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UNIVERSIDAD DE NARIÑO
LABORATORIO DE FÍSICA
ELECTRONICA I
PRACTICA No.6
CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES
OBJETIVOS
• Conocer el comportamiento de un diodo de silicio y de germanio
• Medir los efectos de las polarizaciones directa e inversa en la corriente de un diodo de silicio
• Determinar de manera experimental las características corriente-voltaje I vs V para un diodo de Si (1N5406) y compararla
con la ecuación correspondiente al modelo matemático
MATERIALES.

 2 cajas de conexiones
 Fuente de voltaje regulada 0 – 30 VDC
 Dos multímetros digitales (Amperímetro escala 200 mA, Voltímetro mV)
 Picoamperímetro
 Resistencia de carbón 100 Ω (5 w)
 Bombilla de 12 V
 Potenciómetro de 100 Ω
 Diodos: 1 de Si (1N5406), y de germanio
 cables
1. REALICE EL MARCO TEORICO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR
2. IDENTIFICACION DE LOS DIODOS
Inicialmente identifique los diodos disponibles para esta práctica.
¿Cómo identifica el ánodo A y el cátodo K del diodo?
3. OBSERVACIÓN DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO
a. Conecte el circuito de la Fig.1A utilizando el diodo de Si. Aumente el valor del voltaje de la fuente. ¿Qué observa? (Ver
diagrama pictórico Figura 1C)
b. Mida los voltajes de la fuente, el diodo y la bombilla de 12 V
c. ¿Se cumple segunda regla de Kirchhoff?
d. Invierta el diodo D (Fig.1B) y repita el mismo procedimiento anterior. ¿Qué observa?
e. Llenar los datos en la Tabla No.1
f. Cambie el diodo anterior por uno de Germanio y repita el procedimiento anterior
g. Llenar los datos en la Tabla No.2
h. ¿Qué observa?
i. Conclusión. ¿En qué dirección conduce el diodo?
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4. CURVA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO DE SILICIO Y DE GERMANIO
POLARIZACION DIRECTA
a. Arme el circuito de la Fig. 2 Usando el diodo de silicio ¿Qué función realiza la resistencia de 100 Ω?
b. Fije la fuente en 2.5V y varié el voltaje en el potenciómetro y mida la corriente I (en mA) que pasa por el diodo y su diferencia de
potencial V. Tabule los resultados en la Tabla No. 3 cuidado de identificar muy bien las unidades (todos los datos que pueda)

POLARIZACION INVERSA
a. Para la polarización inversa debe armar el circuito de la figura No. 3 (Diagrama pictórico Fig. 3 A)., para medir la corriente
inversa necesita un picoamperímetro, tenga cuidado de colocar el diodo en polarización inversa es decir con el cátodo hacia el
polo positivo de la Fuente
b. Tome datos de voltaje y corriente en ηA ò µA utilizando un picoamperímetro.

PREGUNTA:
¿Porque en polarización inversa ya no es necesario colocar una resistencia en serie con la fuente y el diodo?
c. Elabore en una misma grafica la polarización directa e inversa, representando I en el vertical y V en el eje horizontal. Describa
el gráfico. Está de acuerdo con la teoría. Investigue la ecuación teórica.
d. Mida la temperatura ambiente en grados C
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5. CURVA CARACTERÍSTICA DE UN DIODO DE GERMANIO.
a. Repite el numeral 3 para el diodo de germanio suministrado en la Tabla No. 4
b. ¿Qué diferencia se observa en las dos curvas? ¿Está de acuerdo con lo que dice la teoría?
a. Elabore en una misma grafica la polarización directa e inversa, representando I en el vertical y V en el eje horizontal. Describa el
gráfico. Está de acuerdo con la teoría. Investigue la ecuación teórica.
PREGUNTAS
1. El material semiconductor más común es _______________silicio
2. El germanio y el silicio, en forma pura, son ______________ aislantes
3. En el silicio dopado con impurezas como el arsénico hay una cantidad mayor de portadores de carga _____________ ,y el
material es tipo ______
4. El diodo de unión puede compararse con una resistencia ya que permite el flujo de la corriente en ambas direcciones.
___________ (V, F)
5. Para polarizar directamente un diodo de unión, conecte la punta __________ de una batería con la terminal tipo P y la punta
______________ con la terminal tipo N.
6. El voltaje de polarización directa de un diodo de silicio debe ser igual o mayor que ______ V para que el diodo pueda conducir de
manera apreciable.
7. La curva característica de un diodo de unión es la gráfica de ________ en función de __________
8. Una vez que se activa un diodo, al aumentar el voltaje en el diodo se produce una __________ circulación de corriente en el
diodo
9. La resistencia directa de un diodo de silicio es __________ ; la resistencia inversa __________
10. La resistencia directa de un diodo se puede verificar, de manera aproximada, utilizando __________
11. La primera aproximación de un diodo, conocida también como el diodo _______ , sirve cuando se quiere realizar un análisis
preliminar. De acuerdo con ella, el diodo es un _________ perfecto o un ________ perfecto.
12. Un diodo ideal se comporta como un interruptor ___________ cuando tiene polarización directa y como un interruptor
____________ cuando tiene polarización inversa.
13. El voltaje de barrera de un diodo de silicio es de ___________
14. En la segunda aproximación de un diodo, en el circuito externo se debe aplicar por lo menos _______ para que el diodo de silicio
se active. Entonces, sin importar la cantidad de corriente presente, la caída de potencial es _________ V
15. La resistencia _____________ es la resistencia de las regiones P y N. Esto impide que la corriente se incremente indefinidamente
una vez superado la barrera de ________ V
16. En la tercera aproximación de un diodo de silicio, se considera que hay un ____________ conectado en serie con una batería de
0.7 v y una _____________
CONCLUSIONES

PROBLEMAS
1. Dos diodos de Ge se conectan en oposición como se muestra en la figura 4 y se alimenta con una
batería de 3 voltios a una temperatura de 20°C. Utilizando el modelo matemático del diodo encontrar
los voltajes V1 y V2
2. Cuál es el valor de la corriente (en mA) en el circuito de la figura 5 si el diodo es ideal (1ª.
Aproximación)?
3. Cuál es el valor de la corriente (en mA en el circuito de la figura 5 si se emplea la segunda
aproximación?
4. Cuál es el valor de la corriente (en mA en el circuito de la figura 5 si se emplea la tercera
aproximación?
5. Si el diodo en el circuito de la figura 5 está abierto, el voltaje en la carga es:
a) 0 V b) 14.3 V c) 20 V d) -15 V e) NDA
6. Suponga que el voltaje de la carga es cero en el circuito de la figura 1, el problema puede deberse a:

a) Diodo en corto b) Diodo abierto c) Resistencia abierta d) Demasiado voltaje en la fuente e)

NDA
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HOJA DE DATOS

OBSERVACION DE DIODO

TABLA No 1 (Diodo de Silicio)

Polarización directa Polarización inversa

No. E(V) VD(V) VB(V) (VD + VB)(V) %error No. E(V) VD(V) VB(V) (VD + VB)(V) %error

1 3.0 1 3.0

2 7.5 2 7.5

3 10.0 3 10.0

TABLA No. 2 (Diodo de Germanio)

Polarización directa Polarización inversa

No. E(V) VD(V) VB(V) (VD + VB)(V) %error No. E(V) VD(V) VB(V) (VD + VB)(V) %error

1 3.0 1 3.0

2 7.5 2 7.5

3 10.0 3 10.0

MIDIENDO CORRIENTES (2ª aprox. Del diodo de Si)

Polarización directa diodo de Si, Voltaje Fuente E = 10V

𝐸𝐸 − 𝑉𝑉𝐷𝐷
VD(V) 𝑖𝑖(𝑚𝑚𝑚𝑚) 𝑇𝑇𝑇𝑇𝑇𝑇 =
𝑅𝑅 𝑖𝑖(𝑚𝑚𝑚𝑚)𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 %error
teo
∗ 100

0.7

Polarización inversa diodo de Si Voltaje Fuente E = 10V

VD(V)
𝑖𝑖(𝑚𝑚𝑚𝑚) 𝑇𝑇𝑇𝑇𝑇𝑇 = 0 𝑖𝑖(𝑚𝑚𝑚𝑚)𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
teo
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TABLA No.3
CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR
TABLA No.1 (Diodo de silicio)
Nomenclatura diodo : ___________
Temperatura (°C) : _____________ Temperatura (°K) = TC+ 273: _____________
𝑉𝑉
Ecuación a comprobar I = 𝐼𝐼𝑆𝑆 (𝑒𝑒 𝜂𝜂𝑉𝑉𝑇𝑇 − 1)
T (° K )
Donde η = 2 para las primeras décimas de voltio y η = 1 para valores grandes y VT = (V)
11600
Polarización directa
No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente
V(V) (mA) V(V) (mA) V(V) (mA) V(V) (mA)
1. 21. 41. 61.

2. 22. 42. 62.

3. 23. 43. 63.

4. 24. 44. 64.

5. 25. 45. 65.

6. 26. 46. 66.

7. 27. 47. 67.

8. 28. 48. 68.

9. 29. 49. 69.

10. 30. 50. 70.

11. 31. 51. 71.

12. 32. 52. 72.

13. 33. 53. 73.

14. 34. 54. 74.

15. 35. 55. 75.

16. 36. 56. 76.

17. 37. 57. 77.

18. 38. 58. 78.

19. 39. 59. 79.

20. 40. 60. 80.

Polarización inversa

No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente
V(V) (mA) V(V) (mA) V(V) (mA) V(V) (mA)
1. 11. 21. 31.

2. 12. 22. 32.

3. 13. 23. 33.

4. 14. 24. 34.

5. 15. 25. 35.

6. 16. 26. 36.

7. 17. 27. 37.

8. 18. 28. 38.

9. 19. 29. 39.

10. 20. 30. 40.

Profesor: _______________________________________
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Carlos Arturo Rosales

TABLA No.2 (Diodo de Germanio)

Nomenclatura diodo : ___________
Temperatura (°C) : _____________ Temperatura (°K) = TC+ 273: _____________
𝑉𝑉
Ecuación a comprobar I= 𝐼𝐼𝑆𝑆 (𝑒𝑒 𝜂𝜂𝑉𝑉𝑇𝑇 − 1)
T (° K )
Donde η = 1 y VT = (V)
11600
Polarización directa

No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente
V(V) V(V) V(V) V(V)
1. 21. 41. 61.

2. 22. 42. 62.

3. 23. 43. 63.

4. 24. 44. 64.

5. 25. 45. 65.

6. 26. 46. 66.

7. 27. 47. 67.

8. 28. 48. 68.

9. 29. 49. 69.

10. 30. 50. 70.

11. 31. 51. 71.

12. 32. 52. 72.

13. 33. 53. 73.

14. 34. 54. 74.

15. 35. 55. 75.

16. 36. 56. 76.

17. 37. 57. 77.

18. 38. 58. 78.

19. 39. 59. 79.

20. 40. 60. 80.

Polarización inversa

No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente No. Voltaje Corriente
V(V) V(V) V(V) V(V)
1. 8. 15. 22.

2. 9. 16. 23.

3. 10. 17. 24.

4. 11. 18. 25.

5. 12. 19. 26.

6. 13. 20. 27.

7. 14. 21. 28.

Fecha: _________________
Nombre 1: ___________________________________ Nombre 2: ___________________________________
Nombre 3: ___________________________________ Nombre 4: ___________________________________
Profesor: _______________________________________
Carlos Arturo Rosales
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