1․ՄՕԿ տրանզիստորի կառուցվածքը,աշխատանքի սկզբունքը

և էլեկտրական բնութագրերը(մւտքային և ելքային):

ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÝ»ñÝ ³ÏïÇí ÏÇë³Ñ³Õáñ¹ã³ÛÇÝ ë³ñù»ñ »Ý, áñáÝó ³ß˳ï³ÝùÁ ÑÇÙÝí³Í
¿ ÏÇë³Ñ³Õáñ¹ÇãÝ»ñÇ ýǽÇϳÛáõ٠ѳÛïÝÇ ¹³ßïÇ »ñ¨áõÛÃÇ íñ³: ²Ûë »ñ¨áõÛÃÇ ¿áõÃÛáõÝÝ ³ÛÝ ¿,
áñ ÏÇë³Ñ³Õáñ¹ãÇÝ ÏÇñ³éí³Í ɳÛÝ³Ï³Ý ¿É»Ïïñ³Ï³Ý ¹³ßïÇ ³½¹»óáõÃÛ³Ùµ ÷á÷áËíáõÙ ¿ (Ùá¹áõɳóíáõÙ ¿)
ÏÇë³Ñ³Õáñ¹ãÇ Ù»ñÓٳϻñ¨áõÛóÛÇÝ ß»ñïÇ Ñ³Õáñ¹³Ï³ÝáõÃÛáõÝÁ: ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÇ ³ß˳ï³ÝùÁ, Ç
ï³ñµ»ñáõÃÛáõÝ »ñϵ¨»é ϳéáõóí³ÍùÝ»ñÇ, å³Ûٳݳíáñí³Í ¿ ÑÇÙÝ³Ï³Ý ÉÇóù³ÏÇñÝ»ñÇ ï»Õ³÷áËÙ³Ý
»ñ¨áõÛÃÝ»ñáí:
ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÝ»ñÇ å³ñ½»óí³Í ϳéáõóí³ÍùÁ áõÝÇ Ñ»ï¨Û³É ï»ëùÁ, , µ»ñí³Í ¿ ݳ¨ å³ñ½»óí³Í
Ý߳ݳÏáõÙÁ ¿É»Ïïñ³Ï³Ý ë˻ٳݻñáõÙ: îñ³Ý½Çëïáñն áõÝÇ ãáñë ÑÇÙÝ³Ï³Ý ¿É»Ïïñá¹` ³ÏáõÝù
( SOURCE) , արտաբեր ( drain), ÷³Ï³Ý ( gate) ¨ ѳñÃ³Ï (substrate, bulk)

лﳷ³ ß³ñ³¹ñ³ÝùÝ»ñáõÙ Ù»Ýù Ïû·ïí»Ýù ³Ù»ñÇÏj³Ý ·ñ³Ï³ÝáõÃÛ³Ý Ù»ç ÁݹáõÝí³Í Ý߳ݳÏáõÙÝ»ñÇó (s,
d, g): Üßí³Í ϳéáõóí³ÍùáõÙ P ѳÕáñ¹³Ï³ÝáõÃÛ³Ùµ ëÇÉÇóÇáõÙ³ÛÇÝ Ñ³ñóÏáõÙ (ï»ë³Ï³ñ³ñ
¹ÇÙ³¹ñáõÃÛáõÝÁ ρ=(1......10) ûÑÙ•ëÙ) ¹Çýáõ½Ç³ÛÇ Ï³Ù ÇáݳÛÇÝ É»·Çñ³óÙ³Ý »Õ³Ý³ÏÝ»ñáí
Ó¨³íáñíáõÙ »Ý »ñÏáõ µ³ñÓñ É»·Çñ³óí³Í n+ ïÇñáõÛÃÝ»ñ 1018........1020 ëÙ-3 ٳϻñ¨áõóÛÇÝ
ÏáÝó»ïñ³ódzÛáí: ²Û¹ ïÇñáõÛÃÝ»ñÁ ·ïÝíáõÙ »Ý áñáß³ÏÇ Ñ»é³íáñáõÃÛ³Ý íñ³ (ųٳݳϳÏÇó
ï»ËÝáÉá·Ç³ÛáõÙ 1 ÙÏÙÇó ß³ï ß³ï ÷áùñ ÙÇÝ㨠10..,7 ÝÙ) ¨ ÏáãíáõÙ »Ý ³ÏáõÝù áõ ³ñï³µ»ñ (Ñáë³ñ³Ý):
²ÏáõÝùÁ ³ÛÝ ïÇñáõÛÃÝ ¿, áñÇó ¹áõñë »Ý ·³ÉÇë ÑÇÙÝ³Ï³Ý ÉÇóù³ÏÇñÝ»ñÁ : Ðáë³ñ³ÝÁ ³ÛÝ
ïÇñáõÛÃÝ ¿, áñï»Õ ѳí³ùíáõÙ »Ý ³ÏáõÝùÇó ¹áõñë »Ï³Í ÑÇÙÝ³Ï³Ý ÉÇóù³ÏÇñÝ»ñÁ, »ñµ Ýñ³Ý ïñíáõÙ
¿ ³ÏáõÝùÇ Ýϳïٳٵ ¹ñ³Ï³Ý åáï»ÝóÛ³É: ÈÇóù³ÏÇñÝ»ñÇ ß³ñÅáõÙÁ (¹ñ»ÛýÁ) ³ÏáõÝùÇó ¹»åÇ Ñáë³ñ³Ý
ï»ÕÇ ¿ áõÝ»Ýáõ٠ϳݳÉáí (·Í³·ñáõÙ Ýßí³Í ¿ áã ÑáÍ ·Íáí), »ñµ Ñáë³ñ³ÝÇÝ ³ÏáõÝùÇ Ýϳïٳٵ ïñíáõÙ
¿ ¹ñ³Ï³Ý åáï»ÝódzÉ: ²ÏáõÝùÇ ¨ Ñáë³ñ³ÝÇ ÙÇç¨ ÏÇë³Ñ³Õáñ¹ãÇ Ù»ñÓٳϻñ¨áõóÛÇÝ ïÇñáõÛÃÁ,
áñáõÙ ï»ÕÇ ¿ áõÝ»ÝáõÙ ÑÇÙÝ³Ï³Ý ÉÇóù³ÏÇñÝ»ñÇ ¹ñ»ÛýÁ, ÏáãíáõÙ ¿ Ï³Ý³É (áõÕ»ï³ñ): гñóÏÁ ØúÎ
ïñ³Ý½ÇëïáñÇ ÏáÝëïñáõÏïÇí ÑÇÙùÝ ¿, áñÁ áñáß³ÏÇ ë˻ٳÛÇÝ ÙdzóáõÙÝ»ñÇ ¹»åùáõ٠ϳñáÕ ¿ ³½¹»É
ïñ³Ý½ÇëïáñÇ ¿É»Ïïñ³Ï³Ý å³ñ³Ù»ïñ»ñÇ íñ³: Փ³Ï³ÝÁ Ù»Ïáõë³óí³Í ¿ ÏÇë³Ñ³Õáñ¹Çã ѳñóÏÇó ß³ï µ³ñ³Ï
(10ÝÙ ¨ ³í»ÉÇ ÷áùñ մինչև 1 նմ) ûùëǹ³ÛÇÝ ß»ñïÇ, ûñÇÝ³Ï SiO2 , ÙÇçáóáí: гٳéáï ùÝݳñÏ»Ýù
ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÇ ³ß˳ï³ÝùÇ ëϽµáõÝùÁ Ñ»ï¨Û³É ϳéáõóí³ÍùÇ Ñ³Ù³ñ։ ºÝó¹ñ»Ýù ÷³Ï³ÝÇÝ ïñí³Í
ɳñáõÙÁ Vg=0: ²Ûë ¹»åùáõÙ ³ÏáõÝùÇ ¨ Ñáë³ñ³ÝÇ ÙÇç¨ Ñáë³Ýù ãÇ ÑáëáõÙ, Ids=0, ù³ÝÇ áñ ³Û¹
ïÇñáõÛÃÝ»ñÁ Ù»Ïáõë³óí³Í »Ý Çñ³ñÇó ¨ ÁݹѳÝáõñ ѳñóÏÇó p-n ³ÝóáõÙÝ»ñÇ û·ÝáõÃÛ³Ùµ áñáÝù
³é³ç³ÝáõÙ »Ý p ѳÕáñ¹³Ï³ÝáõÃÛ³Ùµ ѳñóÏÇ Ñ»ï: ²ÏáõÝùÇ ¨ Ñáë³ñ³ÝÇ ÙÇç¨ É³ñÙ³Ý ó³Ýϳó³Í
µ¨»é³Ï³ÝáõÃÛ³Ý ¹»åùáõÙ p-n ³ÝóáõÙÝ»ñÇó Ù»ÏÁ ÙÇßï ß»Õí³Í ¿ ѳϳé³Ï áõÕÕáõÃÛ³Ùµ ¨ ³Û¹
ßÕóÛáí ÑáëáõÙ ¿ ÷³Ï p-n ³ÝóÙ³Ý Ñáë³ÝùÁ, áñÇ Ù»ÍáõÃÛáõÝÁ ãÇ ·»ñ³½³ÝóáõÙ 10-10²: ¶Í³·ñÇ íñ³
ϻﳷͻñáí óáõÛó ¿ ïñí³Í p-n ³ÝóÙ³Ý ³Õù³ï³óí³Í ïÇñáõÛÃÇ ë³ÑÙ³ÝÁ: ö³Ï³ÝÇÝ ïñí³Í ¹ñ³Ï³Ý ɳñÙ³Ý
áñáß³ÏÇ ³ñÅ»ùÇ ¹»åùáõÙ, áñÁ ÏáãíáõÙ ¿ ߻ٳÛÇÝ É³ñáõÙ Vg=Vt, ÏÇë³Ñ³Õáñ¹ãÇ
Ù»ñÓٳϻñ¨áõóÛÇÝ ß»ñïáõÙ ï»ÕÇ ¿ áõÝ»Ýáõ٠ѳÕáñ¹³Ï³ÝáõÃÛ³Ý ï»ë³ÏÇ ÷á÷áËáõÃÛáõÝ (ßñçáõÙ
ϳ٠ÇÝí»ñëdz) p→n:ÆÝí»ñëÇ³Ý å³Ûٳݳíáñí³Í ¿ ѳñóÏÇ Í³í³ÉÇó ¹»åÇ Ù³Ï»ñ¨áõÛà ӷíáÕ
¿É»ÏïñáÝÝ»ñÇ Ñáëùáí, »ñµ Ýñ³Ýó ÏáÝó»ïñ³óÇ³Ý ·»ñ³½³ÝóáõÙ ¿ ѳñóÏáõÙ ³Ïó»åïáñ³ÛÇÝ
˳éÝáõñ¹Ý»ñÇ (ËáéáãÝ»ñÇ ) ÏáÝó»ïñ³ódzÝ: êáíáñ³µ³ñ ÇÝí»ñë ß»ñïÇ Ñ³ëïáõÃÛáõÝÁ ϳ½ÙáõÙ
¿ Ùáï³íáñ³å»ë 10ÝÙ: ²ÏáõÝùÇ ¨ Ñáë³ñ³ÝÇ ÙÇç¨ ³é³ç³ÝáõÙ ¿ ѳÕáñ¹Çã áõÕÇ-ϳݳÉ, áñÇ
¹ÇÙ³¹ñáõÃÛáõÝÁ ϳñ»ÉÇ ¿ ÷á÷áË»É ÷³Ï³ÝÇÝ ïñí³Í ɳñÙ³Ý Ù»ÍáõÃÛ³Ùµ: γËí³Í ϳݳÉáõÙ ÑÇÙݳϳÝ
ÉÇóù³ÏÇñÝ»ñÇ ï»ë³ÏÇó ï³ñµ»ñíáõÙ »Ý n ϳݳÉáí ¨ p ϳݳÉáí ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÝ»ñ: ´»ñí³Í ûñÇݳÏÁ
ѳٳå³ï³ë˳ÝáõÙ ¿ á ϳݳÉáí ϳéáõóí³ÍùÇÝ: P ϳݳÉÇ ¹»åùáõÙ ÷áËíáõÙ »Ý ѳϳé³ÏÇ Ñ³ñóÏÇ, ³ÏáõÝùÇ ¨
Ñáë³ñ³ÝÇ Ñ³Õáñ¹³Ï³ÝáõÃÛ³Ý ï»ë³ÏÝ»ñÁ, ÇÝãå»ë ݳ¨ ÏÇñ³éí³Í ɳñáõÙÝ»ñÇ µ¨»é³Ï³ÝáõÃÛáõÝÁ:
γݳÉáõÙ ÉÇóù³ÏÇñÝ»ñÇ ï»ë³ÏÁ ѳٳå³ï³ë˳ÝáõÙ ¿ ³ÏáõÝùÇ ¨ Ñáë³ñ³ÝÇ Ñ³Õáñ¹³Ï³ÝáõÃÛ³Ý ï»ë³ÏÇÝ:
Àëï ÏáÝëïñáõÏïáñ³- ï»ËÝáÉá·Ç³Ï³Ý Çñ³·áñÍÙ³Ý ï³ñµ»ñ³ÏÝ»ñÇ ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÝ»ñÁ µ³Å³ÝíáõÙ »Ý
»ñÏáõ ï³ñ³ï»ë³ÏÝ»ñÇ` ÇݹáõÏóí³Í ϳݳÉáí ¨ Ý»ñ¹ñí³Í ϳݳÉáí ϳéáõóí³ÍùÝ»ñ: Ü»ñ¹ñí³Í ϳݳÉÁ ݳ˳ï»ëáõÙ
¿ ë³ñùÇ ÏáÝëïñáõÏódzÛáí ¨ Ó¨³íáñíáõÙ ¿ ïñ³Ý½ÇëïáñÇ ³ñï³¹ñáõÃÛ³Ý ÷áõÉáõÙ` É»·Çñ³óÝ»Éáí
ٳϻñ¨áõóÛÇÝ ß»ñïÁ ³ÏáõÝùÇ ¨ Ñáë³ñ³ÝÇ ÙÇç¨, ûñÇÝ³Ï ÇáݳÛÇÝ Ý»ñ¹ñÙ³Ý »Õ³Ý³Ïáí: Ü»ñ¹ñí³Í
ϳݳÉÇ Ñ³ëïáõÃÛáõÝÁ ϳ½ÙáõÙ ¿ ≈50ÝÙ և ավելի փոքր ¨ ³ÛÝ Ï³ñ»ÉÇ ¿ ÷á÷áË»É ï»ËÝáÉá·Ç³Ï³Ý
»Õ³Ý³ÏÝ»ñáí:²Ûëå»ë, »Ã» á ϳݳÉáí ïñ³Ý½ÇëïáñÝ»ñáõÙ ÷³Ï³ÝÇÝ Ï³Ý³ÉÇ Ýϳïٳٵ ïñí³Í ¿ ¹ñ³Ï³Ý
ɳñáõÙ Vg>0, ³å³ ϳݳÉÁ ѳñëï³ÝáõÙ ¿ ¿É»ÏïñáÝÝ»ñáí ¨ ٻͳÝáõÙ ¿ ϳݳÉÇ Ñ³Õáñ¹³Ï³ÝáõÃÛáõÝÁ
(ѳñëï³óÙ³Ý é»ÅÇÙ): гϳé³ÏÁ` ÷³Ï³ÝÇ µ³ó³ë³Ï³Ý ɳñÙ³Ý ¹»åùáõ٠ϳݳÉáõÙ Si-SiO2 ë³Ñٳݳ·ÍáõÙ
ï»ÕÇ ¿ áõÝ»ÝáõÙ ¿É»ÏïñáÝÝ»ñÇ ³Õù³ï³óáõÙ ¨ ϳݳÉÇ Ñ³Õáñ¹³Ï³ÝáõÃÛáõÝÁ ÷áùñ³ÝáõÙ
¿ (³Õù³ï³óÙ³Ý é»ÅÇÙ): P ϳݳÉÇ ¹»åùáõ٠ϳËí³Í Vg ɳñáõÙ³Ý µ¨»é³Ï³ÝáõÃÛáõÝÇó ¹ÇïíáõÙ
¿ ѳñëï³óáõÙ (Vg0):
ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÁ, áñáõ٠ѳÕáñ¹Çã ϳݳÉÁ ëï»ÕÍíáõÙ ¿ ÙdzÛÝ Ñ³ñóÏÇ ¨ ÷³Ï³ÝÇ ÙÇç¨ É³ÛݳϳÝ
¹³ßïÇ ³½¹»óáõÃÛ³Ùµ ÏáãíáõÙ ¿ Çݹáõóí³Í (ٳϳÍí³Í) ϳݳÉáí ïñ³Ý½Çëïáñ: ²ÛëåÇëÇ ïñ³Ý½ÇëïáñÁ
³ß˳ïáõÙ ¿ ÙdzÛÝ ¿É»ÏïñáÝÝ»ñáí ѳñëï³óÙ³Ý é»ÅÇÙáõÙ: ÆݹáõÏóí³Í ϳݳÉÇ ³é³ç³óÙ³Ý Ñ³Ù³ñ á
ϳݳÉáí ïñ³Ý½ÇëïáñÇ ÷³Ï³ÝÇÝ ïñíáõÙ ¿ ¹ñ³Ï³Ý ɳñáõÙ (Vg>0) , p ϳݳÉÇ ¹»åùáõÙ Vg: Àëï Æê-»ñáõÙ
ÙÛáõë ï³ññ»ñÇ Ñ»ï áõÝ»ó³Í ѳñ³µ»ñ³ÏóáõÃÛ³Ý ØúÎ ÇÝï»·ñ³É ë˻ٳݻñÁ ÉÇÝáõÙ »Ý
ÏáÙåɻٻÝï³ñ (Çñ³ñ Éñ³óÝáÕ) CMOS: ²Ûë ϳéáõóí³ÍùÝ»ñáõÙ Si µÛáõñ»ÕáõÙ Ó¨³íáñíáõÙ »Ý ¨ á
ϳݳÉáí ¨ p ϳݳÉáí ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÝ»ñ áñáß³ÏÇ ë˻ٳÛÇÝ ÙdzóáõÙáí: ²Ûë ë˻ٳݻñÁ
³é³ÝÓݳÝáõÙ »Ý µ³ñÓñ ˳ݷ³ñáõٳϳÛáõÝáõÃÛ³Ùµ ¨ ß³ï ÷áùñ ѽáñáõÃÛ³Ý Í³Ëëáí: ê³Ï³ÛÝ ³Ûë
³é³í»ÉáõÃÛáõÝÝ»ñÝ ³å³ÑáííáõÙ »Ý ï»ËÝáÉá·Ç³ÛÇ µ³ñ¹³óÙ³Ý ÙÇçáóáí: Àëï ë˻ٳÛáõ٠ϳï³ñÙ³Ý
ýáõÝÏódzݻñÇ ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÝ»ñÁ µ³Å³ÝíáõÙ »Ý ³ÏïÇí ¨ µ»éݳíáñÙ³Ý ïñ³Ý½ÇëïáñÝ»ñÇ:
ì»ñçÇÝÝ»ñë ë˻ٳÛáõÙ û·ï³·áñÍíáõÙ »Ý áñå»ë 黽Çëïáñ, áñÇ ¹ÇÙ³¹ñáõÃÛáõÝÁ áñáßíáõÙ
¿ ÏáÝëïñáõÏïÇí ÙÇçáóÝ»ñáí (ϳݳÉÇ »ñÏñ³ã³÷³Ï³Ý ã³÷»ñÇ ÁÝïñáõÃÛ³Ùµ), ÇÝãå»ë ݳ¨
ë˻ٳï»ËÝÇÏ³Ï³Ý »Õ³Ý³ÏÝ»ñáí, »ñµ ÷³Ï³ÝÇÝ ïñíáõÙ ¿ ¹ÇÙ³¹ñáõÃÛ³Ý Ù»ÍáõÃÛáõÝÁ ջϳí³ñáÕ
ɳñáõÙ: ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÁ ϳñáÕ ¿ û·ï³·áñÍí»É áñå»ë Ïáݹ»Ýë³ïáñ:
ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÝ»ñÇ ÑÇÙÝ³Ï³Ý ¿É»Ïïñ³Ï³Ý å³ñ³Ù»ïñ»ñÝ áõ µÝáõó·ñ»ñÁ Ñ»ï¨Û³ÉÝ»ñÝ »Ý` 1.
Ñáë³ñ³ÝÇ ëï³ïÇÏ µÝáõó·ñ»ñÇ ÁÝï³ÝÇùÁ, ³ÛëÇÝùÝ Ñáë³ñ³ÝÇ Ñáë³ÝùÇ (Ids) ϳËáõÙÁ Ñáë³ñ³ÝÇ
ɳñáõÙÇó Vd , »ñµ Vg=const: ²Ûë ϳËí³ÍáõÃÛáõÝÁ ÏáãíáõÙ ¿ ݳ¨ »Éù³ÛÇÝ µÝáõó·Çñ, 2. Ñáë³ñ³Ý-
÷³Ï³Ý µÝáõó·ÇñÁ Ids=f(Vg), »ñµ Vd=const : ²Ûë ϳËí³ÍáõÃÛáõÝÁ ÏáãíáõÙ ¿ ݳ¨ ÷á˳ÝóÙ³Ý
µÝáõó·ÇÍ, 3. ߻ٳÛÇÝ É³ñáõÙ Vt [ì], (threshold voltage), 4. ¹ÇùáõÃÛáõÝÁ β, ²/ì, ¨ ï»ë³Ï³ñ³ñ
¹ÇùáõÃÛáõÝÁ βû, ²/ì2 , 5. ϳݳÉÇ ¹Çý»ñ»ÝóÛ³É ¹ÇÙ³¹ñáõÃÛáõÝÁ RÏ, úÙ 6. Ùáõïù³ÛÇÝ
¹ÇÙ³¹ñáõÃÛáõÝÁ, RÙ, ØúÙ 7. ÙÇç¿É»Ïïñá¹³ÛÇÝ áõݳÏáõÃÛáõÝÝ»ñÁ` Cgb, Cgs, Cgd, Cds, Csb,
Cdb, åý, áñï»Õ ï³é³ÛÇÝ Çݹ»ùëÝ»ñÁ ѳٳå³ï³ë˳ÝáõÙ »Ý ¿É»Ïïñá¹Ý»ñÇ Ý߳ݳÏáõÙÝ»ñÇÝ 8.
ϳݳÉÇ Å³Ù³Ý³ÏÇ Ñ³ëï³ïáõÝ τÏ , Ýí:

øÝݳñÏ»Ýù ØúÎ ïñ³Ý½ÇëïáñÇ ¿É»Ïïñ³Ï³Ý µÝáõó·ñ»ñÁ` ÑÇÙÝí»Éáí Ids=f(Ud) ¨ Ids=f(Ug)

µÝáõó·ñ»ñÇ íñ³ ³é³Ýó ѳßíÇ ³éÝ»Éáõ ÏáñëïÇ Ñáë³ÝùÝ»ñÁ ¨ Ãí³ÛÇÝ Æê- »ñáõ٠ɳÛÝáñ»Ý ï³ñ³Íí³Í
ÁݹѳÝáõñ ³ÏáõÝùáí Ùdzóí³Í ë˻ٳÛÇ Ñ³Ù³ñ: γéáõóí³ÍùáõÙ µáÉáñ ɳñáõÙÝ»ñÁ (åáï»ÝódzÉÝ»ñÁ)
ѳßííáõÙ »Ý ³ÏáõÝùÇ åáï»ÝódzÉÇ Ýϳïٳٵ: îñ³Ý½ÇëïáñÇ »Éù³ÛÇÝ µÝáõó·ñ»ñÇ íñ³ ¿³Ï³Ý
³½¹»óáõÃÛáõÝ »Ý ÃáÕÝáõ٠ϳݳÉÇ Ï³éáõóí³ÍùÇ ÷á÷áËáõÃÛáõÝÝ»ñÁ, áñáÝù ³é³ç³ÝáõÙ »Ý
Ñáë³ÝùÇ ³ÝóÙ³Ý Å³Ù³Ý³Ï ¨ ϳñ»ÉÇ ¿ ùÝݳñÏ»É ÝϳñáõÙ µ»ñí³Í ϳéáõóí³ÍùÝ»ñÇ íñ³: ø³ÝÇ ¹»é ÷³Ï³ÝÇ
ɳñáõÙÁ ÷áùñ ¿ ߻ٳÛÇÝ É³ñáõÙÇó VgVt , ³ÏáõÝùÇ ¨ Ñáë³ñ³ÝÇ ÙÇç¨ ³é³ç³ÝáõÙ ¿ ϳݳÉ: ºÃ» Vds=0,
³å³ ÏÇë³Ñ³Õáñ¹ãÇ Ù³Ï»ñ¨áõÛÃÁ ѳٳåáï»ÝóÇ³É ¿, ѻ勉µ³ñ Ù»ÏáõëÇãáõÙ ¿É»Ïïñ³Ï³Ý ¹³ßïÁ ѳٳë»é ¿,
¨ ϳݳÉÇ Ñ³ëïáõÃÛáõÝÁ Ùdzï»ë³Ï ¿, ϳݳÉÇ å³ñ³Ù»ïñ»ñÁ ѳٳë»é »Ý ³ÙµáÕç »ñϳñáõÃÛ³Ý íñ³:

2․Ինտեգրալ սխեմաների պլանար տեխնոլոգիայի երթուղին և

առանձնահատկությունները։
Կիսահաղորդչային էլեկտրոնիկայի տեխնոլոգիայի կարևոր
նվաճումներից է, այսպես կոչված, պլանար–էպիտաքսիալ տեխնոլոգիան,
որը միավորում է դիֆուգիոն, աճեցված և մակերևութապատնեշային
անցումի ստացման եղանակները։ Այն հնարավորություն է ստեղծում
կիսահաղորդչային սարքերը մամլելու պլաստմասսաների մեջ, որը թույլ է
տալիս ոչ միայն կիսահաղորդչային սարքերի մետաղե-ապակե իրանները
փոխարինել պլաստմասսայե իրաններով, այլև մեքենայացնել ու
ավտոմատացնել սարքերի հավաքման առավել աշխատատար ու դժվար
գործողությունները։
Տեխնոլոգիական հերթականությունը դա այն քայլերի
ամբողջականությունն է որոնց իրականացումը բերում է նրան որ
պատրաստի wafer-ից ստանում են վերջնական չիպը:
Ինչի համար է կոչվում պլանար քանի որ չիպի բոլոր տարրեերը
ձևավորվել են կիսահաղորդչային բյուրեղի ներսում,իսկ նրա բոլոր ելքերը
դուրս է բերված մեկ հարթության մեջ բյուրեղի մակերևույթի վրա։Անկախ
չիպի բարդությունից բոլոր չիպերը ստացվում են այս նույն
տեխնոլոգիայով,և այդ ընթացքում փոխվում է միայն շաբլոնի նկարը,իսկ
հերթականությունը մնում է նույնը։
Այս արտադրությունը շատ յուրահատուկ արտադրություն է այն պետք է
իրականացվի հատուկ տարածքներում որոնք կոչվում են մաքուր
սենյակներ։Այդ տարածքներում պետք է պահպանվի հատուկ
ջերմաստիճան օդի հատուկ խոնավություն և պետք է փոշի
ընդհանրապես չլինի,քանի որ փոշու առկայությունը կբերի չիպերի
անորակության։
Այս արտադրական ցիկլը կարող է տևել մինչև 2 ամիս։
Ամբողջ արտադրական ցիկլը բաժանվում է մի քանի ցիկլերի
օրինակ՝ FEOL սա արտադրական ցիկլի սկզբնական մասն է որի
ժամանակ մենք ստանում ենք ինտեգրալ սխեմաի տարրերը և միևնույն
ժամանակ տեղային միջմիացումները
MOL սա օգտագործվում է միայն գեյթերի կոնտակտները պատրաստելու
համար
BEOL սա վերջնական տեխնոլոգիական գործողություններն են որտեղ այս
բոլոր չիպերը միավորվում են մի ամբողջության մեջ

1․քայլով անում ենք սխեմատեխնիկական նախագծում,

2․քայլով անում ենք ֆիզիկական նախագծում,
3․քայլով մեր ֆիզիկական նախագծման հիման վրա սկսում են դիմակ
նախագծել,
4․քայլով դիմակը ուղարկում են գործարան և սկսում են արտադրել,
5․ այս քայլից սկսվում է յուրահատուկ արտադրություն տեղի է ունենում
հարթակի մշակում

4․Տոպոլոգիական նկարի ձևավորման

եղանակները,ֆոտոլիտոգրաֆիա և
ֆոտոռեզիստներ։Ֆոտոլիտոգրաֆիայի իրականացման
օրինակ։
ÈÇïá·ñ³ýÇ³Ý ÇÝï»·ñ³É ë˻ٳݻñÇ ³ñï³¹ñáõÃÛ³Ý ÑÇÙÝ³Ï³Ý ï»ËÝáÉá·Ç³Ï³Ý »Õ³Ý³ÏÝ»ñÇó
¿, áñÝ û·ï³·áñÍíáõÙ ¿ ïáåáÉá·Ç³Ï³Ý ÝϳñÇ Ó¨³íáñÙ³Ý Ñ³Ù³ñ: ÈÇïá·ñ³ýÇ³Ý ï³ñµ»ñ ýǽÇϳ-
ùÇÙÇ³Ï³Ý ·áñÍáÕáõÃÛáõÝÝ»ñÇ ³ÙµáÕçáõÃÛáõÝÝ ¿, áñÝ û·ï³·áñÍíáõÙ
¿ ÙÇÏñá¿É»ÏïñáݳÛÇÝ ¿É»Ù»ÝïÝ»ñÇ ¨ ϳéáõóí³ÍùÝ»ñÇ ã³÷ë»ñÁ ¨ áõñí³·Í»ñÁ ëï³Ý³Éáõ
ѳٳñ: ö³ëïáñ»Ý ÉÇïá·ñ³ýdzÛÇ »Õ³Ý³ÏÝ»ñÇ û·ÝáõÃÛ³Ùµ ïáåáÉá·Ç³ÛÇ ³é³ÝÓÇÝ
ß»ñï»ñÇ ÝϳñÝ»ñÁ ï»Õ³÷áËíáõÙ »Ý Çñ³Ï³Ý ϳéáõóí³ÍùÇ íñ³: γËí³Í ·áñÍÁÝóóÇ Çñ³·áñÍÙ³Ý
³é³ÝÓݳѳïÏáõÃÛáõÝÝ»ñÇó ³Û¹ Ýå³ï³ÏÝ»ñÇ Ñ³Ù³ñ ÏÇñ³éíáõÙ »Ý` ³) ûåïÇϳϳÝ
ÉÇïá·ñ³ýÇ³Ý (ýáïáÉÇïá·ñ³ýdzÝ); µ) é»Ýï·»ÝÛ³Ý ÉÇïá·ñ³ýdzÝ; ·) ¿É»ÏïñáݳÛÇÝ
ÉÇïá·ñ³ýdzÝ; ¹) Çáݳ-׳³é·³ÛóÛÇÝ ÉÇïá·ñ³ýdzÝ: ÈÇïá·ñ³ýdzÛÇ »Õ³Ý³ÏÇ ³Ýí³ÝáõÙÁ
å³Ûٳݳíáñí³Í ¿ ÝϳñÇ Ó¨³íáñÙ³Ý Ñ³Ù³ñ û·ï³·áñÍíáÕ ×³é³·³ÛÃÙ³Ý ï»ë³ÏÇó:
üáïáÉÇïá·ñ³ýdzÛÇ ¹»åùáõÙ û·ï³·áñÍíáõÙ ¿ ¿É»Ïïñ³Ù³·ÝÇë³Ï³Ý ï³ï³ÝáõÙÝ»ñÇ ëå»ÏïñÇ
ûåïÇÏ³Ï³Ý ÙÇç³Ï³ÛùÁ` ÑÇÙݳϳÝáõÙ áõÉïñ³Ù³Ýáõ߳ϳ·áõÛÝ ×³é³·³ÛÃáõÙÁ, áñÇ ³ÉÇùÇ
»ñϳñáõÃÛáõÝÁ ` λ = (200 ÷ 400) ÝÙ ¾É»ÏïñáݳÛÇÝ ÉÇïá·ñ³ýdzÛáõÙ ¿É»ÏïñáݳÛÇÝ
³ÉÇùÇ »ñϳñáõÃÛáõÝÁ ϳ½ÙáõÙ ¿ 0.1ÝÙ ¨ ³í»ÉÇ ùÇã ,é»Ýï·»ÝÛ³Ý ÉÇïá·ñ³ýdzÛáõÙ`
0.1å-10ÝÙ, ÇëÏ Çáݳ-׳鳷³ÛóÛÇÝ ÉÇïá·ñ³ýdzÛáõÙ` 0.05å-0.1ÝÙ: üáïáÉÇïá·ñ³ýdz
·áñÍÁÝóóÇ ¿áõÃÛáõÝÝ ³ÛÝ ¿ ,áñ ѳñóÏÇ Ù³Ï»ñ¨áõÛÃÇÝ Ñ³ïáõÏ Éáõë³½·³ÛáõÝ
ÝÛáõÃÇ ß»ñï` ýáïá黽Çëï: ²å³` ýáïá黽ÇëïÇ ß»ñïÁ ýáïáß³µÉáÝÇ ÙÇçáí »ÝóñÏíáõÙ ¿
Éáõë³Ï³ÛÙ³Ý áñáß³ÏÇ ³ÉÇùÇ »ñϳñáõÃÛ³Ý Éáõë³ÛÇÝ Ñáëùáí: üáïáß³µÉáÝÁ
Éáõë³Ã³÷³Ýó ÝÙáõß ¿, áñÇ Ù³Ï»ñ¨áõÛÃÇÝ ÉáõÛëÇ Ñ³Ù³ñ ó÷³ÝóÇÏ ¨ ³Ýó÷³Ýó
ïÇñáõÛÃÝ»ñÇ ï»ëùáí Ó¨³íáñí³Í ¿ ïáåáÉá·Ç³Ï³Ý ß»ñïÇ ÝϳñÁ:ÈáõÛëÇ ³½¹»óáõÃÛ³Ùµ
÷áËíáõÙ ¿ ýáïá黽ÇëïÇí (üè) ß»ñïÇ Ñ³ïÏáõÃÛáõÝÝ»ñÁ (ù³Ûù³ÛíáõÙ ¿ ϳ٠³Ùñ³ÝáõÙ),
áñÇ ³ñ¹ÛáõÝùáõ٠ѻﳷ³ Ùß³ÏÙ³Ý ¹»åùáõÙ (»ñ¨³ÏáõÙ) ѳñóÏÇ Ù³Ï»ñ¨áõÛÃÇÝ üè-Ç
ß»ñïáõÙ Ó¨³íáñíáõÙ ¿ ïáåáÉá·Ç³Ï³Ý ß»ñïÇÝ (ýáïáß³µÉáÝÇ ÝϳñÇÝ) ѳٳå³ï³ë˳ÝáÕ
ÝϳñÁ` ýáïá¹ÇÙ³ÏÁ, áñÝ ³Ýí³ÝáõÙ »Ý ݳ¨ ÏáÝï³Ïï³ÛÇÝ ¹ÇÙ³Ï: ÎáÝï³Ïï³ÛÇÝ ¹ÇÙ³ÏÁ áñáß³ÏÇ
áõñí³·Íáí óճÝà ¿, áñÁ í»ñ³ñï³¹ñáõÙ ¿ å³Ñ³ÝçíáÕ ÝϳñÁ ¨ å³ßïå³ÝáõÙ ¿ ѳñóÏÇ
ٳϻñ¨áõÛÃÇ áñáß³ÏÇ ïÇñáõÛÃÝ»ñ ѻﳷ³ ³½¹»óáõÃÛáõÝÝ»ñÇó: гçáñ¹áÕ
·áñÍáÕáõÃÛáõÝÝ»ñÇ Ñ»ï¨³Ýùáí ÏáÝï³Ïï³ÛÇÝ ¹ÇÙ³ÏÇ ÝϳñÁ ï»Õ³÷áËíáÙ ¿ ѳñóÏÇ Ï³Ù Ýñ³
ٳϻñ¨áõÛÃÇÝ Ýëï»óí³Í óճÝÃÇ íñ³: ²ÛÝ ýáïá黽ÇëïÝ»ñÁ, áñáÝù ÉáõÛëÇ
³½¹»óáõÃÛ³Ý ïÇñáõÛÃÝ»ñáõÙ ³Ùñ³ÝáõÙ »Ý ÁÝóóáÕ ýáïáåáÉÇÙ»ñ³óÙ³Ý
黳ÏódzݻñÇ ßÝáñÑÇí ¨ ѻﳷ³ Ùß³ÏÙ³Ý ÁÝóóùáõÙ ÙÝáõÙ »Ý ѳñóÏÇ Ù³Ï»ñ¨áõÛÃÇÝ,
ÏáãíáõÙ »Ý Ý»·³ïÇí ϳ٠µ³ó³ë³Ï³Ý ýáïá黽ÇëïÝ»ñ: äá½ÇïÇí ϳ٠¹ñ³Ï³Ý ýáïá黽ÇëïÝ»ñÁ
ÉáõÛëÇ ³½¹»óáõÃÛ³Ý ïÇñáõÛÃÝ»ñáõÙ ù³Ûù³ÛíáõÙ »Ý ¨ ѻﳷ³ Ùß³ÏÙ³Ý Å³Ù³Ý³Ï
Ñ»é³óíáõÙ »Ý ѳñóÏÇ Ù³Ï»ñ¨áõÛÃÇó:
üáïá黽ÇëïÁ µ³½Ù³µ³Õ³¹ñÇã ÝÛáõà ¿, áñÁ µ³Õϳó³Í ¿ åáÉÇÙ»ñ³ÛÇÝ ÑÇÙùÇó ¨
ï³ñµ»ñ ѳí»É³ÝÛáõûñÇó ,áñáÝù ³é³çÇÝ Ñ»ñÃÇÝ ³å³ÑáíáõÙ »Ý Éáõë³½·³ÛáõÝáõÃÛ³Ý
µ³ñÓñ³óáõÙ, ÇÝãå»ë ݳ¨ ³ÛÝåÇëÇ Ñ³ïÏáõÃÛáõÝÝ»ñ ,ÇÝãåÇëÇù »Ý
ÃÃí³Ï³ÛáõÝáõÃÛáõÝ, Ù³ÍáõóÇÏáõÃÛáõÝ, Ãñç»ÉÇáõÃÛáõÝ ¨ ³ÛÉÝ:
4․ԿՄՕԿ ստացման տեխնոլոգիական երթուղին։
Օրինակ եթե ուզում ենք ստանալ n տիպի մեջ p տիպի
հաղորդականությամբ տիրույթ։ n տիպի մեջ ներմուծում ենք
ակցեպտորային խառնուրդներ և այդ տիրույթում n վերածվում է p տիպի
հաղորդականության։
1․կատարվում է ջերմային օքսիդացում,մակերևույթում ձևավորվում է SIO2
2․նստեցնում ենք ֆոտոռեզիստ
3․տեղադրում ենք համապատասխան դիմակ
4․հետո կատարում են լուսակայում լուըս են գցում
5․կատարում են պրայավկա գործողությունը
6․խածատում ենք անում և ստանում 2 պատկերը

3 պատկերի համար կատարում ենք բորի իոնային ներդրում,այսինքն այս

կառուցվածքը ռմբակոծենք բորի արագացված իոններով, և բաց մասից
բորի իոնները կթափանցեն և որոշակի էներգիայի դեպքում n տիպի
սիլիցիումի մեջ ստացա p գրպանիկ։
Հաջորդ քայլով կատարվում է ֆոտոլիտոգրաֆիա անցած նկարի 3
պատկերից հեռացնում են որոշակի SIO2-ի մաս։Հետո կատարվում է
փականի օքսիդի ձևավորում։Որը ունի բարակ չափեր

Հաջորդ քայլում մենք գեյթ ստանալու համար օգտագործում ենք

բազմաբյուրեղ սիլիցիումային գեյթ։Ամբողջ մակերևույթի վրա նստեցնում
են բազմաբյուրեղ սիլիցիում, և հեռացնում ենք մեզ չպետքական
մասերը։Եվ բոլոր միջանկյալ քայլերը կա բոլորի համար։Ամեն քայլում
կատարվում է ֆոտոլիտոգրաֆիա։Այս կարմիրները տրանզիստրի
փականներն են։Գեյթերի վրա նստեցնում են ֆոտոռեզիստ պաշտպանելու
համար և կատարում են խածատում շերտը հավասարեցնելու
համար։Հետո նորից բորի իոնների ներդրում և ստանում են մյուս
տիրույթները որը երևում է 4 սլայդում։
Մեկուսիչը նստացնելուց հետո նորից կատարվում է
ֆոտոլիտոգրաֆիա,բացում են պատուհաններ և այդ պատուհաններից
կատարվում է քայքայում։Մեզ այս գործողության համար նույնպես պետք
է ֆոտոդիմակ որը թույլ է տալիս ստեղծել այդ բացվածքները։Հետո նորից
կատարվում է ֆոտոլիտոգրաֆիա և նստեցվում են մետաղներ և նորից
կատարվում է ֆոտոլիտոգրաֆիա մետաղի շերտում։Մետաղից
հերացնում ենք այն մասերը որոնք մեզ պետք չեն։ԵՎ հետո ձևավորվում
են մետաղներ source gate drain համար։ԵՎ ձևավորվում են միջմիացումները
ու վերջում մնում են միայն միջմիացման գծերը։