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    Unidade 1a - V 2.0 - Diodos Semicondutores - Parte 1

    Enviado por

    José Ferreira Júnior
    Este documento discute os fundamentos dos diodos semicondutores. Resume os principais pontos sobre a estrutura atômica e cristalina de semicondutores intrínsecos como silício e germânio, e como a dopagem produz semicondutores extrínsecos tipo N e tipo P. Explica também o funcionamento da junção PN, incluindo a formação da barreira de potencial e o fluxo de corrente nas polarizações direta e reversa.

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    Unidade 1a - V 2.0 - Diodos Semicondutores - Parte 1

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    José Ferreira Júnior
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    Este documento discute os fundamentos dos diodos semicondutores. Resume os principais pontos sobre a estrutura atômica e cristalina de semicondutores intrínsecos como silício e germânio, e como a dopagem produz semicondutores extrínsecos tipo N e tipo P. Explica também o funcionamento da junção PN, incluindo a formação da barreira de potencial e o fluxo de corrente nas polarizações direta e reversa.

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    Unidade 1a - v 2.0- Diodos Semicondutores - parte 1.ppt

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    Este documento discute os fundamentos dos diodos semicondutores. Resume os principais pontos sobre a estrutura atômica e cristalina de semicondutores intrínsecos como silício e germânio, e como a dopagem produz semicondutores extrínsecos tipo N e tipo P. Explica também o funcionamento da junção PN, incluindo a formação da barreira de potencial e o fluxo de corrente nas polarizações direta e reversa.

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    de 29

    Unidade 1a

    Diodos Semicondutores (parte 1)

    1
    Fundamentos de Física de Semicondutores

    2
    Estrutura Atômica e Ligações Químicas

    3
    Materiais e Condutividade

    4
    Condutor

    Isolante

    Semicondutor

    5
    6
    Condutividade em Materiais Semicondutores

    7
    Estruturas atômicas: Germânio e Silício

    Ge Z = 32

    Si

    Z = 14
    8
    Estrutura cristalina do semicondutor intrínseco
    Intrínseco = material purificado mas ainda sem a dopagem.

    9
    Condutividade em semicondutores intrínsecos

    10
    Dopagem
    - Inserção proposital de impurezas no semicondutor
    intrínseco, com o fim de obter o semicondutor extrínseco.

    11
    Semicondutor tipo N

    12
    Semicondutor tipo N
    - Elétron é portador majoritário e lacuna o portador
    minoritário.
    - Íons doadores: perdem o 5º elétron da última camada.

    13
    Semicondutor tipo P

    (lacuna)

    14
    Semicondutor tipo P
    - Lacuna é portador majoritário e elétron o portador
    minoritário.
    - Íons aceitadores: ganham 1 elétron para a última
    camada

    15
    Níveis de Energia dos Elétrons de um Átomo

    Nível de condução (elétron fora do átomo)

    Nível de valência (camada mais externa)

    Segundo Nível (próxima camada interna)

    Terceiro Nível ...

    Núcleo do átomo

    Eg : gap de energia (diferença de energia entre 2 níveis vizinhos)


    16
    Eg entre os níveis de valência e de condução

    Isolantes Semicondutores Condutores


    Intrínsecos
    17
    Redução de Eg em semicondutores dopados

    Eg com dopagem

    Eg sem dopagem

    1,1eV (Si) ou
    0,67 eV (Ge) Semicondutores
    Extrínsecos (N ou P)

    18
    Formação do Diodo: junção P-N

    “Corte”

    Equilíbrio final Troca de lacunas e elé-


    trons entre blocos P e N
    (difusão).
    ( Depleção )

    Recombinação de elétrons e
    lacunas próximos à junção.

    • Cargas descobertas:
    íons fixos no cristal.

    19
    Tensão de Barreira em junções P-N ( VB )

    • Silício: VB = 0,7 V
    • Germânio: VB = 0,3 V

    VB também é chamado tensão de limiar (em inglês, VT )

    20
    Representação e encapsulamentos do Diodo

    21
    Polarização Direta (tensão aplicada: V )

    Quando V não é suficiente Quando V é maior que VB:


    para vencer a barreira VB : • Largura da depleção diminui.
    • Não existe corrente direta. • Diodo em condução (existe a
    • Existe minúscula corrente corrente direta).
    reversa.
    22
    Polarização Reversa

    • Aumenta o valor de VB.


    • Largura da depleção aumenta.
    • Diodo bloqueia o fluxo de
    corrente.

    23
    Curva Característica do Diodo (exemplo 1)

    Curva
    Característica de
    um diodo de
    Silício na região de
    condução.

    • Para Vd> 0,7V:


    gráfico parece com
    resistor de baixíssima
    resistência.

    24
    Curva Característica do Diodo (exemplo 2)

    Curva Característica
    de um diodo de
    Silício na região de
    bloqueio.

    • Corrente de fuga
    satura no valor de 1μA
    negativo.

    25
    Curva Característica
    do Diodo
    (exemplo 3)

    Visualização das duas


    regiões: bloqueio e
    condução.

    26
    Equação da Curva Característica

    27
    Teste de Diodos

    Diodo em boa condição:


    ohmímetro deve indicar
    baixa resistência para
    um dos sentidos de
    polarização e alta
    resistência ao inverter as
    pontas de prova nos
    terminais do diodo.

    28
    Teste de Diodos

    Diodo em Curto: se as duas leituras


    indicarem baixa resistência o diodo conduz
    corrente nos dois sentidos.

    Diodo Aberto: se as duas leituras indicarem


    alta resistência o diodo bloqueia a corrente
    nos dois sentidos.

    29

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