UNIDADE VIII - Transistores de Potncia

Capítulo 4
Transistores de
potência
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Transistores de potência
▪ Símbolos e seus significados:

Transistores
BJT
MOSFET/IGBT
Introdução
▪ Em termos gerais, os transistores de potência podem ser

classificados em cinco categorias:
1. MOSFETs — transistores de efeito de campo de óxido metálico

semicondutor.
2. COOLMOS.
3. BJTs — transistores bipolares de junção.
4. IGBTs — transistores bipolares de porta isolada.
5. SITs — transistores de indução estática.

Transistores de junção
bipolar BJTs de potência
▪ Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda

região p ou n a um diodo de junção pn.
Funcionamento

Transistores de junção
bipolar
BJTs de potência
▪ Possui Capacitâncias entre os semicondutores

Em regime permanente, essas capacitâncias não desempenham
nenhum papel.
Em condições transitórias, elas influenciam os comportamentos de
entrada em condução e bloqueio do transistor influenciando
consideravelmente os tempos Ton e Toff.
▪ Menores tensões e corrente que os IGBTs
▪ Disparo por corrente

MOSFETs de potência
▪ MOSFET tipo depleção de canal n:

MOSFETs de potência
▪ MOSFET tipo depleção de canal p:

Características de
chaveamento
▪ Formas de onda e tempos de chaveamento:
▪ Os mais rápidos, porém menores tensões e correntes que os IGBTs

IGBTs de potência
▪ IGBT combina as vantagens dos
BJTs com as dos MOSFETs.
▪ Um IGBT tem uma elevada impedância de entrada, como os

MOSFETs, e baixas perdas em condução, como os BJTs.

IGBTs
▪ Símbolo e circuito para um IGBT:

Limitações de
di/dt e dv/dt
Devem usar
Snubbers
▪ Durante a entrada em condução, a corrente de coletor sobe, e a

di/dt é
▪ Durante o desligamento, a tensão coletor-emissor deve subir em

relação à queda da corrente de coletor, e a dv/dt é

Operação em série e em
paralelo
▪ Os transistores podem operar em série para aumentar a

capacidade de tensão.
▪ Os transistores são conectados em paralelo se um dispositivo não

puder lidar com a demanda da corrente de carga.

CIs de acionamento
▪ Os requisitos dos circuitos de acionamento para uma chave

MOSFET ou IGBT são os seguintes:
▪ A tensão da porta deve ser de 10 a 15 V maior que a

fonte(MOSFET) ou do emissor(IGBT).

Resumo
Transistores de Potência como Chaves Eletrônicas
1 – Características Gerais
- Chave Semicondutora nos estados aberta/fechada.
- Nos conversores operam somente nas regiões de Corte (aberta)

e Saturação (fechada).
- Podem entrar e sair de condução, quando polarizadas no sentido

direto.
- Não conduzem no sentido reverso da polarização e ainda assim não

toleram tensão reversa elevada (vem de fábrica com um diodo que
estará polarizado diretamente quando o transistor estiver polarizado
reversamente).
- Especificações de correntes e tensões inferiores aos tiristores.
- Velocidades de chaveamento muito superiores aos tiristores.
- São comandados por tensão e exigem pouca potência

dos drivers.
2 - Tipos Usuais
BJTs
- Disparados por corrente

- Especificações de corrente e tensões baixas
- Velocidades de chaveamento baixas em relação aos demais transistores
e mais elevadas que os tiristores
MOSFETs
-Disparador por tensão no gate
-Especificações de tensão e corrente inferiores aos transistores IGBT

( muito inferiores aos tiristores)
- Velocidades de chaveamento maiores que os IGBTs e muito maiores que os Tiristores

IGBTs
- Funcionamento do disparo semelhante ao dos MOSFETs
- Disparo por tensão no gate
- Especificações de tensão e corrente superiores aos MOSFETs e inferiores

aos Tiristores
- Velocidades de chaveamento inferiores aos MOSFETs e muito superiores

aos tiristores
- Atualmente é o transistor de mais uso em conversores de potência

3 – Perdas
Ligando Desligando
Em altas frequências de chaveamento as perdas aumentam significantemente

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Capítulo 4

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▪ Símbolos e seus significados:

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▪ Em termos gerais, os transistores de potência podem ser

1. MOSFETs — transistores de efeito de campo de óxido metálico

3. BJTs — transistores bipolares de junção.

4. IGBTs — transistores bipolares de porta isolada.

5. SITs — transistores de indução estática.

▪ Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda

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▪ Possui Capacitâncias entre os semicondutores

▪ Menores tensões e corrente que os IGBTs

▪ Disparo por corrente

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▪ MOSFET tipo depleção de canal p:

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▪ Formas de onda e tempos de chaveamento:

▪ Os mais rápidos, porém menores tensões e correntes que os IGBTs

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▪ Um IGBT tem uma elevada impedância de entrada, como os

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▪ Símbolo e circuito para um IGBT:

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▪ Durante a entrada em condução, a corrente de coletor sobe, e a

▪ Durante o desligamento, a tensão coletor-emissor deve subir em

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▪ Os transistores podem operar em série para aumentar a

▪ Os transistores são conectados em paralelo se um dispositivo não

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▪ Os requisitos dos circuitos de acionamento para uma chave

▪ A tensão da porta deve ser de 10 a 15 V maior que a

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- Nos conversores operam somente nas regiões de Corte (aberta)

- Podem entrar e sair de condução, quando polarizadas no sentido

- Não conduzem no sentido reverso da polarização e ainda assim não

- Velocidades de chaveamento muito superiores aos tiristores.

- São comandados por tensão e exigem pouca potência

- Disparados por corrente

-Especificações de tensão e corrente inferiores aos transistores IGBT

- Velocidades de chaveamento maiores que os IGBTs e muito maiores que os Tiristores

- Funcionamento do disparo semelhante ao dos MOSFETs

- Disparo por tensão no gate

- Especificações de tensão e corrente superiores aos MOSFETs e inferiores

- Velocidades de chaveamento inferiores aos MOSFETs e muito superiores

- Atualmente é o transistor de mais uso em conversores de potência

Em altas frequências de chaveamento as perdas aumentam significantemente

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