Aluno: Luiz Antônio Borges Junior - 151490465

Aluno: Ricardo Borges Almeida Moraes - 171490321

Aluno: Ricardo Michelin - 151490074

Relatório de Laboratório 1

Relatório de Laboratório da disciplina

Dispositivos e Circuitos de RF apresentado
como requisito parcial do grau final

UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA “JÚLIO DE MESQUITA FILHO”

CAMPUS DE SÃO JOAO DA BOA VISTA

Dispositivos de Circuitos de RF

Brasil
05 de maio de 2021
 SUMÁRIO
1 — Introdução ............................................................................................................................. 1
2 — Fundamentação teórica ......................................................................................................... 1
3 — Medidas ................................................................................................................................. 3
4 — Análise dos resultados ........................................................................................................... 4
4.1.1 — Item 1 ............................................................................................................................... 4
4.1.2 — Item 2 ............................................................................................................................... 4
4.1.3 — Item 3 ............................................................................................................................... 5
4.1.4 — Item 4 ............................................................................................................................... 5
4.1.5 — Item 5 ............................................................................................................................... 6
4.1.6 — Item 6 ............................................................................................................................... 6
4.1.7 — Item 7 ............................................................................................................................... 7
4.1.8 — Item 8 ............................................................................................................................... 9
4.2.1 — Item 1 ............................................................................................................................... 9
4.2.2 — Item 2 ............................................................................................................................. 11
4.2.3 — Item 3 ............................................................................................................................. 11
4.3.1 — Item 1 ............................................................................................................................. 11
4.3.2 — Item 2 ............................................................................................................................. 12
4.4.1 — Item 1 ............................................................................................................................. 13
4.4.2 — Item 2 ............................................................................................................................. 15
5— Conclusão.............................................................................................................................. 16
6— Referências ........................................................................................................................... 16
1 — INTRODUÇÃO

Microstrip é um tipo de linha de transmissão, onde um condutor é separado do

plano de aterramento, por um dielétrico, conhecido por substrato. Tais linhas são
utilizadas para transmitir especialmente sinais de frequência e micro-ondas.

Sua maior desvantagem em relação a outros meios de transmissão, por meios

físicos, é que não suporta grandes tensões e apresenta maiores perdas, porém são baratas,
de fácil produção e muito eficiente para determinados projetos.

Para projetar uma linha de microstrip, devemos levar em consideração a espessura

do substrato o tipo de material, a frequência de operação, largura e tamanho da linha. E o
mais importante, a impedância da mesma, para que não haja perdas enormes na entrada
da linha, devendo realizar um casamento de impedância desejado para o sistema.

Figura 1 – Linha de microstrip

Neste relatório, projetaremos uma linha de microstrip do tipo bend, onde duas
linhas se encontram e formam uma curva. Estudando os efeitos que esta curva fará no
casamento da linha, assim testando diversas maneiras para melhorar a eficiência do
sistema.

2 — FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA

Devido à estrutura aberta da linha de microstrip, o campo EM não está confinado

ao dielétrico, mas está parcialmente no ar que circunda a linha. Devido ao vazamento do
campo no ar, a permissividade relativa efetiva ɛ𝑒𝑓 é menor do que a permissividade
relativa ɛ𝑟 do substrato. Um valor aproximado de ɛ𝑒𝑓 pode ser obtido através da equação
(1):

1
 (1)

Onde w é a largura da linha e h é a espessura do substrato. A impedância

característica é dada pelas formulas aproximadas (2):

(2)

A impedância característica de uma fita larga é, em geral, baixa, enquanto que a

de uma fita estreita é alta. Se ɛ𝑟 e 𝑍0 são conhecidos, a razão w/h, necessária para se obter
um determinado 𝑍0 é dada por (3):

(3)

Onde:

(4)

(5)

Conhecidos ɛ𝑒𝑓 e 𝑍0 , a constante de fase e a velocidade de fase de uma onda se

propagando na microstrip são dadas por (6) e (7):

2
 (6)

(7)

Onde c é a velocidade da luz no vácuo. A atenuação devido á condutividade finita

dos condutores é dada por (8):

(8)

Onde 𝑅𝑠 é a resistência superficial do condutor. A atenuação devido à perda no

dielétrico é dado por (9):

(9)

Onde ‫ ג‬é o comprimento de onda na linha e tg θ é a tangente de perdas do substrato.

A constante de atenuação total e a soma da constante de atenuação devido aos condutores
𝛼𝑐 e a constante de atenuação devido ao dielétrico 𝛼𝑑 que pode ser observado em (10):

(10)

3 — MEDIDAS

Os valores das dimensões do projeto da linha de microstrip, são demonstrados

pela seguinte tabela.

Tabela 1 – Dimensões da linha de microstrip.

Parte Material X Y Z
Substrato Duroid 5880 20mm 50mm 1,575mm
Terra Cobre 20mm 50mm 18µm
Linha Cobre 20mm W 18µm

3
4 — ANÁLISE DOS RESULTADOS

4.1.1 — ITEM 1

Para projetar a linha de microstrip, com os parâmetros fornecidos, pela Tabela 1,

foi-se utilizado o software da emtalk, disponível em: http://www.emtalk.com/mscalc.php.
Podemos determinas o valor de W de uma linha microstrip para que a mesma possua 50
Ω de impedância. A seguinte imagem mostra os valores utilizados para as dimensões da
linha de transmissão operando em 5 GHz.

Figura 2 – Valor de W para os parâmetros desejados.

Portanto para obter uma impedância característica de 50 Ω. O valor de W foi de

4.8528 mm.

4.1.2 — ITEM 2

A análise paramétrica, do gráfico de 𝑍0 é demonstrada abaixo, na Figura 3.

Podemos notar, uma curva linear, onde quando W cresce a impedância fica menor.

Figura 3 – Análise paramétrica feita pelo emtalk microstrip line calculator.

4
4.1.3 — ITEM 3

A formulação é apresentada em (1) e (3), foi utilizada no código abaixo, para que
assim seja realizado os cálculos necessários para obter 𝑍0 .

Figura 4 – Código utilizado no MatLab para o cálculo de Z0.

4.1.4 — ITEM 4

A Figura 5, representa o gráfico obtido pelo código do item 3. Nele podemos notar,
que quanto maior o valor de W, o valor da impedância 𝑍0 decresce.

Figura 5 – Gráfico Z0 x W, gerado pelo software MatLab.

5
4.1.5 — ITEM 5

A seguinte tabela, nos mostra uma comparação dos valores obtidos, utilizando
diversas ferramentas de cálculo, para se conseguir o valor de 𝑍0 . Analisando os dados,
podemos notar, que as diferenças entre os valores são mínimas, podendo ser pela forma
e pela precisão de cálculo dos métodos utilizados.

Tabela 2 – Comparação de valores de impedância característica

W[mm] 𝐄𝐦𝐭𝐚𝐥𝐤 Matlab Ansys

4,5 52,8770 52,8826 53.8907
4,6 52,1130 52,1184 52.5358
4,7 51,3720 51,3769 51.9256
4,8 50,6520 50,6572 51.0307
4,9 49,9530 49,9584 50.6305
5,0 49,2740 49,2794 50.4098
5,1 48,6150 48,6195 50.0024
5,2 47,9730 47,9777 49.6597
5,3 47,3490 47,3535 48.5696
5,4 46,7410 46,7460 47.6713
5,5 46,1500 46,1545 47.0740

4.1.6 — ITEM 6

Utilizando o optimetrics do ANSYS HFSS, podemos refinar os valores de W, para

que assim se obtenha um melhor resultado de 𝑍0 . Se analisarmos as curvas da Figura 6,
o melhor valor de W para que se obtenha a melhor impedância, é de W = 5mm.

Figura 6 – Análise paramétrica do valor de W, para Z0

6
4.1.7 — ITEM 7

As curvas do parâmetro S11, são representas nas seguintes figuras. Notamos que,
mesmo que alterando os valores de W, os resultados são aceitáveis, estando todas as
curvas abaixo de -30 dB. As alterações no valor de W, pouco modificam a perda de
retorno em termos de projeto.

Figura 7 – Análise paramétrica do valor de W, para a curva S11 em dB.

Figura 8 – Análise paramétrica do valor de W, para a curva S11 em deg.

As Figuras 9 e 10, nos mostram a potência perdida entre a entrada e a saída.

Novamente, a alteração do valor de W, pouco afetou esse parâmetro, onde as variações
são extremamente pequenas.

7
 Figura 9 – Análise paramétrica do valor de W, para a curva S12 em dB.

Figura 10 – Análise paramétrica do valor de W para a curva S12 em deg.

Já as Figuras 11 e 12, mostram a parte real e imaginaria de 𝑍0 . Só notamos grandes

mudanças na parte real, já para a parte imaginaria pouco se mudou ao se alterar o valor
de W.

Figura 11 – Análise paramétrica do valor de W, para a parte real de Z0.

8
 Figura 12 – Análise paramétrica do valor de W, para a parte imaginaria de Z0.

4.1.8 — ITEM 8

Os valores com coeficiente de reflexão muito baixos, são conhecidos como vales,
os mesmos são referentes aos valores de frequência ressonantes com as dimensões da
linha, que apresentam melhores resultados possíveis para o projeto.

A variação em W não influencia nos valores de fase entre as portas 1 e 2.

4.2.1 — ITEM 1

Alterando os valores de L, de forma similar ao já visto para a análise paramétrica

de W. Provoca alterações na perda de retorno, porém em termos de projeto, tais alterações
não influenciam de forma drástica.

Figura 13 – Análise paramétrica do valor de L, para a curva S11 em dB.

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 Figura 14 – Análise paramétrica do valor de L, para a curva S11 em deg.

Em relação a potência perdida entre a entrada e a saída (parâmetro S12). As

modificações nos valores de L, pouco afetam tal parâmetro, sendo diferenças
extremamente pequenas e irrelevantes.

Figura 15 – Análise paramétrica do valor de L, para a curva S12 em dB.

Figura 16 – Análise paramétrica do valor de L, para a curva S12 em deg.

10
4.2.2 — ITEM 2

As mudanças de L não produzem variações relevantes para a fase, e também não

influenciam de forma drástica nos valores de coeficiente de reflexão.

4.2.3 — ITEM 3

Como podemos notar na Figura 17 a variação dos valores de L, quase não produz
variações nos valores de 𝑍0 . Portanto o valor de L, não afeta de forma relevante a
impedância.

Figura 17 – Análise paramétrica do valor de L, para a parte real de Z0.

4.3.1 — ITEM 1

A Tabela 3, mostra os valores de 𝑍0 e de W, para diferentes alturas do substrato.

Já a Figura 18, mostra os valores de 𝑍0 obtidos pelo ANSYS, para cada valor de h.

Tabela 3 – Comparação dos valores de W para se obter Z0, para alturas distintas.

h (mm) W (mm) 𝒁𝟎 𝟓𝑮𝑯𝒛 (Emtalk) 𝒁𝟎 𝟓𝑮𝑯𝒛 (Ansys)

0.127 0.3913 50 51.08
0.381 1.1740 50 51.13
0.787 2.4250 50 52.30
1.575 4.8530 50 50.63

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 Figura 18 – Valores de Z0 para diferentes projetos com espessuras de substrato distintas.

4.3.2 — ITEM 2

Utilizando o MatLab, as formulas (3) e (5) foram utilizadas para se realizar o

código, representado pela Figura 19.

Figura 19 – Código utilizado para obtenção do gráfico de W x h, para diferentes valores de Z 0.

A Figura 20 nos mostra que, quanto maior a altura do substrato, maior será o valor
de W, isso para valores de impedância baixos. Já para valores maiores, como por exemplo
50 Ω, a alteração no valor de W, se torna pequena. Então podemos concluir, que quanto
12
maior a impedância, menor será o efeito que a altura do substrato causa no valor de W,
para que assim se mantenha o casamento das impedâncias.

Figura 20 – Gráfico de W x h, para diferentes valores de Z0.

4.4.1 — ITEM 1

A seguinte tabela, mostra as especificações de cada tipo de material utilizado

como substrato.

Tabela 4 – Especificações dos substratos.

Substrato ɛ𝒓 tg δ 𝑹𝒆𝒔𝒊𝒔𝒕. 𝒅𝒐 𝑴𝒆𝒕𝒂𝒍

FR4 4.40 0.0020 1.72𝑥10−8
Duroid 5880 2.20 0.0009 1.72𝑥10−8
Duroid 6006 6.15 0.0019 1.72𝑥10−8
Duroid 6010LM 10.10 0.0023 1.72𝑥10−8

A Tabela 5, demonstra os valores de 𝑍0 e de W, para diferentes tipos de substrato.

As Figuras 21, 22, 23 e 24, mostram os valores de 𝑍0 obtidos pelo ANSYS, para cada
tipo de substrato utilizado.
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 Tabela 5 – Valores de W para se obter Z0, para substratos distintos.

Substrato W (mm) 𝒁𝟎 𝟓𝑮𝑯𝒛 (Emtalk) 𝒁𝟎 𝟓𝑮𝑯𝒛 (Ansys)

FR4 1.4568 50 52.55
Duroid 5880 2.3478 50 51.54
Duroid 6006 1.1221 50 50.89
Duroid 6010LM 0.7217 50 49.89

Figura 21 – Curva de 𝑍0 para o substrato FR4.

Figura 22 – Curva de 𝑍0 para o substrato 5880.

Figura 23 – Curva de 𝑍0 para o substrato 6006.

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 Figura 24 – Curva de 𝑍0 para o substrato 6010.

4.4.2 — ITEM 2

Utilizando as formulas (3) e (5) para se realizar o código em MatLab, de forma a

se obter as curvas W x ɛ𝒓 ,demonstrado pela seguinte figura:

Figura 25 – Código utilizado para obtenção do gráfico de W x ɛ𝒓 , para diferentes valores de Z0.

Analisando a Figura 26 notamos que, quanto maior a permissividade relativa do

substrato, menor será o valor de W, isso para valores de impedância baixos. Já para
valores maiores, como por exemplo 50 Ω, a alteração no valor de W, se torna mínima.

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Então podemos concluir, que quanto maior a impedância, menor será o efeito que a
permissividade relativa do substrato causa no valor de W, para que assim se mantenha o
casamento das impedâncias.

Figura 26 – Gráfico de W x ɛ𝒓 ,, para diferentes valores de Z0.

5— CONCLUSÃO

A partir os resultados obtidos, podemos definir que os parâmetros que tem

alterações mais significantes na impedância característica (𝑍0 ), é a largura de linha (W).
As dimensões da linha de transmissão podem ser alteradas, de acordo com a espessura
(H) do substrato e sua permissividade relativa (ɛ𝒓 ) do mesmo, para casamento das
impedâncias. O comprimento da linha e do substrato (L) não causou alterações
significativas.

6— REFERÊNCIAS

[1]. Pozar, David M. Microwave engineering. 4. Singapore: Wilow, 2011.

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[2]. Microstrip Line Calculator. Disponível em:< http://www.emtalk.com/mscalc.php. >.
Acesso em 05 de Maio de 2021.

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