Semiconductor Intrínseco

Semiconductor intrínseco
El semiconductor intrínseco es aquel que está formado por un solo tipo de átomo.
Los más frecuentes y empleados son el germanio (Ge) y el silicio (Se). De ambos,
el silicio es el que encontraremos en la mayoría de los dispositivos electrónicos, por
ser el que más abunda en la naturaleza y el que mejor se comporta a grandes
temperaturas.
Los átomos de los semiconductores poseen 4 electrones en su órbita externa, que
comparte con los átomos adyacentes y forman 4 enlaces covalentes. Así, cada
átomo tiene 8 electrones en su capa más externa. Esto forma una red muy fuerte
entre átomos y sus electrones, que en circunstancias normales no se desplazan y
son aislantes.
Cuando se aumenta la temperatura mediante la aplicación de una carga eléctrica,
los electrones ganan energía y empiezan a moverse. Se separan del enlace y se
convierten en conductores eléctricos. Por lo tanto, su resistencia disminuye con la
temperatura.
Semiconductor extrínseco
El semiconductor extrínseco es el resultado de introducir átomos de otros
elementos a fin de que el semiconductor primitivo pierda su pureza y gane en
conductividad. Este proceso de impurificación se conoce como “dopaje”. Según el
tipo de impureza que se le añada al semiconductor tendremos dos tipos de
semiconductores extrínsecos.
• Relación entre estructura electrónica y conductividad eléctrica de

semiconductores intrínsecos.
Ecuación de conductividad en los semiconductores intrínsecos
En el proceso de conducción eléctrica de un semiconductor intrínseco, electrones y
huecos se mueven por la acción del campo eléctrico exterior. Los electrones,
procedentes de la rotura de un enlace por efectos térmicos, se mueven hacia el polo
positivo y lo huecos, también generados por ese efecto térmico, hacia el negativo.
El hueco no es una partícula real sino que lo interpretamos en términos de "falta de
un electrón".
El movimiento del hueco se visualiza en la figura 8.24. En el átomo A se localiza
un hueco por la falta de un electrón de valencia, que se halla promocionado a la
B.C. (a). El campo eléctrico provoca que un electrón de valencia del átomo B emigre
hacia A. El hueco aparece ahora en B (b). Análogamente, la acción de la tensión
exterior aplicada hace que un electrón de valencia de C se posicione sobre B, con
lo que el hueco se localiza en ese momento sobre C (c). El efecto es que el
movimiento de electrones asociados a enlaces de átomos vecinos da como
resultado el movimiento del hueco en la dirección del campo eléctrico, mientras que
los electrones agitados térmicamente, liberados en la banda de conducción, lo harán
en contra.
• Características básicas de semiconductores extrínsecos y el concepto de
dopaje.
Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos aceptores

de electrones se llama semiconductor de tipo p , porque la mayoría de los
portadores de carga en el cristal son agujeros de electrones (portadores de
carga positiva). El silicio semiconductor puro es un elemento tetravalente ,
la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones
de valencia. En el silicio, los dopantes más comunes son los elementos del
grupo III y del grupo V..
Un semiconductor extrínseco , o semiconductor dopado , es un semiconductor,

que fue dopado intencionalmente con el fin de modular sus propiedades
eléctricas, ópticas y estructurales. En el caso de detectores de semiconductores de
radiación ionizante, el dopaje es la introducción intencional de impurezas en un
semiconductor intrínseco con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Por lo
tanto, los semiconductores intrínsecos también se conocen como semiconductores
puros o semiconductores de tipo i.
La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red cristalina regular
de silicio o germanio produce cambios dramáticos en sus propiedades eléctricas, ya
que estos átomos extraños incorporados en la estructura cristalina del
semiconductor proporcionan portadores de carga libre (electrones o agujeros de
electrones) en el semiconductor
Ejemplo
• Relación entre estructura electrónica y conductividad eléctrica de

semiconductores extrínsecos.
Los semiconductores poseen una conductividad intermedia entre los conductores

y de aisladores. Los semiconductores como el silicio o el germanio, cuando son
extremadamente puros, exhiben conductividad la cual es mucho menor que la del
cobre, pero en el mismo tiempo considerablemente más altas con respecto a
aisladores tales como cuarzo.
En los semiconductores no existen estados vacíos contiguos al máximo de la
banda de valencia. Para hacerse libres, los electrones deben superar un intervalo
prohibido de energía para acceder a los primeros estados de energía de la banda
de conducción En muchos materiales este intervalo prohibido tiene una anchura
de aproximadamente verios electronvoltios. A menudo la excitación energética
proviene de una fuente no eléctrica tal como calor o luz, sobre todo la primera. El
número de electrones excitados térmicamente ( por energía calorífica ) a la banda
de conducción depende del intervalo prohibido de energía, así como de la
temperatura. A una temperatura dada, cuanto mayor es el intervalo, menor es la
probabilidad de que un electrón de valencia pase a un estado energético dentro de
la banda de conducción, lo cual resulta en un número menor de electrones de
conducción. En otras palabras, cuanto mayor es el intervalo prohibido de energía,
menor es la conductividad eléctrica para una determinada temperatura. Por
consiguiente, la distinción ntre semiconductores y aisladores reside en el valor del
intervalo prohibido; en el caso de los semiconductores es pequeño.
Ejemplo
Debemos recordar que un semiconductor esta conformado por átomos de silicio

estos cristales de silicio pueden tener electrones libres y huecos por efecto de la
energía eléctrica.
Pero si queremos controlar la conductividad de un semiconductor debemos doparlo,

doparlos con átomos pentavalentes este tiene cinco electrones en su ultima orbita
mas cuatro electrones que comparte va a ser 9 nos va a sobrar un electron que se
va aquedar como electrón libre ¿Por qué? Porque esa ultima orbita solo requiere
ocho
Conque materiales se dopan los semiconductores.
Átomos pentavalentes.
• Arsénico
• Antimonio
• Fosforo
Átomos trivalentes
• Aluminio
• Boro
• Galio
• Comportamiento de los Semiconductores Tipo N y P
Semiconductor tipo N
Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos
donadores de electrones se llama semiconductor de tipo n, porque la
mayoría de los portadores de carga en el cristal son electrones
negativos. Como el silicio es un elemento tetravalente, la estructura
cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones de
valencia.
Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un
semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con fósforo
(grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.
Semiconductor tipo P
Los electrones de conducción están completamente dominados por la cantidad
de electrones donadores . Por lo tanto:
El número total de electrones de conducción es aproximadamente igual al
número de sitios donantes, n≈N D .
Un agujero de electrones (a menudo simplemente llamado agujero) es la falta de un
electrón en una posición en la que uno pudiera existir en un átomo o en una red
atómica. Es uno de los dos tipos de portadores de carga que son responsables de
crear corriente eléctrica en materiales semiconductores. Estos agujeros cargados
positivamente pueden moverse de un átomo a otro en materiales
semiconductores a medida que los electrones abandonan sus posiciones. La adición
de impurezas trivalentes como boro , aluminio o galio.a un semiconductor
intrínseco crea estos agujeros de electrones positivos en la estructura. Por ejemplo,
un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p,
mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un
semiconductor de tipo n.
Los semiconductores más comunes y empleados en la industria son:

• Silicio (Si)
• Germanio (Ge), a menudo en aleaciones de silicio
• Arseniuro de Galio (GaAs)
• Azufre
• Oxígeno
• Cadmio
• Selenio
• Indio
• Otros materiales químicos resultantes de la combinación de elementos de los
grupos 12 y 13 de la tabla periódica, con elementos de los grupos 16 y 15
respectivamente.
Aplicaciones de los semiconductores
Los semiconductores son especialmente útiles en la industria de la
electrónica, dado que permiten conducir y modular la corriente eléctrica
de acuerdo a los patrones necesarios. Por esa razón, es usual que se
empleen para:
• Transistores
• Circuitos integrados
• Diodos eléctricos
• Sensores ópticos
• Láseres de estado sólido
• Moduladores de transmisión eléctrica (como un amplificador de
guitarra eléctrica)
• Comportamiento de la unión semiconductora PN.

Para comprender el funcionamiento de la unión PN debemos recordar que
tanto el material P como el material N, son neutros (tienen el mismo
número de electrones que de protones). Al unir un semiconductor tipo N
con uno tipo P se origina un flujo de electrones a través de la unión PN.
Los electrones libres (del semiconductor N) se unen a los hueco (del cristal
P) formándose un ión positivo en N y uno negativo en P. Esto origina
una tensión de difusión que se opone al flujo de electrones a través de
la unión. Esta tensión irá aumentando con el paso de más electrones de
N hacia P, hasta llegar un punto que imposibilita el paso de más
electrones. Al valor de la tensión en este momento se le llama barrera
de potencial o tensión umbral, (aproximadamente 0,7 V para diodos
de Silicio, y de 0,3 V para diodos de Ge). En la zona próxima a la unión
PN aparece la llamada zona de deplexión, en la cual no
existen portadores de carga libres libres.
Unión PN polarizada
• Las uniones PN pueden conectarse de 2 maneras a la fuente de
alimentación, es decir existen dos modos de polarizar la unión NP:
• Polarización directa: conectando el borne positivo (cátodo) de la
fuente a la zona P, y el borne negativo (ánodo) a la zona N. Al
aplicar tensión directa, se reduce la barrera de potencial de la
unión, ya que la tensión aplicada impulsa a los electrones de N y
huecos de P hacia la unión (estrechando la zona de deplexión). Por
tanto, los electrones tienden a cruzar la unión de N a P y los
huecos en sentido opuesto.
Por tanto, los electrones tienden a cruzar la unión de N a P y los huecos en sentido
opuesto. Si la tensión de la fuente es mayor que la tensión umbral, el diodo
conducirá la electricidad a su través.
• Polarización inversa: conectando el borne positivo (cátodo) de la fuente a la

zona N y el borne negativo (ánodo) a la zona P. Debido a la polarización de
la batería, los electrones y los huecos se encuentran atraídos hacia los
extremos del diodo, alejados de la unión PN, de manera que se ensancha
la zona de deplexión. Así los electrones y huecos encuentran mayor
dificultad para pasar a través de la unión. Por consiguiente, el diodo no
permitirá el paso de la corriente a su través comportándose como un
interruptor abierto.

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• Relación entre estructura electrónica y conductividad eléctrica de

Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos aceptores

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Los semiconductores poseen una conductividad intermedia entre los conductores

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Pero si queremos controlar la conductividad de un semiconductor debemos doparlo,

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