Eletrônica Analógica II
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Eletrônica Analógica II
n
a
Eletrônica l
ó
g
i
c
a
Aluno: _____________________________________________
II
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Capacitor de Acoplamento
Um capacitor de acoplamento acopla um ponto não aterrado a outro ponto não aterrado
(acoplar significa deixar passar somente o sinal ca, bloqueando a componente contínua).
VT H VT H , onde R = RTH + RL
I
(R TH R L )2 X C R 2 XC
2 2
Capacitor de Desvio
O capacitor de derivação acopla um ponto desaterrado a um ponto aterrado.
1 1
Freqüência Crítica (fc) Xc = R Logo R fC
2 fC C 2RC
VT H VT H
Se Xc = R I 0,707
R2 R2 R
Alta Freqüência de Quina (fh): A resistência total deve ser no mínimo 10 vezes maior
que a reatância capacitiva. fh > 10fc
VT H VT H
Se Xc< 0,1R I 0,995 (Acoplamento quase ideal)
R (0,1.R)
2 2 R
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A Figura abaixo à esquerda mostra um sinal, VBE, aplicado na base e a resposta, IE.
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VBE 25mV
re' re'
IE IE
Ic i
Beta CA (hfe): c
Ib ib
Circuito Equivalente CA
Logo no amplificador emissor comum a saída está defasada de 180° em relação à entrada.
v b iere'
Impedância de Entrada da Base: z ent (base ) z ent (base ) re'
ib ib
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Amplificadores de Tensão
Modelo T
v saída
Ganho de Tensão (Av): Av
v entrada
v entrada v b ic re'
ic rc rc
Av AV
ic re' re'
rc
Av
re re'
v b ie (re re' )
Impedância de Entrada da Base: z ent (base ) z ent (base ) (re re' )
ib ib
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Estágios em Cascata:
A corrente ca no primeiro
coletor tem vários caminhos para
circulação, através da resistência
Rc do primeiro estágio (3,6K), dos
resistores de polarização do
segundo estágio (10K e 2,2K) e
para dentro da base do segundo
transistor (zent(base)).
Modelo do Transistor:
rc
Onde: A V
re
Ze = R1 || R2 || Ze(base)
Zs = Rc
Ve = tensão de entrada
Vs = tensão de saída
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Modelo T
v saída iR R
Ganho de Tensão: A v c 'C Av 'C
v entrada iere re
Impedância de Saída: z saída R C
■ Uma das razões pelas quais o amplificador BC não é tão usado quanto um
amplificador EC é sua baixa impedância de entrada. Por isso o amplificador BC não é muito usado
em baixas freqüências. Ele é usado principalmente em aplicações de altas freqüências (acima de
10MHz), onde as fontes de baixa impedância são comuns.
v b ie (re re' )
Impedância de Entrada da Base: z ent (base ) z ent (base ) (re re' )
ib ib
v saída iere re
Ganho de Tensão (Av): A v AV AV
v entrada ie (re re )
'
(re re' )
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Como ib = ic /
v ent
ie
RE r (R1 // R 2 // R G ) /
'
e
O resistor de emissor, RE é acionado por uma fonte ca com uma impedância Thevenin de:
(R1 // R 2 // R G )
rth re'
Então:
(R1 // R 2 // R G )
rsaída re'
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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
trechos do sinal de entrada. A maior vantagem da operação classe D é que o amplificador está
ligado (usando potência) durante curtos intervalos, e a eficiência global pode, na prática, ser
muito alta, como descrito em seguida.
Eficiência do Amplificador
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Amplificadores em Classe A
Reta de Carga cc e ca
A resistência ca do coletor é diferente da resistência
cc do coletor. A reta de carga ca é mais inclinada, porque a
resistência ca do coletor é menor que a resistência cc do
coletor.
R C rc
RE
VCC / VE 1
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Amplificadores em Classe B
Os Limites:
Excursão à esquerda = VCEQ
Excursão à direita = ICQ re Onde: re = RE || RL
Máxima excursão de pico a pico (MPP): Menor valor entre: MPP = 2 lCQ re ou MPP = 2VCEQ
Circuito Push-Pull
No semiciclo positivo da tensão de entrada, o transistor
superior (T1) está em condução e o inferior, em corte. O transistor
superior funciona como um seguidor de emissor comum, de forma
que a tensão de saída é aproximadamente igual à tensão de
entrada.
No semiciclo negativo da tensão de entrada, o transistor
superior (T1) entra em corte e o inferior (T2), em condução. O
transistor inferior funciona como um seguidor de emissor comum e
produz uma tensão na carga aproximadamente igual à tensão de
entrada.
O transistor superior atua no semiciclo positivo da tensão
de entrada e o transistor inferior, no semiciclo negativo. Durante
cada semiciclo, a fonte vê, olhando para cada base, uma alta
impedância de entrada.
Distorção de cruzamento
Como o ponto Q é colocado no corte para as retas ca e cc, logo a tensão ca que chega
tem que aumentar até cerca de 0,7V para vencer a barreira de potencial dos diodos emissores.
Por isso não há fluxo de corrente através de T1 quando o sinal é menor que 0,7V. O
funcionamento é semelhante no outro ciclo. Não há fluxo de corrente em T2 até que a tensão ca
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Eletrônica Analógica II
de entrada seja mais negativa que -0,7V. Por esta razão se nenhuma
polarização é aplicada aos diodos emissores, a saída do seguidor de
emissor push-pull classe B será a apresentada na figura ao lado.
O sinal é distorcido. Por causa do ceifamento entre os semiciclos,
a saída não é mais uma onda senoidal. Como o ceifamento ocorre entre o
instante em que um transistor corta e o instante em que o outro conduz,
chamamos de distorção de cruzamento.
Para se reduzir a distorção de cruzamento, precisamos aplicar
uma pequena polarização direta para cada emissor. Isto significa localizar
o ponto Q um pouco acima do corte. Como orientação, uma corrente ICQ de 1 a 5% de lc<sat) é
suficiente para eliminar a distorção por transição.
No entanto, feito isso, estaremos modificando a classe do amplificador para AB.
Quando não há sinal de entrada, l2 = ICQ e a corrente drenada é pequena. Porém, quando
há sinal de entrada, a corrente drenada aumenta porque a corrente do coletor superior torna-se
grande.
Se for usada toda a linha de carga ca, o transistor superior terá uma corrente senoidal
de meia onda através dele com um valor de pico de:
V
IC( sat ) CEQ
RL
IC( sat ) VCEQ
O valor médio ou cc de um sinal de meia onda é: I2 ou I2
RL
PL(max)
A Eficiência: x100 %
PS(max)
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O Acionador de Classe B
Para acionar o seguidor de emissor classe B, usa-se
um acionador EC acoplado diretamente, conforme a Figura
ao lado.
O transistor Q2 é uma fonte de corrente que
estabelece a corrente cc de polarização através dos diodos.
Ajustando R2 podemos controlar a corrente cc de emissor
através de R4. Isso quer dizer que Q2 fornece corrente
contínua através dos diodos de compensação. Por causa dos
diodos de polarização, nos coletores de Q3 e Q4, existe um
mesmo valor de corrente.
Quando um sinal ca aciona a entrada, Q2 comporta-
se como um amplificador linearizado. O sinal ca amplificado
e invertido no coletor de Q2 aciona as bases de Q3 e Q4. No
semiciclo positivo, Q3 conduz e Q4 corta. No semiciclo
negativo, Q3 corta e Q4 conduz.
Um Amplificador Completo
Temos na Figura abaixo um amplificador completo com três estágios: um amplificador de
pequeno sinal (Q1), um amplificador classe A de grande sinal (Q2) e um seguidor de emissor
push-pull classe B (Q3 e Q4).
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Eletrônica Analógica II
O amplificador de 20 W
da Figura ao lado é outro exemplo
do estado da tecnologia dos
amplificadores de potência
lineares monolíticos. O TDA2020,
conectado como se indica, com
uma entrada de 260 mV, origina
tipicamente 20 W em 4 ohms com
menos de 1% de distorção e
eficiência igual a 57%. A resposta
em freqüência (-3 dB) vai de 10 Hz
a 160 kHz com um ganho de
30 dB. Além disso, o dispositivo
tem proteção contra curtocircuitos
e desligação térmica se for
excedido o limite máximo de
dissipação térmica recomendado.
Os condensadores C1 a C4
proporcionam contornamento da
fonte de alimentação. As malhas
R3C5 e R1C6 produzem compensação de atraso na saída e na entrada, respectivamente. A
compensação é ainda controlada pelo condensador C7. Como o nível DC da saída é posto a
(V+ + V-) / 2, esta operação em fonte de alimentação repartida fornece a saída DC de 0 V e a
carga pode ser acoplada diretamente, eliminando a necessidade de um condensador de
acoplamento muito grande. Os diodos D1 e D2 fixam (e assim protegem) a saída nas excursões
indutivas maiores que as tensões de alimentação.
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REGULADOR SÉRIE
O diodo zener atua apenas como elemento de referência enquanto que o transistor é o
elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor está em série com a carga, daí o
nome regulador série.
Funcionamento:
A tensão de saída estará disponível na carga (VL), então: VL = VZ - VBE
Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tensão no ponto "x" será constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando a Lei de Kirchhoff para Tensão:
Portanto, quando VIN aumenta, como VZ é constante, VCB também aumentará provocando
um aumento de VCE, de modo a suprir a variação na entrada, mantendo VL constante.
VL = VIN - VCE
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando a Lei de Kirchhoff para Tensão,
obedecendo os mesmos princípios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
REGULADOR PARALELO
A exemplo do regulador série, o transistor atua como elemento de controle e o zener como
elemento de referência.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, daí a denominação regulador paralelo,
cujo circuito é mostrado abaixo.
Funcionamento:
VZ = VCB como VZ é constante, VCB será constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
Logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Ao variar a tensão de entrada dentro de certos limites, como VZ é fixa, variará VBE variando
a corrente IB e conseqüentemente IC. Em outras palavras, variando-se a tensão de entrada
ocorrerá uma atuação na corrente de base a qual controla a corrente de coletor.
Neste caso, VCE tende a permanecer constante desde que IZ não assuma valores menores
que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parâmetros para o projeto de em regulador paralelo são essencialmente: V IN, VL e
IL(MAX).
Funcionamento:
Quando houver uma variação da tensão de entrada, a tendência é ocorrer uma variação
da tensão de saída.
Supondo que VIN aumente, a tensão nos extremos de RL tenderá a aumentar, aumentando
a tensão VR2 e VR3, mas, como a tensão no emissor de T2 é fixada por VZ, então um aumento de
tensão no ponto "x" provocará um aumento de VBE2, que aumentará IB2 e conseqüentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haverá um aumento da tensão em R1 (VR1), uma vez que a tensão do
emissor de T2 é fixada pela tensão de zener (VZ).
Como VBE1 é fixa, então um aumento de VR1 provocará um aumento de VCE1.
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1.
Um aumento de IC2 provocará também um discreto aumento na corrente de base de T1
(IB1).
IC2 = IR1 - IB1 IR1 = IC2 + IB1
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O transistor de efeito de campo (FET - field effect transistor) é um transistor unipolar, ou seja ele
funciona com apenas um tipo de carga (elétron ou lacuna). Sendo um transistor ele possui muitas
semelhanças com os bipolares que estudamos até agora. Os FETs se classificam em duas
classes: os JFETs e os MOSFETS.
O JFET (junction FET ou FET de junção) é construído a partir de um pedaço de semicondutor tipo
n ou p, sendo seu funcionamento igual, diferindo apenas como nos bipolares NPN e PNP, na
polarização. Embora existam JFETs de quatro terminais, na maioria das vezes eles tem três
terminais que são análogos aos dos transistores bipolares:
Como nos transistores bipolares os elétrons circulam do emissor para o coletor, no JFET eles vão
da fonte (S) para o dreno (D). A corrente convencional vai no sentido inverso.
Ao aplicarmos uma tensão VDD entre dreno e fonte os elétrons podem fluir pelo material n, da
fonte para o dreno. Sendo a porta de material p, formam-se dois diodos p-n, um entre porta e
dreno e outro entre porta e fonte. Num bipolar nós polarizamos o diodo base-emissor diretamente
e o diodo base-coletor inversamente para funcionamento correto como transistor. No JFET nós
polarizamos reversamente os dois diodos. Isto cria em volta das junções de porta uma camada de
depleção, pela recombinação dos elétrons e das lacunas em torno das junções reversamente
polarizadas. Veja a figura abaixo onde é mostrada a polarização usual e a formação das camadas
de depleção em torno da porta. Estas camadas de depleção formam um estreitamento no material
n, dificultando a passagem dos elétrons da fonte (S) para o dreno (D). Quanto maior for a tensão
na porta (mais negativa em relação à fonte) maior será a zona de depleção, mais estreito fica o
canal e menos corrente circulará pelo JFET.
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Eletrônica Analógica II
Como a polarização é reversa no diodo porta-fonte, a corrente que circula é quase nula. Na
prática podemos considerar IG = 0. Mas se IG = 0, aplicando a lei de Ohm na entrada do JFET
temos:
VGG VGG
VGG R ent .I G ou R ent
IG 0
Isto significa que o JFET tem uma impedância de entrada elevadíssima, da ordem de centenas
de Mega Ohms.
Por outro lado se IG = 0, por Kirchhoff temos que ID = IS. Para aplicações de baixa freqüência
podemos até inverter dreno e fonte que o JFET funciona igualmente. Para freqüências mais
elevadas as capacitâncias parasitas entre porta e dreno são menores que as entre porta e fonte.
O JFET será sempre polarizado com os dois diodos com tensão reversa. Logo podemos concluir
que a corrente de dreno máxima será quando VGS = 0, pois assim a zona de depleção será a
menor possível. O funcionamento do JFET com VGS = 0 (porta curto circuitada à terra) é mostrado
na figura abaixo.
Repare como esta curva se parece com a curva de coletor de um bipolar. Note que:
A corrente de dreno (IDSS = I drain source shorted) sai de zero, quando VDS = 0 e sobe
rapidamente, de forma linear até que VDS = VP, então há uma estabilização de IDSS,
mesmo com o aumento de VDS, até atingirmos VDS = VDS(max), quando há uma ruptura com
IDSS disparando e o JFET sendo destruído;
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Eletrônica Analógica II
O ponto VP (de pinchoff ou estrangulamento) é a tensão mínima para que IDSS fique
praticamente constante;
O fabricante fornece o valor de IDSS, bem como o de VDS(max). Outro dado importante é o valor de
VP, que nem sempre é dado pelos fabricantes. Eles fornecem sempre VGS(off) que é a tensão de
porta que leva o JFET ao corte (ID = 0). A figura abaixo ilustra o ponto de VGS(off).
Veja que, como dissemos, se VGS = 0, temos ID máximo, que é de 8mA na figura acima. Se
aumentarmos a diferença de potencial entre porta e fonte (VGS), sempre com a polarização
reversa, ID vai diminuindo até que com VGS = -4V (porta a 4V abaixo da fonte), temos ID = 0, ou
seja o JFET está cortado. Assim temos no nosso exemplo VGS(off) = -4V. Por características
construtivas sabemos que VP = |VGS(off)| ou então:
VGS(off) VP
A figura acima ilustra bem este aspecto. Note que VP é a tensão mínima para que IDS seja
aproximadamente constante quando VGS = 0.
A parte da curva da figura acima entre VDS = 0 e VDS = VP é bastante linear, o que equivale a reta
de saturação de um transistor bipolar. Esta região é chamada de região ôhmica do JFET pois a
relação entre V e I é linear. Isto equivale a um resistor com valor:
VP
RDS
IDSS
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Eletrônica Analógica II
O fabricante fornece IDSS e VGS(off), assim basta saber a tensão VGS do nosso circuito para
calcular ID.
Repare que esta curva é uma parábola, pois ID = K x IDSS , sendo K um fator quadrático:
2
VGS
K 1
V
GS(of f )
Por ser quadrático o fator que relaciona a corrente de dreno o JFET é chamado de dispositivo
quadrático, o que é bom para certas aplicações principalmente em áudio onde muitas vezes
misturamos sinais.
Assim podemos representar o JFET como uma fonte de corrente cuja saída é K x IDSS,
dependendo da tensão VGS, isto para VDS acima de VP. Na região ôhmica (VDS < VP) o JFET se
comporta como um resistor RDS = VP / IDSS. Portanto para representar o circuito equivalente de
um JFET precisamos de dois modelos, mostrados abaixo:
Estes modelos são construídos tomando por base o comportamento ideal do JFET mostrado a
seguir onde temos ID = constante ou seja uma reta bem horizontal e também para VDS < VP todas
as curvas se sobrepondo.
Dependendo de como polarizamos o JFET ele pode se comportar como uma fonte de corrente
(região ativa) ou como um resistor (na saturação). Os modelos acima apresentam um resistor
entre porta(G) e fonte(S), RGS, que sabemos ser muito elevado, podendo simplesmente ser
desprezado.
Já vimos que o ponto VP define a separação entre as duas regiões de operação do JFET, assim
precisamos saber seu valor correto. A folha de dados do fabricante nos dá VP para VGS = 0. Para
VGS ≠ 0 calculamos:
VP’ = ID x RDS
A seqüência de cálculo é:
VP
Calcular: RDS
IDSS
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Eletrônica Analógica II
2
VGS
Calcular: ID IDSS . 1
V
GS(of f )
Calcular VP’, que é VP proporcional à VGS que está sendo usado no circuito.
Polarização do FET
A Figura abaixo (a) mostra a polarização da porta. Uma tensão VGG fixa é aplicada na porta. Esta
é a pior forma de polarizar um amplificador JFET, porque o ponto Q varia em função de I DSS e
VGS(off). Como essas variáveis modificam-se com a temperatura e com a substituição do JFET, é
impossível obter um ponto Q estável com a polarização de porta.
Finalmente, chegamos à autopolarização, mostrada na Figura abaixo (d). Esse tipo de polarização
não tem equivalente em circuitos bipolares. A autopolarização é a forma preferida de polarização
para um amplificador JFET. Você verá que esse tipo de polarização é mais usado do que qualquer
outro tipo de JFET. Por sua simplicidade, ela oferece um método elegante e efetivo para a
polarização de um amplificador JFET. Embora o ponto Q não seja sólido como uma rocha, ele é
estável o suficiente para a maioria das aplicações de amplificadores que usam JFET.
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Eletrônica Analógica II
Polarização Fixa
O resistor RG está presente para assegurar que Vi apareça na entrada do amplificador FET na
análise AC. Para a análise DC, temos:
IG 0 A e
VRG = IG RG = 0 . RG = 0 V.
A queda de zero volt através de RG permite substituir RG por um curto-circuito equivalente, para a
análise DC.
Como o terminal negativo da bateria está conectado na porta, pode-se concluir que a polaridade
de VGS é oposta à de VGG. Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff na malha de entrada, no
sentido horário, resulta em:
–VGG –VGS = 0.
VGS = –VGG.
Uma vez que VGG é uma fonte de constante, a tensão VGS é fixa, daí a notação "configuração com
polarização fixa".
2
V
ID IDSS . 1 GS
VGS(of f )
Uma vez que VGS é fixa para esta configuração, ela pode
ser substituída na equação de Shockley para se
determinar o valor de ID. Este é um dos poucos casos em
que a solução matemática pode ser empregada
diretamente.
VDS VDD ID RD
Na figura ao lado temos o ponto de operação utilizado para projetos de polarização de FETs.
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Eletrônica Analógica II
Autopolarização
Para a análise DC, os capacitores podem ser substituídos por circuitos-abertos e o resistor RG
substituído por um curto-circuito equivalente, já que a condição é que IG = 0mA.
– VGS –VRS = 0
Observe neste caso que VGS é função da corrente de saída ID. Para se obter a corrente de dreno
ID podemos adotar o método matemático ou o método gráfico. Através do método matemático ID
poderá ser definido pela equação de Shockley.
2
V
ID IDSS . 1 GS
VGS(of f )
V
2
ID IDSS . 1 GS
VGS(of f )
VGS = R SID
Após a realização dos cálculos, deve e tomar o cuidado de assumir o valor correto de ID, pois este
deve estar entre zero e IDSS.
transferência de forma inadequada, ou mesmo não desenha-la dentro das devidas escalas, além
de nos induzir ao erro.
Verifique ainda que através da malha dreno-fonte, obtém-se VDS. Lembre que IS = ID, onde
resultará em:
Além disso:
VS = RS . ID e VG = 0 V.
VD = VDD – RD . ID
A polarização por divisor de tensão aplicada aos amplificadores com TBJ também é aplicada aos
amplificadores com FET. A configuração básica é exatamente a mesma, mas a análise DC é
consideravelmente diferente. IG = 0 A para os amplificadores com FET, mas, para os
amplificadores que utilizam TBJ, o valor de IB pode afetar os níveis de corrente e tensão nos
circuitos de entrada e saída. Lembre-se de que IB é o elo de ligação entre os circuitos de entrada e
saída na configuração com divisor de tensão para o TBJ, enquanto VGS faz o mesmo para a
configuração com FET.
Uma vez que IG = 0 A, a lei das correntes de Kirchhoff permite afirmar que IR1 = IR2 e o circuito
equivalente-série que aparece à esquerda da figura pode ser utilizado para se determinar o valor
de VG. A tensão VG, igual à tensão através de R2, pode ser determinada com o auxílio da regra do
divisor de tensão:
R 2 VDD
VG
R1 R 2
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff no sentido horário na malha de entrada (malha de VGS),
resulta em:
VG – VGS – VRS = 0
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Eletrônica Analógica II
VGS = VG – VRS
VGS = VG – IDRS
V
2
ID IDSS . 1 GS
V
GS(of f )
VGS = VG IDR S
Após a realização dos cálculos, deve e tomar o cuidado de assumir o valor correto de I D, pois este
deve estar entre zero e IDSS.
Uma vez determinados os valores de IDQ e VGSQ, a análise restante pode ser feita da maneira
usual. Ou seja,
VD = VDD – IDRD
VS = IDRS
Polarização de Fonte
A Figura abaixo mostra a polarização de fonte (similar à polarização de emissor com duas
alimentações). A ideia é sobrepujar as variações em VGS. O valor de ID é dado por:
VSS VGS
ID
RS
Para a polarização de fonte funcionar bem, VSS tem de ser muito maior do
que VGS. Entretanto, uma faixa de variação típica para VGS é de -1 a -5 V,
logo você pode ver que uma realimentação perfeita não é possível com as
tensões de alimentação típicas. Novamente, a estabilidade máxima na
polarização requer um VSS tão grande quanto possível e um VGS também
tão pequeno quanto possível.
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Eletrônica Analógica II
Quando alimentações positiva e negativa estão disponíveis, você pode usar a polarização por
fonte de corrente, mostrada na Figura abaixo (a). Como o transistor bipolar é polarizado pelo
emissor, sua corrente de coletor é dada por:
VEE VBE
IC
RE
Como o trarisistor bipolar funciona como uma fonte de corrente CC, ele força a corrente do dreno
do JFET a ser igual à corrente do coletor do bipolar:
ID = IC
A Figura (b) ilustra como é eficiente a polarização por fonte de corrente. Como Ic é constante, os
dois pontos Q têm o mesmo valor da corrente do dreno. A fonte de corrente elimina efetivamente
a influência de VGS. Embora VGS seja diferente para cada ponto Q, ele não mais influencia o valor
da corrente de dreno. Essa é a estabilidade definitiva na polarização para um JFET.
A Transcondutância
I D
gm
VGS
Como as mudanças em ID e VGS equivalentes para a corrente e a tensão CA, a Equação acima
pode ser escrita como:
id
gm
v gs
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Eletrônica Analógica II
0,2mA
gm 2(10 -3 )mho 2.000μmho
0,1V
A unidade "mho" é a razão entre a corrente e a tensão. O equivalente formal para o mho é o
Siemens (S). A maioria das folhas de dados continua a usar o mho em vez do siemens. Elas
também usam o símbolo gfs para gm.
A Figura abaixo mostra um circuito equivalente CA simples para um JFET. Há uma resistência
RGS muito alta entre a porta e a fonte. Esse valor está bem na faixa das dezenas ou centenas de
megohms. O dreno do JFET funciona como uma fonte de corrente com um valor de gm.vgs. Se
soubermos os valores de gm e de vgs poderemos calcular a corrente ca de dreno. Esse modelo é
uma primeira aproximação porque ele não inclui a resistência interna da fonte de corrente, a
capacitância do JFET e assim por diante. Em baixas frequências, podemos usar esse modelo CA
simples na análise de defeitos e análises preliminares.
2I DSS
VGS(off)
g m0
Ela é útil porque VGS(off) é difícil de ser medida com precisão. Porém, IDSS e gm0 são fáceis de
serem medidos com grande precisão. Portanto, a aproximação padrão é medir IDSS e gm0, e então
calcular VGS(off). Isso é feito na folha de dados.
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Eletrônica Analógica II
Quando VGS = 0, gm tem o seu valor máximo. Esse valor máximo é designado como de gm0, ou gfs0
na folha de dados. Quando VGS é negativa, gm diminui de valor. Aqui está a equação de gm para
qualquer valor de VGS:
V
g m g m0 1 GS
V
GS(off)
Observe que gm diminui linearmente quando VGS se torna mais negativa, como mostrado na Figura
acima (c). Essa propriedade é útil em controle automático de ganho.
AMPLIFICADORES JFET
A Figura abaixo (a) mostra um amplificador fonte-comum (CS - commom-source). Ele é similar a
um amplificador EC. Portanto, muitas das ideias que você aprendeu antes sobre transistores
bipolares se aplicam aqui. Por exemplo, os capacitores de acoplamento e de derivação funcionam
como curtos para CA. Por isso, a tensão CA de entrada é acoplada diretamente à porta. Como a
fonte está no terra para CA por meio do capacitor de derivação, toda tensão CA de entrada
aparece entre a porta e a fonte. Isto produz uma corrente CA de dreno. Como a corrente CA flui
através do resistor do dreno, obtemos um amplificador com tensão CA invertida na saída. Esse
sinal de saída é então acoplado ao resistor de carga.
A Figura abaixo (b) mostra o circuito equivalente CA. Aqui, a resistência da porta está em paralelo
com a resistência porta-fonte do JFET. Como a tensão CA de entrada aparece através dos
terminais porta-fonte, a fonte de corrente tem um valor de g mvent. Essa corrente CA de dreno
circula através da resistência CA de dreno, que são as resistências RD e RL em paralelo.
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Eletrônica Analógica II
Ganho de Tensão
rd = RD || RL
Quando a corrente de saída gmvent flui através de rd, ela produz uma tensão de saída de
vsaída = gm vent rd
v saída
g m rd
v ent
Lembre-se de que o ganho de tensão é definido como a tensão de saída dividida pela tensão de
entrada. Portanto, a equação anterior pode ser escrita como
A = gm rd
Ela diz que o ganho de tensão de um amplificador fonte-comum é igual à transcondutância vezes
a resistência CA do dreno.
1
gm
r' e
Há uma conexão entre o ganho de tensão de um JFET e de um transistor bipolar. Essa conexão
permite-nos usar um atalho para derivação e recordação das fórmulas do JFET. Como os
transistores bipolares e os JFETs têm circuitos equivalentes similares, toda as fórmulas para
ganho de tensão são análogas umas às outras. Isso significa que podemos reescrever qualquer
fórmula de bipolar para um circuito JFET comparável mudando os subíndices e substituindo r'e por
1/gm. Por exemplo, o amplificador bipolar EC tem um ganho de tensão de:
rc
A
r' e
rd
A g m rd
1/g m
Um amplificador JFET linearizado como o da Figura abaixo (a) tem parte da resistência de fonte
sem o capacitor de derivação. Isso é similar ao amplificador bipolar linearizado cujo ganho de
tensão é:
rc
A
re r' e
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Eletrônica Analógica II
Se você se lembra dessa fórmula para o transistor bipolar, pode obter facilmente a fórmula
equivalente para JFET. Substitua rc por rd, re por rs, e r'e por 1/gm para obter:
rd
A
rs 1/g m
Como um exemplo final, o seguidor de fonte da Figura (b) é similar a um seguidor de emissor cujo
ganho de tensão é:
re
A
re r' e
Quando você substitui re por rs e r'e por 1/gm obtém o ganho de tensão de um seguidor de fonte,
onde rs = RS || RL..
rs
A
rs 1/g m
É importante lembrar-se da última equação, porque o seguidor de fonte é um dos circuitos JFET
mais largamente usados. Semelhante ao seguidor de emissor, o seu ganho de tensão é menor do
que 1. Mas ele tem a maior vantagem, que é a altíssima impedância de entrada. Você verá o
seguidor de fonte usado em todos os tipos de aplicações.
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Eletrônica Analógica II
MOSFET
O FET de óxido de semicondutor e metal, MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A
diferença básica para o JFET é porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta
é extremamente pequena, para qualquer tensão positiva ou negativa.
A Figura abaixo mostra um MOSFET de modo depleção canal n e o seu símbolo. O substrato em
geral é conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicações usa-se o substrato para
controlar também a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais.
Os elétrons livres podem fluir da fonte para o dreno através do material n. A região p é chamada
de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos elétrons livres da fonte ao dreno.
A fina camada de dióxido de silício (SiO2), que é um isolante, impede a passagem de corrente da
porta para o material n.
Como a porta está isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tensão positiva na porta
(inversão de polaridade bateria VGG do circuito da Figura acima). A tensão positiva na porta
aumenta o número de elétrons livres que fluem através do canal. Quanto maior a tensão, maior a
corrente de dreno. Isto é que a diferencia de um JFET.
Características de dreno e
transferência para um
MOSFET tipo depleção de
canal n.
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Eletrônica Analógica II
A Figura acima mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu símbolo. O substrato
estende-se por todo caminho até o dióxido de silício. Não existe mais um canal n ligando a fonte e
o dreno.
Quando a tensão da porta é zero, a alimentação VDD força a ida dos elétrons livres da fonte para
o dreno, mas o substrato p tem apenas uns poucos elétrons livres produzidos termicamente.
Assim, quando a tensão da porta é zero, o MOSFET fica no estado desligado (off). Isto é
totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleção.
Quando a porta é positiva, ela atrai elétrons livres na região p. Os elétrons livres recombinam-se
com as lacunas na região próxima ao dióxido de silício. Quando a tensão é suficientemente
positiva, todas as lacunas encostadas no dióxido de silício são preenchidas e elétrons livres
começam a fluir da fonte para o dreno. O efeito é o mesmo que a criação de uma fina camada de
material tipo n próximo ao dióxido de silício. Essa camada é chamada de camada de inversão tipo
n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os elétrons livres
fluem facilmente da fonte para o dreno.
O VGS mínimo que cria a camada de inversão tipo n é chamado tensão de limiar, simbolizado por
VGS(th). Quando VGS é menor que VGS(th), a corrente de dreno é zero. Mas quando VGS é maior
VGS(th), uma camada de inversão tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno é alta.
VGS(th) pode variar de menos de 1V até mais de 5V dependendo do MOSFET.
A Figura abaixo mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificação e a reta
de carga típica. No gráfico ID x VDS, a curva mais baixa é para VGS(th). Quando VGS é maior que
VGS(th), a corrente de dreno é controlada pela tensão da porta. Neste estágio o MOSFET pode
trabalhar tanto como um resistor (região ôhmica) quanto uma fonte de corrente. A curva I D x VGS,
é a curva de transcondutância e é uma curva quadrática. O início da parábola está em V GS(th). Ela
é dada por:
ID k(VGS VGS(th) ) 2
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Eletrônica Analógica II
ID k(VGS VGS(th) ) 2
ID(on)
k
V GS(on) VGS(th)
2
Uma vez definido k, outros níveis de ID podem ser determinados a partir de valores de VGS.
Os MOSFET têm uma fina camada de dióxido de silício, um isolante que impede a circulação de
corrente de porta tanto para tensões positivas como negativas. Essa camada isolante é mantida
tão fina quanto possível para dar a porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. Como a
camada é muito fina, é fácil destruí-la com uma tensão porta fonte excessiva. Além da aplicação
direta de tensão excessiva entre a porta fonte, pode-se destruir a camada isolante devido a
transientes de tensão causados por retirada/colocação do componente com o sistema ligado. O
simples ato de tocar um MOSFET pode depositar cargas estáticas suficiente que exceda a
especificação de VGS máximo. Alguns MOSFET são protegidos por diodos zener internos em
paralelo com a porta e a fonte. Mas eles tem como inconveniente, diminuir a impedância de
entrada.
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Eletrônica Analógica II
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
O amplificador diferencial é um dos melhores estágios de acoplamento direto disponíveis
para o projetista de Cl. É um tipo de amplificador que é muitíssimo usado na etapa de entrada dos
amplificadores operacionais. Veja abaixo o diagrama em blocos de um amplificador operacional.
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Eletrônica Analógica II
A corrente de compensação de entrada pode fazer com que uma tensão indesejável
apareça na saída do amplificador diferencial, dependendo dos valores dos resistores de base de
cada transistor.
Este é o valor quiescente da tensão no coletor de T2. Qualquer desvio deste valor de
tensão quiescente é chamado de tensão de compensação de saída. Se os transistores não forem
idênticos, as correntes de emissor serão diferentes e haverá uma tensão de compensação de
saída. Para eliminar a tensão de compensação de saída, temos que aplicar uma tensão em uma
das entradas do amplificador diferencial, que é chamada de tensão de compensação de entrada.
Por exemplo, se a folha de dado de um amplificador operacional informar que ele tem uma tensão
de compensação de entrada de ± 10mV, então será preciso aplicar uma tensão de ± 10mV em
uma das entradas para zerar a tensão de compensação de saída.
Em geral, quanto menor a tensão de compensação de entrada, melhor o amplificador
diferencial porque os transistores estão mais bem casados. Aqui está um dos grandes motivos
pelo qual o amplificador diferencial é amplamente usado como estágio de entrada nos
amplificadores operacionais. Em uma pastilha de silício, é bem mais fácil de se construir
transistores bem casados. Se um amplificador diferencial for projetado com transistores discretos,
isto seria praticamente impossível.
v out R c i c R
Ganho de tensão: A ' A c'
v in 2re i e 2re
v in 2re' i e
Impedância de Entrada: Z in Z in 2 β re'
ib ib
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Eletrônica Analógica II
MODO COMUM
Operação em modo comum é quando aplicamos o mesmo sinal em ambas entradas,
podendo ser também sinais de mesmo potencial e defasagem 0o entre si. Geralmente, a maioria
dos sinais de interferência são aplicados em modo comum.
Idealmente não haverá tensão ca na saída em um sinal de entrada em modo comum,
pois a tensão entre as bases é zero.
As entradas do amplificador diferencial podem funcionar como pequenas antenas. Por
esse motivo o amplificador pode receber em suas entradas pequenas interferências. Uma grande
razão da popularidade do amplificador diferencial é a sua característica de atenuar estes sinais
(interferências). Admitindo transistores idênticos, as tensões iguais na base produzem correntes
iguais de emissor. Como as duas correntes de emissor são iguais, não há corrente através do fio
que interliga os emissores.
v out ic R c Rc R
Ganho de Tensão em Modo Comum: A MC c
v in(MC ) ie (2R e re ) 2R e re 2R e
' '
FONTE CC
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Eletrônica Analógica II
As fontes de corrente físicas possuem alta resistência interna. Nos exemplos abaixo de
amplificadores diferenciais, a corrente le é obtida usando a expressão:
V Vee VBE
Ie cc
RX
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
É um circuito integrado que tem a função de realizar operações matemáticas tais como:
soma, subtração, integração, etc.
Na prática os AmpOp não são ideais mas sim reais, o que implica que aquelas
características são aproximadas. No entanto, considerar os Amp. Op. ideais simplifica o estudo
das suas aplicações e é o que vamos fazer.
variação de tensão maior que a taxa de limitação de inclinação, a saída não será capaz de variar
suficientemente rápido, e não variará sobre a faixa completa esperada, resultando num sinal
cortado ou distorcido.
Considere um sinal senoidal aplicada a entrada do Amp. Op. Este sinal produzirá um
correspondente sinal senoidal na saída.
O Slew Rate (SL) ou taxa de inclinação é a máxima taxa de variação da tensão de saída
com o tempo, isto é:
dVo
SR
dt
d(VP . senωt )
SR VP . ω.cosωt , e tem valor máximo (máxima inclinação) na origem
dt
(t = 0) valendo:
dVS
ω.VP , logo: SR = VP
dt max
Enquanto o SR do Amp. Op. for maior do que VP não haverá distorção, caso contrário a
senóide começa a ficar achatada.
SR = VP SR = 2fmax . VP
Amplificador Inversor
v o iR 2 R
A A 2
vi iR1 R1
Amplificador Somador
v1 v 2 v
i ... n
R1 R 2 Rn
Amplificador Diferenciador
dv i vo
ic C i
dt R
dv i v
Como i = ic, temos: C o (*)
dt R
Podemos isolar o valor de v0 da expressão (*), e ficamos com:
dv i
v o RC . O que indica que o sinal de saída é proporcional
dt
à derivada do sinal de entrada.
Amplificador Integrador
dv o vi
ic C i
dt R
Como i = ic, temos:
t
vi dv v 1
R
C o dv o i dt v o
dt CR RC 0
v idt
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Eletrônica Analógica II
■ O circuito acima necessita de uma ligeira modificação para torná-lo prático. Em virtude
do capacitor ser um circuito aberto para sinais cc, não há realimentação negativa na freqüência
zero. Sem a realimentação negativa, o circuito considera qualquer tensão de compensação de
entrada como uma tensão de entrada válida. O resultado é que o capacitor se carrega e a tensão
de saída entra na saturação positiva ou negativa, na qual permanece indefinidamente.
Uma forma de reduzir o efeito da tensão de compensação de entrada é diminuir o ganho
de tensão na freqüência zero inserindo um resistor em paralelo com o capacitor. Esse resistor
deve ser pelo menos 10 vezes maior do que o resistor de entrada. Se a resistência acrescentada
for de 10R, o ganho de tensão de malha fechada será 10 e a tensão de compensação de saída
será reduzida para um nível aceitável. Quando houver um sinal válido na entrada, o resistor
adicional quase não tem efeito na carga do capacitor.
vo R
A 1 2
vi R1
R2 R R2
vZ vo vo vZ 1
R1 R 2 R2
R1
v o (1 )v Z
R2
Comparadores
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Eletrônica Analógica II
R1Vsat R1Vsat
V1 e V2 , a Histerese = V1 - V2
R1 R 2 R1 R 2
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Eletrônica Analógica II
Saída de Potência
v RL R
A 1 2
ve R1
O fato dos transistores do estágio diferencial de entrada do AmpOp não serem idênticos,
provoca um desbalanceamento interno do qual resulta uma tensão na saída denominada de
OFFSET de saída, mesmo quando as entradas são aterradas.
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Eletrônica Analógica II
Filtros Ativos
A Figura abaixo mostra a resposta de frequência ideal para cada um dos vários tipos de
filtros comumente usados, junto com as respostas típicas para os filtros práticos do mesmo tipo.
Em cada caso, as frequências de corte são mostradas como sendo as frequências em que a
resposta é 3 dB abaixo de seu valor máximo na banda passante. Os filtros são muito usados para
"retirar" componentes desejadas da frequência de sinais complexos e/ou rejeitar componentes
indesejáveis, tais como ruídos.
Discutiremos o mais popular dos filtros ativo, conhecido como Butterworth ou filtros
maximamente planos.
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Eletrônica Analógica II
Filtro Passa-Baixa
Um filtro que apresenta uma resposta constante de DC até a freqüência de corte (fc) e
não permite que nenhum sinal passe acima desta freqüência é chamado filtro passa-baixa. Um
filtro passa-baixa de primeira ordem ou de um pólo apresenta um único circuito de desvio.
VsaídaR 2 V R R2
Vent saída 1
R1 R 2 v ent R2
Vsaída R
A A 1 1
Vent R2
1
e a freqüência de corte: fc
2RC
Acima da freqüência de corte, o ganho de tensão diminui a uma taxa de 20 dB por
década, que equivale a 6 dB por oitava.
A frequência de corte (fc) ou frequência meia potência é a frequência abaixo da qual ou
acima da qual a potência na saída de um sistema (circuito eletrônico, linha de
transmissão, amplificador ou filtro eletrônico) é reduzida a metade da potência da faixa de
passagem. Em termos de tensão (ou amplitude) isto corresponde uma redução a 70,7% do valor
da faixa de passagem. Como em decibeis essa redução corresponde a uma atenuação de -3 dB,
a frequência de corte também é conhecida como frequência de -3 dB.
Em geral, um filtro de três pólos produz 60 dB por década, um de quatro pólos produz
80 dB por década, e assim por diante. A forma mais simples de construir um filtro Passa-Baixa de
três pólos é conectando em cascata um filtro de um pólo com um de dois pólos. Para manter uma
resposta maximamente plana, o ganho de tensão de cada seção tem de ser precisamente
correto. Tabelas Butterworth estão disponíveis para o projeto de filtros com um número de pólos
qualquer.
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Eletrônica Analógica II
Filtro Passa-Alta
Você pode transformar um filtro Butterworth passa-baixa num filtro Butterworth passa-
alta usando circuitos de acoplamento em vez de redes de desvio. Um pólo é qualquer circuito de
acoplamento que aparece no diagrama O filtro passa-alta permite a passagem das altas
freqüências, porém bloqueia as freqüências baixas.
1
Freqüência de corte: fc
2RC
Vi Passa-Baixa Passa-Alta Vo
Passa-Baixa
Vi Vo
Passa-Alta
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Eletrônica Analógica II
Circuitos Osciladores
A técnica de realimentação já foi abordada nas aulas anteriores, onde foram analisados
alguns circuitos que utilizam AmpOp. Dependendo da polaridade relativa do sinal que é
realimentado em um circuito, podemos ter realimentação positiva ou negativa. Realimentação
negativa produz uma redução do ganho de tensão, trazendo vários vantagens (impedância de
entrada mais alta, ganho de tensão mais estável, resposta em freqüência melhorada, impedância
de saída mais baixa, ruído reduzido, operações mais lineares) a alguns circuitos. Realimentação
positiva leva o circuito a oscilar, produzindo vários tipos de circuitos osciladores.
O ganho em malha fechada pode tomar três valores distintos: maior, menor ou igual a
um. Se o ganho é superior à unidade cria-se uma situação de instabilidade, da qual resulta uma
oscilação cuja amplitude cresce exponencialmente. Se o ganho é inferior a um surge uma
situação de estabilidade, à saída do circuito haverá uma oscilação cuja amplitude diminuirá
exponencialmente até zero. Se o ganho é unitário então resulta uma situação de limiar entre a
instabilidade e a estabilidade, a amplitude das oscilações não cresce nem diminui
exponencialmente, mantendo-se constante.
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Eletrônica Analógica II
A Tensão de Partida
De onde vem a tensão de partida de um oscilador? Qualquer resistor contém alguns
elétrons livres. Devido à temperatura ambiente, estes elétrons livres deslocam-se aleatoriamente
para diferentes direções e geram uma tensão de ruído através do resistor. O movimento é tão
aleatório que contém frequências acima de 1.000 GHz. Você pode imaginar cada resistor como
uma pequena fonte de tensão ca produzindo todas as frequências.
Logo que você liga a fonte de alimentação, os únicos sinais do sistema são as tensões
de ruído geradas pelos resistores. Estes ruídos são amplificados e aparecem nos terminais de
saída. Essas tensões de ruído são amplificadas e aparecem nos terminais de saída. O ruído
amplificado alimenta o circuito de realimentação ressonante. Através de um projeto deliberado,
podemos fazer o desvio de fase ao longo do circuito igual a 0° na frequência de ressonância.
Desta forma, obtemos oscilações somente numa frequência, que é a frequência de ressonância
do circuito de realimentação.
Ao ligar o circuito será provocada uma instabilidade na base do transistor Q1. Isto é o
suficiente para o circuito iniciar a sua oscilação, pois o transistor Q 1 amplifica e posteriormente
reamplifica o sinal presente em sua base.
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Eletrônica Analógica II
Oscilador de Colpitts
Osciladores LC
Uma maneira de produzir oscilações de alta frequência é com um oscilador LC, um
circuito que pode ser usado para frequências entre 1 MHz e mais de 1 GHz. Essa faixa de
frequência está além da frequência unitária (funitária) da maioria dos Amplificadores Operacionais.
Por essa razão, um transistor bipolar de junção ou um FET normalmente é utilizado como
amplificador. Com um amplificador e um circuito tanque LC podemos realimentar um sinal com a
amplitude e a fase adequadas para sustentar oscilações.
Você vai encontrar muitas variações do oscilador Colpitts. Uma forma de reconhecer um
oscilador Colpitts é pelo divisor de tensão capacitivo formado por C1 e C2, que produz a tensão
de realimentação necessária para oscilações. Em outros tipos de osciladores, a tensão de
realimentação é produzida por transformadores, divisores de tensão indutivos e assim por diante.
Circuito equivalente CA
A Figura abaixo mostra um circuito equivalente CA simplificado para o oscilador Colpitts.
A corrente de malha ou circulante no circuito tanque flui através de C1 em série com C2. Observe
que vsai é igual à tensão CA sobre C1. Além disso, a tensão de realimentação vf aparece sobre
C2, a qual aciona a base e sustenta as oscilações desenvolvidas pelo circuito tanque, desde que
haja um ganho de tensão suficiente na frequência de oscilação. Uma vez que o emissor está no
terra CA, o circuito é uma conexão EC (emissor comum).
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Eletrônica Analógica II
Frequência ressonante
A maioria dos osciladores LC usa circuitos tanque com um Q (fator de qualidade - o fator
de qualidade em um circuito ressonante é a razão da sua frequência ressonante com a sua
largura de banda ou a razão entre a energia armazenada no circuito e a energia perdida por ciclo
pelo circuito) maior que 10. Em razão disso, podemos calcular a frequência de ressonância
aproximada como: 1
fr
2 LC
Essa equação tem precisão melhor que 1%, quando Q é maior que 10.
Oscilador de Relaxação
O circuito não apresenta sinal de entrada. Entretanto, o circuito gera uma onda
retangular na saída. Supondo que a saída esteja na saturação positiva. O capacitor se carregará
exponencialmente em direção a +Vsat. Ele nunca atingirá +Vsat porque a sua tensão atinge a
tensão de comutação superior (UTP - Upper Trip Point). Quando isto ocorre, a saída muda para
-Vsat e a corrente no capacitor muda de direção. Quando a tensão do capacitor atinge a tensão
de comutação inferior (LTP - Lower Trip Point), a saída muda novamente para +Vsat. E o ciclo se
repete. Devido à carga e à descarga contínuas do capacitar, a saída é uma onda retangular com
um cicio de trabalho de 50%.
R V R V
UTP 2 sat e LTP 2 sat
R1 R 2 R1 R 2
1 R2
Período da onda de saída: T 2RC ln , onde
1 R1 R 2
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Eletrônica Analógica II
Oscilador a Cristal
Quando forem importantes a precisão e a estabilidade da freqüência de oscilação,
deve-se usar um oscilador a cristal. O cristal (abreviado por XTAL) se comporta como um
indutor grande em série com um pequeno capacitor. Por isso, a freqüência de ressonância
prática não é afetada pelas capacitâncias do transistor e pelas capacitâncias parasitas.
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