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    Informe 5 Final Torres

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    Benny Samir Bautista Escobar
    Este documento presenta los resultados de un experimento sobre las características básicas de un transistor bipolar NPN. El experimento incluyó medidas de resistencia con un ohmímetro, mediciones de corriente y voltaje para diferentes valores de resistencia de carga, y observaciones del comportamiento del transistor al variar la resistencia de carga. Los resultados se presentan en tablas y gráficos, y se analizan las regiones de operación y el efecto de cambios en los parámetros.

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    Benny Samir Bautista Escobar
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    Este documento presenta los resultados de un experimento sobre las características básicas de un transistor bipolar NPN. El experimento incluyó medidas de resistencia con un ohmímetro, mediciones de corriente y voltaje para diferentes valores de resistencia de carga, y observaciones del comportamiento del transistor al variar la resistencia de carga. Los resultados se presentan en tablas y gráficos, y se analizan las regiones de operación y el efecto de cambios en los parámetros.

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    Este documento presenta los resultados de un experimento sobre las características básicas de un transistor bipolar NPN. El experimento incluyó medidas de resistencia con un ohmímetro, mediciones de corriente y voltaje para diferentes valores de resistencia de carga, y observaciones del comportamiento del transistor al variar la resistencia de carga. Los resultados se presentan en tablas y gráficos, y se analizan las regiones de operación y el efecto de cambios en los parámetros.

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    Informe 5 Final Torres

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    Este documento presenta los resultados de un experimento sobre las características básicas de un transistor bipolar NPN. El experimento incluyó medidas de resistencia con un ohmímetro, mediciones de corriente y voltaje para diferentes valores de resistencia de carga, y observaciones del comportamiento del transistor al variar la resistencia de carga. Los resultados se presentan en tablas y gráficos, y se analizan las regiones de operación y el efecto de cambios en los parámetros.

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    de 5

    Universidad Nacional Mayor de San Marcos

    Decana de América - Fundada el 12 mayo de 1551

    Universidad
    Nacional Mayor de
    San Marcos.
    Profesor:
    Alfredo Torres León.

    Curso:
    Circuitos electrónicos I
    Informe Final 5
    Transisor bipolar NPN caraterísticas básicas
    Alumna:
    Quispe León Rosa Esmeralda

    Código:
    14190244

    Informe final V
    Universidad Nacional Mayor de San Marcos
    Decana de América - Fundada el 12 mayo de 1551

    2
    I. PROCEDIMIENTOS:

    i. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro. Llenar la tabla


    1.

    RESISTENCIA DIRECTA(Ω) INVERSA(Ω)


    Base – emisor 0.907 K >>30 M
    Emisor – colector 0.899 K >>30 M
    Colector –Emisor >>30 M >>30 M
    a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
    Obtener el β (usar P1=0).
    b) Medir los voltajes entre el colector-emisor (Vce), entre base-emisor
    (Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
    c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.

    Valores (R1= 56K) Ic(mA) Ib(A)  Vce (v) Vbe(v) Ve (v)


    Teóricos 3.695 123.148 30 7.492 0.6 0.839
    Medidos 6.6 240 27.5 3.96 0.68 1.39

    d) Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b) y anotar los datos en
    la tabla 3 (por ajuste de P1).

    Informe final V
    Universidad Nacional Mayor de San Marcos
    Decana de América - Fundada el 12 mayo de 1551

    Valores (R1= 68K) Ic(mA) Ib(A)  Vce (v) Vbe(v) Ve (v)


    3
    Teóricos 2.986 99.522 30 8.357 0.6 0.876

    Medidos 5.4 200 27 5.24 0.68 1.16

    e) Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ y 1MΩ.


    observar lo que sucede con las corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce.
    Llenar la tabla 5.

    P1 100 K 250 K 500 K 1 M


    Ic (mA) 1.4 0 0 0
    Ib(uA) 5.02 0 0 0
    Vce (v) 10.08 11.63 11.63 11.64
    (Q3) (Q4) (Q5) (Q6)

    ii. Ajustar el generador de señales a 50mv.pp, 1KHz., onda senoidal. Observar la


    salida de Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.

    TABLA Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

    2(Q1) 1.1 7.12 154.5 3.2 343.8

    Informe final V
    Universidad Nacional Mayor de San Marcos
    Decana de América - Fundada el 12 mayo de 1551

    II. CUESTIONARIO FINAL:


    4
    (a) Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación
    operativa con el Ohmímetro.

    En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-


    colector y colector-emisor en polarización directa son bajas, ya que en
    polarización directa el transistor conduce corriente. En polarización
    inversa se observa que las resistencias son muy altas lo cual está bien
    ya que en polarización inversa el transistor no conduce corriente.

    (b) Representar la recta de carga en un gráfico Ic VS Vce del circuito del


    experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las Tabla 2, 3 y 5.

    Ic (µA) vs Vce(v)
    7

    0
    0 2 4 6 8 10 12 14

    (c) ¿En qué regiones de trabajar se encuentran los puntos de las Tabla 2
    y 3?

    Los puntos de la tabla 2 y 3 se encuentran en la región activa

    (d) ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambios R1 a 150kΩ?


    Explicar lo ocurrido e indicar sus valores teóricos.

    Si aumentamos el R1 el punto de operación se desplazará hacia la región


    de corte.

    (e) Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este


    experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor
    PNP).
    La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la
    polaridad de sus electrodos

    Informe final V
    Universidad Nacional Mayor de San Marcos
    Decana de América - Fundada el 12 mayo de 1551

    Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un


    polímetro: Este dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para 5
    un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es
    necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado
    si es un NPN o un PNP.

    III. CONCLUSIONES

    Al aumentar el valor de R1 el punto de operación se desplaza hacia la


    región de corte ya que la corriente de colector y la corriente de base
    empezó a disminuir y el voltaje de colector-emisor a aumentar cuando
    aumentamos R1.

    Lo mismo sucede en el caso de la Re ya que cuando hicimos Re=0 el punto


    de operación se desplazó hacia la región de saturación.

    Informe final V

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