Semicondutores: Diodos

Diodo
Semicondutor
 Diodo de junção: Propriedades- Símbolo e características I-V estáticas
+I (mA) Corrente Directa

N P Voltagem
inversa
ruptura “Joelho” Polarização
Directa
Cátodo (K) Ânodo (A) Voltagem Inversa
-V +V
Voltagem Directa

Sentido convencional da corrente Silício -20 mA

Zener Breakdown 0,7V Silício
Germânio -50 mA 0,3V Germânio
ou região de
Polarização
avalanche
Inversa
-I (µ A)
Corrente inversa
Existem duas regiões de operação e três possíveis condições "de polarização" para o díodo de junção
padrão e estes são os seguintes:
1. Sem polarização (Zero Bias) – Nenhum potencial de voltagem externo é aplicado à junção PN. PN
2. Polarização inversa (Reverse Bias) - O potencial de voltagem negativo (-) está ligado ao material do tipo P e o
a positivo (+) ligado ao material de tipo N do diodo, que tem o efeito de aumentar a largura junção PN.
3. Polarização Directa (Forward Bias) - O potencial de tensão positiva, (+) está ligado ao material de tipo P e o
negativo (-) está ligado ao material de tipo N do diodo, que tem o efeito de diminuir a Largura da junção PN.

07-10-13 Por : Luís Timóteo 30

 Semicondutores: Diodos

Diodo
Semicondutor
 Diodo de junção: Propriedades- Símbolo e características I-V estáticas

+ID (mA)  VD = Voltagem aplicada.

 ID = Corrente através do diodo.

VBR
Voltagem
inversa
 IS = Corrente inversa ou de fuga.
ruptura
“Joelho”
 VBR = Voltagem de ruptura.
Voltagem Inversa
-V  V d = Voltagem da Barreira Potencial.
VD
IS Corrente inversa

Zener Breakdown ou Vd
região de avalanche Silício -20 mA 0,7V Silício
Germânio -50 mA 0,3V Germânio
Polarização
Inversa
-I (µ A)

07-10-13 Por : Luís Timóteo 31

 Semicondutores: Diodos

Diodo
Semicondutor
 Diodo de junção: Propriedades- Símbolo e características I-V estáticas
A curva de transcondutância (ID) no slide anterior caracteriza-se pela seguinte equação:

I D = I S (eVD /ηVT − 1)
ID representa a corrente através do diodo, IS é a corrente inversa ou de fuga, e VD é a tensão
de polarização aplicada.
VT é a tensão térmica equivalente e é cerca de 26 mV á temperatura ambiente. A
equação para determinar a várias temperaturas VT é:
K T k = 1.38 x 10-23 J/K
VT = T = temperatura em Kelvin
q q = 1.6 x 10-19 C
η é o coeficiente de emissão do diodo. É determinado pela forma e material de que o
diodo é construído. Pouco varia com a corrente de diodo. Para um diodo de Silício é de
cerca de 2, e 1 para os de Germânio.

07-10-13 Por : Luís Timóteo 32

 Semicondutores: Diodos

Diodo
Semicondutor
Diodo de junção: Diodo Ideal

Em polarização directa, a queda de ID

tensão é nula, seja qual for o valor da
ID corrente.
Ânodo
+
RD=0Ω
VD curva característica

Cátodo
-
Em polarização inversa, a corrente é nula, Vd=0,7v
VD
seja qual for o valor da tensão inversa
aplicada.
O diodo é projectado para permitir que a corrente flua numa única direcção. O diodo
perfeito seria um condutor perfeito numa direção (polarização directa) e um isolante
perfeito na outra direcção (polarização inversa). Em muitas situações, utilizando a
aproximação o diodo ideal é aceitável.
07-10-13 Por : Luís Timóteo 33
 Semicondutores: Diodos

Diodo
Semicondutor
Diodo de junção: Diodo Ideal – Modelo DC

ID
Parte linear da curva
+ VD _ Q de transcondutância
Vd RD
Diodo ideal
ID
∆ ID
ΔVD
RD =
ΔI D
VD
∆VD
Este modelo é o mais preciso . Inclui uma resistência linear de polarização directa, que é
calculada a partir do declive da porção linear da curva de transcondutância. No entanto,
isso geralmente não é necessário, pois o valor de rd (resistência directa) é muito constante.
Para diodos de Silício ou Germânio, de baixa potência, é normalmente na gama de 2 a 5
ohms, enquanto que para diodos de potência superior têm um valor de rd mais próximo de
1 ohm.
07-10-13 Por : Luís Timóteo 34
 Semicondutores: Diodos

Diodo
Semicondutor
Diodo de junção: Diodo Ideal – Modelo DC
VD

ID
ID
Curva característica real
Curva característica ideal

Curva característica assintótica

+ Vd
VD
RD
_
Diodo ideal
⇒
declive = 1/RD 0,7V 5Ω
ID
VD real (assintótico)
0 Vd

Circuito equivalente assintótico.

07-10-13 Por : Luís Timóteo 35

 Semicondutores: Diodos

Diodo
Semicondutor
Diodo de junção: Diodo Ideal – Modelo DC - Exercício

RS = 50 Ω  Exemplo: Suponha que o diodo é um diodo de baixa

potência, com um valor de resistência directa (rD)
ID de 5 ohms. O potencial de tensão de barreira é
ainda: Vd = 0,3 volts (típica para um díodo de
+
VD germânio) Determinar o valor da corrente ID, se
_ + a tensão aplicada for VD = 5 volts.
Vd

RD

Solução
Usando KVL a equação para o circuito é:
VD – IDRS - Vd - IDrD = 0
ID = V D - V d 5 – 0.3 = 85.5 mA
=
R S + rD 50 + 5
07-10-13 Por : Luís Timóteo 36
 Semicondutores: Diodos

Diodo
Semicondutor
Diodo de junção: Diodo Ideal – Modelo DC – O ponto “ Q”
 O ponto “Q” ou ponto de funcionamento no estado de repouso do diodo, ou na ausência
de sinal.
 O ponto “Q” é obtido graficamente e é realmente necessário apenas quando a tensão
aplicada é muito próxima da tensão da barreira de potencial do diodo. O exemplo abaixo,
que continua no próximo slide, mostra como o ponto “Q” é determinado através da curva
da transcondutância e da linha de carga.
RS = 1000 Ω  Primeiro, a linha de carga encontra-se por substituição dos
diferentes valores de Vd na equação da corrente ID o usando
ID modelo de diodo ideal com o da barreira de potencial. Com RS
+ com o valor de 1000Ω, o valor de rD não tem muito impacto
sobre os resultados. I D = VD - Vd
_ +
VD=6V Vd RS
 Usando valores de Vd de 0 volts e 1,4 volts, obtemos os
valores de ID de 6 mA e 4,6 mA, respectivamente. Em
seguida, vamos desenhar a linha que liga estes dois pontos
no gráfico com a curva de transcondutância. Esta linha é a
linha de carga.
07-10-13 Por : Luís Timóteo 37