Trabalho JFET

JFET e sua
história
Matheus Gonçalves Terradas, Murilo Machado, Isabela Garcia, Ronilson
Kauan Barros da Silva e Vinícius Amorieli
O que é o
JFET?
JFET significa Junction Field-Effect Transistor
(Transistor de Efeito de Campo de Junção). Ele é
um tipo de transistor de efeito de campo que foi
desenvolvido na década de 1950. O JFET foi
inventado de forma independente por Julius
Lilienfeld em 1925, mas sua implementação prática
só ocorreu mais tarde.

A construção do
JFET
• O JFET é construído a partir de um material semicondutor, geralmente silício ou germânio.
• Possui uma estrutura em forma de barra com duas junções PN, uma chamada de junção de fonte
e outra de junção de dreno. Essas junções são separadas por uma região intrínseca, conhecida
como canal.
• Existem dois tipos principais de JFETs: JFET de canal N (N-JFET) e JFET de canal P (P-JFET). A
diferença reside na polaridade do material semicondutor utilizado.
• A principal função do JFET é controlar correntes em circuitos eletrônicos. Ele pode ser utilizado
como amplificador de baixo ruído, chave eletrônica, regulador de tensão, entre outros.

Simbologia do JFET
É representada por uma linha reta com uma seta que aponta para dentro na porta. O dreno é representado por uma linha reta com uma seta que aponta para fora, enquanto a fonte é representada
por uma linha reta sem seta.

Amplificador de
baixo ruído Chave eletrônica Regulador de tensão Estabilizador de tensão
Função do JFET
A principal função do JFET é controlar correntes em circuitos eletrônicos
Diferença do JFET para o
MOSFET
JFE MOSFET
• JFET usa uma junçãoST
PN (p-n) • MOSFET usa um isolante de óxido metálico
• JFETs são mais adequados para aplicações de (MOS)
baixo ruído e alta impedância de entrada • são mais adequados para aplicações de alta
velocidade e alta impedância de entrada.
• Possuem vantagem de requererem uma tensão de
polarização muito menor em comparação com os
JFETs, o que os torna mais eficientes em termos de
energia.
Diferença do JFET para o
IGBT
JFE IGBT
• ST
JFET é um dispositivo unipolar • IGBT é um dispositivo bipolar
• O JFET é projetado para bloquear tensões • IGBT pode suportar tensões de até 1200V
relativamente baixas, geralmente abaixo de 200V • IGBT é geralmente considerado superior ao JFET
• JFET é mais adequado para aplicações de baixa em aplicações de alta potência
potência, onde a impedância de entrada é crítica
Aplicabilidades do JFET
Amplificador de sinal Comutação de sinal
Oscilador de sinal Regulador de tensão

Circuito JFET PROTEUS
Circuito JFET TinkerCad
Fontes
• Electronics-Tutorials.ws: https://www.electronics-
tutorials.ws/transistor/tran_7.htmlAll
• About Circuits:
https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/ch
pt-7/field-effect-transistors/
• Electronics Hub: https://www.electronicshub.org/difference-
between-mosfet-jfet-and-igbt/
• PowerGuru: https://www.powerguru.org/igbt/Texas Instruments
•
https://www.ti.com/lsds/ti/power-management/overview.pageIn
fineon
•
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/power-semicon
ductors/
• Fairchild Semiconductor:

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