Capitulo 2
Capitulo 2
Capitulo 2
Capítulo 2
Diodos semicondutores de potência
Características:
Diodo de junção PN e
seu símbolo
Fig. 2.1
REAL
Curva característica
para polarização direta IDEAL
e reversa (curva
estática)
Fig. 2.2
Ex:
Para vD = 0,1V, n = 1 e VT = 25,8mV
iD = IS(48,23-1) ≈ 48,23IS (erro de 2,1%)
Para |vD| >> VT, que ocorre para vD < - 0,1V, tem-se
vD
iD = I S (e nVT
− 1) ≅ − I S
• Tem-se a camada n-
• A região de depleção no lado n fica confinada na região n-
• A tensão de break down depende da dopagem da região n-
• Para polarização direta com alta corrente uma resistência ôhmica
mascara a curva exponencial
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Ao se reverter a polarização:
• As regiões devem ser descarregadas de seus portadores
minoritários (isso leva um certo tempo) → Tempo de recuperação
reversa
Normalmente
ta >> tb
- -
di
I RR = t a
dt
• temperatura da junção
• taxa de decaimento da corrente direta
• corrente direta antes da comutação (IF).
1 1 1 2QRR
QRR ≅ I RR t a + I RR tb = I RR t rr I RR =
2 2 2 t rr
di 2QRR 2QRR
ta = t a t rr =
dt t rr di
dt
Se tb << ta → trr ≈ ta
2QRR di
t rr = I RR = 2QRR
di dt
dt
Diodos Schottky
carga
+ 1,2
vD1
-
Curvas distintas:
pequenas variações
+ no processo de
vD2 fabricação
-
Fig. 2.8
I S = I S 2 + I R 2 = I S 1 + I R1
mas
VD1 VD 2
I R1 = e I R2 =
R1 R2
Fig. 2.9
VD1 VD 2
I S1 + = IS2 +
R1 R2
VD1 VD 2 Obs. Faz-se com que IR1 e IR2 >> que IS1
I S1 + = IS2 +
Se R1 = R2 = R R R e IS2 (≈IS dos diodos), respectivamente.
VD1 + VD 2 = VD Tem-se ligeiramente: VD1 ≅ VD 2
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Fig. 2.10
carga carga
(a) → regime permanente
(b) → também no transitório
-
+
vL2
vL1 Há perda de energia nos
+
- resistores
Fig. 2.11
diD1
Se iD1 ↑ ⇒ L ↑ ⇒ VL1 ↑ ⇒ VL 2 ↑ (em sentido oposto) ⇒ iR 2 ↑ ⇒ iD1 ↓
dt
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nVvD
iD = I S e T − 1
Fig. 2.12