TRANSISTOR WIKIPDIA

Transistor de juno bipolar

O transistor de juno bipolar, TJB, (bipolar junction transistor, BJT, em ingls), o tipo de transistor mais comum, devido sua facilidade de polarizao e durabilidade. Recebe este nome porque o processo de conduo realizado por dois tipos de carga - positiva (lacunas) e negativa (eletrons). O transistor de juno bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido, os primeiros transistores foram produzidos com Germnio e passado algum tempo comeou a ser utilizado o Silcio. O objetivo dos inventores, foi substituir as vlvulas termoinicas que consumiam muita energia, tinham muito baixo rendimento, e funcionavam com tenses da ordem das centenas de volts. Os TJBs so considerados quadripolos (sendo um dos seus terminais comum aos circuitos de entrada e de sada) e dadas as suas caractersticas de amplificao, o modelo que melhor representa o seu funcionamento utiliza os denominados parmetros h, tambm designados parmetros hbridos. Os transstores de efeito de campo (TEC) ou Field Effect Transistor (FET) em ingls utilizam os parmetros g, tambm designados parmetros de transcondutncia.

Transistor de efeito de campo

FET de alta-potncia canal-N

FET o acrnimo em ingls de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o prprio nome diz, funciona atravs do efeito de um campo eltrico na juno. Este tipo de transitor tem muitas aplicaes na rea de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs tm como principal caracteristica uma elevada impedncia de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedncias podendo substituir transformadores em determinadas situaes, alm disso so usados para amplificar frequncias altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.

Composio
Os FETs podem ser compostos por germnio ou slicio combinados a pequenas quantidades de fsforo e boro,que so substncias dopantes`` (isto ,que alteram as caractersticas eltricas).Os transistores de slicio so os mais utilizados atualmente,sendo que transistores de germnio so usados somente para o controle de grandes potncias.

Polarizao
Um FET para uso geral apresenta trs terminais: porta (gate), fonte (source) e dreno (drain),que permitem seis formas de polarizao,sendo trs as mais usadas: fonte comum (fonte ligado entrada e sada simultaneamente), porta comum (porta ligada entrada e saida simultaneamente) e dreno comum (dreno ligado entrada e saida simultaneamente).

Categorias
O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETS e MOSFETS. Por sua vez, os MOSFETS se dividem em duas categorias:

MOSFET tipo Intensificao; MOSFET tipo Depleo.

Corte em seo de um MOSFET tipo-n

Os termos depleo e intensificao definem o seu modo bsico de operao, enquanto o nome MOSFET designa o transistor Metal xido Semicondutor.

Transistor-Transistor Logic

Porta NAND em tecnologia TTL

A Lgica Transistor-Transistor (Transistor-Transistor Logic ou simplesmente TTL) uma classe de circuitos digitais construdos de transistores de juno bipolar (BJT), e resistores. Isso chamado lgica transistor-transistor porque ocorrem ambas as funes porta lgica e de amplificao pelos transistores (em contraste com a RTL e a DTL). Isso notvel por ser uma famlia difundida de circuitos integrados (CI) usada por muitas aplicaes como computadores, controle industrial, electrnica de consumo, sintetizadores etc. Por causa do grande uso desta famlia lgica, sinais de entrada e sada de equipamentos eletrnicos pode ser chamada entrada ou sada "TTL", significantemente compatvel com os nveis de tenso usados. Estes circuitos tm como principal caracterstica a utilizao de sinais de 5 volts para nveis lgicos altos. Seus circuitos integrados so constitudos basicamente de transstores, o que os torna pouco sensveis eletricidade esttica.

Funes
Cada circuito integrado executa uma funo separada, como:

Portas lgicas como AND, OR, NAND, NOR, XOR, NOT flip-flops latch Contadores Ripple, simultneos, decimais e hexadecimais Somadores, multiplicadores e unidades lgicas e aritmticas (ULAs) Registradores de deslocamento Circuitos cronmetros

Transistor Darlington
Na eletrnica, o transistor Darlington um dispositivo semicondutor que combina dois transstores bipolares no mesmo encapsulamento (s vezes chamado par Darlington). A configurao (originalmente realizada com dois transistores separados) foi inventada pelo engenheiro Sidney Darlington do Bell Labs. A ideia de por dois ou trs transistores em um mesmo chip foi patentada por ele, mas no a ideia de por um nmero arbitrrio de transistores, o que originaria o conceito moderno de circuitos integrados. Esta configurao serve para que o dispositivo seja capaz de proporcionar um grande ganho de corrente (hFE ou parmetro do transistor) e, por estar todo integrado, requer menos espao do que o dos transistores normais na mesma configurao. O Ganho total do Darlington produto do ganho dos transistores individuais. Um dispositivo tpico tem um ganho de corrente de 1000 ou superior. Comparado a um transistor comum, apresenta uma maior defasagem em altas frequncias, por isso pode tornar-se facilmente instvel. A tenso base-emissor tambm maior. consiste da soma das tenses base-emissor, e para transistores de silcio superior a 1.2V.

Transistor de unijuno

Transistor de unijuno (UJT) um transistor que pode ser utilizado em osciladores de baixa freqncia, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais, dentes de serra e em sistemas temporizados.

Constituio interna
Basicamente o transistor de unijuno constitudo por uma barra de material semicondutor do tipo N (de alta resistividade) com terminais nos extremos. Tais contatos no constituem junes semicondutoras, e assim, entre B2 (base 2) e B1 (base 1) temos, na prtica uma resistncia, formada pelo material semicondutor N. O material do tipo P como material do tipo N formam a nica juno PN semicondutora interna. Tudo se passa como se o bloco do tipo N fosse formado por duas simples resistncias (Rb2 e Rb1), em srie, tendo ligado no seu ponto central um diodo (terminal E ou Emissor). O terminal do emissor (E) est mais prximo da base 2 (B2).

Principio de funcionamento
O valor resistivo normal entre os terminais da base 2 e 1 relativamente alto (tipicamente entre 4 K e 12 K). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1 ao negativo, uma corrente muito pequena circular por Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um divisor de tenso, em cujo ponto intermdio surge uma tenso menor, porm proporcional quela que foi aplicada a B2. Suponhamos que Rb2 e Rb1 tm valores iguais, de 5 K cada um. Assim, se aplicarmos (com a polaridade indicada) 10 Volt entre B2 e B1, o ctodo do diodo do emissor ter uma tenso de 5 Volts. Ao aplicarmos, ento, uma tenso de entrada no emissor (E) do UJT, esta ter que, inicialmente vencer a barreira de potencial intrnseca da juno PN ( 0,6V) e, em seguida, superar a prpria tenso que polariza o ctodo (5 Volts no exemplo). Nesse caso, enquanto a tenso aplicada ao terminal do emissor (E) no atingir 5,6 Volt (0,6V + 5V) no haver passagem de corrente pelo emissor atravs de Rb1 para a linha de negativo da alimentao. Mantendo-se no exemplo, uma tenso de emissor igual ou maior do que 5,6 Volts determinar a passagem de uma corrente; j qualquer tenso inferior (a 5,6V) ser incapaz de originar passagem da corrente eltrica pelo emissor (E) e por Rb1. Enquanto os 5,6V no forem atingidos, a corrente ser nula, como atravs de um interruptor aberto. Alcanando os 5,6V, tudo se passa como se o tal interruptor estivesse fechado. A corrente que circular estar limitada unicamente pelo valor resistivo intrnseco de Rb1. Como a transio de corrente nula, para corrente total, entre emissor (E) e base 1 (B1) se d sempre de forma abrupta (quando a tenso de emissor chega tenso/limite de disparo), podemos considerar o UJT como um simples interruptor acionado por tenso.

Caractersticas tcnicas

Tenso entre bases (Vbb) a mxima tenso que pode ser aplicada entre as bases. Tenso entre emissor e base 1 (Vb1e) a mxima tenso que pode ser aplicada entre esses dois terminais. Resistncia entre bases (Rbb) a resistncia existente entre os dois terminais de base.

Corrente de pico de emissor (Ie) a corrente mxima que pode circular entre o emissor e a base 1 quando o transistor disparado. Razo intrnseca de afastamento () Rbb = Rb1 + Rb2 a chamada razo intrnseca de afastamento, que nada mais do que o fator do divisor de tenso. A faixa tpica de variao de de 0,5 a 0,8. Por exemplo, o 2N2646 tem um de 0,65. Se este UJT for usado com uma tenso de alimentao de 10 Volt V1 = x V V1 = 0,65 x 10 V1 = 6,5V V1 a chamada tenso intrnseca de afastamento porque ela mantm o diodo emissor com polarizao inversa para todas as tenses aplicadas ao Emissor, inferiores a V1. Se V1 for igual a 6,5 Volt, ento temos de aplicar um pouco mais ( 0,6V) do que os 6,5V para polarizar diretamente a juno PN e haver conduo entre Emissor e a Base 1.

Como testar o UJT com o multmetro

Medir a resistncia entre as duas bases (em qualquer sentido), o valor medido deve estar entre 4 e 12 K, tipicamente. Colocar as pontas de prova entre o emissor e a base 1 devendo indicar o multmetro uma resistncia alta num sentido e uma resistncia baixa no sentido oposto (indicando o estado da juno PN).

Oscilador com um transistor de unijuno

Ao aplicarmos inicialmente a alimentao ao circuito o capacitor comea a carregar, atravs da resistncia R ( = R x C). Assim que a tenso aos terminais do condensador atinge o ponto de disparo do UJT a corrente sai pela base 1 passando por R1. Desta forma o capacitor descarrega e a sua tenso passa a ser inferior tenso necessria para disparar o UJT ficando este novamente ao corte, reiniciando-se novamente todo o ciclo. de notar que devido s suas posies R2 e R1 influenciam a prpria relao intrnseca do divisor de tenso interno do UJT, uma vez que R2 mais RB2 encontram-se acima da juno de Emissor, enquanto que R1 e RB1 se encontram abaixo da mesma juno. Assim se R2 aumentar, a tenso necessria para disparar o UJT diminui (e vice-versa). Se R1 aumentar a tenso de disparo do UJT tambm ter que aumentar. Se desejarmos uma freqncia baixa de oscilao, podemos aumentar o valor da capacidade do capacitor.

Transistor de unijuno programvel

Um transistor de unijuno programvel (PUT) um componente eletrnico, participante da famlia dos transistores. Seu funcionamento igual ao do UJT, porm se difere do mesmo em algumas caractersticas, podendo ser utilizado em osciladores de baixa freqncia, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais, dentes de serra e em sistemas temporizados. Sua instrutura interna e constituida de Base 1, Base 2 e Gate. Atravs da frmula, imposta pelo fabricante, possvel determinar a tenso de disparo do PUT atrves da frmula: VP = VBB + , donde: VP representa a tenso de disparo, VBB a tenso de

alimentao ou tenso entre as bases do PUT (a ser regulada pelo projetista) e a relao intrnseca de espera imposta pelo projetista, atravs de resistores externos, podendo ser calculado tambm pela frmula = RB1/(RB1=RB2) (resistor da Base 1 e resistor da Base 2). O valor determinado pela frmula, corresponde a tenso necessria para que o Gate comee a conduzir o PUT.
http://pt.wikipedia.org/wiki/Brasil