Informe de Paretto 3
Informe de Paretto 3
Informe de Paretto 3
NACIONAL MAYOR DE
SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA
ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES
CURSO: TEMA:
CARACTERÍSTICAS BÁSICAS DEL
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES DIODO SEMICONDUCTOR (Silicio y
ELECTRÓNICOS Germanio)
INFORME: FECHAS: NOTA:
NÚMERO:
3 9/05/2018 23/05/2018
GRUPO: PROFESOR:
EXPERIENCIA N°3 1
Contenido
1. TEMA
2. OBJETIVO
3. INTRODUCCIÓN TEÓRICA
5. PROCEDIMIENTO
7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
8. BIBLIOGRAFIA
EXPERIENCIA N°3 2
TEMA:
OBJETIVOS:
INTRODUCCIÓN TEÓRICA:
Diagramas de bandas:
EXPERIENCIA N°3 3
Función
Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la electricidad solo
en un sentido. La flecha del símbolo del diodo muestra la dirección en la cual puede fluir la
corriente. Los diodos son la versión eléctrica de la válvula o tubo de vacío y al principio los
diodos fueron llamados realmente válvulas.
Símbolo de circuito:
El diodo ideal
Para facilitar la exposición del diodo empezamos presentando una aproximación al
dispositivo real que llamaremos diodo ideal. El diodo ideal es un elemento de
circuito de dos terminales, uno de los terminales se denomina ánodo (positivo) y el
otro cátodo (negativo).
El diodo real
El funcionamiento del diodo ideal se aproxima al de un dispositivo electrónico
llamado diodo real que está fabricado con un material semiconductor como silicio,
germanio, arseniuro de galio u otros.
Las propiedades físicas de los semiconductores son distintas a las de los conductores
y a las de los aislantes. Así, por ejemplo, el silicio puro conduce a temperatura
ambiente pero a medida que se enfría va dejando de hacerlo. Es más, en las
proximidades del cero absoluto de temperaturas (0𝐾), no conduce. La gran ventaja
de este tipo de materiales es que podemos introducir en ellos algunas impurezas,
en una cantidad precisa, y modificar algunas de sus propiedades. De hecho,
determinadas impurezas hacen que aumente el número de cargas libres negativas
(electrones) en el material, con otras podemos aumentar las cargas libres positivas
(que se llaman huecos). Una muestra de material semiconductor que posea
impurezas de las que aumentan el número de electrones se llama semiconductor
tipo n (de negativo), y al contrario, si el semiconductor está “dopado” con impurezas
que producen el aumento de los huecos de llama semiconductor tipo p (positivo).
Lo verdaderamente interesante de todo esto es que podemos controlar la cantidad
de impurezas de uno y otro tipo y, por lo tanto, el número de cargas libres que hay
en la muestra. Pues bien, el diodo real basa su operación en una unión de
semiconductor tipo p con otro tipo n, llamada unión pn. Es decir, si analizamos la
estructura microscópica del diodo observamos que el semiconductor cambia de tipo
p a tipo n al recorrerlo. Los detalles de los procesos físicos que describen el
funcionamiento del diodo son propios de una disciplina llamada “dispositivos
EXPERIENCIA N°3 4
semiconductores” y queda fuera de este texto. De
modo que presentaremos el diodo “visto” desde
afuera. Llamaremos ánodo al terminal conectado a
la región tipo p y cátodo al conectado a la tipo n.
Tensión inversa
Cuando una tensión o voltaje inverso es aplicado sobre un diodo ideal, este no conduce
corriente, pero todos los diodos reales presentan una fuga de corriente muy pequeña de
unos pocos µA (10 -6 A) o menos. Esto puede ignorarse o despreciarse en la mayoría de los
circuitos porque será mucho más pequeña que la corriente que fluye en sentido directo. Sin
embargo, todos los diodos tienen un máximo voltaje o tensión inversa (usualmente 50 V o
más) y si esta se excede el diodo fallará y dejará pasar una gran corriente en dirección
inversa, esto es llamado ruptura.
– Diodos de señal los cuales dejan pasar pequeñas corrientes de 100 mA o menos.
EXPERIENCIA N°3 5
– Diodos rectificadores los cuales dejan pasar grandes corrientes.
Además hay diodos LED (light emitter diode: diodo emisor de luz) y diodos zener, estos
últimos suelen funcionar con tensión inversa y permiten regular y estabilizar el voltaje.
EXPERIENCIA N°3 6
Miliamperímetro. Diodo conductor de Silicio y
Germanio.
Protoboard.
Microamperímetro.
Resistencias.
Cables conectores.
Voltímetro:
EXPERIENCIA N°3 7
PROCEDIMIENTO:
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo registrar
los datos en la tabla 1:
Tabla 1. (Si)
EXPERIENCIA N°3 8
a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el
voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la taba 2.
Tabla 2
Vcc(V.) 0.50 0.54 0.60 0.68 0.81 0.94 1.27 1.67 1.86 2.10 2.50 3.20
Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd (V.) 0.491 0.519 0.550 0.581 0.614 0.635 0.667 0.688 0.698 0.706 0.716 0.728
Vcc(V.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd (V.) -0.003 1.993 3.984 5.98 8.00 10.06 11.99 14.99 20
Id(µA.) 0 0 0 0 0 0 0 0 0
EXPERIENCIA N°3 9
Tabla 4. (Ge)
EXPERIENCIA N°3 10
Tabla 5
Vcc(V.) 0.2 0.24 0.28 0.35 0.47 0.59 0.84 1.23 1.44 1.7 2.03 2.5
Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd (V.) 0.187 0.213 0.240 0.271 0.306 0.330 0.371 0.403 0.419 0.432 0.449 0.472
Tabla 6
Vcc(V.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd (V.) -0.003 0.976 1.829 3.856 5.808 7.8 9.69 11.65 14.71 17.51 19.52
Id(µA.) 0 0.5 0.5 0.6 0.75 0.91 1.2 1.25 1.56 2 2.4
Bibliografía:
Www.wikipedia.com
www.fisicalab.com
Circuitos eléctricos –dorf-svoboda-quinta edición.
Teoría de circuitos y componentes electrónicos-boylestard-nasheljky-octava
edición.
www.universidaddeoviedo.com
EXPERIENCIA N°3 11