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    Facultad de Ingeniería Electrónica Y Eléctrica

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    Juan Jose Espinoza Rojas
    Este documento presenta los resultados de un experimento sobre las características básicas de un transistor bipolar PNP. Se verificó el estado operativo del transistor usando un ohmímetro y se midieron las corrientes y tensiones en circuitos que incluyen el transistor con varios valores de resistencia. Los resultados muestran que a medida que aumenta la resistencia, la corriente de colector aumenta mientras la tensión de colector disminuye, y que los puntos de operación se encuentran en la zona de saturación.

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    Este documento presenta los resultados de un experimento sobre las características básicas de un transistor bipolar PNP. Se verificó el estado operativo del transistor usando un ohmímetro y se midieron las corrientes y tensiones en circuitos que incluyen el transistor con varios valores de resistencia. Los resultados muestran que a medida que aumenta la resistencia, la corriente de colector aumenta mientras la tensión de colector disminuye, y que los puntos de operación se encuentran en la zona de saturación.

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    Este documento presenta los resultados de un experimento sobre las características básicas de un transistor bipolar PNP. Se verificó el estado operativo del transistor usando un ohmímetro y se midieron las corrientes y tensiones en circuitos que incluyen el transistor con varios valores de resistencia. Los resultados muestran que a medida que aumenta la resistencia, la corriente de colector aumenta mientras la tensión de colector disminuye, y que los puntos de operación se encuentran en la zona de saturación.

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    Este documento presenta los resultados de un experimento sobre las características básicas de un transistor bipolar PNP. Se verificó el estado operativo del transistor usando un ohmímetro y se midieron las corrientes y tensiones en circuitos que incluyen el transistor con varios valores de resistencia. Los resultados muestran que a medida que aumenta la resistencia, la corriente de colector aumenta mientras la tensión de colector disminuye, y que los puntos de operación se encuentran en la zona de saturación.

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    “Año de la Universalización de la Salud”

    UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS


    (Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)

    FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA.

    INFORME FINAL
    PRESENTADO POR:

    • POOL TEMISTOCLES LIVIA FERNANDEZ

    LIMA – PERÚ
    2020
    EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

    1. Verificar el estado operativo del transistor usando un ohmímetro. Llenar la tabla 3.1

    R directa R inversa
    Base-Emisor 45,35MOhm -r-
    Base-Colector 44,8MOhm -r-
    Colector-Emisor 2,448GOhm -r-

    2. Implementar el circuito de la figura 3.1

    a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener B (P1 = 0)
    b. Medir las tensiones entre el colector emisor y entre emisor tierra
    c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 3.2
    B=Ic/Ib

    Valores (R1 = 56KΩ) Ic(mA) Ib(uA) B Vce(V) Vbe(V) Ve(V)


    Medidos 1.554 700.279 2.219 682.5 53.12 4.015

    d. Cambiar R1 a 68K. Repetir los pasos a y b. Anote los resultados obtenidos en la tabla 3.3

    B=Ic/Ib

    Valores (R1 = 68KΩ) Ic(mA) Ib(uA) B Vce(V) Vbe(V) Ve(V)


    Medidos 1.563 716.107 2.183 673.9 62.12 3.982
    e. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar la salida Vo
    con el osciloscopio. Anote sus resultados en la tabla 3.4.

    Tabla Vi(mVpp) Vo(Vpp) AV Vo(sin Ce) AV(sin Ce)


    3.2 50 0.024 0.048 0.048 0.097
    3.3 50 0.025 0.05 0.05 0.1

    f. Aumentar el valor de resistencia de P1 a 100K , 250K, 500K y 1M. Observar lo que


    sucede con las corrientes Ic e Ib así como con la tensión Vcc (usar Re= 0). Llene la tabla
    3.5

    Q3 Q4 Q5 Q6
    P1 100K 250K 500K 1M
    Ic(mA) 1.964 2.011 2.027 2.036
    Ib(uA) 339.4 347.5 350.4 351.9
    Vcc(V) 2.77 2.55 2.471 2.431
    Cuestionario
    1. Explicar el comportamiento del transistor al realizar su verificación de operatividad con el
    ohmímetro.

    Al someter al transistor PNP al ohmímetro, conectando la base al terminal negativo, de


    acuerdo con su tipo de material N, y conectar el terminal positivo con el colector y emisor,
    notaremos que la resistencia base-colector es menor con respecto a la resistencia base-emisor.
    Lo cual nos ayuda a identificar sus terminales.

    2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del experimento. Ubicar los
    puntos correspondientes a las tablas 3.2, 3.3 y 3.5

    Recta de carga en la tabla 3.2

    Ic vs Vce
    1.8
    1.6 1.55
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0 0
    0 15v

    Ic vs Vce

    Recta de carga en la tabla 3.3

    Ic (mA) vs Vce
    Ic (mA) vs Vce
    1.
    1.
    1.
    1.
    1
    0.
    0.
    0.
    0.
    0
    0 1
    Recta de carga en la tabla 3.5
    En P1 = 100k

    Ic (mA) vs V ce (v)
    Ic (mA) vs V ce (v)

    2.5

    1.5

    0.5

    0
    0 15

    En P1=250k

    Ic(mA) vs Vce(v)
    Ic(mA) vs Vce(v)

    2.5

    1.5

    0.5

    0
    0 15
    En P1=500k

    Ic(mA) vs Vce (v)


    Ic(mA) vs Vce (v)

    2.5

    1.5

    0.5

    0
    0 15

    En p1 =1M

    Ic(mA) vs Vce (v)


    Ic(mA) vs Vce (v)

    2.5

    1.5

    0.5

    0
    0 15
    3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 3.2 y 3.3?

    Ambos puntos de trabajo se encuentra en la zona de saturación.

    4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 120KΩ?

    El punto de operación también se encuentra en la zona de saturación.

    Discusión de resultados

    Haciendo uso del potenciómetro en la simulación del circuitos podemos observar que a media
    que incrementemos el valor de su resistencia la corriente que fluye por la base y la corriente
    que fluye por el colector del transistor, también incrementan caso contrario con el voltaje del
    colector del transistor donde este disminuye .

    Conclusiones

    • De acuerdo en que zona de trabajo se encuentre el punto de operación, el transistor se


    comporta de determinada manera. Donde en la zona, actúa como amplificador de
    señales, que es la comúnmente usada.
    • Debido a que los puntos de operación de cada tabla, se encuentran en la zona de
    saturación, por lo que el transistor funciona mejor en circuitos de computacionales y
    digitales, es decir, circuitos de conmutación.
    Existen situaciones que pueden alterar el beta (ganancia de corriente directa) como
    alteraciones en la temperatura, la Ib permanece constante.

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