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    Lab 2a 2023

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    Frank Erick Espiritu Simon
    Este documento describe tres experimentos realizados con transistores BJT. El primer experimento involucra la identificación y prueba del transistor mediante mediciones entre sus terminales. El segundo experimento implica la polarización simple del transistor. El tercer experimento implica la polarización del transistor mediante un divisor de voltaje. Después de cada experimento, se solicita determinar el punto de operación del transistor y responder preguntas sobre conceptos relacionados con transistores.

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    Lab 2a 2023

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    Frank Erick Espiritu Simon
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    Este documento describe tres experimentos realizados con transistores BJT. El primer experimento involucra la identificación y prueba del transistor mediante mediciones entre sus terminales. El segundo experimento implica la polarización simple del transistor. El tercer experimento implica la polarización del transistor mediante un divisor de voltaje. Después de cada experimento, se solicita determinar el punto de operación del transistor y responder preguntas sobre conceptos relacionados con transistores.

    Título original

    LAB_2A_2023(1)

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    Este documento describe tres experimentos realizados con transistores BJT. El primer experimento involucra la identificación y prueba del transistor mediante mediciones entre sus terminales. El segundo experimento implica la polarización simple del transistor. El tercer experimento implica la polarización del transistor mediante un divisor de voltaje. Después de cada experimento, se solicita determinar el punto de operación del transistor y responder preguntas sobre conceptos relacionados con transistores.

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    Este documento describe tres experimentos realizados con transistores BJT. El primer experimento involucra la identificación y prueba del transistor mediante mediciones entre sus terminales. El segundo experimento implica la polarización simple del transistor. El tercer experimento implica la polarización del transistor mediante un divisor de voltaje. Después de cada experimento, se solicita determinar el punto de operación del transistor y responder preguntas sobre conceptos relacionados con transistores.

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    de 8

    -

    Ingeniería Mecatrónica
    Circuitos Electrónicos
    LABORATORIO N° 2A

    EL TRANSISTOR BJT

    Código Apellidos y Nombres

    Sección Grupo Fecha Mesa

    Calificación

    Nota Final
    (20)

    Observaciones:

    1
    OBJETIVOS

    1. Reconocer e identificar un transistor BJT.


    2. Probar el estado de un transistor BJT.
    3. Polarizar un transistor BJT.

    MATERIALES

    Transistor: 2N3904 (2)


    Resistencias: 1kΩ, 100kΩ, 10kΩ, 3.9kΩ, 1MΩ (2)

    EXPERIENCIA 1: IDENTIFICACIÓN Y PRUEBA DEL TRANSISTOR

    1. Sostenga cada transistor como se muestra en la figura y enumere los


    terminales de izquierda a derecha.

    1 2 3

    2. Seleccione en el multímetro modo continuidad y pulse el botón que active la


    opción prueba de diodos.
    3. Realizar las mediciones indicadas en la siguiente tabla:

    TERMINALES 1-2 2-1 1-3 3-1 2-3 3-2

    LECTURA

    2
    4. Si el transistor se encuentra en buen estado, se obtendrá dos lecturas
    menores a 1V (polarización directa) y cuatro lecturas que registran OL (Over
    Loop). De las lecturas menores a 1V, el terminal común es la base, el emisor
    será el terminal que juntamente con la base registre la mayor lectura.

    5. A partir de la información anterior indique los terminales correspondientes al


    emisor, base y colector.

    TERMINAL

    6. Mediante la datasheet indique y responda lo siguiente características con sus


    respectivas unidades:

    Máximo voltaje como suministro (VCEO)

    Máxima corriente que puede circular ICMAX

    Ganancia de corriente (HFE)

    Potencia máxima en el transistor (PD)

    EXPERIMENTO 2: POLARIZACIÓN SIMPLE DEL TRANSISTOR

    1. Implemente en módulo de experimento el circuito siguiente:

    3
    2. Con el voltímetro, conéctelo entre el colector y tierra, mida el voltaje anotando
    en la tabla I.
    3. Mida ahora el voltaje de base con respecto a tierra. Anote en la tabla I.
    4. Apague la fuente de poder, retire el transistor y remplácelo por otro transistor.
    Encienda la fuente de poder, repita los pasos 2, 3, 4

    Tabla I

    Transistor 1 2

    VC

    VB

    VE

    5. Determine el punto de operación de cada transistor.

    Transistor 1 2

    VCE 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
    12𝑉 − 𝑉𝐶
    IC 𝐼𝐶 =
    3.9𝑘Ω
    12𝑉 − 𝑉𝐵
    IB 𝐼𝐵 =
    2𝑀Ω

    4
    EXPERIMENTO 2: POLARIZACIÓN POR RESISTENCIA COLECTOR- BASE

    1. Implemente el siguiente circuito:

    2. Mida el voltaje colector con respecto a tierra. Anote en la tabla II.


    3. Mida el voltaje de base con respecto a tierra. Anote en la tabla II.
    4. Apague la fuente de poder, retire el transistor y remplácelo por otro transistor.
    Encienda la fuente de poder, repita los pasos 2, 3.

    Tabla II

    Transistor 1 2

    VC

    VB

    VE

    5. Determine el punto de operación de cada transistor.

    Transistor 1 2

    VCE 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
    12𝑉 − 𝑉𝐶
    IC 𝐼𝐶 = − 𝐼𝐵
    3.9𝑘Ω
    𝑉𝐶 − 𝑉𝐵
    IB 𝐼𝐵 =
    500𝑘Ω

    5
    EXPERIMENTO III: POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE

    1. Construya el siguiente circuito:

    2. Con el voltímetro en continuo mida respecto a tierra los voltajes de polarización


    en emisor (E), base (B), colector (C). Anote los valores en la tabla III.
    3. Apague la fuente de poder retire el transistor y remplácelo por otro transistor.
    Encienda la fuente de poder, repita los pasos 2, 3.

    Tabla III

    Transistor 1 2

    VC

    VB

    VE

    4. Determine el punto de operación de cada transistor.

    6
    Transistor 1 2

    VCE 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
    12𝑉 − 𝑉𝐶
    IC 𝐼𝐶 =
    3.9𝑘Ω
    𝑉𝐸
    IB 𝐼𝐵 = − 𝐼𝐶
    1𝑘Ω

    PREGUNTAS

    1. En la característica de salida del transistor bipolar se ven:

    a. Las curvas 𝐼𝑐 = 𝑓(𝑉𝑐𝑒) con 𝐼𝑏 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.


    b. Las curvas 𝐼𝑏 = 𝑓(𝑉𝑏𝑒) con 𝐼𝑐 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
    c. Las curvas 𝑉𝑐𝑒 = 𝑓(𝑉𝑏𝑒) con 𝐼𝑏 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.

    2. En la zona de saturación:
    a. El valor de Vce es muy alto.
    b. El valor de Vce es pequeño.
    c. No es posible afirmar nada acerca del voltaje Vce.

    3. β es:
    𝑉𝑐𝑒
    a. La ganancia de voltaje 𝑉𝑏𝑒
    𝐼𝑐
    b. La ganancia de corriente 𝐼𝑏
    𝑉𝑐𝑒
    c. La impedancia de salida 𝐼𝑐
    𝑉𝑏𝑒
    d. La impedancia de entrada 𝐼𝑏

    4. En una fuente de corriente ideal:


    a. La corriente permanece constante al variar la carga.
    b. El voltaje permanece constante al variar la carga.
    c. La corriente y el voltaje permanecen constantes al variar la carga.
    d. La corriente y el voltaje varían al variar la carga.

    5. En la región de saturación, puede verse en la característica de salida que:


    a. Una relación lineal entre Ib y Vbe.
    b. Una relación inversa: Ib es proporcional a 1/Vbe.
    c. Una característica similar a la del diodo.
    d. Una relación lineal entre Ic y Vbe.

    7
    6. La característica muestra que la corriente de colector del transistor bipolar
    es:
    a. Mayor que la corriente de base.
    b. Menor que la corriente de base.
    c. Independiente de la relación entre Ib e Ic.

    7. Si deseamos modificar la corriente de salida de una fuente de corriente, el


    parámetro de control debe ser:
    a. Vce.
    b. Vbe.
    c. Ib.
    d. El voltaje de alimentación.

    8. A partir de la pregunta anterior, podemos afirmar también que, en la región


    activa:
    a. La corriente de colector depende de Vce y de Ib.
    b. La corriente de colector no depende de Vce ni de Ib.
    c. La corriente de colector depende sólo de Vce
    d. La corriente de colector depende sólo de Ib.

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