatura”.
El potencial Zener de un diodo Zener es muy sensible a la temperatura de operación.
Se puede utilizar el coeficiente de temperatura para determinar el cambio del potencial Zener debido a un cambio de
temperatura por medio de la siguiente ecuación:
Δ V Z /V Z
T C= ∗100 %/° C [ % /° C ]
T 1−T 0
T 1: nuevo nivel de temperatura
T 0: temperatura ambiente en un gabinete cerrado (25°C)
T C: coeficiente de temperatura
V Z :potencial Zener nominal a 25°C
7.1.2. Mecanismo de ruptura
Los diodos Zener se diseñan para operar en condición de ruptura en inversa; en un diodo tal, los dos tipos de ruptura en inversa
son la de avalancha y Zener.
7.1.2.1. Por avalancha
−¿¿
Los e adquieren suficiente energía a partir del potencial aplicado, produciéndose la ruptura de enlaces. Estos colisionan con
otros, liberando sus enlaces. Este proceso se denomina “multiplicación por avalancha”.
7.1.2.2. Por efecto Zener
Ocurre en un diodo Zener a voltajes en inversa bajos. Un diodo Zener se dopa en exceso para reducir el voltaje de ruptura; esto
crea una región de empobrecimiento muy estrecha. En consecuencia, existe un intenso campo eléctrico adentro de la región de
empobrecimiento. Cerca del voltaje de ruptura Zener ( V ZK ), el campo es suficientemente intenso para jalar electrones de sus
bandas de valencia y crear corriente.
Los diodos Zener con voltajes de ruptura de menos 6 [V] operan predominantemente en ruptura Zener. Aquellos con voltajes de
más de 5 V operan predominantemente en ruptura de avalancha.
7.1.3. Construcción del Zener
Un diodo Zener está construido, dopando fuertemente las regiones P y N de la juntura PN.
Si la disipación de energía en el Zener no excede algún valor máximo permitido, determinado por el tamaño, forma y capacidad
de disipación de calor del Zener, el proceso de ruptura inversa no es catastrófica.
7.1.4. Resistencia dinámica
En la zona de ruptura, rd no es constante, sino que se va incrementado levemente, con el aumento de la corriente inversa. La
“resistencia dinámica del diodo Zener” está dada por rd = VZ/IZ.
Este valor suele estar comprendido en aprox. 5Ω para Zener con tensiones de ruptura de alrededor de los 6 [V] y se incrementa
para tensiones de ruptura mayores y menores a 6 [V].
7.2. Diodo Schottky
Son diodos de alta corriente utilizados principalmente en aplicaciones de alta frecuencia y conmutación rápida. Tienen un nivel
de energía más alto de los electrones de la región N comparado con aquellos de la región metálica.
Uniendo una región de semiconductor dopada (normalmente de tipo N) con un metal tal como oro, plata o platino se forma un
diodo Schottky. En lugar de una unión PN existe una unión de metal a semiconductor, como lo muestra la figura.

La caída de voltaje de polarización directa normalmente es de alrededor de 0.3 [V] porque no hay región de empobrecimiento
como en el diodo de unión PN.
El diodo Schottky opera sólo con portadores mayoritarios. No hay portadores minoritarios y por lo tanto nada de corriente de
fuga en inversa como en otros tipos de diodos. La región metálica está excesivamente ocupada con electrones de banda de
conducción y la región semiconductora de tipo N está ligeramente dopada. Cuando se polariza en directa, los electrones de alta
energía presentes en la región N son inyectados a la región metálica donde rápidamente ceden su exceso de energía. Como no
hay portadores minoritarios, como en un diodo rectificador convencional, responde muy rápido a un cambio de polarización.
Es un diodo de conmutación rápida y la mayoría de sus aplicaciones utilizan esta propiedad.
7.3. Diodos emisores de luz (LED)
Es un diodo que emite luz visible o invisible (infrarroja) cuando se energiza. En cualquier unión PN polarizada en directa se da,
dentro de la estructura y principalmente cerca de la unión, una recombinación de huecos y electrones. Esta recombinación
requiere que la energía procesada por los electrones libres se transforme en otro estado. En todas las uniones PN
semiconductoras una parte de esta energía se libera en forma de calor y otra en forma de fotones.
En diodos de Si y Ge el mayor porcentaje de la energía convertida durante la recombinación en la unión se disipa en forma de
calor dentro de la estructura y la luz emitida es insignificante.
Por esta razón, el silicio y el germanio no se utilizan en la construcción de dispositivos LED. Por otra parte:
Los diodos construidos de GaAs emiten luz en la zona infrarroja (invisible) durante el proceso de recombinación en la unión
PN.
En la figura siguiente aparece la construcción básica de un LED con el símbolo estándar utilizado para el dispositivo.

La superficie metálica conductora externa conectada al material tipo P es más pequeña para permitir la salida del máximo de
fotones de energía luminosa cuando el dispositivo se polariza en directa. La recombinación de los pares e-/h+ producida por la
unión polarizada en directa, produce la emisión de fotones (de una sola long. de onda) en el sitio de la recombinación. Habrá,
desde luego, algo de absorción de los paquetes de energía de fotones en la estructura misma, pero se puede liberar un gran
porcentaje.
Los electrones libres que están en la banda de conducción, con un nivel energético alto, al pasar a la banda de los enlaces
covalentes, lo hacen cediendo energía en forma luminosa.
La intensidad luminosa de un LED se incrementará con la corriente en directa hasta que se alcanza un punto de saturación
donde cualquier incremento adicional de la corriente no incrementa de forma efectiva el nivel de iluminación.
Una de las mayores preocupaciones cuando se utiliza un LED es el voltaje de ruptura de polarización en inversa, el cual suele
oscilar entre 3 [V] y 5 [V] (un dispositivo ocasional tiene un nivel de 10 [V]).
La potencia óptica de salida está relacionada con la corriente directa:
Popt =ε∗I d
mW μW
ε : emisividad del diodo en [ ][ ]
mA
VD
o
mA
Recordemos: (
I D =I S e
nVT
−1 )
8. Transistores bipolares – BJT
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo N y una de material tipo P o
de dos capas de material tipo P y una de material tipo N. El primero se llama transistor NPN y el segundo transistor PNP.
Los terminales se llaman emisor, base y colector.
El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente en la estructura de
transistor.

La unión PN que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-emisor. La unión PN que une la región de la
base y la región del colector se llama unión base-colector.
La región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del emisor, excesivamente
dopada, y la del colector, moderadamente dopada.
La figura siguiente muestra los símbolos esquemáticos para los transistores NPN y PNP.

Su característica V-I no se puede describir a través de una sola ecuación matemática o gráfica. Pero es posible describir
totalmente un dispositivo de tres terminales, considerando solamente dos de sus pares de terminales:
 Conexión al circuito de entrada.
 Conexión al circuito de salida.

Si variamos la V o I en el terminal “A”, podemos modificar la relación V-I existente entre los terminales “B” y “C”. Esto permite la
amplificación, conmutación y control.
8.1. Operación del transistor BJT
Se describe la operación básica del transistor NPN. Para PNP es exactamente la misma con los roles de los electrones y huecos
intercambiados.
La unión p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa.
Para entender cómo opera un transistor, veamos lo que sucede en el interior de la estructura NPN. La región del emisor de tipo
N excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los electrones de banda de conducción (libres), como muestra la
figura.
Estos electrones libres se difunden con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base de tipo P
muy delgada y levemente dopada (flecha ancha). La base tiene una baja densidad de huecos, los cuales son los portadores
mayoritarios, representados por los puntos blancos. Un pequeño porcentaje del número total de electrones libres se va hacia la
base, donde se recombinan con huecos y se desplazan como electrones de valencia a través de la base hacia el emisor como
corriente de huecos, como lo indican las flechas negras.
Cuando los electrones que se recombinaron con huecos como electrones de valencia abandonan la estructura cristalina de la
base, se transforman en electrones libres en el conductor de la base metálica y producen la corriente de base externa. La
mayoría de los electrones libres que entraron a la base no se recombinan con huecos porque es muy delgada. A medida que los
electrones libres se desplazan hacia la unión BC polarizada en inversa, son arrastrados a través del colector por la atracción del
voltaje de alimentación positivo del colector.
La razón de la facilidad relativa con que los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión polarizada en inversa es fácil de
entender si consideramos que en el caso del diodo polarizado en inversa los portadores mayoritarios inyectados aparecerán
como portadores minoritarios en el material tipo N. En otras palabras, ha habido una inyección de portadores minoritarios en el
material tipo P de la región de la base.
Los electrones libres se desplazan a través del colector hacia el circuito externo y luego regresan al emisor junto con la corriente
de base.

Aplicando Kirchoff vemos que:

I E =I C + I B

La corriente del colector consta de dos componentes, los portadores mayoritarios y los minoritarios. El componente de corriente
de portadores minoritarios se llama corriente de fuga y se le da el símbolo I CO.
I C =I C−mayoritarios + I CO−minoritarios
I COes sensible a la temperatura y hay que examinarla con cuidado cuando se consideren aplicaciones de amplios intervalos de
temperatura. Puede afectar severamente la estabilidad de un sistema a alta temperatura si no se considera como es debido.
 8.2. Configuraciones del transistor bipolar
Posee tres configuraciones respecto a su conexión con los circuitos de entrada y salida.

8.2.1. Configuración base común

La base es común al circuito de entrada y salida. Además, la base por lo general es el terminal más cercano al potencial de tierra.

La flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.
Características:
 Z ebaja (decenas a centenas de Ω )  Ai próximo a 1
 Z oalta (centenas de kΩ )  A p buena ganancia de potencia
 AV alta
Para describir este tipo de amplificadores, se requieren dos conjuntos de características (parámetros de entrada y parámetros
de salida).

El conjunto de entrada para el amplificador en base común relaciona una corriente de entrada ( I E ) con un voltaje de entrada (
V BE ) para varios niveles de voltaje de salida (V CB).
El conjunto de salida relaciona una corriente de entrada ( I C) con un voltaje de salida ( V CB) para varios niveles de corriente de
entrada ( I E ). La salida ofrece tres regiones básicas de interés; las regiones activa, de corte y saturación. La primera es la región
que normalmente se emplea para amplificadores lineales (sin distorsión).
En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto que la unión colector-base se polariza en inversa.
En el extremo inferior de la región activa la corriente en el emisor ( I E ) es cero y el colector es simplemente el que produce la
corriente de saturación en inversa I CO.
Observe que a medida que la corriente en el emisor se incrementa por encima de cero, la corriente del colector aumenta a una
magnitud igual en esencia a la de la corriente del emisor. Una primera aproximación a la relación de I E e I C en la región activa
está dada por:
IE ≅ IC
La región de corte se define como aquella donde la corriente en el colector es de 0 [A].
En la región de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se polarizan en inversa.
La región de saturación se define como aquella región de las características a la izquierda de V CB =0. Observe el incremento
exponencial de la corriente del colector al incrementarse el voltaje V CB hacia 0 [V].
En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en directa.
8.2.1.1. Alfa
En el modo CD los niveles de I C e I E (niveles de corriente en el punto de operación) originados por los portadores mayoritarios
están relacionados por una cantidad llamada alfa.
IC
α CD =
IE
Para situaciones de ca, donde el punto de operación cambia de lugar en la curva de las características:
ΔI C
α CA =
Δ IE |
V CB =cte
El alfa de ca se llama formalmente factor de amplificación en cortocircuito en base común.
8.2.2. Configuración emisor común
Es la configuración de transistor que más frecuentemente se encuentra. Se llama configuración en emisor común porque el
emisor es común o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida.
Esta configuración se emplea para amplificar voltaje (A v), corriente (Ai) o potencia (Ap).
Z¿ : alta del orden de los KΩ
ZOUT : alta del orden de las decenas de KΩ

Nuevamente, se requieren dos conjuntos de características para describir plenamente el comportamiento de la configuración en
emisor común: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-emisor.

las relaciones de corriente previamente desarrolladas para la configuración en base común siguen siendo válidas. Es decir:
I E =I C + I B

I C =α∗I E
Para la configuración en emisor común, las características de salida son una gráfica de la corriente de salida ( I C) con el voltaje
de salida (VCD) para un intervalo de valores de la corriente de entrada ( I B ).
Las características de entrada son una gráfica de la corriente de entrada ( I B ) contra el voltaje de entrada (V BE ) para un
intervalo de valores del voltaje de salida (V CE ).
Consideremos también que las curvas de I B no son tan horizontales como las obtenidas para I E en la configuración en base
común, lo que indica que el voltaje colector a emisor influye en la magnitud de la corriente del colector.
La región activa para la configuración en emisor común es esa región de las curvas de I B casi rectas o y equidistantes.
En la región activa (RAN) de un amplificador en emisor común, la unión base-emisor se polariza en directa en tanto que la
unión colector-base está en inversa.
En la RAN es donde hay mayor linealidad, es decir, la región de las curvas de I B son casi rectas y equidistantes.
Recuerde que éstas eran las mismas condiciones en la región activa de la configuración en base común.

La región de corte para la configuración en emisor común no está tan bien definida como para la configuración en base común.
Hay que evitar la región debajo de I B=0[mA ] cuando se requiere una señal de salida no distorsionada.
La condición de corte idealmente deberá ser de I C =0 [mA ] para el voltaje V CE seleccionado; sin embargo, para efectos de

conmutación el corte se dará cuando I B=0[ μA] ( I C =I CEO).

En corte ambas uniones están en polarización inversa.
Un transistor está en la región de corte cuando la unión base-emisor no está polarizada en directa. Si se ignora la corriente de
fuga, todas las corrientes son cero y V CE es igual a V CC .
V CE corte=V CC
8.2.2.1. Beta
En el modo de CD los niveles de I C e I B están relacionados por una cantidad llamada beta.
IC
β CD =
IB
I C e I B se determinan en un punto de operación particular en las características.
El β CD no es verdaderamente constante: varía tanto con la corriente de colector como con la temperatura.

Incluso a valores fijos de I C y temperatura, β CD varía de un dispositivo a otro para un tipo dado de transistor debido a las
inconsistencias en el proceso de fabricación que son inevitables.
En situaciones de CA:
Δ IC
β CA =
Δ IB |V CE =cte

β CA se llama factor de amplificación de corriente en directa en emisor común.

Aunque no exactamente iguales los niveles de β CA y β CD en general son razonablemente parecidos y a menudo se utilizan de
manera indistinta.
8.2.2.2. Relación entre α y β
 α β
β= α=
1−α β+ 1

8.2.2.3. Región de Saturación

Cuando el BJT está en la RAN, la tensión V CB =V CE −V BE , donde V CE polariza inversamente la juntura de colector (si
V CE ≥ V BE ).
La I Cmax en la RAN, la podemos obtener para V CB =0 (V CE =V BE ).
V −V CE
I C = CC
RC
I B para este valor de I C vale:
IC
I B RAN max=
β
Si I B sigue aumentando polarizará directamente la juntura de colector; ya que aumenta la V BE aumentando la I C, quedando
V CE < V BE .
Cuando pasa a saturación V CB vale aproximadamente de 0,4 a 0,5 [V].
La V CE adquiere un valor aproximadamente igual a V CB .
Cuando la unión base-emisor está polarizada en directa y existe suficiente corriente en la base para producir una corriente
máxima en el colector, el transistor está en saturación. La fórmula para la corriente de saturación de colector es:
V CC−V CEsat
I C sat =
RC
El valor máximo de la corriente en base requerida para producir saturación es:
I C sat
I B min =
β
En saturación, ambas junturas están en polarización directa.
Sobresaturar aumenta la potencia disipada en la base.
8.2.2.3.1. Resistencia de Saturación
En la zona de saturación, la característica V-I es prácticamente lineal.
Se define entonces a la “resistencia de saturación”, como la relación:
V CE sat
RC sat =
I C sat
Este valor se debe especificar para una determinada I B sat .
8.2.3. Configuración colector común
Se utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de
salida, lo contrario de las configuraciones en base común y en emisor común.

Características:
 Z¿ : alta (cientos de [KΩ] a los [MΩ]).  ΔV : próxima a 1.
 ZOUT : baja (orden del Ω).  Δ I : alta dependiendo del transistor.
  Δ P : razonable.
Para la configuración en colector común las características de salida son una gráfica de I E contra V CE con un rango de valores
de
I B. La corriente de entrada es, por consiguiente, la misma tanto con las características en emisor común como en colector
común.
Esta configuración se analiza de forma similar a la de EC, por lo que realizará un estudio más detallado como amplificación de
señal.
8.3. Valores nominales máximos de un transistor
Las limitaciones de operación se establecen en la forma de valores nominales máximos y normalmente vienen especificadas en
la hoja de datos del fabricante.
El producto de V CE e I C no debe exceder la disipación de potencia máxima. Tanto V CE como I C no pueden ser máximos al
mismo tiempo.
P D max =I C ∗V CE
Para cualquier transistor dado se puede trazar una curva de disipación de potencia máxima sobre las curvas características de
colector, como la figura siguiente. Estos valores están tabulados en la tabla.

P D max normalmente se especifica a 25°C; a temperaturas más altas, P D max es menor. Las hojas de datos a menudo dan factores
de reducción de su valor nominal para determinar P D max a cualquier temperatura de más de 25°C.
Si las curvas características no están disponibles o no aparecen en la hoja de especificaciones, basta con asegurarse de que I C,
V CE y su producto V CE∗¿ I C queden comprendidos en el intervalo siguiente:
I CEO ≤ I C ≤ I C max
V CE sat ≤ V CE ≤ V CE max
V CE∗I C ≤ PC max

La línea vertical en las características definida como V CE sat especifica el V CE mínimo que se puede aplicar sin caer en la región
no lineal llamada región de saturación.
La región de corte se define como aquella que está debajo de I C =I CEO, y la cual también hay que evitar para que la señal de
salida tenga una distorsión mínima.
Para las características de base común el siguiente producto de cantidades de salida define la curva de potencia máxima:
PC max =V CB∗I C
8.4. Polarización de CD de los BJT
El análisis o diseño de un amplificador transistorizado requiere conocer la respuesta del sistema tanto de CD como de CA.
El nivel de potencia de ca de salida mejorada es el resultado de una transferencia de energía de las fuentes de cd aplicadas.
Hay que tener en cuenta que, durante la etapa de diseño, la selección de los parámetros de los niveles de CD requeridos
afectará la respuesta de CA, y viceversa. Varios factores controlan el nivel de operación de CD de un transistor, entre ellos el
intervalo de los posibles puntos de operación en las características del dispositivo.
8.4.1. Punto de operación - Punto Q
Para amplificadores con transistores, la corriente y voltaje de cd resultantes establecen un punto de operación en las
características que definen la región que se empleará para amplificar la señal aplicada. Como el punto de operación es un punto
fijo en las características, también se llama punto Q.
La figura siguiente muestra una característica del dispositivo de la salida general para establecer la operación del dispositivo en
cualquiera de estos u otros puntos dentro de la región activa.
Las capacidades máximas se indican en las características de la figura por medio de una línea horizontal para la corriente máxima
del colector I C max y una línea vertical para el voltaje máximo de colector a emisor V CE max. La curva PC max define la restricción
de potencia nominal máxima en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se encuentran la región de corte, definida
por I B ≤ 0[μA ], y la región de saturación, definida por V CE ≤ V CE sat .
El BJT podría ser polarizado para que opere afuera de estos límites máximos, pero el resultado de tal operación acortaría
considerablemente la duración del dispositivo o lo destruiría. Si nos limitamos a la región activa, podemos seleccionar muchas
áreas o puntos de operación diferentes.
A. Sin polarización.
B. Aplicando una señal al circuito, el dispositivo variará la corriente y el voltaje a partir del punto de operación.
C. El valor pico a pico se vería limitado por la proximidad a V CE =0 V e I C =0 mA .
D. Demasiado cerca del nivel máximo de voltaje y potencia.
En general, es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es bastante constante (o lineal) para garantizar que la
amplificación a lo largo de toda la excursión de la señal de entrada sea la misma (punto B).

La operación en las regiones de corte, saturación y lineal de la característica BJT se da como sigue:
Operación en la región lineal:
 Unión BE pol. en directa.
 Unión BC pol. en inversa.
Operación en la región de corte:
 Unión BE pol. en inversa.
 Unión BC pol. en inversa.
Operación en la región de saturación:
 Unión BE pol. en directa.
 Unión BC pol. en directa.
8.5. Recta de carga en CD
Las condiciones de corte y saturación pueden ser ilustradas en relación con las curvas características de colector con el uso de
una recta de carga. La figura muestra una recta de carga de CD trazada sobre una familia de curvas que conecta el punto de
corte y el punto de saturación. La parte inferior de la recta de carga se encuentra en el punto de corte ideal donde I C =0 y
V CE =V C C . La parte superior de la recta de carga se encuentra en el punto de saturación donde I C =I C sat y V CE =V CE sat .
Entre el punto de saturación y el punto de corte a lo largo de la recta de carga se encuentra la región activa de la operación del
transistor.
 8.6. Configuración de polarización fija
Para el análisis de continua se puede aislar la red de los niveles de alterna reemplazando los capacitores con un equivalente de
circuito abierto.

8.7. Saturación del transistor

Para un transistor que opera en la región de saturación la corriente es un valor máximo para el diseño particular.
Por supuesto, la corriente de colector máxima define el nivel de saturación máximo tal como aparece en la hoja de
especificaciones.
Normalmente se evitan las condiciones de saturación porque la unión base-colector ya no está polarizada en inversa y la señal
amplificada de salida se distorsionará.

8.8. Distorsión de la forma de onda

En ciertas condiciones de señal de entrada la ubicación del punto Q sobre la recta de carga puede hacer que un pico de la forma
de onda V CE se limite o recorte, ya que es demasiado grande llevando al transistor al estado de corte o saturación durante una
parte del ciclo de entrada.
 8.9. Configuración de polarización de emisor
Esta polarización contiene un resistor en el emisor para mejorar la estabilidad del nivel de amplificación en relación con la de la
configuración de polarización fija, es decir, las corrientes de polarización y los voltajes permanecen próximos a los valores
establecidos por el circuito cuando las condiciones externas, como la temperatura y la beta del transistor, cambian.

8.10. Configuración de realimentación del colector

Otra forma de obtener un mejor nivel de estabilidad introduciendo una trayectoria de realimentación desde el colector a la
base, aun cuando el punto Q no es totalmente independiente de beta.

8.11. Características de conmutación del BJT

El transistor también se puede emplear como interruptor si se utilizan las extremidades de la recta de carga. En condiciones de
saturación, la corriente I C es bastante alta y el voltaje V C E muy bajo.
El resultado es un nivel de resistencia entre las dos terminales, determinado por:
V CE sat
R sat =
I C sat
El cual es un valor relativamente bajo que se puede considerar de alrededor de 0 [Ω] cuando se conecta en serie con resistores
en el intervalo de los k Ω.
Con vi =0[V ] la condición de corte origina un nivel de resistencia de la siguiente magnitud:
V CC
Rcorte =
I C EO
Valor que corresponde a la equivalencia de circuito abierto.
Los BJT tienen “capacitancias” asociadas a las junturas de emisor y colector. Estas capacidades influyen sobre el tiempo de
conmutación, que hace que la señal digital de salida se distorsione.
El tiempo total requerido para que el transistor cambie del estado “apagado” al de “encendido” se designa como:
t encendido =t r +t d T ON
t r :tiempo de levantamiento (rise time) de 10% a 90% del valor inicial.
t d :tiempo de retardo (delay time) entre el estado cambiante de la entrada y el inicio de una respuesta a la salida.
El tiempo total requerido que el transistor cambie del estado “encendido” al estado “apagado” se conoce como:
t apagado=t s +t f T O FF
t s :tiempo de almacenamiento (storage time).
t f :tiempo de descenso (fall time) de 90% a 10% del valor inicial.