Universidad Tecnológica De Puebla

División De Mecatrónica
Área: Instalaciones Eléctricas Eficientes

Materia: “Estructura y Propiedades de los Materiales”

Actividad 1: Reporte de materiales semiconductores.

Profesora: Martha Patricia Diaz Barreda

Integrantes:
Julio Miranda Torres
Senén Domínguez Reyes
Brandon López Águila
Brandon Amaro Sánchez
Guillermo Alfredo Espinoza Fernández
Fernando Alberto Anaya Miranda

4°I

02/12/2021
Tipo de Semiconductor.
Silicio (Si)
El silicio es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y
situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de
símbolo Si. Es el segundo elemento más abundante en la corteza
terrestre (25,7 % después del oxígeno). Se presenta en forma
amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco, más activo
que la variante cristalina, que se presenta en octaedros de color azul
grisáceo y brillo metálico.
El silicio puede ser utilizado como semiconductores intrínsecos, el cual
forman el punto de partida para la fabricación y tienen cuatro electrones
de valencia. El silicio es de lejos, el semiconductor mas ampliamente
utilizado, particularmente porque se puede usar a mucho mayor
temperatura que el germanio.
En el caso de los semiconductores de tipo p, dentro de los cuales se enmarca el silicio
con impurezas de aluminio, existe un enlace covalente en el que ambos átomos
comparten los electrones de sus últimas órbitas, lo que da lugar a un total de siete en esa
última capa (cuatro del silicio y tres aluminios). El problema es que aún sigue faltando un
electrón más para completarla, y en el momento en el cual “lo capta” se crea un material
cargado negativamente.
Por el contrario, en los semiconductores de tipo n, como el silicio con impurezas de
fósforo, sucede lo opuesto. En este caso contamos con cuatro electrones del silicio y
cinco del fósforo, de forma que es necesario desprenderse de un electrón para alcanzar
esa órbita de ocho, lo que da lugar a un material cargado negativamente.

Tipo de estructura del Semiconductor.

-Elemental:
El átomo de silicio presenta un enlace covalente, esto quiere decir que cada átomo está
unido a otros cuatro átomos y compartiendo sus electrones de valencia. Es así, porque
de otra manera el silicio no
tendría el equilibrio en la
capa de valencia, necesita 8
electrones para su
estabilidad.
-Dopaje:
Semiconductor tipo N.
La adición de impurezas pentavalentes como el antimonio, arséniso, o fósforo, aportan
electrones libres, aumentando considerablemente la conductividad del semiconductor
intrínseco.

Semiconductor tipo P.
La adición de impurezas trivalentes tales como boro, aluminio, o galio a un semiconductor
intrínseco, crean unas deficiencias de electrones de valencia, llamadas "huecos".
Descripción del comportamiento de uniones.
NPN.
La estructura NPN está compuesto por tres capas de materiales semiconductores, este
arreglo es como un pastel de tres capas, Capa N-P-N. Estos materiales son cristales de
silicio que se encuentran dopados de forma distinta.
Cuando un cristal de material semiconductor de Silicio, se» dopa» con Boro, produce un
cristal semiconductor con sólo 3 electrones disponibles de 4, por lo tanto, se genera un»
hueco» eléctrico. En cambio, cuando el cristal es dopado con impurezas como arsénico,
(el arsénico tiene 5 electrones en su última capa), el
cristal se queda con un electrón de más. En resumen:
El material o capa N – tiene un electrón de más.
El material o capa P – le falta un electrón (hueco ).
Las capas N están formadas por cristales de un material
semiconductor. Por ejemplo, el Silicio, la capa N está
formada por cristales de silicio con impurezas. Estas
impurezas pueden ser:
 Arsénico
 Fósforo
 Antimonio

Material P
El material P esta formado por cristales de Silicio o
cualquier otro material semi-conductor como el
Germanio e impurezas como el boro. El boro al
tener sólo tres electrones en su última capa provoca
un hueco al unirse a un cristal de silicio.
PNPN.
El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo
de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o
bien NPNP.
Para los SCR el dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de
tipo P-N-P-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos
P-N-P y N-P-N, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada.
Se crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta
está a la unión J2 (unión NP).
Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio
(SCR); Aunque en realidad la forma correcta es clasificar al SCR como un tipo de tiristor,
a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC.

PNP.
PNP está formado por dos capas de material tipo P con una capa intercalada de tipo N.
La union PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las
diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido
a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
La union PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Esta unión aplicada en transistores PNP son comúnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente
de alimentación a través de una carga eléctrica externa.
Estos dispositivos funcionan a base de el Dopaje realizado con otros materiales, así
adquieres propiedades diferentes para conducir o aislar la corriente.

Características del Semiconductor.

Intrínseco.
El semiconductor intrínseco es aquel que está formado por un solo tipo de átomo. El más
frecuente,el silicio (Se). El silicio es el que encontraremos en la mayoría de los
dispositivos electrónicos, por ser el que más abunda en la naturaleza y el que mejor se
comporta a grandes temperaturas.
Los átomos de los semiconductores poseen 4 electrones en su órbita externa, que
comparte con los átomos adyacentes y forman 4 enlaces covalentes. Así, cada átomo
tiene 8 electrones en su capa más externa. Esto forma una red muy fuerte entre átomos
y sus electrones, que en circunstancias normales no se desplazan y son aislantes.
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conducción eléctrica a
través de un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga
negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un
generador. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes eléctricas: una debida al movimiento de los electrones libres de la estructura
cristalina, y otra debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que
tenderán a saltar a los huecos próximos, originando una corriente de huecos.

Extrinseco.
El semiconductor extrínseco es el resultado de introducir átomos de otros elementos a fin
de que el semiconductor primitivo pierda su pureza y gane en conductividad. Este proceso
de impurificación se conoce como “dopaje”. Según el tipo de impureza que se le añada
al semiconductor tendremos dos tipos de semiconductores extrínsecos.
-En el semiconductor tipo P, se emplean como dopantes elementos trivalentes, que se
son aquellos que cuentan con 3 electrones de valencia.
Se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia) como el Boro (B), Indio (In)
o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4 electrones necesarios para
establecer los 4 enlaces covalentes, en la red cristalina éstos átomos presentarán un
defecto de electrones (para formar los 4 enlaces covalentes). De esa manera se originan
huecos que aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina. Así, al
material tipo P también se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).
-Los semiconductores extrínsecos tipo N son aquellos obtenidos por la adición de
dopantes con más valencias que el semiconductor intrínseco de partida. En el caso del
silicio, que es tetravalente se utilizan dopantes pentavalentes.
El donante aporta electrones en exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se
moverán fácilmente por la red cristalina aumentando su conductividad. De ese modo, el
material tipo N se denomina también donador de electrones.

Curva de operación.
Transistores:
CONFIGURACION DEL BJT EN EMISOR COMUN CURVAS CARACTERISTICAS
BASICAS
• El presente circuito permite obtener las curvas de entrada (Vbe vs. Ib) y de salidad (Ic
vs. Vce) del BJT en EC.
• Se observa que la característica de entrada, es similar a la del diodo. Así, también
disminuirá Vbe con la temperatura a razón de 2mV/ºK.
• Las curvas características de salida muestran la corriente de collector independiente de
la Vce, si es mayor de 0,2 v.

DEFINICION DE LOS MODOS DE TRABAJO DEL BJT

• Según la polarización de cada unión, se obtendrá un modo de trabajo diferente, según

la tabla.
• En la región Activa - directa, el BJT se comporta como una fuente controlada.
(Amplificación)
• En el modo Corte únicamente circulan las corrientes inversas de saturación de las
uniones. Es casi un interruptor abierto.
• En Saturación, la tensión a través de la unión de colector es pequeña, y se puede
asemejar a un interruptor cerrado
• Activo – inverso, no tiene utilidad en amplificación.

Transistor de efecto campo

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la
tensión aplicada a la entrada. Características generales:
• Por el terminal de control no se absorbe corriente.
• Una señal muy débil puede controlar el componente
• La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico
Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador
permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor.
En la zona óhmica o lineal se observa como al aumentar la tensión drenador surtidor
aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor produce una
saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este
transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el transistor entre drenador y
surtidor.
Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad de
drenador es máxima.
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA
Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión de puerta.

HOJAS DE CARACTERíSTICAS DE LOS FET

En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los siguientes
parámetros (los más importantes):

• VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas soportables por la unión PN.
• IG.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta - surtidor cuando se
polariza directamente.
• PD.- potencia total disipable por el componente.
• IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0.
• IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta -
surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.
Tiristores
Se muestra la curva característica del SCR. Cuando el SCR tiene polarización inversa,
actúa como un diodo común, con su pequeña cantidad normal de corriente de fuga
(también llamada “corriente de escape” o “pérdida”). Cuando se aumenta la tensión
inversa, también llegara a la ruptura, como un diodo. También actúa como un diodo con
polarización directa entre los puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta,
tales como el punto C de la Figura 1.5, el SCR se pondrá en ON (o disparará) al valor
bajo de la tensión VB de ánodo a cátodo a lo largo del eje horizontal. Cuando disminuye
la corriente de compuerta, tal como el punto B de la Figura 1.5, la tensión VB de ánodo a
cátodo tendrá un valor mucho más alto antes que el SCR se ponga en ON.

Si la corriente de compuerta es cero, el SCR aún se pondrá ON sí la tensión se aumenta

a la tensión directa de transición conductiva (o tensión de Irrupción) en VA para poner
disparar un SCR se requiere una combinación de corriente de compuerta y de corriente
de ánodo a cátodo
 Universidad Tecnológica de Puebla

Lista de cotejo para el reporte de materiales semiconductores

Nombres de los alumnos: Grado y grupo: 4 I

Julio Miranda Torres
Senén Domínguez Reyes
Fernando Alberto Anaya Miranda
Brandon Amaro Sánchez
Guillermo Alfredo Espinoza Fernández
Brandon López Águila
Nombre del docente: Martha Patricia Díaz Materia: Estructura y Propiedades de
Barreda. los materiales.
Instrucciones: Marque un “Si” cuando el reactivo (trabajo) cumpla con lo solicitado
y/o establecido en caso contrario marque “No”.
Nota: En cada uno de los archivos mandados están las especificaciones de
cada uno de los trabajos.
Porcentaje Reactivo Cumple No cumple
Portada: Completa, correcta y
jerarquizada (sin punto final en
cada uno de los datos)
Nombre completo y correcto de
la universidad
Nombre completo y correcto de
la carrera y/o especialidad
Nombre completo y correcto de
la materia .5%
Nombre completo y correcto del
trabajo
Nombre completo y correcto del
docente
Nombre completo y correcto del
o de los alumnos a evaluar
Grado y grupo
Fecha de entrega
Logotipo de la institución (parte
superior izquierda, parte
superior derecha o de fondo de
hoja).

Nota: Evitar redundancia.

Tipo de semiconductor (del
elemento elegido investigar el
tipo de impurezas que tiene para 1%
que genere con dicho
comportamiento)

Identificar el tipo de
estructura atómica del
semiconductor elemental y
dopante (Colocar la estructura 1%
química de dicho material
semiconductor), colocar mínimo
2 imagen.
Descripción del
comportamiento de la unión
PNP, NPN y PNPN (colocar el
proceso químico para que el
elemento elegido tenga dicho 1%
comportamiento) mínimo 1
imagen (puede ser del proceso o
del resultado final)
Características del
semiconductor (intrínseco y
extrínseco), colocar mínimo 3 2%
características con su
descripción
Curva de operación
(transistor de unión bipolar,
de efecto de campo y tiristor)
colocar la imagen del método y 2.5%
describe el comportamiento para
que tuviera dicho
comportamiento.
Se entrega el día y en el horario 1%
solicitado
Con el mismo formato: Tipo y
tamaño de letra, así como deben
colocar sólo fórmulas químicas, 1%
justificar la información y
sangrías en los párrafos.
Calificación obtenida: 10%

Mtra. Martha Patricia Díaz Barreda