LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 3

“Año del Fortalecimiento de la Soberanía Nacional”

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

CURSO
Laboratorio de Dispositivos y Componentes Electrónicos - L17

DOCENTE
Mestas Ramos, Jose Luis

TEMA
Experiencia N° 3

INTEGRANTES – GRUPO 4
Carrasco Alcántara, Johnny Jorkaef
Ccama Sara, Sandro Xavier
Arias Mendoza, Georges Mijael
Gomez Amaya, Ludwig Alessandro
Grados Rodriguez, Leonardo Fabian
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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

EXPERIENCIA N° 3
EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

I. OBJETIVOS

Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar PNP

II. EQUIPOS Y MATERIALES

● Fuente de poder DC
● Multímetro
● Microamperímetro
● Voltímetro DC
● Transistor 2N3906
● Resistores: Re = 33 , Rc = 1K , R1 = 56 y R2
● Condensadores: Cb = 0.1uF, Cc = 0.1uF y Ce = 3.3uF
● Osciloscopio
● Potenciómetro
● Cables y conectores

III. INFORME PREVIO

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor

bipolar

Transistor Bipolar PNP :

Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente el

transistor está constituido por tres regiones semiconductores denominadas emisor, base y

colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados PNP y NP, siendo el

comportamiento de los transistores PNP totalmente análogos. Es un dispositivo electrónico de

estado sólido consiste en dos uniones PN muy cercanas entre si, que permiten aumentar la

corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus

terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al

desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y

son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre
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ellos su impedancia de entrada es bastante baja.Los transistores bipolares son los transistores

más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica, aunque también en algunas

aplicaciones de electrónica digital.

EMISOR:

Se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su

nombre se debe a que este terminal funciona como emisor de portadores de carga.

BASE:

La intermedia, muy estrecha, que separa al emisor del colector.

COLECTOR:

De extensión mucho mayor.En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada

en directa, mientras que la base colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el

emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores y la

mayoría pasa al colector

El transistor posee tres estados de operación:

• Zona de saturación:

El diodo colector esta polarizado directamente y el transistor se comporta como una pequeña

resistencia. En esta zona un aumento adicional de la base no provoca un aumento de la corriente

del colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.

• Zona activa:

En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente, determinada por la

corriente de la base. A pequeños aumentos de la corriente de base corresponden grandes

aumentos de la corriente del colector, de forma casi independiente de la tensión entre el emisor y

colector. Para trabajar en esta zona el diodo base- emisor ha de estar polarizado en directa;

mientras el diodo base-colector, de forma inversa.

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• Zona de corto:

El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener un circuito base-emisor

abierto, en estas circunstancias la corriente del colector es prácticamente nula y por ello se

puede considerar el transistor en su circuito colector-emisor como un interruptor abierto.

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector

en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la

barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores

que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.

2. De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar 2N3906

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IV. PROCEDIMIENTO

1. Verificar el estado operativo del transistor usando un ohmímetro. Llenar la tabla 3.1
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Tabla 3.1
Rdirecta Rinversa

Base - Emisor 45. 35 𝑀Ω -r-

Base - Colector 44. 88 𝑀Ω -r-

Colector - Emisor 2. 448 𝐺Ω -r-

2. Implementar el circuito de la figura 3.1

a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener B (P1 = 0)

𝐼𝑐 1.036 𝑚𝐴
β= 𝐼𝑏
= 0.179 𝑚𝐴
= 5. 788

b. Medir las tensiones entre el colector - emisor y entre emisor - tierra.

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c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 3.2

Tabla 3.2
Valores (R1 = 56𝑘Ω) Ic(mA) Ib(uA) B VCE(V) VBE(V) VE(V)

Teóricos 2. 1 136 15. 5 9. 3 0. 6 0. 59

Medidos 2. 121 136 15. 6 9. 298 0. 602 0. 579

d. Cambiar R1 a 68𝑘Ω. Repetir los pasos a y b. Anote los resultados obtenidos en la tabla 3.3

Tabla 3.3
Valores (R1 = 68𝑘Ω) Ic(mA) Ib(uA) B VCE(V) VBE(V) VE(V)

Teóricos 2. 15 136 15. 8 0. 6 9. 23 0. 6

Medidos 2. 152 136 15. 8 0. 603 9. 258 0. 588

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e. Aumentar el valor de resistencia de P 1 a 100𝑘Ω, 250𝑘Ω, 500𝑘Ω y 1𝑀Ω. Observar lo que

sucede con las corrientes Ic e Ib así como con la tensión Vcc (usar Re = 0). Llene la tabla 3.5
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Tabla 3.5
Q3 Q4 Q5 Q6

P1 100𝑘Ω 250𝑘Ω 500𝑘Ω 1𝑀Ω

Ic (mA) 0. 485 0. 487 0. 490 0. 489

Ib (uA) 419 420 421 421

Vcc (V) 0. 074 0. 073 0. 072 0. 072

3. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1kHz, onda sinusoidal. Observar la salida V o

con el osciloscopio. Anote sus resultados en la tabla 3.4.

Con R1=56kΩ y con Ce

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Con R1=56kΩ y sin Ce

Con R1=68kΩ y con Ce

Con R1=68kΩ y sin Ce

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Ganancia de voltaje (Av):

Tabla 3.4
Tabla Vi(mVpp) Vo (mVpp) AV Vo(Sin Ce) AV(Sin Ce)

3.2 49.8 24.5 0.49 47.8 0.96

3.3 49.9 24.5 0.49 47.8 0.96

V. CUESTIONARIO

1. Explicar el comportamiento del transistor al realizar su verificación de operatividad con

el ohmímetro.

El transistor se comportó como 2 diodos unidos por el cátodo como se muestra a continuación.
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2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del experimento. Ubicar
los puntos correspondientes a las tablas 3.2, 3.3 y 3.5
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3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 3.2 y 3.3?
El transistor sólo amplifica en esta zona y se comporta como una fuente de corriente constante
controlada por intensidad de base (ganancia de corriente). Esto suele proporcionarnos el
fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic).

Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la corriente de base
corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi independiente de la
tensión entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado
en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.

4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 120K?

Datos:
R1= 120 KΩ, R2= 22 KΩ, RC= 1 KΩ, RE= 330 Ω, VCC= 12 V, hfe =100, P1= 0
Obtenemos los siguientes resultados teóricos:
• IC ≈IE≈3.21 mA
• IB= 32.1 μA
• VCE= 7.73 V
• ICMÁX= 9.022 mA
• VCEMÁX= VCC= 12 V
Si ubicamos el punto de trabajo del transistor en la recta de carga, pues, encontraremos que el
transistor sí está trabajado y está ubicado en la zona activa; es decir, el transistor actúa como
un amplificador.
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5. Exponer sus conclusiones acerca del experimento

● Fue importante armar correctamente el circuito, ya que, una errónea conexión podría
causar que no midiésemos bien los valores de la tabla o también podría ocasionar que los
componentes se averíen.

● Obtuvimos una pequeña variación entre los resultados teóricos y prácticos de los valores
que se requirieron ser calculados.

● Es importante polarizar correctamente al transistor debido a que, si es polarizada

inadecuadamente, podríamos obtener datos muy diferentes a lo que queremos.

VI. OBSERVACIONES

● La variación del potenciómetro genera cambios en la ganancia de corriente y voltaje.

● Aumentar el valor de la resistencia no genera mayor ganancia pero disminuye la estabilidad en
un amplificador.
● Se busca tener una buena ganancia y estabilidad

VII. BIBLIOGRAFÍA

➔ Tsai, JH, Chiu, SY, Lour, WS y Guo, DF (2009). Transistor bipolar de heterounión dopado
en δ InGaP/GaAs pnp de alto rendimiento. Semiconductores , 43 (7), 939-942.
➔ Pease, RL, Platteter, DG, Dunham, GW, Seiler, JE, Barnaby, HJ, Schrimpf, RD, ... y
Nowlin, RN (2004). Caracterización de los efectos mejorados de la sensibilidad a la tasa
de dosis baja (ELDRS) utilizando estructuras de transistores PNP laterales con
compuerta. Transacciones IEEE sobre ciencia nuclear , 51 (6), 3773-3780.
➔ Law, RR, Mueller, CW, Pankove, JI y Armstrong, LD (1952). Un transistor de unión pnp
de germanio en desarrollo. Actas de la IRE , 40 (11), 1352-1357.