Materiales Aislantes Conductores y Semiconductores

MATERIALES AISLANTES CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES
AISLANTES:
Se denomina aislante elctrico al material con escasa conductividad elctrica. El comportamiento de
los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las bandas de valencia y
conduccin que dificulta la existencia de electrones libres capaces de conducir la electricidad a
travs del material, el aislante es el que posee ms de 4 electrones en su ltima capa de valencia.
CONDUCTORES
Un conductor es un material a travs del cual puede fluir la corriente elctrica. Para ser un conductor,
un material debe contener cargas elctricas libres. Hay muchos tipos de conductores, y difieren en el
tipo de cargas libres disponibles y en cmo son creadas.
En materiales como los metales, algunos electrones no se hallan ligados a sus tomos individuales,
sino que son libres de moverse a travs del material: en efecto son compartidos por todos los
tomos.
Esas partculas sueltas reciben el nombre de electrones de conduccin. En un metal como el cobre,
aproximadamente un electrn por tomo es de ese tipo. Los metales son los conductores ms
comnmente usados.
Para que un material que transporte electricidad sea asequible, debe ser barato y buen conductor
elctrico, por lo cual el cobre es ideal ya que rene esas dos caractersticas. Por ello es el conductor
ms usado, como por ejemplo en los cables elctricos de las casas.
El aluminio es tambin usado ocasionalmente con esa finalidad, pero no es tan buen conductor como
el cobre. En situaciones en las que el coste no es una objecin, como en los satlites espaciales, en
los circuitos elctricos se usa el oro y la plata porque son ligeramente mejores conductores que el
cobre, aunque son mucho ms caros.
Conductores: En los conductores slidos la corriente elctrica es transportada por el
movimiento de los electrones; y en disoluciones y gases, lo hace por los iones.
Conductores slidos: Metales
Caractersticas fsicas:
estado slido a temperatura normal, excepto el mercurio que es lquido.

opacidad, excepto en capas muy finas.
SEMICONDUCTORES
Material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un
metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se
aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos
metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos
aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los
semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados
con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de
forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los
semiconductores se estudian en la fsica del estado slido.
Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano
por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden
absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccindejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura
ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germaniorespectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde
el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia
liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que
la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de
electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del
tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (25c):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.5 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos
de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de
potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando
una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya
velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas,
es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice
que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una
parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo
de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este
caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos
del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que
da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.
Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los
tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con
cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro
enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de
"electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos,
en ese caso los electrones son losportadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra
que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor
nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene
una carga elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo p
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo
de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este
caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos
del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo
tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones
de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la
red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y
un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red,
un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado
como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos
superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P.
Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
La caracterstica comn que presentan los semiconductores, como el silicio o el germanio, es la de

poseer cuatro electrones en su capa de valencia. Esta estructura electrnica permite la agrupacin
de los tomos, formando una estructura reticular en la que cada uno de ellos queda rodeado por
otros cuatro. Entre dichos tomos se establece un enlace covalente, por comparticin de un par de
electrones.
A bajas temperaturas, la estructura del semiconductor se establece y se comporta como un aislante.
No obstante, al aumentar la temperatura y debido a la proximidad de la banda de conduccin,
algunos electrones abandonan la capa de valencia y pasan a la de conduccin. Estos electrones
contribuyen a establecer una corriente elctrica cuando se aplica un campo elctrico exterior.
Al mismo tiempo, su paso a la banda de conduccin origina un hueco en la banda de valencia. Ese
hueco permite que los electrones de la capa de valencia adquieran cierta movilidad al desplazarse
para rellenarlo, producindose as nuevos huecos.
Existe, por tanto, una conduccin por huecos. Dado que el hueco representa la falta de un
electrn, su movimiento puede considerarse equivalente al de una carga +e positiva.
Se establece, por tanto, una doble conduccin en el semiconductor: por un lado, la correspondiente a
los electrones que han saltado a la banda de conduccin, y por otro, la que corresponde al
movimiento de los huecos en la banda de valencia.
A esta conductividad de los semiconductores se le denomina conductividad intrnseca, por ser propia
del semiconductor. Como ya hemos dicho, la conductividad intrnseca depender de la temperatura,
aumentando a medida que lo haga sta.
Para evitar el efecto de la temperatura se modifica la conductividad de los semiconductores de una
forma ms estable, aadiendo pequeas cantidades de otro elemento, denominadas impurezas,
mediante un proceso denominado dopado del semiconductor.

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