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    Practica No. 1. Caracteristicas Del Diodo

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    kevin yesid rueda amaya
    Este documento presenta la práctica de laboratorio No. 1 sobre las características del diodo. El objetivo es medir los efectos de la polarización directa e inversa en la corriente de un diodo y determinar experimentalmente sus características. Se realizarán mediciones de voltaje y corriente en diodos de silicio y germanio en polarización directa e inversa, y se graficará la característica voltaje-corriente.

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    Practica No. 1. Caracteristicas Del Diodo

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    kevin yesid rueda amaya
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    Este documento presenta la práctica de laboratorio No. 1 sobre las características del diodo. El objetivo es medir los efectos de la polarización directa e inversa en la corriente de un diodo y determinar experimentalmente sus características. Se realizarán mediciones de voltaje y corriente en diodos de silicio y germanio en polarización directa e inversa, y se graficará la característica voltaje-corriente.

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    Practica No. 1. Caracteristicas Del Diodo

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    kevin yesid rueda amaya
    Este documento presenta la práctica de laboratorio No. 1 sobre las características del diodo. El objetivo es medir los efectos de la polarización directa e inversa en la corriente de un diodo y determinar experimentalmente sus características. Se realizarán mediciones de voltaje y corriente en diodos de silicio y germanio en polarización directa e inversa, y se graficará la característica voltaje-corriente.

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    UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER

    FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES E INGENIERÍAS


    Laboratorio de Electrónica

    PRACTICA No. 1 CARACTERISTICAS DEL DIODO

    DURANCIÓN: 1 SEMANA

    OBJETIVOS:

     Medir los efectos de la polarización directa e inversa en la corriente de un diodo.


     Determinar de manera experimental las características de un diodo y graficarlas.

    MATERIALES:

    CANT. ELEMENTOS
    2 Diodos de Silicio (1N4004), o su reemplazo.
    2 Diodos de Germanio (1N34A – 1N4454), o su reemplazo.
    2 Resistencias 250 Ω, 500 Ω a 1/2 Watt.
    2 Puntas DC o de Fuente.
    1 Multímetro
    1 Protoboard
    1 Pinza
    1 Conector tipo festo.
    NA Especificaciones técnicas de cada diodo
    NORMA DE SEGURIDAD:

    Cuando se realicen mediciones asegúrese que está usando la modalidad correcta en el


    instrumento de medición. No medir corriente cuando el instrumento esté en la escala de
    voltaje.

    PROCEDIMIENTO

    1.1 Identifique los extremos del ánodo y cátodo de un diodo de silicio 1N4004 y arme el
    circuito mostrado en la figura 1.

    1.2 Ajuste la salida de la fuente de DC de modo que el voltaje medido en el diodo sea
    0,7v. Mida y registre en la tabla 1 la corriente que circula a través del diodo.

    1.3 Invierta el diodo y mida ID, registre los resultados en la tabla 1.

    1.4 Mida el voltaje en el diodo (VD) en polarización inversa, registre en la tabla 1, calcule
    el valor de la resistencia del diodo (VD/ID).

    1.5 Retire el diodo del circuito y mida con el multímetro su resistencia al estar conectado
    en directo. Repita el procedimiento con el diodo conectado en inversa. Registre los
    resultados en la tabla 1. Explique los resultados.

    Elaboró:
    Mg. Renato González Robles
    UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER
    FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES E INGENIERÍAS
    Laboratorio de Electrónica

    1.6 Realice los pasos 1.1, 1.2, 1.3, 1.4 y 1.5 para el diodo de Germanio. Registre los
    resultados en la tabla 2.

    Id Vd
    -

    Figura 1. Circuito para prueba

    Paso VD ID Resistencia del diodo


    1.2 0,7v
    1.3; 1.4
    1.5 x x Directa : Inversa:
    Tabla 1

    Paso VD ID Resistencia del diodo


    1.2 0,3v
    1.3; 1.4
    1.5 x x Directa : Inversa:
    Tabla 2

    2. CARACTERÍSTICA VOLTAJE CORRIENTE.

    2.1 Con el diodo en polarización directa, Ajuste la fuente de DC variable de acuerdo con
    los valores de VD que se muestran en la tabla 3. Mida y anote el valor de ID para cada
    valor de VD, tanto para el diodo de silicio como para el de germanio.

    2.2 Invierta la posición del diodo de manera que quede con polarización inversa, de nuevo
    ajuste la fuente de DC con los valores indicados en la tabla 2, mida y anote el valor
    de ID.

    2.3 Grafique la curva característica del diodo de silicio con los valores registrados en la
    tabla 3, recuerde que sobre el eje “x” varía VD y sobre el eje “y” ID.

    Elaboró:
    Mg. Renato González Robles
    UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER
    FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES E INGENIERÍAS
    Laboratorio de Electrónica

    Polarización directa ID Polarización inversa


    VD (v) (mA) VD (v) ID (µA)
    Silicio Germanio Silicio Germanio
    0 0
    0.1 5
    0.2 10
    0.3 15
    0.4 20
    0.5 25
    0.6 30
    0.7 x 40
    0.8 x 50
    0.9 x 60
    1 x 65
    Tabla 3

    2.4 Calcule la resistencia interna del diodo con dos puntos localizados en la parte lineal
    de la porción de polarización directa de la curva obtenida con respecto a la Tabla 3.

    2.5 En la gráfica obtenida en el punto anterior, dibuje las curvas de la primera, segunda
    y tercera aproximación del diodo para cada diodo.

    BIBLIOGRAFIA

    Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2009). Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.


    México: Pearson.

    Malvino, A. P. (2012). Principios de electrónica. México: Mc Graw Hill.

    Elaboró:
    Mg. Renato González Robles

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