Lab 01

UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA
Escuela Profesional de Ingeniería Mecánica – Mecánica Eléctrica y

Mecatrónica
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
PRÁCTICA Nº1
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO
GRUPO: 02
MIERCOLES ( 3 PM – 5 PM)
ALUMNO:
CONTRERAS ZEBALLOS JONATHAN LUIS
PROFESOR:
ING. CHRISTIAM GUILLERMO COLLADO OPORTO
AREQUIPA – PERÚ
2020
1. OBJETIVOS:
- Obtener las características de un diodo de silicio y germanio.

- Analizar, comprender y entender como fluye la corriente a través de un circuito con
diodos y resistores y también analizar las características técnicas de un diodo.
- Aprender armar circuitos en el Software Proteus 8 Professional.
2. MARCO TEÓRICO:
DIODO IDEAL:
El diodo ideal es un dispositivo de dos termínales que tiene el símbolo y las características
siguientes:
Proporciona una base comparativa respecto de las características de un dispositivo real. En

forma ideal un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la fecha en el símbolo, se
comporta como circuito cerrado para la región de conducción, y actuará como un circuito
abierto al intentar establecer corriente en dirección opuesta. Para el diodo ideal:
Rdirecto = 0Ω (corto circuito)
Rinverso = α Ω (circuito abierto)
DIODO SEMICONDUCTOR:
Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo material base
Ge o Si.
Los e- y los huecos en la región de conducción se combinarán,
dando como resultado una carencia de portadores en la región
cercana a la unión. Esta región de iones positivos y negativos recibe
el nombre de región de agotamiento por ausencia de portadores en
la misma.
La aplicación de un voltaje implica tres posibilidades:
- No hay polarización (VD = 0v).

- Polarización directa (VD > 0v).
- Polarización inversa (VD < 0v).
SIN POLARIZACIÓN:
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la región
de agotamiento pasarán directamente al material tipo p. Supondremos que todos los portadores
minoritarios del material tipo n que se encuentran en la región de agotamiento debido a su
movimiento aleatorio pasarán directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios
(electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas de atracción de la capa de iones
positivos en el material tipo n, así como la capa de iones en el material tipo p, para emigrar
hacia el área más allá de la región de agotamiento del material tipo p.
Sin embargo, el número de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que
invariablemente habrá un pequeño número de portadores mayoritarios con suficiente energía
cinética para pasar a través de la región de agotamiento y llegar al material tipo p. En
ausencia de un voltaje de polarización aplicado el flujo neto de carga en cualquier dirección
para un diodo semiconductor es cero.
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA:

Al aplicar un potencial externo y con la terminal positiva conectado al material tipo n y la
terminal negativa conectado al material tipo p, el número de iones positivos en la región de
agotamiento del material tipo n, aumentará debido al mayor número de iones libres arrastrados
hacia el potencial positivo. El número de iones negativos se incrementará en el material tipo p.
El efecto es un ensanchamiento de la región de agotamiento que establece una barrera
demasiado grande para que los portadores mayoritarios puedan superarla reduciendo el flujo
de los mismos.
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN DIRECTA:

O condición de encendido se establece aplicando el potencial positivo al material tipo p y el
potencial negativo al material tipo n. El VD presionará a los electrones en el material tipo n y a
los huecos en el material tipo p para recombinar con los iones cerca de la frontera y reducir el
ancho de la región de agotamiento. El flujo resultante de portadores minoritarios de los
electrones del material tipo p hacia el material tipo n no cambia de magnitud ( el nivel de
conducción se controla por el número limitado de impurezas en el material); la reducción en el
ancho de la región de agotamiento resulta en un denso flujo de portadores mayoritarios a
través de la unión: Al aumentar el valor de la polarización, la región de agotamiento disminuirá
su ancho hasta producir un desbordamiento de electrones, resultando en un incremento
exponencial en la corriente. El voltaje a través de un diodo polarizado directamente será menor
a 1 V.
Las características de un diodo de germanio o de silicio tienen la forma general mostrada en la

figura # 1. Note el cambio en la escala para ambos en la columna vertical y horizontal. En la
región de polarización inversa la comerte de saturación inversa es justamente constarte de 0 V
al potencial Zener. En la región de polarización directa la corriente crece realmente
rápidamente cuando se incrementa un poco el voltaje en el diodo. Note que la curva está
subiendo casi verticalmente a un voltaje de polarización directa de menos de 1 V.
La comente del diodo en polarización directa se limitará solamente por la red en que el diodo es
conectado o por la máxima comento o por el valor de potencia del diodo.
CARACTERÍSTICAS DE DIODOS DE GERMANIO Y SILICIO:

La resistencia de DC o Estática de un diodo en un punto de la curva característica está
determinada por la proporción del voltaje del diodo en ese punto, dividido por la comente del
diodo. Esta es:
VD
Rd =
ID
La resistencia de AC o Dinámica a un particular voltaje y comente del diodo puede ser
determinada usando una línea tangente dibujada como esta en la figura #1. El resultado del
voltaje (∆𝑉) y corriente (∆𝐼) de desviación puede ser determinado siguiendo la ecuación
aplicada:
∆V
Rr =d
∆I
3. EQUIPO Y MATERIALES:
- Fuente: DC, DMM.
- Resistores 1/4W: 1K Ω, 1M Ω.
- Diodos: Silicio 1N4007 y 1N4148, Germanio 1N60.
4. PROCEDIMIENTO:
PARTE 1: Prueba del diodo
 Escala de prueba de diodos del DMM. Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y
determinar la condición de cada diodo.
CONEXIÓN DIRECTA
TEST SI: 1N4007 SI: 1N4108 GE: 1N60

DIRECTO 613 646 359
INVERSO - - -
Tabla 1. Condición de los diodos.
 Escala de resistencia del DMM. Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y

determinar la condición de cada diodo.
TEST SI: 1N4007 SI: 1N4108 GE: 1N60

DIRECTO 139.4KΩ 122.5KΩ 11.5KΩ
INVERSO - - -
Tabla 2. Condición de los diodos.
PARTE 2: Características del diodo en polarización directa
 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.
Rmedido =0.98 K Ω
 Incremente el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V. Mida el VD y calcule ID. Anote en
la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo. Obtener datos suficientes para dibujar las curvas
características del diodo de silicio y germanio.
DIODO 1N4007(SI)
VR(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.51 0.63 0.7 0.83 0.95
VD(V) 0.48 0.51 0.53 0.54 0.55 0.56 0.57 0.57 0.58
I D =V R /R Med (mA ) 0.10 0.20 0.30 0.40 0.52 0.64 0.71 0.85 0.97
Tabla 3.
- Para VR(V)= 0.10 V.

- Para VR(V)= 0.30 V.
VR(V) 1 2.04 3.08 4.15 5.14 6.22 7.23 8.60 9.49

VD(V) 0.58 0.62 0.63 0.65 0.66 0.67 0.67 0.68 0.69
I D =V R /R Med (mA ) 1.02 2.08 3.14 4.23 5.24 6.35 7.38 8.78 9.68
Tabla 3.
- Para VR(V)= 1 V.
- Para VR(V)= 9.49 V.
DIODO 1N4108 (SI)
VR(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.51 0.62 0.7 0.85 0.91
VD(V) 0.56 0.58 0.60 0.62 0.62 0.63 0.64 0.65 0.65
I D =V R /R Med (mA ) 0.10 0.20 0.30 0.40 0.52 0.64 0.71 0.85 0.97
Tabla 4.
- Para VR(V)= 0.10 V.

- Para VR(V)= 0.91 V.
VR(V) 1 2 3.04 4.11 5.09 6.18 7.18 8.55 9.44

VD(V) 0.65 0.68 0.70 0.71 0.72 0.73 0.74 0.75 0.75
I D =V R /R Med (mA ) 1.02 2.08 3.14 4.23 5.24 6.35 7.38 8.78 9.68
Tabla 4.
- Para VR(V)= 1 V.
- Para VR(V)= 9.44 V.
Parte 3: Polarización Inversa
 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido =0.998 M Ω
 Mida el voltaje VR calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación:

Vr
I d=
R Med × Rm
Rm es la resistencia interna del DMM (10MΩ ).
(SI)1N4007 (SI)1N4108
Rm 0.998 M Ω 0.998 M Ω
VR MEDIO
ID CALCULADO
 Determine los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuación.

V −V R
R DC =
ID
R DC(SI)1N4007=
R DC(SI)1N4108=
PARTE 4: Resistencia DC
 Usando las curvas características de los diodos, determine el voltaje de diodo en los
niveles de corriente indicados en la tabla 6, 7 y 8.
DIODO 1N4007 (SI)
ID (mA) VD RDC
0.2
1
5
10
Tabla 6.
DIODO 1N4108 (SI)

ID (mA) VD RDC
0.2
1
5
10
Tabla 7.
5. CUESTIONARIO FINAL:
1. ¿Cómo podría identificar los terminales de un diodo que no está marcado?

Lo podríamos identificar al introducirlo en un simple circuito en serie, si existe una
corriente de energía considerable el terminal “p” o ánodo está conectado al lado positivo
de la fuente y el terminal “n” o cátodo al lado negativo de la fuente.
2. ¿Qué es la resistencia directa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos
analizados en laboratorio?
La resistencia directa del diodo también llamada “Barrera de Potencial” o “Zona de
Depleción” es el voltaje en el diodo que tiene que superar para que este funcione como
un conductor (Tensión Umbral), esto pasa en la polarización directa.
Analizamos 2 tipos de diodos, sus respectivas Tensiones Umbrales son:
Diodo 1N4007 (SI): 0.7V
Diodo 1N4108 (SI): 0.7V
3. ¿Qué es la resistencia inversa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los diodos
analizados en laboratorio?
La resistencia inversa del diodo, el ánodo se conecta al negativo y el cátodo al positivo
de la batería. Sus características: El valor de la resistencia interna sería muy alto. Se
comporta como interruptor abierto. Puede existir una corriente de fuga del orden de μA .
Analizamos 2 tipos de diodos, sus respectivas Tensiones Umbrales son:
R DC(SI)1N4007=
R DC(SI)1N4108=
4. De la ficha técnica de los diodos, anote los valores más importantes y/o usuales a
consultar para los diodos revisados en el laboratorio y para los diodos en general.
Anote los valores de acuerdo a la elección hecha.
Diodo 1N4007 (SI): Máxima Corriente 1A y Tensión Inversa Máxima 1000V.

6. CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES:
CONCLUSIONES:
 En conclusión, al medir con el multímetro los diodos en polarización inversa no se
obtiene valor alguno ya que trabajaría como circuito abierto, mientras que en
polarización directa como circuito cerrado.
 Al superar la Tensión Umbral (diferentes en cada tipo de diodo) la intensidad o corriente
aumenta en mayores proporciones cada vez con una resistencia al paso de corriente
mínima, acercándose a ser un perfecto conductor.
 La proporcionalidad entre el voltaje y la intensidad en el diodo se asemeja a la parte
positiva de una función cuadrática o exponencial.
 Al retroceder 0.5-0.6 V en caso del diodo de Silicio la resistencia aumenta mucho y al
parecer tiende al infinito por lo que no conducirá corriente alguna como si el circuito
estuviera abierto.
 Hasta no alcanzar el potencial necesario para excitar al diodo este se comportará como
un circuito abierto.
OBSERVACIONES:
 En la parte 1 de prueba del diodo, al medir el diodo haciendo contacto el lado común del
tester con el lado “p” y el puerto positivo con el lado “n” el multímetro no marca valor
alguno, pero al hacerlo al revés sí, lo que indica que el diodo tiene polaridad. Entonces
los diodos de Silicio ofrecen mayor resistencia que los diodos Germanio.
 En el diodo de Silicio, graficando la proporcionalidad entre el voltaje y la intensidad en el
diodo se asemeja a la parte positiva de una función cuadrática o exponencial.
 El diodo de Silicio necesita superar una mayor tensión para que su intensidad eléctrica
pueda fluir libremente.
 En la parte 4 de resistencia DC, a medida que la intensidad aumenta, el voltaje también
lo hace, pero en forma lineal, si no similar a una función exponencial.
 Cuando la Tensión y la Intensidad de corriente aumenta la resistencia disminuye.
RECOMENDACIONES:
 Al entrar al Simulador Proteus 8 Professional, tener en cuenta en poner bien los datos
perfectamente para la corriente y voltaje para realizar una buena práctica, y no salga
otros resultados.
 Al realizar el circuito en el Simulador Proteus 8 Professional, comprobar que el circuito
este en continuidad depende del voltaje que utilicemos como continua o alterna para
que salgan correctos los datos.
7. BIBLIOGRAFÍA:
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina12.htm#Resi
stencia%20con%20polarizaci%C3%B3n%20inversa
 https://www.areatecnologia.com/electronica/el-diodo.html
 https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
 https://electronicalugo.com/usos-y-aplicaciones-de-diodos-diodo-como-rectificador/
 https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-Semiconductores.html

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CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

- Obtener las características de un diodo de silicio y germanio.

Proporciona una base comparativa respecto de las características de un dispositivo real. En

Rinverso = α Ω (circuito abierto)

- No hay polarización (VD = 0v).

CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA:

CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN DIRECTA:

Las características de un diodo de germanio o de silicio tienen la forma general mostrada en la

CARACTERÍSTICAS DE DIODOS DE GERMANIO Y SILICIO:

TEST SI: 1N4007 SI: 1N4108 GE: 1N60

 Escala de resistencia del DMM. Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y

TEST SI: 1N4007 SI: 1N4108 GE: 1N60

 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

- Para VR(V)= 0.10 V.

VR(V) 1 2.04 3.08 4.15 5.14 6.22 7.23 8.60 9.49

DIODO 1N4108 (SI)

- Para VR(V)= 0.10 V.

VR(V) 1 2 3.04 4.11 5.09 6.18 7.18 8.55 9.44

Parte 3: Polarización Inversa

 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

 Mida el voltaje VR calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación:

Rm es la resistencia interna del DMM (10MΩ ).

 Determine los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuación.

DIODO 1N4007 (SI)

DIODO 1N4108 (SI)

1. ¿Cómo podría identificar los terminales de un diodo que no está marcado?

Diodo 1N4007 (SI): Máxima Corriente 1A y Tensión Inversa Máxima 1000V.

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