Ao ITA
Ao ITA
Ao ITA
Giacomo Torzo
CAPIRE E SPERIMENTARE
GLI AMPLIFICATORI
OPERAZIONALI
Un approccio sperimentale allelettronica analogica
con una introduzione ai circuiti integrati digitali
e ai trasduttori di grandezze fisiche
Edizione 2009
ii
Indice
............................................................................................ 9
ii
8.4. Fattore di merito e fattore di smorzamento ................................................................................ 63
8.5. I filtri VCVS .............................................................................................................................................. 66
8.6. I filtri a variabile di stato .................................................................................................................... 67
8.7. Un semplice filtro arresta-banda...................................................................................................... 69
8.8. Il convertitore di impedenza .............................................................................................................. 70
8.9. Giratore......................................................................................................................................................... 71
8.10. Moltiplicatore di capacit ................................................................................................................. 73
8.11. I filtri attivi integrati ............................................................................................................................ 75
9. Circuiti a scatto
9.1. Il comparatore .......................................................................................................................................... 76
9.2. Comparatore con isteresi .................................................................................................................... 79
9.3. Il multivibratore astabile bipolare .................................................................................................. 81
9.4. Multivibratore astabile unipolare ................................................................................................... 83
10. Auto-oscillazione
10.1. Considerazioni generali. ................................................................................................................... 85
10.2. Oscillatore sinusoidale a ponte di Wien .................................................................................. 86
10.3. Sfasatore .................................................................................................................................................. 88
10.4. Oscillatore con doppio sfasatore ................................................................................................. 89
10.5. Sfasatore a /2 ........................................................................................................................................ 90
10.6. Oscillatore a doppio integratore ................................................................................................... 90
10.7. Oscillatore a sfasamento .................................................................................................................. 91
10.8. Generatore di onda quadra e triangolare .................................................................................. 92
10.9. Un secondo generatore di onda quadra e triangolare ........................................................ 93
10.10. Generatore di onde quadre e triangolari in quadratura .................................................. 95
10.11. Convertitore tensione/frequenza ............................................................................................... 95
10.12. Convertitore frequenza/tensione .............................................................................................. 96
11. Rivelatori a sensibilit di fase o lock-in
11.1. Principio di funzionamento ........................................................................................................... 99
11.2. Agganciamento ad onda quadra . .............................................................................................. 101
11.3. Filtro sincrono . .................................................................................................................................. 104
12. Cenni di elettronica digitale
12.1. Circuiti logici ...................................................................................................................................... 106
12.2. Circuiti bistabili ................................................................................................................................. 111
12.3. Flip-flop sincronizzati ..................................................................................................................... 113
12.4. Circuiti monostabili .......................................................................................................................... 116
12.5. Circuiti astabili .................................................................................................................................. 118
12.6. Monostabile con linea di ritardo ............................................................................................... 120
12.7 Generatori di ritardo ......................................................................................................................... 121
13. Alcuni circuiti integrati particolari
13.1. Il timer .................................................................................................................................................... 122
13.2. I generatori di tensione di riferimento integrati ................................................................ 129
13.3. Gli interruttori analogici ............................................................................................................... 131
14. Trasduttori e tecniche di interfacciamento
14.1. Sensori di temperatura ................................................................................................................... 133
14.2. Sensori di forza .................................................................................................................................. 141
14.3. Sensori di luce .................................................................................................................................... 144
iii
15. Alcune considerazioni sull'operazionale con doppia reazione ...................... 151
16. Guida agli esperimenti
16.1. Qualche suggerimento preliminare ................................................................... 155
16.2. Esercizi e prove pratiche ............................................................................................................... 158
Appendice A
A.1. Il diodo .................................................................................................................................................... 175
A.2. Il diodo Zener ...................................................................................................................................... 178
A.3. Il transistor : alcune definizioni .................................................................................................. 180
A.4. Configurazione ad emettitore comune . ................................................................................... 182
A.5. Configurazione a collettore comune ........................................................................................ 185
A.6. Transistor a effetto di campo ....................................................................................................... 187
A.7. SCR e TRIAC . ..................................................................................................................................... 189
Appendice B
B.1. Numeri complessi .............................................................................................................................. 191
B.2. Tensioni e correnti sinusoidali in rappresentazione complessa .................................. 191
B.3. Impedenza complessa ...................................................................................................................... 192
B.4. Funzione di trasferimento .............................................................................................................. 193
B.5. Diagramma di Bode .......................................................................................................................... 193
B.6. Trasformata di Laplace ................................................................................................................... 195
Appendice C
C.1. Resistenze .............................................................................................................................................. 200
C.2. Potenziometri e reostati ................................................................................................................... 202
C.3. Condensatori ...................................................................................................... 203
C.4. Induttanze ............................................................................................................................................... 205
C.5. Diodi ......................................................................................................................................................... 206
C.6. Contattiera per circuiti integrati .................................................................................................. 207
Appendice D
D.1. Elenco dei principali produttori di operazionali ................................................................. 209
D.2. Piedinature e caratteristiche di alcuni Amplificatori Operazionali ........................... 210
D.3. Comparatori ....................................................................................................... 215
D.4. Elenco delle principali porte logiche TTL e CMOS ........................................................ 216
Bibliografia ............................................................................................................... 217
iv
Prefazione
La conoscenza dellelettronica integrata oggi uno strumento indispensabile in un numero
sempre maggiore di discipline scientifiche. Tuttavia il primo contatto con questo prezioso
strumento risulta spesso piuttosto traumatico. Esistono infatti numerosi libri di testo che
offrono modelli sofisticati e potenti per lanalisi di dispositivi e circuiti, ma che
richiedono al lettore uno sforzo notevole prima che egli si possa impadronire degli
elementi indispensabili a produrre un risultato apprezzabile. In altre parole, il rapporto
costi/benefici diventa favorevole solo quando si sia investito nello studio molto tempo e
fatica.
Ad esempio spesso i libri di elettronica iniziano con una difficile e lunga introduzione su
diodo e transistor (che di solito scoraggia il lettore) motivata per lo pi dal fatto che questi
sono i componenti attivi elementari di ogni circuito elettronico. Ma se vero che ogni
dispositivo integrato contiene transistors, non altrettanto vero che sia necessario
conoscerne il funzionamento per capire come funziona il dispositivo in oggetto. E quasi
sempre molto pi facile imparare ad usare lintegrato piuttosto che il transistor.
Qui si cercato di evitare al lettore questa difficolt, rovesciando limpostazione
tradizionale, partendo direttamente dalla analisi dei dispositivi, e fornendo solo in
appendice una trattazione molto semplificata del transistor, dato che prima o poi si
incontrer la necessit di usare, in casi particolari, anche il transistor.
Questo libro insomma si propone come aiuto per facilitare il primo passo, soprattutto a chi
non ha scelto lelettronica come oggetto principale del proprio studio, ed offre le basi
minime per un eventuale successivo approfondimento dei vari argomenti.
Limpostazione scelta di proporre, ovunque possibile, esempi di costruzione di circuiti,
dapprima elementari, e via via pi complessi, che dovrebbero guidare il momento
essenziale della sperimentazione in laboratorio. Il lettore si accorger presto del fatto che
lelettronica unarte che va appresa sul campo. Questa impostazione, collaudata anche in
alcuni anni di insegnamento in corsi di laboratorio per Laurea in Fisica e in Scienze dei
Materiali presso lUniversit di Padova, si dimostrata valida in particolare per lo studio
dellelettronica analogica .
Buona parte dellelettronica analogica moderna costituita da amplificatori operazionali
(la ragione sta nel fatto che questi sono dispositivi molto versatili, di basso costo e assai
facili da usare) e questo libro verte perci prevalentemente sullo studio degli operazionali
e delle loro numerose applicazioni.
Poich quasi tutti i manuali ed i fogli descrittivi dei dispositivi elettronici sono scritti in
lingua inglese, si fatto largo uso anche qui dei termini standardizzati inglesi, dopo averli
introdotti accanto alla traduzione italiana: il testo cos guadagna in semplicit e rapidit:
per fare un esempio, si preferito usare il pi stringato Input Offset Voltage allitaliano
Tensione Differenziale di Sbilanciamento Riferita allIngresso.
Partendo dalla convinzione che sia pi facile familiarizzarsi con questa disciplina usando
un approccio sperimentale piuttosto che teorico, si privilegiata la trattazione di esempi
pratici piuttosto che di modelli matematici. Lo strumento matematico qui indispensabile
infatti solo lalgebra elementare: una conoscenza sommaria di derivata, integrale e di
3
numeri complessi pu bastare. Come utile richiamo sono stati riportati in una appendice
alcuni cenni sulluso dei numeri complessi e della trasformata di Laplace, notazione
indispensabile per una trattazione agile e compatta dei filtri.
Una delle difficolt maggiori incontrate dal principiante quando affronta un tradizionale
testo di elettronica, la trattazione della fisica dei semiconduttori (concetto di portatori di
carica positivi, spiegazione delle caratteristiche tensione-corrente della giunzione p-n...),
che viene spesso posta alla base di tutte le discussioni successive dei dispositivi pratici.
Qui si preferito invece definire, senza giustificarle affatto, le propriet dei dispositivi a
semiconduttore, rimandando a testi citati in bibliografia per una descrizione dettagliata di
modelli fisici che spiegano tali caratteristiche in modo soddisfacente. Ci non toglie rigore
e solidit alla analisi dei circuiti elettronici che qui vengono discussi (al lettore si chiede
solo di accettare come dato sperimentale alcune propriet elementari che verranno
continuamente utilizzate nella successiva trattazione) e nello stesso tempo permette una
acquisizione assai pi rapida degli elementi fondamentali per luso pratico dei dispositivi.
Naturalmente questo approccio di tipo operativo lascier molte curiosit ed
insoddisfazioni al lettore pi esigente, al quale vengono suggeriti, in una bibliografia
ragionata, testi specialistici nei confronti dei quali questo libro potr diventare una utile
introduzione.
Lambizione del presente lavoro, tuttavia, di riuscire ad essere un testo sufficiente da
solo, senza altra integrazione che la sperimentazione con i dispositivi reali, a fornire una
discreta familiarit con lelettronica moderna. Per questo motivo si cercato di ridurre al
massimo la preparazione di base necessaria, aggiungendo allinizio poche pagine dedicate
ai lettori non iniziati, con nozioni elementari che parranno scontate ai pi, cos da farne un
testo adattabile a diverse esigenze. Lo scopo insomma di mettere in grado chiunque di
capire, senza troppe difficolt, la maggior parte dei circuiti costituiti da operazionali e da
porte logiche, ed anche di cimentarsi nella vera e propria progettazione.
Per questa ragione si fornita nellultima appendice una panoramica dei componenti
passivi e degli schemi pi comuni di piedinatura di varie classi di integrati, che aiuteranno
ad orientarsi in un mondo, apparentemente complicato, ma si che scoprir essere in fondo
abbastanza semplice quando si posseggano le elementari chiavi di lettura.
La presente edizione una versione emendata degli errori tipografici e delle sviste rilevate
nella edizione originale (Ed. Decibel-Zanichelli, 1991), ma non aggiornata ai numerosi
dispositivi comparsi sul mercato nel decennio trascorso dalla prima stesura di questo testo.
Ringrazio gli studenti e tutti gli altri lettori che mi hanno gentilmente segnalato gli errori
nel corso di questi anni
.
GIACOMO TORZO
Padova , 2009
6
circuiti spiegati in ogni capitolo, potr sentirsi in grado di affrontare senza troppe
difficolt qualche prova di interfacciamento di trasduttori di grandezze fisiche, uscendo
dal mondo un po astratto dellelettronica pura, per affacciarsi al vero e proprio
laboratorio di fisica.
Lelettronica infatti non solo larte della generazione e trasformazione di segnali
elettrici: lo sviluppo di una miriade di sensori ha ormai reso possibile tradurre in segnale
elettrico qualsiasi variazione di parametro fisico. Il capitolo 14 quindi dedicato ai
trasduttori: anche qui, data la vastit dellargomento, si cercato di individuare solo
alcuni esempi significativi adatti ad illustrare le tecniche moderne di rilevazione e
controllo di temperatura, pressione e luce.
Il libro si conclude nel capitolo 15 con alcune semplici considerazioni sugli amplificatori
con doppia reazione (positiva e negativa), argomento, che pur essendo molto importante,
non mai trattato nei testi introduttivi, se non in modo astratto ed estremamente
semplificato, per la difficolt di proporre un quadro sistematico senza usare matematica
molto complessa. Qui si scelto invece di dare alcuni esempi concreti che consentono di
spiegare, almeno in modo qualitativo, quali sono i limiti di un metodo di analisi che
spesso viene passato per valido in ogni caso.
Lappendice A stata scritta nella speranza di riuscire a ridurre il senso di sgomento che
di solito pervade il principiante posto di fronte ad un circuito che comprenda anche
transistors, FET, MOSFET, SCR, TRIAC. Essa non certamente sufficiente a dare al
lettore una solida base per la progettazione con questi dispositivi, ma dovrebbe bastare a
dare almeno uno schema pratico per la comprensione della grande maggioranza di tali
circuiti.
Lappendice B, frequentemente richiamata in vari capitoli, sostanzialmente una sintetica
raccolta di elementi di calcolo necessari, che si preferito riunire in una appendice
anzich inserire nel testo, per renderne pi facile la consultazione a chi ne senta la
necessit, e per non appesantire la lettura del lettore pi esperto.
Le appendici C e D dovrebbero essere utilizzate al momento della scelta dei componenti
passivi ed attivi. Sono qui riassunti dati ed informazioni importanti che di solito si trovano
sparsi qua e l in molti testi, e che per questo sono spesso difficili da reperire. Una rapida,
anche superficiale, lettura dellappendice C, preliminare al montaggio dei primi circuiti,
sar utile soprattutto a chi non ha mai preso in mano un saldatore.
Il percorso qui suggerito dovrebbe semplificare il lavoro e dare un quadro organico degli
argomenti trattati: il lettore pi impaziente tuttavia potrebbe saltare, in prima lettura, i
paragrafi 3.7- 3.9 , 8.5- 8.11e il capitolo 13 senza vanificare il criterio di propedeuticit e
di gradualit dellapprendimento che ha guidato lorganizzazione di questo libro.
1. Cenni introduttivi
Questo breve capitolo rivolto essenzialmente a chi non ha mai affrontato lo studio di un
circuito elettrico, e pu essere tranquillamente tralasciato da chiunque abbia gi unidea di
che cos una rete composta di generatori di tensione, generatori di corrente, resistenze,
capacit e induttanze1. Si tratta infatti di una semplice raccolta di definizioni e di regole
utili nella analisi di ogni circuito elettronico, e che saranno continuamente impiegate nei
capitoli successivi.
Per uno studio un po' pi approfondito pu essere utile leggere ad esempio: Elettricit di A. Shure, o
Electronic Circuits and Applications di S. Senturia e B.Wedlock (Cap. 2).
8
la lunghezza e S la sezione.
Ad ogni conduttore associata una resistenza, tuttavia per semplificare le cose i fili di
rame che connettono vari punti di un circuito, data la piccola resistivit del rame, possono
venire considerati privi di resistenza assumendo che tutta la resistenza sia concentrata nei
componenti passivi, costruiti con materiali che hanno elevata o piccolo rapporto S/l,
detti appunto resistenze.
Un generatore ideale di tensione un dispositivo attivo, a due terminali AB, che genera
una differenza di potenziale (VAB = V0, detta anche forza elettromotrice) indipendente
dalla corrente che lo attraversa. Una sorgente di tensione reale (costante: batteria, o
variabile: oscillatore, impulsatore, rumore elettrico ...) invece include sempre tra i due terminali una resistenza elettrica Ri, detta appunto resistenza interna della sorgente:
VAB = V0 RiI. Analogamente un generatore ideale di corrente un dispositivo che pu
erogare una corrente indipendente dalla tensione ai capi.
Un condensatore un elemento passivo a due terminali, costituito da due elettrodi
affacciati, e separati da uno strato isolante, in cui la tensione ai capi definita dalla
relazione Vc = q/C, ove q la carica3 accumulata sugli elettrodi e C una costante detta
appunto capacit (unit: farad= F). Anche qui si pu notare che i fili che connettono i vari
elementi di un circuito possono essere visti come elettrodi separati da un isolante, e
pertanto costituiscono dei condensatori distribuiti su tutta la rete. Dato il piccolo valore
che normalmente assumono queste capacit (parassite) esse vengono trascurate, e tutta la
capacit viene considerata concentrata4 nei soli condensatori.
Quando si cambia la carica di un condensatore tramite una corrente I = q/t che fluisce da
un elettrodo allaltro, dalla definizione di capacit, si deduce I = CVc/t, cio la corrente
di carica di un condensatore pari al prodotto della capacit per la derivata temporale
della tensione ai capi.
Una induttanza un elemento passivo a due terminali, costituito essenzialmente da un
conduttore avvolto a spirale (bobina), in cui la tensione ai capi proporzionale alla
derivata della corrente che lo attraversa: VL = LI/t. La costante L appunto il valore
Tale relazione, che trova spiegazione in modelli di interazione tra i portatori di carica e il materiale
conduttore, detta legge di Ohm.
3 La carica q uguale in valore, e di segno opposto sui due elettrodi. Per una descrizione di vari tipi di
condensatori si veda l'appendice C.3.
4 Questo modo di analizzare i circuiti detta modello a costanti concentrate, modello che in qualche caso
smette di essere una buona approssimazione, ad esempio nelle linee di trasmissione per segnali ad alta
frequenza.
9
dellinduttanza (unit: henry = H)5, e misura lefficienza di tale elemento nel produrre un
campo magnetico quando esso percorso da corrente. Si pu anche dire che limpedenza
induttiva di un ramo proporzionale alla riluttanza esibita da quel ramo a variare
lintensit di corrente che lo percorre: essa perci nulla per segnali a frequenza zero
(corrente continua).
I simboli di resistenze, capacit e induttanze sono dati in figura 1.1. Alcune caratteristiche
delle resistenze, capacit ed induttanze reali sono riportate in appendice.
Figura 1.1
Il significato fisico dell'induttanza derivabile dalla legge di Faraday che d la forza elettromotrice
indotta in una spira percorsa da corrente in funzione della variazione del flusso magnetico concatenato
alla spira: a chi risultasse oscura la legge di Faraday pu forse essere d'aiuto l'analogia meccanica che fa
corrispondere alla corrente elettrica la velocit di un corpo, alla tensione indotta la forza di inerzia, e alla
induttanza la massa del corpo.
6 Una relazione y=f(x), che lega il parametro y al parametro x, lineare se per ogni coppia x , x vale
1 2
f(x1+x2) = f(x1) + f(x2).
7
Un nodo un punto della rete a cui sono connessi due o pi rami, e una maglia un percorso chiuso che
partendo da un nodo, vi ritorna senza attraversare lo stesso ramo pi di una volta.
10
Figura 1.2
Due resistenze R1, R2 [o induttanze L1, L2] poste in serie equivalgono ad una resistenza
Req
[Leq = L1+L2]. Invece la resistenza Req [ovvero Leq], equivalente a due resistenze R1, R2
[ovvero
L1,
L2]
in
parallelo,
vale
[ovvero
Leq = L1L2 / (L1 + L2)] 8. Il simbolo grafico || frequentemente usato per indicare la
composizione in parallelo di due elementi .
Due capacit poste in parallelo equivalgono ad una capacit il cui valore la somma dei
due valori Ceq (C1 || C2) = C1 + C2, mentre due capacit C1, C2 in serie equivalgono ad una
capacit il cui valore Ceq = C1C2 / (C1 + C2).
Unoperazione che si esegue molto spesso il calcolo della
Vi
R2
Figura 1.3
Queste relazioni valgono solo se le due induttanze non sono interagenti, cio se la mutua induttanza M
zero; ci avviene se il campo magnetico concatenato con una induttanza non concatenato con l'altra. In
caso contrario si deve tener conto di M, come ad esempio per le induttanze del primario e secondario in
un trasformatore.
11
2. Lamplificatore operazionale
Buona parte dei circuiti elettronici moderni costituita da componenti integrati, composti
ciascuno da numerosi elementi attivi e passivi miniaturizzati, e nei circuiti analogici questi
integrati sono quasi tutti amplificatori operazionali. Capire il funzionamento degli
operazionali possibile senza entrare nei dettagli costruttivi e senza descriverne la
struttura interna. Essi possono essere considerati come scatole nere, ovvero come oggetti
caratterizzati esclusivamente dalle loro propriet funzionali, cio dalle correlazioni che
essi stabiliscono tra segnali di ingresso e di uscita.
+
Can
DIP
Figura 2.1
Il nome Amplificatore Operazionale stato coniato da coloro che si occupavano di calcolatori elettronici
analogici. Tali calcolatori, ormai superati dai calcolatori digitali, pi rapidi e precisi, utilizzavano questi
dispositivi reazionati in modo da eseguire, su segnali di tensione, operazioni somma, prodotto, divisione,
integrazione, differenziazione...
10 La zoccolatura generalmente a geometria circolare nei modelli a contenitore metallico (Can), e in
doppia fila in quelli plastici (Dual-In-Line Plastic = DIP). Per ulteriori informazioni sulla piedinatura si
veda l'appendice D.
11 Esistono, anche se sono pi raramente usati, AO con uscita differenziale.
12
guadagno differenziale ad anello aperto Ad. Il valore di Ad per tensioni continue, e per
segnali a bassa frequenza ( < o 100 Hz) molto elevato (Ad 105).
Il simbolo grafico comunemente usato per rappresentare lAO quello di figura 2.2. Qui
V1 e V2 sono le tensioni di ingresso e Vo la tensione di uscita, mentre simboli () e (+)
indicano rispettivamente gli ingressi, o canali, invertente e non-invertente.
sono spesso
Le tensioni di alimentazione Vcc+ e Vcc
3 V 30 V e Vcc
= 0 V nelle alimentazioni unipolari.
+
V0 = A V1 + A V2
[2.1]
Ad = 1 (A+ + A ) .
2
[2.2]
Il valore assoluto della differenza tra le due amplificazioni definito invece guadagno di
modo comune
Acm = | A+ A |.
[2.3]
13
Per quanto gi detto devessere Acm << Ad. La differenza tra le tensioni in ingresso detta
segnale differenziale
V d = V2 V1
[2.4]
Vcm = 1 (V2 + V1 ) .
2
[2.5]
Dalle definizioni segue che le tensioni in ingresso possono essere espresse in termini di
tensione differenziale e tensione di modo comune:
V1 = Vcm 1 Vd
2
V2 = Vcm + 12 Vd .
[2.6]
V0 = A V2 A V1 = Acm Vcm + Ad Vd .
[2.7]
Il rapporto, espresso in decibel (dB), tra Ad e Acm detto rapporto di reiezione del modo
comune:
CMRR = 20 log10 (Ad / Acm).
[2.8]
La sigla CMRR deriva dalla notazione inglese Common Mode Rejection Ratio. Valore
tipico di CMRR 100 dB.
Un parametro importante nelluso degli AO la tensione di sbilanciamento riferita
allingresso Vos (input offset voltage), cio la tensione differenziale che si deve fornire
allingresso per ottenere un segnale di uscita nullo. Nella analisi semplificata dei circuiti
con AO si pu tuttavia, in prima approssimazione, trascurare Vos che dellordine del
millivolt. Molti operazionali dispongono anche di terminali per lazzeramento di
Vos (terminali di offset null). Il valore di Vos dipende anche dalla temperatura e dalla
tensione di alimentazione: la sensibilit a questi parametri viene misurata rispettivamente
come Vos / T (Vos temperature coefficient), che tipicamente dellordine di qualche
V / K, e come PSRR (Power Supply Rejection Ratio = rapporto tra variazione di Vcc e
variazione di Vos) che dellordine di 100 dB.
La massima variazione di tensione Vo alluscita, in regime lineare, (output voltage swing)
ha in genere12 valori inferiori ai valori delle tensioni di alimentazione: tipicamente
12
Esistono anche operazionali (detti RAIL to RAIL) che utilizzano tutto lintervallo tra le due tensioni di
alimentazione .
14
+ 2V
Vcc
Zona lineare
escursione
della
tensione
V2 V1
Vcc- + 2V
Vos
Figura 2.3
luscita in saturazione.
Anche le correnti di ingresso I b (input bias
13
Bisogna qui distinguere tra impedenza di ingresso dei due canali Z1,2 e impedenza di ingresso
differenziale Zd: di solito si ha Z1,2> 109 e Zd 10-2 Z1,2.
15
in modo lineare dato che per A = qualsiasi segnale differenziale all'ingresso produce
saturazione. Si vedr tuttavia nel prossimo capitolo che, utilizzando una rete di
controreazione che praticamente azzera la tensione differenziale all'ingresso, l'AO pu
essere sempre mantenuto in zona lineare.
Una lista, solo indicativa, che d unidea degli ordini di grandezza dei valori assunti dai
parametri sopra elencati negli operazionali reali, distingue tra operazionali con stadio di
ingresso costituito da normali transistor bipolari BJT (a giunzione) , da transistor unipolari
ad effetto di campo (FET) e da transistor tipo MOS.
Stadio di
Ingresso
Vos
Ib
I os
(pA)
CMRR
(dB)
(mV)
(pA)
(MHz)
bipolare
0.012
100.000
10.000
90
12
FET
0.55
530
0.55
90
15
MOS
0.10.5
0.5
90110
12
Il parametro Ios (input offset current) definito come differenza tra le correnti di ingresso:
Ios = | Ib1 | | Ib2 |. Normalmente Ios di un ordine di grandezza inferiore a Ib. (Ios / Ib 0.1).
Il guadagno differenziale ad anello aperto Ad verr nel seguito chiamato semplicemente
A, trascurando la differenza tra A+ e A. Esso una funzione complessa della frequenza
A = A(j), (ove = 2 f la frequenza angolare e j = 1 l'unit immaginaria), che
assomiglia alla funzione di trasferimento di un filtro passa-basso: A(j) A0(1+j/0)-1.
In un grafico in cui si riporta il log|A()|
20 Log |A 0 |
taglio
(break
frequency),
20 Log | A()|
ed
Log
Log 0
Log 1
Figura 2.4
16
La frequenza a cui lamplificazione pari a 1 (unity-gain frequency) indicata con 1 ed
il suo valore una misura della rapidit dellAO, o meglio della banda passante in
condizioni di guadagno unitario. Nellapprossimazione di Bode si ha 1 = A00 = GBP, e
1 individuata dall'intercetta con l'asse delle ascisse: infatti se A(1) =1 ,
20log[A(1)] = 0.
La corrente massima IAOmax (corrente di uscita di corto circuito) erogata dai comuni AO
dellordine di una decina di mA. Esistono tuttavia degli AO di potenza che possono
erogare correnti di picco fino a qualche ampere14.
Legati al valore della larghezza di banda GBP sono il tempo di salita (rise time), cio il
tempo necessario perch luscita passi dal 10% al 90% del valore finale quando
allingresso applicato un segnale a gradino, e la massima velocit della variazione della
tensione in uscita (slew rate), che si esprime generalmente in V/s. Il tempo di salita
dipende dallamplificazione ad anello chiuso G ed praticamente il reciproco della
larghezza di banda 1/ = G/1. La slew rate misurata generalmente in condizioni di
guadagno unitario (buffer), ed limitata principalmente da IAOmax.
I vari dispositivi si differenziano infine per lintervallo di temperature entro il quale
possono essere impiegati (tipicamente 0 oC / +100 oC, o 55 oC / +150 oC), e per i valori
massimi permessi alla tensione differenziale e di modo comune applicata agli ingressi
(input voltage ranges).
14
Ad esempio National A759 e A791, Siemens TC365, SGS L165, Burr-Brown 3571, ...
17
gi stato definito zona lineare. Facendo lavorare lAO fuori zona lineare, lo si pu usare
come circuito a scatto (rivelatore di soglia, temporizzatore, impulsatore ...).
Aggiungendo alla retroazione negativa una retroazione positiva, si possono ottenere
oscillatori, sfasatori ...
Buona parte dei dispositivi realizzati con AO possono essere facilmente analizzati
scomponendoli nelle configurazioni elementari dellamplificatore invertente, noninvertente e differenziale, utilizzando il modello di AO ideale, i principi di Kirchhoff ed il
principio di sovrapposizione.
Il principio di sovrapposizione uno strumento di analisi dei sistemi lineari molto
importante. Esso permette di calcolare la tensione in ogni punto di un circuito, in cui vi
siano pi sorgenti, come somma delle tensioni prodotte in quel punto da ogni sorgente
presa come unica. In altri termini, si considerano spente tutte le sorgenti di segnale eccetto
una, e si calcola la tensione da essa generata nel punto esaminato. Poi a turno si
accendono una alla volta le altre sorgenti. Il segnale risultante la somma delle tensioni
parziali cos calcolate.
In questo capitolo si analizzeranno le configurazioni elementari: amplificatore invertente e
non-invertente, sommatore e sottrattore (o differenziale). Si studier inoltre leffetto della
amplificazione finita e delle correnti di polarizzazione (non nulle) degli operazionali reali.
18
quando si prendono in considerazione operazionali reali con Ib0.
Supposto infinito il guadagno ad anello
Ii
Ri
Vi
Io
Ib1
V1
V2
R
Ib2
Ro
Vo
Figura 3.1
(Vi V1) / Ri = (V1 Vo) /Ro, relazione che ci d il valore del guadagno ad anello chiuso
dellinvertente :
G = Vo/Vi = (Ro/Ri ).
[3.1]
Si vede da questo primo esempio che il guadagno ad anello chiuso non dipende dal valore
di A, e quindi non varia con la frequenza, ne' con il tipo di AO usato: esso determinato
esclusivamente dai valori di Ro e Ri. Di solito il valore di G molto inferiore al valore di
A: questo il prezzo che si paga per avere un guadagno stabile e facilmente controllabile.
Ii
Io
Ro
Ib1
R
Ib2
V1
V2
Vi
Figura 3.2
Poich I
b1 = 0,
Vo
ideale si ha V2 = Vi perch I
b2 = 0,
e sulla
[3.2]
15
Un nodo in un circuito viene definito massa virtuale quando il suo potenziale vincolato a massa senza
che la corrente che fluisce in esso sia cortocircuitata a massa.
19
Di nuovo G indipendente dal valore di A, finch A abbastanza grande, ed
determinato invece solo dai valori usati per la rete di reazione. Questo un risultato che si
vedr essere comune a tutti i circuiti con reazione negativa, ed molto importante perch
permette di rendere insensibile il circuito alle caratteristiche del componente attivo, che
possono ad esempio cambiare con la temperatura, variare da tipo a tipo, ...
3.3. Inseguitore
Un caso semplice di amplificatore non-invertente si ha
Vi
+
Figura 3.3
carico alluscita come generatore di tensione ideale. In altri termini: la sorgente del
segnale Vi praticamente non eroga corrente, e la tensione Vo ai capi del carico applicato
all'uscita non dipende dal valore del carico. Questo circuito spesso detto anche
inseguitore (follower), in quanto luscita segue lingresso (Vo = Vi).
Nel caso semplice di amplificatore bilanciato16: Ri1 = Ri2 = Ri e Ro1 = Ro2 = Ro, si ottiene,
sommando i due contributi, Vo = (Ro / Ri)(Vi2 Vi1).
16
20
Il guadagno ad anello chiuso del differenziale quindi:
Gd = Vo / Vd = Ro / Ri
[3.3]
Per analizzare leffetto dello sbilanciamento dovuto a Ro1 Ro2 oppure Ri1 Ri2 conviene
esprimere Vo in funzione di Vcm e di Vd:
V0 =
R o 2 R i1 R o1R i 2
R 1 + R i1 / R o1 1
Vcm + o1
Vd = G cm Vcm + G d Vd
R i1 (R i 2 + R o 2 )
R i1 1 + R i 2 / R o 2 2
[3.4]
Ro2 = (1+x)Ro:
si
ottiene
per
il
modo
comune
un
guadagno
Gcm 4x(Ro / Ri) / (1 + Ro / Ri), che per Ro >> Ri d Gcm 4x. Usando resistenze all1% si
ha nel peggiore dei casi Gcm = 0.04.
-V d
Ri1
Ro1
+Vd
Vcm
Ri2
Vo
Ro2
Figura 3.5
Nel bilanciamento tuttavia giocano anche le impedenze duscita dei generatori dei segnali
Vi1 e Vi2, che si sommano rispettivamente a Ri1 e a Ri2, e delle quali si dovr tener conto
caso per caso.
21
V1
V2
Vn
R2 I 1
I2
Rn
Ro
Ri
Ro
R1
Io
In
V1
Vo
V2
Vn
Figura 3.6
R1
Vo
R2
Rn
Figura 3.7
V VA
V1 VA V2 VA
+
+ ... + n
=0
R1
R2
Rn
che, raccogliendo VA, diventa
1
V
1
1 VA
V1 V2
:
+
+ ... + n = VA +
+ ... +
=
R1 R 2
Rn
R n R*
R1 R2
22
Ro
Ii
R
Ib2
Ib1
V1
Vos
V2
Io
degli
effetti
della
tensione
Figura 3.8
Si tratta allora di considerare il circuito di figura 3.8, che coincide sia con quello di figura
3.1 che con quello di figura 3.2 ponendo Vi = Vos = 0.
Per effetto della retroazione, assumendo A =, si ha ancora V2 V1 = Vo/A = 0, e quindi
V2 = V1, ma ora la tensione V2 dipende sia dalloffset che dalla corrente di
polarizzazione: V2 = Ib2R + Vos. Inoltre la conservazione della corrente
impone
[3.5]
23
[3.6]
[3.7]
[3.8]
[3.9]
Per il non-invertente invece valgono le due relazioni V1o = Vo, e V1i = 0, cio V1 = Vo.
Nellipotesi che Ib sia trascurabile possiamo anche scrivere V2 = Vi, e utilizzando ancora
la [3.6], otteniamo questa volta:
Vo = (1/)Vi / {1 + 1/A} = (1 + Ro / Ri)Vi / {1 + 1/A}.
[3.10]
[3.11]
[3.12]
Il termine A detto guadagno danello (loop gain), ed il suo reciproco 1/{A} detto
24
errore di guadagno (loop gain error) il cui valore misura quanto si discosta il circuito
reale dal circuito equivalente con AO ideale. Si vede che per A >>1 il guadagno a
circuito chiuso coincide con quello calcolato nel caso ideale.
Una volta noto A, valore fornito dal costruttore per ogni modello in funzione della
frequenza, si pu calcolare per ogni valore di lerrore che si commette assumendo
A = . Per piccoli valori di , che permettono di approssimare sempre G con 1/,
(rispettivamente per il non-invertente e per linvertente) si hanno elevati guadagni G, ma
si deve fare attenzione a non esagerare perch lapprossimazione di operazionale ideale
resta valida solo finch |G| << A, condizione che va verificata alla frequenza di lavoro,
dato che A() cala al crescere di .
3.9. Impedenze di ingresso e di uscita per gli operazionali reali ad anello chiuso
Il modello di AO ideale fornisce per la configurazione invertente una impedenza di
ingresso Zin = Ri e per quella non invertente Zin = , mentre limpedenza di uscita per
definizione Zout = 0. Infatti dalla definizione di impedenza di ingresso si ha Zin = Vi / Iin, e
per linvertente la corrente in ingresso Iin = (Vi ) / Ri dove si definita la tensione
differenziale in ingresso ad anello chiuso. Poich nel modello ideale lamplificazione
A = , si ha per l'invertente = Vo /A = 0. Nel non-invertente la corrente in ingresso
Iin = Ib2 = 0, per definizione.
Abbandonando il modello delloperazionale ideale si pu ottenere una approssimazione
pi realistica sia per Zin che per Zout. Nellanalisi che segue si terr conto pertanto delle
caratteristiche reali delloperazionale ad anello aperto: amplificazione finita (A ),
impedenza di uscita non nulla (Zo 0: tipicamente si ha Zo 100 ) e impedenza di
ingresso finita.
V1
V2
Ri
Z1in
Zd
V1 = Vo
Zo
Vo
+ Z 2in
V2 = V i
a)
b)
Figura 3.9
Ro
Zd
Iin
Zo
Vo
Io
ZL
25
Un modello per loperazionale reale schematizzato nelle figure 3.9 , ove si distinto tra
impedenza di ingresso dei due canali Z1,2 in e impedenza di ingresso differenziale Zd (di
solito si ha Z1,2 in > 109 e Zd 10-2 Z1,2 in), e si messo in evidenza un generatore di
tensione A, comandato dalla tensione differenziale in ingresso = V2 V1, in serie
all'impedenza di uscita ad anello aperto Zo: la Zo pu essere vista come resistenza interna
del generatore di tensione comandato. Dato che Zd << ,2 in trascureremo nel seguito il
contributo di Z1,2 in , assumendo cio Z1 in = Z2 Z1in = .
La definizione di impedenza di uscita ad anello chiuso Zout data dalla relazione
Zout = Vo/Io, che pu essere scritta nel nostro caso:
Vo = G Vi Zout Io,
[3.13]
[3.14]
Vi o Io = 1/ Vi o I o
Vo =
1+ A
1+ A
1+ 1/ A
1+ A
[3.15]
Zout =
Zo
.
1 + A
[3.16]
Limpedenza di uscita ad anello aperto Zo viene quindi divisa, per effetto della
26
controreazione, per il fattore (1 + A ), che normalmente molto maggiore di 1. Facciamo
un esempio tipico: sia G100, cio 10-2 e A105, cio A103, e Zo100 . Si ottiene
Zout Zo / A 0.1 . Lapprossimazione delloperazionale ideale (Zout 0) perci
giustificata.
Per calcolare limpedenza di ingresso ad anello chiuso Zin = Vi / Iin, basta ricavare la
corrente di ingresso ad anello chiuso che, nellipotesi fatta di Zd >>Z2in, pu essere
scritta come Iin = / Zd , ovvero:
Zin = Zd Vi / .
[3.17]
Se ora scriviamo la tensione in uscita Vo come tensione fornita dal generatore comandato
A, dobbiamo tener conto delleffetto del carico ZL che influisce sulla corrente Io erogata
dalloperazionale. La tensione A viene infatti ripartita17 dal partitore costituito da Zo e
ZL, e si ha in definitiva Vo = AZL / (Zo+ ZL). Ricordando che = Vi Vo, e utilizzando la
relazione
precedente,
si
ottiene
= Vi AZL / (Zo+ZL)
infine
[3.18]
ove lapprossimazione vale per Zo << ZL. Nel caso sia invece ZL << Zo (ad esempio se
luscita in corto circuito), si ottiene Zin Zd (1+AZL/Zo) > Zd.
Facciamo il calcolo per un caso intermedio: Zd 10 M, Zo 100 , ZL 100 ,
G 1/ 100, A 105: Zin Zd (1+A/2) 501 Zd 500 M .
Possiamo quindi concludere che limpedenza di ingresso ad anello aperto viene
normalmente moltiplicata, per effetto della controreazione, per il guadagno danello (A ),
che di solito >> 1. Lapprossimazione delloperazionale ideale (Zin ) ancora
giustificata.
17
Qui si trascura la corrente di controreazione rispetto a quella erogata al carico: se si tenesse conto anche
della resistenza Ro la Zin calcolata verrebbe ancora maggiore, di un fattore circa 1/(1 ).
27
Un ragionamento analogo pu essere
Vi
Iin
V1 = Vo +(1-)Vi
Ri Ib
If
Zd
V2 = 0
Ro
Io
Vo
Zo
ZL
Figura 3.10
[3.19]
[3.20]
Anche qui si ritrova, nel primo termine a destra, il guadagno ad anello chiuso G 1-1/
del non-invertente, corretto del loop gain error come nelle [3.7][3.19]. Confrontando
la [3.20] con la [3.13], otteniamo ancora per limpedenza di uscita ad anello chiuso la
[3.16].
Anche per il non-invertente quindi limpedenza di uscita praticamente nulla, purch sia
A>>1: in particolare ci vero se G=1, come nel buffer di figura 3.3.
Limpedenza di ingresso va ancora calcolata tramite la relazione Zin = Vi / Iin, ma in questo
caso la corrente in ingresso Iin la somma di due contributi: la corrente di polarizzazione
Ib = / Zd e quella di reazione If che pu essere scritta If = ( - - Vo) / Ro. Sostituendo,
come nel caso precedente, a Vo il valore AZL / (Zo+ ZL), otteniamo:
1 1 + A ZL / (Zo + ZL )
Iin = +
=
Z
R
o
d
Ro
= V1 / Zd ||
V1A / R o
1 + A ZL / (Zo + ZL )
[3.21]
28
Scrivendo Vi = (Vi V1) + V1 = Ri Iin + V1 si ottiene allora :
Zin = Vi /Iin = Ri + V1/Iin = Ri + Ro / A Ri.
[3.22]
29
V1
R o'
R i'
i1
Vx'
Vx"
V3
R
+
i2
i3
Vo
i
V2
R i"
R a'
i4
V4 R a"
R o"
Se il circuito bilanciato
possiamo
Figura 4.1
scrivere
Ri'= Ri"= Ri
[4.1]
[4.2]
[4.3]
(VxV4)/Ro+(V3V4)/xRo = V4/Ra.
[4.4]
30
Sottraendo la relazione [4.3] alla [4.4] otteniamo:
Vo/ Ra = (1+Ro / Ra+2 / x) (V3V4) / Ro.
[4.5]
[4.6]
Per Ra = Ro si ha semplicemente :
1 R
Gd = 21 + o
x Ri
[4.7]
V1
R1
V'x
V" x
V2
R1
Vo
Ro
1
+
R'
xR
(1-x) R
Ro
Figura 4.2
G2 Vo
31
Usando il principio di sovrapposizione per i tre segnali V1,V2 e G2Vo, possiamo scrivere:
V0 =
R0
R 0 R 0
R1 R 0
V1 +
1+
V
+
1+
G V.
R1
R1 + R 0 R1 2 R 1 + R 0 R 1 2 0
[4.8]
[4.9]
[4.10]
V1
V2
R1
R1
Ro
1
Vo
xR
R'
G2 Vo
Ro
R
2
Figura 4.3
Analizziamo il comportamento di AO1 mediante il principio di sovrapposizione,
considerando, alluscita Vo, gli effetti delle tre sorgenti di segnale: V1 ,V1 e G2Vo.
Introduciamo temporaneamente il guadagno a circuito aperto A, e poi faremo tendere
A .
Vo = AV1
Ro
Ro
R1
+ AV2
+ AG 2 Vo
.
R 1 + Ro
R1 + Ro
R1 + Ro
[4.11]
32
Esplicitando G2, dividendo per A, e risolvendo rispetto a Vo otteniamo:
Gd =
R
1
R1
o
,
/ +
=
V2 V1 R 1 + R o A x(R1 + Ro )
Vo
[4.12]
R2
R1
xR
R1
R2
1
+
Vo
Figura 4.4
Anche qui, come nei due schemi precedenti, quattro resistenze vanno aggiustate in modo
da essere a due a due uguali (R1 e R2 ).
33
I
R1
V1
xR
Ro
1
R'1
V3
R'o
V2
Vo
Figura 4.5
Lanalisi di questo circuito non banale, e pu essere facilitata se consideriamo prima il
comportamento di un circuito diverso: quello in cui si sia eliminato il ramo con il
potenziometro xR. In assenza del potenziometro, AO1 si comporta come un noninvertente, e la tensione alluscita V3 = (1+Ro/R1)V1.
Loperazionale AO2 si comporta da invertente per V3 e da non invertente per V2:
alluscita si ha quindi Vo = (1+R'1/R'o)V2 (R'1/R'o)V3.
Se si pone R'1 = R1, R'o = Ro, si ha semplicemente Vo = (1+R1/Ro)(V2V1). Si tratta cio di
un differenziale a guadagno fisso G2 = (1+R1/Ro).
Se si vuole variare il guadagno, si inserisce il ramo con ilo potenziometro xR che inietta la
corrente I = (V2V1)/xR in AO1 e la corrente I in AO2. Questa corrente d un segnale
aggiuntivo I Ro alluscita di AO1, che viene amplificato di (R'1/R'o) da AO2, e un
segnale aggiuntivo I R'1 alluscita di AO2 (come si gi visto nellanalisi del sommatore
invertente di figura 3.6).
In conclusione:
R
R V V
R
V V
R
Vo = 1+ 1 (V2 V1 ) 2 1 R o 1 + 2 1 R1 = 1+ 1 + 2 1 (V2 V1) , [4.13]
xR
xR
xR
R 0
R 0
R0
che per R1 = Ro = R, d: Vo = 2(1+R/xR)(V2V1). Anche qui x non pu essere zero perch
il guadagno si mantenga finito. Va sottolineato che in questo amplificatore il guadagno
non lineare in x, e che, per annullare il guadagno di modo comune, quattro resistenze
vanno scelte accuratamente uguali.
34
V1
VA
Ro
R
R2
xR
R3
V2
3
Vo
R1
Ro
VB
Figura 4.6
Possiamo ripetere qui lanalisi fatta per il circuito precedente. Senza il ramo con la
resistenza xR, il circuito un semplice differenziale con un inseguitore allingresso di
ciascun canale, e luscita semplicemente
Vo= (Ro/R1)(VBVA),
[4.14]
VB = V2+R3(V2V1)/xR
[4.15]
Allo stesso risultato si giunge per sovrapposizione, considerando leffetto dei segnali V2 e
V1 prima in VA e poi in VB.
VA = V1(1+R2 / xR) V2(R2 / xR)
[4.16]
35
Vo = (Ro/R1) (VBVA) = (Ro/R1)[1+ (R2+R3)/xR] (V2V1)
[4.17]
Figura 4.7
Nei casi intermedi (0 < x < 1) basta imporre le condizioni I1 = I2 + Io , V1 = V2 = xVi.
La prima relazione si pu riscrivere (ViV1) / R1 = V1 / R2 + (V1 Vo) / Ro e utilizzando la
seconda si ottiene: Vi (1x) /R1 = xVi / R2 + (xVi Vo) / Ro, che fornisce il guadagno G:
Vo/Vi = G(x) = Ro / R1(x -1) + Ro / R2x + x.
[4.18]
La relazione [4.18] suggerisce come ottenere dal circuito di figura 4.7 un guadagno
36
variabile linearmente tra K e + K: basta imporre G(1) = K, e cos si ha per R2 la
condizione R2 = Ro / (K 1), e G(0) = K , ottenendo per R1 = Ro/K. Sostituendo questi
valori di R1 e R2 nella [4.18] si ottiene: G = K(2x 1), con K = Ro / R1 = 1 + Ro / R2.
Un caso particolare interessante K = 1, che si ottiene per R2 = , cio eliminando R2, e
ponendo Ro = R1. Tale configurazione pu venire usata per costruire un moltiplicatore per
1 a seconda che lingresso invertente sia connesso al segnale o posto a massa.
Limpedenza di ingresso variabile tra R e R || R1: infatti la corrente prelevata allingresso
la somma di I e I1: Zi = Vi / (I1 + I) = RR1 / (R1 + R[1x]).
37
Figura 5.1
Figura 5.2
Con lo schema di figura 5.1 inoltre la tensione in uscita Vo pu essere variata agendo sulle
resistenze R1 e R2. Dato che Vo = Eo(1 + R2 / R1), basta usare un reostato, ad esempio al
posto di R2, perch questo circuito diventi un regolatore di tensione lineare.
Questa configurazione allunga la vita della batteria e rende la tensione Vo indipendente
dal carico, ma non elimina il problema della dipendenza della tensione Eo dalla
temperatura della batteria.
La batteria pu essere allora sostituita da un generico generatore di tensione che alimenta
38
un diodo zener18 come nello schema di figura 5.2. Qui il valore della tensione in uscita
fissato dalla tensione di zener Vz e non dalla tensione V in ingresso, che deve solo essere
sufficiente a polarizzare adeguatamente lo zener e pu essere ad esempio la tensione Vcc
di alimentazione dellAO.
La tensione di zener applicata allingresso non invertente e quindi: Vo = Vz(1 + R2 / R1).
Tuttavia Vz dipende, anche se molto debolmente, dalla corrente di zener Iz che a sua volta
dipende da V: Iz = (V Vz) / R.
Figura 5.3
18
Per una spiegazione del funzionamento del diodo zener si veda l'appendice A.2. Qui si pu
semplicemente assumere che, al di sopra di una corrente minima di polarizzazione inversa, la tensione
Vz ai capi dello zener dipende pochissimo dalla corrente. Un diodo zener polarizzato direttamente si
comporta invece come un diodo normale, con una tensione VF ai capi che dipende abbastanza dalla
corrente.
39
Il partitore (Ra, Rb) che polarizza il diodo D, serve solo per innescare la corrente inversa
nello zener allaccensione. Esiste infatti un secondo stato possibile per questa
configurazione: quello in cui lo zener polarizzato direttamente, con Vo < 0. In questo
caso si ha V2 = VF, ove VF la tensione di polarizzazione diretta, e si ottiene Vo =
VF (1 + R2 / R3). Il valore di VF, diversamente da quello di Vz, dipende sensibilmente dalla
corrente, e l'effetto di stabilizzazione di Vo viene a mancare.
Il partitore (Ra , Rb) va dimensionato in modo che sia V3 = Vcc Rb / (Ra + Rb) < Vz,
cosicch il diodo, allaccensione dello zener, viene polarizzato inversamente e non
interferisce con il resto del circuito. La piccola corrente di perdita del diodo non altera
apprezzabilmente la tensione V2, a meno che non si siano scelti valori eccessivamente
grandi per le resistenze del partitore (R2, R3).
Uno schema equivalente al precedente riportato
in figura 5.4. In questo caso vale ancora la
relazione V2 = VoR3 / (R2 + R3), ma adesso si ha
che V2 = V1 = Vo Vz. Di conseguenza
eliminando V2 si ottiene: Vo = Vz (1+ R3 / R2).
Anche qui bisogna garantire la polarizzazione
inversa dello zener mediante il partitore Ra, Rb e
Figura 5.4
19
Y. Netzer in Electronic Design, settembre 1991, pagina 146 ( con un errore nella indicazione di Vcc)
40
Qui lo zener polarizzato attraverso il
diodo D e le resistenze R1 e R3 ; R1 va
dimensionata in modo da consentire
una sufficiente corrente allo zener a
regime: Iz = (VzVF) / R1, ove VF la
tensione diretta del diodo.
La resistenza R3 pu essere molto
Figura 5.5
dopo di che lavora praticamente in parallelo al carico. I due canali sono praticamente
bilanciati se si pone R3 = R1.
La comprensione del circuito immediata: l'uscita di AO1 si stabilizza a +Vz, dato che gli
ingressi sono vincolati a massa (reale o virtuale), mentre AO2 agisce da invertente con
guadagno unitario. Se le due resistenze R2 sono tra loro uguali e stabili, l'uscita di AO2
stabilizzata a Vz.
Questo schema non permette di variare a piacere la tensione in uscita, tramite una
resistenza come nei casi precedenti : qui per cambiare il valore della tensione duale Vz si
deve sostituire lo zener.
41
6. Convertitori tensione-corrente
Spesso utile disporre di un circuito in grado di controllare la corrente erogata ad un
carico resistivo, ad esempio in modo da rendere tale corrente indipendente dalle variazioni
del carico. Tipico il caso in cui si vogliano misurare variazioni di resistenza mediante il
metodo volt-amperometrico. In questo caso, fissata I, la resistenza direttamente
proporzionale alla V misurata.
Se si desidera generare una corrente indipendente dal carico (di modesto valore, fino ad
una decina di mA)20, e controllata da un segnale di tensione, si potr scegliere, ad esempio
tra le diverse configurazioni illustrate in questo capitolo, quella che pi si adatta alle
specifiche richieste.
Ri
+
Vi > 0
RL
Ri
IL
Vo > 0
a)
Vi > 0
I = Vi / R i
L
IL
b)
Vo < 0
Figura 6.1
Nel caso a) le tensioni ai capi del carico sono rispettivamente Vo e Vi, limpedenza di
ingresso elevata (Zin delloperazionale) e la corrente limite fissata dal massimo valore
che pu assumere la tensione alluscita21: Vo Vcc. Poich vale anche la relazione
IL = Vo/ (Ri + RL), si ha Imax Vcc / (Ri + RL).
20
Gli esempi qui proposti non prevedono lo stadio di potenza che necessario quando si voglia pilotare un
carico con una corrente superiore a quella massima erogata dall'AO. Di solito l'amplificatore di corrente
(si veda Appendice A.5) realizzato con componenti discreti (transistor).
42
Nel caso b) un capo di RL a massa virtuale e laltro a tensione Vo, limpedenza di
ingresso Ri , e la corrente limite Imax = Vcc / RL.
Vi
a)
F.G.
Ii
Vi
V'
RL
Ri
IL
RL
Ri
Vo
b)
VFG
VG
IL
V'o
F.G.
Figura 6.2
Lo schema di figura 6.2 a pu essere ritracciato come in figura 6.2 b ove tutte le tensioni
(con apice) sono riferite alla massa fluttuante (
21
La massima tensione all'uscita dipende dal particolare AO: in generale |Vo| |Vcc| 2V.
43
Figura 6.3
In entrambi i casi si ha Vo = VL+Vi, nel primo perch Vo = V1, V1 = V2 e V2 = VL+Vi, nel
secondo perch Vo = V1 +Vi, V1 = V2 e V2 = VL. Anche qui si ha quindi:
IL = VL / RL = Vi / Ri.
Inoltre qui si pu usare un AO ad alimentazione unipolare. La corrente massima in
entrambi i casi sar raggiunta quando Vomax Vcc, e poich IL = Vo / (RL + Ri ), si ha:
ILmax Vcc / (RL + Ri).
R 2R o R L
)
[ R L(R 2R o R1R 3) R 2R 1R 3]
[6.1]
44
IL =
VL
R 2 Ro
= Vi
RL
[ R L(R 2Ro R 1R 3 ) R 2R1R 3]
[6.2]
Figura 6.5
Qui, se le resistenze sono scelte in modo tale che R = R1 + R2, allora la corrente erogata
diventa indipendente dal carico RL, e pari a IL = 2Vi/R1.
Questa relazione si ottiene facilmente se si osserva che AO2 un semplice invertente
(V2 = V1), che il segnale V1 si pu ricavare come sovrapposizione di Vi, amplificato
(1+R/R2) e di VL amplificato (R/R2), e che infine la tensione VL pu essere scritta come
sovrapposizione degli effetti delle tensioni V2 e V3 (=Vi) : V2 si ripartisce su R1 e RL || R2,
e V3 si ripartisce su R2 e RL || R1.
45
Calcoliamo V2 e VL:
V2 = V1 =[Vi(1+R/R2)VL (R/R2)],
[6.3]
[6.4]
[6.5]
[6.6]
La corrente massima si calcola osservando che devessere |V1| = |V2| < |Vcc|, ovvero
IL < 2Vcc/[R1 + (R1+RL)(1+R1/R2)]: conviene quindi usare piccole tensioni in ingresso e
minimizzare R1. La capacit ha qui la stessa funzione che ha nel circuito precedente,
infatti in assenza di carico allingresso invertente di AO1 viene riportata luscita V1
cambiata di segno, e il sistema non pi controreazionato.
Questo circuito richiede la calibrazione di 5 resistenze: tre tra loro uguali (R) e due
(R1,R2, con R1<R2) con somma pari a R.
Uno schema equivalente al precedente
riportato in figura 6.6. Qui AO2 funziona da
inseguitore e AO1 da sommatore noninvertente per le tensioni Vi e VL scalate dal
partitore (R2 , R4). Vedremo che se poniamo
R1 / R2 = R3 / R4 otteniamo una corrente sul
carico indipendente da RL.
Dato che la corrente attraverso il carico la
stessa che attraversa R5, possiamo scrivere
IL = (VoVL) / R5, e ci basta allora calcolare
Figura 6.6
46
Vo =
R 2 R1 + R 3
R R + R3
VL + 4 1
V
R1 R 2 + R 4
R1 R 2 + R 4 i
[6.7]
corrente
qui
limitata
dalla
condizione
cio
Conviene scegliere Vz << Vcc, e Ro va dimensionata in modo tale da fornire allo zener una
47
corrente che resti sempre nell'intervallo Izmin < Iz < IAOmax.
Izmin la corrente minima necessaria allo zener usato per funzionare correttamente, anche
quando RL assume il valore massimo. D'altra parte, quando RL = 0, la corrente massima di
zener limitata dalla corrente massima IAOmax erogabile dallAO.
Si ha Iz = (Vcc Vz) / Ro IL e quindi (Vcc Vz) / (IAOmax + Izmin) < Ro < (Vcc Vz) / IZmin.
La R minima, corrispondente alla IL massima, vincolata dalla relazione:
Vz/Rmin = ILmax (VccVz) / (RL+Ro), cio Rmin > (RL+Ro)Vz / (VccVz).
48
Figura 7.1
Questo schema tuttavia non realizza un raddrizzatore preciso. La semionda negativa viene
effettivamente tagliata, ma con essa scompare anche una piccola parte della semionda
positiva: finch Vi < VF , ove VF 0.6V la tensione di polarizzazione diretta del diodo, il
diodo non conduce in modo apprezzabile, e la caduta di tensione attraverso RL piccola,
inoltre per Vi < 0 appare alluscita la piccola tensione dovuta alla caduta attraverso il
carico RL della corrente di perdita del diodo: Vo = RL Io, con Io dell'ordine del A.
Nello schema di figura 7.1b, che per per ora esaminiamo senza tener conto del diodo D2,
il diodo D1 fa parte del ramo di retroazione, e ci riduce praticamente a zero leffetto di
VF appena descritto. Non appena Vi > 0, luscita V3 delloperazionale tende a portarsi alla
tensione AVi, dove A lamplificazione a circuito aperto. A questo punto D1 entra in
conduzione e trasmette V3 al canale invertente attraverso Ro. La reazione negativa,
49
nellipotesi di amplificazione infinita, blocca V2 al valore della tensione in ingresso
(V2 = Vi). Daltra parte per Ib 0 non vi apprezzabile caduta di tensione attraverso Ro e
quindi Vo = Vi, mentre V3 = Vi + VF.
Quindi, nellipotesi di operazionale ideale, tutta la tensione ai capi del diodo assorbita
dalla differenza V3 Vo= VF . Se si tiene conto della amplificazione finita, resta la piccola
tensione differenziale in ingresso: V2 = Vi + VF / A. Se si considera anche leffetto della
corrente di polarizzazione finita: Vo = RoIb + VF / A + Vi = Vi + V. Ad esempio con
A 10+5, Ib 0.1 A, Ro 1 k si ha V 0.1 mV.
Per tensioni Vi < 0, V3 si porta in saturazione negativa: V3 = Vcc polarizzando
inversamente il diodo D1. Se Io la corrente di perdita del diodo si ha ancora: Vo = RLIo.
Rovesciando i due diodi si ottiene la configurazione del raddrizzatore ideale per semionda
negativa.
La tensione differenziale in ingresso ora pari a Vi, se si trascura Ib. Per evitare il
possibile latch-up (si veda capitolo 9) provocato dalla grande tensione differenziale in
ingresso si pu inserire una retroazione attraverso il diodo D2, che, per Vi < 0, impone
V2 = Vi e V3 Vi VF. In questo caso si dovr usare una resistenza Ro molto elevata
(Ro >> RL) per approssimare a zero luscita: Vo = V2RL / (Ro + RL), e ci impone di usare
un operazionale con ingresso a FET, cio con Ib piccola, dato che per Vi > 0 si ha ancora
V RoIb.
Questa difficolt pu essere superata utilizzando lo schema di raddrizzatore a mezzonda
invertente , illustrato in figura 7.2 (nella configurazione per semionda positiva alluscita).
R'
Vo
Vi
V2
V1
D2
Vo
D1
V3
Vi
Figura 7.2
Qui per Vi < 0 (V3 > 0) la retroazione fornita da R' e D1, mentre D2 polarizzato
inversamente e pu quindi essere ignorato. Nella approssimazione di operazionale ideale
(Ib = 0, A = ) si pu porre V1 = V2 = 0, Vo/R' = Vi/R, cio Vo = (R'/R)Vi e V3 = Vo+VF.
22
50
Con R = R' si ha Vo = Vi.
Per Vi > 0 invece la retroazione fornita da D2 perch D1 polarizzato inversamente:
V1 = V2 = 0, V3 = VF, e Vo = V2 R'Io 0. Anche in questo schema rovesciando i due
diodi si ottiene la configurazione del raddrizzatore invertente per semionda negativa.
Ri
Vi
R1 '
D2
D1
R1
R2 '
Vo
Vo
R2
Vi
Figura 7.3
Il guadagno qui pu essere variato agendo sulla resistenza Ri, ma devono essere rispettate
le relazioni Ro = Ro', R1/R1'= R2/R2': Vo = (RoR2 / RiR1) |Vi| = G |Vi|. Invertendo le polarit
dei due diodi si ottiene Vo = G |Vi|. Uno sbilanciamento tra le due semionde pu essere
corretto aggiustando Ro'.
Un altro circuito a due operazionali che si comporta in modo equivalente al precedente,
senza per richiedere laggiustamento di tre coppie di resistenze, quello riportato in
figura 7.4, che costruito mettendo in parallelo i circuiti di figura 7.1b e 7.2.
51
Qui basta che sia R = R' perch AO2
Ro
Vi
Vo
R'
Figura 7.4
che
regolazione
richiede
di
una
la
sola
Ri
R'1
si
ha
quindi
R2
Ro
2
Vo
V1
Vi
R1
Figura 7.5
V1 = 0 per Vi < 0; mentre AO2 un sommatore invertente che somma Vi e V1 scalandoli
rispettivamente dei fattori Ro/Ri e Ro/R2. Allora basta solo che sia R2 = (Ri/2)(R'1/R1)
perch si abbia Vo = (Ro/Ri) |Vi|.
Il calcolo si semplifica ponendo R'1 = R1 = Ri =R e R2 = R/2, e per ottenere un guadagno
unitario basta porre anche Ro = R.
Uno schema di rettificatore ideale ad onda intera, che offre elevata impedenza di ingresso,
dato in figura 7.6, ove AO2 funziona da invertente per il segnale V2 = Vi, con G = R'/R,
e da non-invertente per il segnale V1, con G = 1+R'/R. Poich AO1 equivale al
rettificatore di figura 7.1, con il ramo di reazione fornito da AO2+R+R', si ha V1 = 0 con
V3 = VF, per Vi < 0, e V1 = Vi con V3 = +VF, per Vi > 0, e in definitiva Vo = |Vi| se
R = R'. La resistenza R1 serve a polarizzare lingresso non-invertente di AO2 quando
52
Vi < 0, e per trasmettere a massa la corrente di polarizzazione diretta di D1 quando Vi > 0.
R
D2
V2
V1
V3 D1
Vi
R'
2
Vo
R1
Figura 7.6
Un modo pi immediato di analizzare questo schema quello di distinguere i due casi: per
Vi < 0 AO1 funziona da inseguitore e AO2 da invertente e Vo = (R'/R)Vi, per Vi > 0 si ha
Vi = V2 = V1 e quindi attraverso R ed R' non passa corrente , e perci Vo = Vi.
Se nello schema precedente aggiungiamo una resistenza tra lingresso invertente di AO1 e
massa otteniamo un rettificatore che pu avere guadagno maggiore di 1.
R3
V2
Vi
V1
R1
D1
V3
V1
D2
R2
2
Vo
R4
Figura 7.7
Anche qui lanalisi si semplifica considerando separatamente i due casi. Per Vi < 0 la
situazione non cambiata Vo = (R2/R1)Vi = KVi.
Per Vi > 0 si ha V2 = Vi . Si pu allora scrivere la condizione di conservazione della
corrente sui rami R1, R2 e R3: Vi / R3 = (V1Vi)/R1 = (VoV1)/R2, che, eliminando
lincognita V1 d Vo = [1+(R1+R2)/R3]Vi = [1+(K+1)R1/R3]Vi. Ora perch sia Vo = KVi
deve valere la relazione R3 = R1(K+1)/(K1). A queste condizioni si ha Vo = K|Vi| ,
ovviamente con K 1, perch se K = 1 si ha R3 = e si torna al circuito precedente.
Un ultimo schema che offre elevata impedenza di ingresso quello di figura 7.8.
R1
R2
V1
D2
R3
V2
D1
Vi
Figura 7.8
R4
V3
2
Vo
53
Qui per Vi < 0 la tensione V2 data dal non invertente AO1: V2 = (1+R2/R1)Vi, mentre
AO2 amplifica sia Vi che V2 : Vo = (1+R4/R3)Vi (R4/R3)V2 = (1 R4R2/R3R1)Vi.
Per Vi > 0, poich per effetto della retroazione V1 = V2 = V3 = Vi, attraverso R2, R3 (ed R4)
non passa corrente, e perci Vo = Vi. Quindi perch sia Vo = |Vi| si dovr porre
R4R2 / R3R1 = 2, ad esempio R4 / 2 = R2 = R3 = R1.
Figura 7.9
Analizziamo questo circuito considerando per il momento inesistente la resistenza R.
Considerando ideali i due operazionali (Ib = 0), la capacit si carica attraverso D2 e D1 al
valor massimo Vp della tensione di ingresso Vi e non pu scaricarsi quando Vi scende a
valori inferiori a Vp, se i diodi sono ideali, cio con corrente di perdita Io = 0. Con i diodi
reali, quando Vi < Vp, luscita V1 si porta in saturazione negativa, e C si scarica
lentamente attraverso i diodi polarizzati inversamente. Se per si inserisce la resistenza di
reazione R, la tensione V2 si porta al valore di picco Vp =Vo, per effetto della reazione
negativa in AO2.
In questo modo ai capi di D1 non c pi caduta di tensione e la corrente di perdita di D1
si annulla, e la capacit resta carica. La corrente di perdita di D2 fornita invece da AO2
attraverso R.
Rovesciando i diodi si ottiene ovviamente un rivelatore del valore minimo assunto dalla
tensione in ingresso per segnali negativi.
Questo schema pu essere migliorato introducendo un secondo ramo di retroazione (R2 in
figura 7.10) che elimina leffetto della corrente Ib di AO1 prelevata ora alluscita di AO2
anzich dalla capacit, ed un terzo diodo D3 che migliora la rapidit del dispositivo
54
bloccando luscita di AO1 a VpVF. In questa configurazione AO1 deve tollerare elevate
tensioni differenziali in ingresso, mentre AO2 deve avere basse correnti di polarizzazione.
R2
D3
Vp
R1
D2
V1
D1
Vp
V2
Vi
Vo
Figura 7.10
23
I moltiplicatori e i divisori a transconduttanza sono discussi ad esempio in Linear Integrated Circuit Applications, G.B. Clayton, capitolo 6, in Amplificatori operazionali e loro applicazioni, W.G. Young
capitolo 6, e in Introduction to Operational Amplifiers: Theory and Applications, J. Wait et al., capitolo
3.
24 Si veda l'appendice A.1.
55
modello abbastanza preciso purch sia V >> KBT/q, cio Id >> Io.
Id
Ri
Ii
Vi
Vo
positiva.
Infatti, trascurando come al solito Ib, e per Vi>0, si ha per un diodo ideale :
Ii = Vi/Ri = Id = Ioexp(qV/KBT),
Dalla figura 7.11 si vede che Vo = V, per cui Vi/Ri Io = exp(qVo/KBT). Passando ai
logaritmi: Vo = (KBT/q) ln (Vi/ IoRi) = 2.3 (KBT/q) log10 (Ii/Io) = S log10 (Ii/Io).
Si vede che la tensione alluscita sempre negativa e proporzionale al logaritmo della
tensione, o della corrente in ingresso, con una pendenza S (fattore di scala) che dipende
dalla temperatura: S/ST = 0.003 oC1.
La dipendenza da T compare anche attraverso Io : allincirca raddoppia ogni 10 oC ;
inoltre Io varia da diodo a diodo: tipicamente da 1 nA a 1 A. La caratteristica ideale
obbedita dai normali diodi reali al massimo per tre decadi.
Un miglioramento si ottiene sostituendo al diodo un transistor connesso a diodo.,cio con
il collettore cortocircuitato alla base, come in figura 7.12a.
Ic
E
Ri
B
C
E
B
Vi
Ii
Ri
Vo
a)
Vi
Vo
b)
Figura 7.12
Infatti in un transistor cos connesso25 la corrente di collettore data con ottima approssimazione dallequazione del diodo ideale, con una corrente di perdita Io = 1013 A.
Una terza configurazione quella di figura 7.12b, detta anche a transdiodo. Qui collettore
25
56
e base sono mantenuti alla stessa tensione per effetto della retroazione: la base a massa e
il collettore a massa virtuale, ed il risultato ancora una caratteristica di diodo ideale per
la corrente di collettore.
In questo modo si ottiene per lamplificatore logaritmico un intervallo di lavoro molto
ampio, fino a 10 decadi, con una corrente massima di qualche mA, e una tensione di
polarizzazione, pari allopposto della tensione di uscita, inferiore a 0.6 V.
V1
Ri
Vi > 0
Co
R2
D1
R1
Vo < 0
Figura 7.13
Un modo per svincolare Vo da questo limite illustrato dalla figura 7.13, dove il partitore
R1 R2 permette di variare a piacere il fattore di scala.
Trascurando la corrente di retroazione rispetto alla corrente che fluisce nel partitore, si ha
V1 = VoR1/(R1+R2), e quindi:
V0 =
K T
R
R1 + R2
2.3 B log 1 0(I i / I 0 ) 1+ 2 60 log 1 0(I i / I 0 )
R1
q
R1
[mV/decade].
Se per R1 si usa un termistore con un adeguato coefficiente termico positivo (0.3% oC1) e
per R2 una resistenza pari a 16 R1, il fattore di scala diventa 1 V/decade e praticamente
indipendente dalla temperatura.
Per tensioni di ingresso negative, nella configurazione a transdiodo si dovr impiegare
negli schemi di figura 7.12b e 7.13 un transistor PNP, mentre nella configurazione con
transistor connesso a diodo baster invertire le connessioni di collettore ed emettitore.
In figura 7.13 si inserito il condensatore Co tra uscita ed ingresso invertente: esso pu
essere necessario per evitare fenomeni di auto-oscillazione26. Il diodo D1 serve a
proteggere il transistor da una polarizzazione inversa che potrebbe bruciarlo. Per un uso
corretto del circuito va inoltre tenuta presente la corrente Ib di polarizzazione
delloperazionale.
Per ottenere con questa tecnica un divisore di tensioni basta duplicare lamplificatore
57
logaritmico, e fornire le due uscite agli ingressi di un differenziale (figura 7.14).
V1
Ro
Ri
Ri
R
V2
Vo
Ro
Figura 7.14
R K T
Qui luscita del differenziale : V0 = 0 B ln(V2 / V1 ) . Si noti che la dipendenza
R1 q
della tensione di uscita dalla corrente di perdita del diodo Io scompare nella differenza.
Vi
R1
Vo
Figura 7.14
26
Per una succinta spiegazione del fenomeno dell'auto-oscillazione si veda 10. Dettagli su una corretta
progettazione degli amplificatori logaritmici si trovano in Operational Amplifiers, G.B. Clayton, capitolo
5, e in Amplificatori operazionali e loro applicazioni, W.G. Young, capitolo 6.
58
8. Filtri attivi
In questo capitolo si analizzano diversi circuiti realizzati con AO la cui caratteristica
comune di avere una funzione di trasferimento che dipende dalla frequenza. La funzione
di trasferimento il rapporto tra segnale in uscita e segnale in ingresso scritti in notazione
complessa27. Quando in un circuito la funzione di trasferimento dipende dalla frequenza
esso pu essere considerato un filtro: ad esempio se l'effetto di tale circuito su un segnale
sinusoidale di lasciarlo imperturbato alle basse frequenze e di attenuarlo alle alte
frequenze si dir che esso un passa-basso, se il segnale viene attenuato solo in un
intervallo di frequenze si tratter di un arresta-banda, e cos via.
Esempi di filtri passivi sono i partitori RC e RL, descritti nell'appendice B.
I filtri attivi offrono, rispetto a quelli passivi, la possibilit di avere alta impedenza di
ingresso e bassa impedenza di uscita e quindi di interferire meno con il circuito in cui
vengono usati, possono attenuare ma anche amplificare il segnale, e possono fornire
qualsiasi funzione di trasferimento usando solo resistenze e capacit28.
Essi possono avere moltissime configurazioni, e in generale lanalisi del loro
comportamento piuttosto complessa. Esistono numerose ricette per costruire filtri la cui
risposta al variare della frequenza si adatti, sia in ampiezza che in fase, alle diverse
esigenze. Ci sono ad esempio i filtri Butterworth, i filtri Tchebeyscheff, i filtri Bessel:
ciascuna di queste classi individua, pi che una particolare struttura del circuito usato, la
particolare relazione tra i valori dei componenti passivi usati che caratterizza la forma
della risposta del filtro. Ciascuna di queste classi inoltre pu essere di ordine n (con
n = 1,2,3,4...) a seconda del numero n dei poli1 della funzione di trasferimento; n pu
essere interpretato come il numero dei filtri passivi RC che devono essere messi in cascata
per approssimare il filtro attivo in questione.
Un primo approccio allo studio dei filtri attivi pu limitarsi alla analisi della struttura dei
diversi filtri. Una volta capito il funzionamento del circuito, e calcolata la sua funzione di
trasferimento, si potr entrare nei dettagli per adattare il filtro alla particolare esigenza.
Si analizzeranno pertanto nei prossimi paragrafi i filtri attivi semplici pi frequentemente
usati, che possono essere ricondotti ad una delle seguenti categorie: filtri del primo ordine,
filtri a reazione multipla, filtri VCVS, filtri a variabile di stato, e filtri costruiti con circuiti
convertitori di impedenza (NIC, giratori, moltiplicatori di impedenza).
27
Si veda l'appendice B. Il modulo della funzione di trasferimento misura il guadagno del circuito e la fase
misura lo sfasamento da esso introdotto nel segnale.
59
I filtri del primo ordine sono il circuito integratore (passa-basso), il circuito derivatore
(passa-alto) e il filtro sfasatore (passa-tutto) che sar descritto in 10.3, o semplici varianti
degli stessi.
Sia i filtri a reazione multipla che i filtri VCVS (Voltage Controlled Voltage Source)
verranno qui analizzati nella versione di ordine 2. I filtri di ordine superiore sono in
generale composti da pi stadi di questo tipo.
I filtri a variabile di stato usano la tecnica del calcolatore analogico, impiegando circuiti
integratori e sommatori in reazione. I circuiti NIC (Negative-Inmittance-Converter)
utilizzano un operazionale con reazione sia positiva che negativa per trasformare una
impedenza (Z) nel suo opposto (Z), e i giratori la convertono nel suo reciproco (1/Z).
8.1. Integratore
Lamplificatore operazionale in configurazione invertente ( 3.1) pu diventare un
circuito integratore o derivatore di segnali variabili qualora si sostituisca con una capacit
rispettivamente la resistenza Ro o la Ri.
Nel primo caso, rappresentato in figura 8.1a, la tensione Vc(t) ai capi del condensatore
varia nel tempo t per effetto della carica q(t) depositata dalla corrente Ic(t).
Vi
IR
R
V1
V2
Ic
Vi
Vo
Ro
R
V1
V2
a)
C
+
Vo
b)
Figura 8.1
V0 (t) = VC =
q(t)
1
1 t
= I C (t)dt =
V (t)dt + V(0)
C
C
RC 0 i
28
Le induttanze, utili nei filtri passivi specie alle basse frequenze, quando hanno un Q elevato sono costose
e/o di grandi dimensioni.
60
tempo, viene detto costante di integrazione: pu essere visto come il tempo necessario
perch luscita, partendo da zero, si porti allo stesso valore della tensione (costante)
applicata allingresso.
La resistenza Ro, posta in parallelo alla capacit nel circuito di figura 8.1b, necessaria
nei circuiti reali perch, mancando questa, viene meno la controreazione per tensioni
continue, e la presenza inevitabile di offset in ingresso e di correnti di polarizzazione non
nulle fa in modo che dopo un tempo pi o meno lungo il condensatore si carica (anche se
Vi = 0) portando luscita delloperazionale alla tensione di saturazione, positiva o negativa
a seconda del verso della corrente determinato dai valori di Vos e Ib.
Se si usa per la capacit la notazione di impedenza complessa29 (Zc = 1/jC ), la funzione
di trasferimento T(j) = Vo/Vi dellintegratore ideale, cio senza Ro, :
T(j) = Zc/R = 1/jRC,
che predice un guadagno |T(j)| divergente a frequenza nulla: per 0 si ha saturazione.
Introducendo Ro la funzione di trasferimento diventa :
T( j) =
Zc R 0
R
R 0 /(1+ jR 0 C)
R0 / R
0
=
=G
.
0 + j
R
1+ jR 0 C
[8.1]
Ora per segnali continui o in regime di basse frequenze ( << 0 = 1/RoC) il guadagno
praticamente costante G (Ro/R), mentre per alte frequenze ( >> 0) la funzione di
trasferimento diventa ancora quella dellintegratore ideale: T(j)1/jRC. Il modulo di
T(j) infatti T() = 0G / + 0 , e la fase = arctg{/0}, cio lo sfasamento
2
8.2. Derivatore
Lo schema del derivatore ideale ottenuto da quello dellintegratore ideale scambiando
29
61
tra loro la resistenza R e la capacit C, come in figura 8.2a.
Anche qui la capacit caricata solo dalla corrente Ic(t) = IR(t) che fluisce attraverso la
resistenza R (si trascura Ib).
Vi
V1
V2
Vi
Ri
Vo
V1
V2
a)
Vo
b)
Figura 8.2
Se q(t) la carica sulle armature del condensatore, la tensione Vc(t) = [Vi(t) V1] data
dalla relazione Vc(t) = q(t)/C. Essendo V1 = V2 = 0, per effetto della retroazione, dalla
relazione Vo(t) = RIc(t) = R q(t)/t si ottiene la:
Vo(t) = RC Vi(t)/t
La funzione di trasferimento T(s) = R/Zc = sRC, (posto s = j) nulla per = 0, e il
guadagno |T(s)| diverge al crescere della frequenza. Ci comporta unesaltazione delle
componenti ad alta frequenza del rumore elettronico presente allingresso e rende
sconsigliabile luso dello schema di figura 8.2a. La resistenza aggiunta in serie al
condensatore in figura 8.2b modifica la funzione di trasferimento in
T(s) =
R
R sR iC s(R / R i )
s
=
=
=G
Zc (s) + R i
R i 1+ sRiC 1/ R iC + s
0 + s
[8.2]
62
Z5
Z4
Z3
Vi
Z1
Z2
Vo
Figura 8.3
La funzione di trasferimento di questo schema si ottiene facilmente se si osserva che il
nodo B a massa virtuale per effetto della reazione negativa (VB = 0), che la corrente di
polarizzazione pu essere assunta nulla (I3 = I5), e imponendo infine che si annulli la
somma delle correnti al nodo A (I1 = I2 + I3 + I4).
Lequazione al nodo A si scrive:
I1 =
V1 VA VA VA VA Vo
=
+
+
= I 2 + I3 + I 4
Z1
Z 2 Z3
Z4
I3 =
V
VA
= o = I5 ,
Z2
Z5
T(s) = -
Z 4 / Z1
( Z 3 Z 4 ) /(Z 2 Z 5 ) + ( Z 3 + Z 4 + Z 3 Z 4 / Z1 ) / Z 5 + 1
[8.3]
63
8.3.1. Il passa-basso
Se nello schema generale di figura 8.3 le Z1, Z3, Z4 sono resistenze (Z = R), e Z2 e Z5
sono capacit (Z = 1/sC), si ottiene un passa-basso (figura 8.4) la cui funzione di
trasferimento si ricava facilmente dalla [8.3]:
T(s) = -
G02
R 4 / R1
=
s 2 R 3 R 4 C 2 C 5 + sC5 (R 3 + R 4 + R 3 R 4 / R 1 ) + 1 s 2 + 2s 0 + 02
[8.4]
R4
C5
R3
Vi
R1
C2
Vo
Figura 8.4
La dipendenza dellampiezza A() = |T(s)| e dello sfasamento () in funzione della
frequenza sono date rispettivamente da:
A() =
G02
( ) + (20 )
2
0
2 2
, () = arctg
20
.
2 02
8.3.2. Il passa-alto
Se invece, nello schema di figura 8.3, Z1, Z3, Z4 sono capacit (Z = 1/sC) e Z2 e Z5 sono
resistenze (Z = R), si ottiene un passa-alto (figura 8.5) la cui funzione di trasferimento si
ottiene ancora dalla [8.3]:
T(s) =
s 2 C1 /C 4
s 2 G
,
= 2
1 /(C 3 C 4 R 2 R 5 ) + s(1 / C 3 + 1/C 4 + C1 / C 3 C 4 ) / R 5 + 1 s + 2s 0 + 02
30
[8.5]
64
A() =
G 2
(02 2 ) 2 + (20 ) 2
C4
= , () = arctg
R5
C3
A
Vi
C1
R!2
20
.
2 02
Vo
Figura 8.5
8.3.3. Il passa-banda
Se infine Z1, Z2, Z5 sono resistenze (Z = R), e Z3 e Z4 sono capacit (Z = 1/sC) , si ottiene
un passa-banda (figura 8.6) con funzione di trasferimento:
T(s) =
sG0 / Q
s 2 /(R 1C 4 )
= 2
*
*
2
1 /(C 3 C 4 R R 5 ) + s /(C R 5 ) + s
s + s0 / Q + 02
[8.6]
C4
A
Vi
R5
C3
B
R1
R2
Vo
Figura 8.6
Qui lampiezza A() = T(s) = G / 1 + Q 2 ( / 0 0 / ) 2 , e la fase, che cambia segno
per = 0, () = arctg[Q(/00/)].
65
passa-basso
=0..3
1.5
= 0.5
1.0
= 0.7
=1
=2
0.5
0.0
passa-alto
=0.3
1.5
= 0.5
1.0
= 0.7
= 1
= 2
0.5
0.0
0.1
/ 0
10
Figura 8.7
Si vede che per piccoli valori di la risposta ha un picco per frequenze prossime a 0.
Annullando la derivata di A() rispetto ad si ricava la frequenza di picco
66
Alla frequenza di taglio 0, per il passa-basso come per il passa-alto, si ha A(0) = G/2;
nei filtri Butterworth si ha quindi A(0) = G/ 2 .
Nel caso del passa-banda il comportamento del filtro meglio descritto in funzione del
parametro Q = (2)1, detto fattore di merito per analogia con il caso dei sistemi risonanti.
In figura 8.8 la risposta del filtro passa-banda tracciata per diversi valori di Q verso
/0. Si noti che queste curve appaiono simmetriche rispetto a 0 solo se l'ascissa
riportata in scala logaritmica. La frequenza 0, nel caso del passa-banda, prende il nome
di frequenza centrale, alla quale si ha A(0) = G.
1.0
passa-banda
Q=1
0.8
Q=2
0.6
Q=5
0.4
Q=10
Q=40
0.2
0.0
0.01
0.10
1.0
/ 0
100.
Figura 8.8
Tanto maggiore il valore di Q, tanto pi stretta la banda passante: se 1 e 2 sono le
frequenze alle quali lampiezza si riduce di un fattore 1 / 2 rispetto al valore assunto per
0 allora vale la relazione 2 1 = 0 / Q.
Infatti, posto A(1,2) = A(0)/ 2 , si ottiene lequazione 1+(0 / 1,2 1,2 / 0)2Q2 = 2,
67
rispettivamente.
Nel grafico di Bode (figura 8.9), ove lampiezza riportata in dB (20 log10 A), e la
frequenza come log10 , ci produce per il passa-basso di ordine 1 una pendenza di 20
dB/decade e per il passa-basso di ordine 2 una pendenza di -40 dB/decade.
In altre parole lattenuazione per >> 0 nel filtro di 2 ordine cresce assai pi
rapidamente che in quello del 1 ordine.
La cosa analoga (in un certo modo simmetrica rispetto a 0) per il passa-alto ove la
pendenza, per << 0, rispettivamente di +20 dB/decade e di +40 dB/decade.
20
0.1
10
100
passa-basso
10
1
-20
0.1
n=1
-40
0.01
n=2
-60
0.001
20 Log {A() / G}
A() / G
passa-alto
10
-20
0.1
n=1
-40
-60
-80
-1
0.01
n=2
0.001
Log 10 /
Figura 8.9
1
0
0.0001
68
Figura 8.10
Al nodo A si ha la relazione:
I1 =
Vi VA VA Vo VA VB
=
+
= I 2 + I3 ,
Z1
Z3
Z2
e al nodo B:
VA VB
V
= B = I4 ,
Z2
Z4
che, tenendo conto che VB = Vo/G, d VA = (Vo/G)(1+Z2/Z4). Questa, sostituita nella
I2 =
V
Vi
= 0
Zi
G
Z 2 1
1
1 G
1
+
+
.
1 +
Z 4 Z1 Z 2 Z 3 Z 3 Z 2
31
Il nome VCVS ha ragioni storiche, e serve solo per distinguere questo tipo di schema, anch'esso a
reazione multipla, ma questa volta sia positiva che negativa, da quello illustrato in precedenza.
69
T(s) = -
G
.
1 + ( Z1 /Z 2 ) /(Z 3 / Z 4 ) + ( Z1 + Z 2 ) / Z 4 + (1 G )(Z1 / Z 3 )
[8.7]
Z3
Z2
Vi
Z1
Vo
A
Z4
Figura 8.11
T(s) = -
1
1 + ( Z1 /Z 2 ) /(Z 3 / Z 4 ) + ( Z1 + Z 2 ) / Z 4
[8.8]
T(s) =
02
1
.
=
1 + s(R 1 + R 2 )C 4 + s 2 (R 1 R 2 C 3 C 4 ) s 2 + s2 0 + 02
[8.9]
La risposta del filtro analoga a quella del passa-basso a reazione multipla, [8.4], ma ora
la frequenza di taglio 0 = 1 / R 1 R 2 C 3 C 4 , e il fattore di smorzamento vale
= C 4 / C3
70
C3
Vi
R1
R2
Vo
C4
Figura 8.12
s 2 (R 3 R 4 C1C 2 )
s 2
,
T(s) =
=
1 + sR 3 (C1 + C 2 ) + s 2 (R 3 R 4 C1C 2 ) s 2 + s2 0 + 02
[8.10]
Anche qui la risposta del filtro analoga a quella del passa-alto a reazione multipla
descritta dalla relazione [8.5], ma la frequenza di taglio ora 0 = 1 / C1C 2 R 3 R 4 , e il
fattore di smorzamento invece = R 3 / R 4
R3
Vi
C2
C1
Vo
R4
Figura 8.13
Per G diverso da 1 la derivazione di T(s), 0 e del tutto analoga. Lunico parametro
che cambia, con il guadagno G, il fattore di attenuazione che diventa rispettivamente
= 12 C 4 / C3
per il passa-basso, e
=
per il passa-alto.
R3 / R4
R 1 / R 2 + R 2 / R 1 + (1 G) (R 1C 3 ) /(R 2 C 4 )
C1 / C 2 + C 2 / C1 + (1 G) (R 3 C 2 ) /(R 4 C1 )
71
Vin
3 V3
+Vin
+2 V2
V1
k1 V1 dt
k2 V2 dt
V3
V2
Figura 8.14
Per capire la logica di funzionamento di questo tipo di filtri conviene analizzare subito un
esempio. In figura 8.15 consideriamo per ora solo i primi 3 amplificatori operazionali: il
quarto, con la rete passiva tratteggiata pu essere aggiunto successivamente perch non
modifica il comportamento del resto del circuito. Loperazionale 1 funziona da
amplificatore differenziale. Applicando il principio di sovrapposizione, consideriamo
accese una sola per volta le sorgenti di segnale Vi,V2,V3. Allora all'uscita V1 si ottiene la
somma delle tensioni ViR2 / (R1+R2) e V2R1 / (R1+R2) con guadagno +2, e della tensione
V3 con guadagno -1: V1 = 2 [ViR2/(R1+R2) +V2R1/(R1+R2)] V3.
Figura 8.15
Si pu ottenere la stessa relazione applicando la conservazione della corrente ai nodi A
(Ii = I2) e B (I1 + I3 = 0), cio :
(ViVA)/R1 = (VAV2)/R2 e (V1VB)/R3 + (V3VB)/R3 = 0.
Tenendo conto poi che VA = VB, si eliminano VA e VB dalle precedenti relazioni,
72
ottenendo:
R2Vi + R1V2 = (R1+R2)(V1+V3)/2.
Gli operazionali 2 e 3 funzionano da integratori invertenti, e quindi :
V2 = V1/sRC e V3 = V2/sRC = V1/(sRC)2,
relazioni che, introdotte nella precedente, danno V1 in funzione di Vi:
V1 (1+2R1/sRC(R1+R2)+1/(sRC)2) = Vi2R2/(R1+R2).
La funzione di trasferimento alluscita V1 quindi:
T1 (s) =
V1
s 2 2R 2 /(R 1 + R 2 )
s 2 G1
,
= 2
=
Vi s + s2R 1 /(R 1 + R 2 )RC + 1/ (RC) 2 s 2 + s2 0 + 02
[8.11]
T2 (s) =
V
sG10
sG 2 0 / Q
V2
=- 1 0 = 2
= 2
2
Vi
Vi s
s + s2 0 + 0 s + s0 / Q + 02
[8.12]
[8.13]
Si vede facilmente, confrontando queste relazioni con le [8.4],[8.5] e [8.6], che queste tre
uscite corrispondono rispettivamente a un filtro passa-alto, a un passa-banda ed a un
passa-basso.
Se si aggiunge il quarto operazionale, che un sommatore invertente, si ottiene alluscita
4 : V4 = (V1+V3), e quindi la T4(s) vale :
T4 (s) =
G (s 2 + 02 )
V4
.
= 2 1
Vi s + s0 / Q + 02
[8.14]
73
C
V3 = k 2 V2 dt ,
si pu scrivere
V2 = (1/k2)V3/t,
V1 = (1/k1)V2/t
= (1/k1k2)2V3/t.
Vi
R2
R1
B
C
A
2R1
Vo
R2
analogamente
Figura 8.16
G (s 2 + 02 )
G(s 2 + 1 / R 1 R 2 C 2 )
T(s) = 2
=
s + 2s / R 2 C + 1 / R 1 R 2 C 2 s 2 + s0 / Q + 02
Qui 0 = 1 / R 1R 2 C , Q =
[8.15]
74
rispetto ad A(0), = 0 / Q = 2/R2C.
Vi
R1
Ii
B
A
V
R
AZ
1 + 2
da cui: C = A /1
Z
Vi
R2 + Z
C
R2
Z*
Z
Ora
la
definizione
di
impedenza
vista
Figura 8.17
Ra
Vi
Ca
A
A*
R1
Ia
B
NIC
R2
Ib
Vo
Rb
Cb
Figura 8.18
Quindi Ib = IaR1/R2 = G*Ia , dove G* = R1/R2 pu essere inteso come il guadagno in
corrente del circuito NIC della figura 8.17. Inoltre si ha Vo = ZbIb (con Zb = Rb || 1/sCb) e
Vi VA = ZaIa (con Za = Ra+1/sCa) e Vo = VA .
75
Dalle relazioni scritte, con un po' di algebra si ottiene il rapporto Vo/Vi:
T(s) =
sG*/(R a Cb )
sG0 / Q
[8.16]
= 2
2
*
s + s(1 / R a Ca + 1 / R bCb G / R a Cb ) + 1 / R a R bCa Cb s + s0 / Q + 02
8.9. Giratore
Il giratore32 un circuito che converte una impedenza nel suo reciproco, eventualmente
scalata di un fattore K: Z* = K/Z. Ad esempio se Z una capacit (Z = 1/sC), l'impedenza
efficace vista all'ingresso del giratore Z* = sKC, equivalente a quella di una induttanza
equivalente L* = KC. Un esempio di questo tipo riportato in figura 8.19.
32
Il nome sta ad indicare che esso fa ruotare il vettore associato alla impedenza complessa: trasformando
una capacit in una induttanza, tale vettore gira di 180o.
76
Figura 8.19
Dalla definizione di impedenza di ingresso: Zi = Vi/Ii e osservando che Ii = (Vi V2) / R1,
per trovare Zi basta calcolare V2. Per effetto della retroazione si ha VA = VB = Vi.
Al nodo A risulta (V1VA) / R3 = (VAV2) / R2, che permette di esprimere V2 in termini di
V1: V2 = (1+R2/R3)Vi R2 / R3V1.
Al nodo B si ha VB = V1R5 / (R5+Zc), che ci fornisce V1: V1 = Vi(1+Zc/R5). Si ha quindi
Zi = R1R3R5 / (R2Zc) = sR1R3R5C / R2 = L*, ove il valore dellinduttanza equivalente
(L* = R1R3R5C / R2) data dalla capacit moltiplicata per un coefficiente regolabile
tramite le resistenze R1,R2,R3 e R5.
Questo circuito visto cio come una induttanza verso massa. evidente perci come
esso possa essere utilizzato per ottenere filtri passa-basso per bassa frequenza, senza
dover impiegare grosse induttanze33.
da 1 k, si ha L* /C= 1 henry / F.
Un circuito integrato che facilita la realizzazione di un giratore, con la semplice aggiunta
di una resistenza e di una capacit esterna prodotto dalla National (AF120), e la sua
struttura riportata in figura 8.20. Gli schemi 8.19 e 8.20 sono identici eccetto che per la
posizione di C, che nello schema 8.20 ha sostituito R2, anche se ci pu non essere
evidente alla prima occhiata. Ripetendo l'analisi precedente si ottiene Zi = Z1Z3Z5 / (Z2Z4),
con Z2= 1/sC. Poich nell'integrato AF120 si ha Z3 = Z4 = Z5 = R = 7.5 k, si potr porre
Z1 = Ro ottenendo cos Zi = sRRoC = sL*, con L* /RoC= 7.5 (henry / ms).
33
77
Figura 8.20
Vi
Ri
Ro
V1
V2
Ii
ove C* = C(1+Ro/Ri).
Figura 8.21
Vi
Ii
R2
R1
I1
V1
I2
Rp
V2
C*
Figura 8.22
78
Si ha: I1 = (ViV2)/R1, I2 = (ViV2)/R2 e quindi Ii = (Vi V2) / Rp, ove Rp = R1 || R2 il
parallelo di R1 e R2. Eliminando V1 e V2 si ottiene quindi la relazione
Zi = [R1R2/(R1+R2)](1+1/sR1C) = Rp+1/sC*, ove C* una capacit efficace pari
a C(1+R1/R2).
passa-alto
in 2
in 1
passa-banda
passa-basso
100k
1000pF
1000pF
10k
+1
2
+
3
+
in
+4
out
100k
Figura 8.23
in+
Si vede facilmente come sia possibile ottenere da questo integrato il filtro illustrato in
figura 8.15, ma sono possibili anche altre configurazioni, ad esempio con ingresso
invertente o differenziale.
79
passa-alto
V1
passa-banda
V2
RF1
A
Vi
Ri
passa-basso
V3
RF2
R100
R10
1
+
2
+
3
+
R100
RQ
Figura 8.24
Al nodo A: (VAVi) / Ri = (V3VA) / R100+(V1VA) / R10.
Al nodo B: (V2VA) / R100 = VA / RQ.
Da questa si ottiene VA, ricordando che lintegratore 1 d V2 = V1 / sRF1C = 1V1 / s e
che lintegratore 2 d V3 = V2 / sRF2C = 12V1 / s2, ove 1 = 1/RF1C e 2 = 1/RF2C:
VA = (RQ || R100)1V1 / s.
Eliminando VA, V2 e V3 nella prima relazione si ottiene la funzione di trasferimento per
luscita V1 (passa-alto):
T1 (s) =
s 2 R 10 / R i
.
s 2 + s1R 10 (R Q R 100 ) /[R 100 (R i R 10 R 100 )] + 12 R 10 / R 100
Tenendo conto dei valori di C, R10 e di R100 si ottiene per la frequenza di taglio:
0 = 12 / 10 = 10 9 0.1R F1R F2 ,
e per il fattore di smorzamento :
1 10R F 2 1.1 + 10 4 / R i
=
2 R F1 1 + 10 5 / R Q
Il guadagno del passa-alto G1=R10 / Ri; facilmente si ottengono poi le T2(s) e T3(s), per
il passa-banda e passa-basso, ove il guadagno diventa G 2 = Q(R 10 / R i ) 10R F1 / R F2 , con
fattore di merito Q = 1/(2) , e G3 = R100 / Ri, rispettivamente
Fissata 0 con la scelta di RF1 e RF2, si pu ancora variare Q e G , agendo su RQ e Ri.
Come si vede bastano poi quattro resistenze esterne per ottenere un triplo filtro con
lintegrato AF100. Con altre 3 resistenze ed usando il quarto operazionale si ottiene anche
luscita arresta-banda (cfr. 8.5).
80
9. Circuiti a scatto
Se si connette lAO senza reazione negativa, o se si provvede una reazione positiva, un
piccolo disturbo in ingresso (ad esempio la tensione di offset, induzione di rete, transiente
daccensione...) porta subito il sistema in saturazione, cio luscita si porta circa alla
tensione di alimentazione (positiva o negativa). Si dice allora che loperazionale lavora
fuori della zona lineare, e la risposta alle tensioni in ingresso assume solo due valori: Vcc+
e Vcc .34
Questa caratteristica permette di usare lAO come circuito a scatto, o comparatore. Non
tutti gli AO tuttavia possono essere usati in questo modo: molti infatti hanno in uscita una
tensione limite VoMax inferiore a |Vcc|35. Per Vo = |Vcc| si pu verificare un fenomeno di
blocco (latch-up) per cui la tensione alluscita diventa insensibile ai valori assunti dalle
tensioni in ingresso, e per sbloccarla si deve spegnere lalimentazione. Per questo motivo
opportuno impiegare, nella progettazione dei circuiti a scatto, AO immuni da latch-up, o
AO costruiti appositamente per questo uso: trigger di Schmitt, comparatori. Alcuni
comparatori sono disponibili con collettore aperto36, configurazione che consente di
scegliere per le tensioni di saturazione (Vo) valori diversi da quelli usati per
l'alimentazione
9.1. Il comparatore
Analizziamo il comportamento di un AO senza retroazione negativa. Si vede subito che
esso funziona da rivelatore di tensione di soglia. Se infatti si blocca uno degli ingressi ad
una tensione di riferimento VR, luscita scatta tra Vcc appena la tensione dellaltro
ingresso attraversa la soglia VR. Posto ad esempio VR > 0, la tensione in uscita Vo in
funzione della tensione in ingresso Vi descritta in figura 9.1.
34
35
Come si gi visto per gli operazionali tipicamente VoMax V+cc 2V, e VoMin V-cc + 2V.
36
81
Figura 9.1
Nel piccolo intervallo V = 2Vcc/Ao attorno a VR il comparatore d risposta lineare, ma
poich V dellordine del millivolt, un piccolo rumore in ingresso rende la regione
attorno a VR molto instabile: il comparatore37 oscilla tra +Vcc e Vcc.
37
Come si gi accennato ci avviene solo usando veri e propri comparatori: infatti buona parte degli
operazionali per uso generale hanno come tensione massima all'uscita |Vo| |Vcc| 2V.
82
Vo
Vi
Vo
(1-)VR
+Vcc
R2
Vi
Vo +(1-)VR
R1
Vcc
2Vcc
VR
Figura 9.2
Figura 9.3
83
R
V1
Vcc
V2
Vo
+Vcc
Vo
+Vcc
t
Vo
Vcc
Vcc
R2
+ Vcc
R1
V1
Vcc
t
0
Figura 9.4
Esaminiamo levoluzione temporale della tensione V1 a partire dallistante in cui si apre
linterruttore, inizialmente chiuso. Con linterruttore chiuso si ha V1 = Vcc, Vo = +Vcc e
V2 = +Vcc. La capacit carica ed R percorsa dalla corrente i = 2Vcc/R.
Aprendo linterruttore C si scarica attraverso R e V1 cresce verso +Vcc. Quando V1
raggiunge V2 = +Vcc il comparatore scatta portando Vo a Vcc e di conseguenza
cambiando la tensione di soglia a V2 = Vcc : sia questo listante t = 0.
La legge oraria di V1(t) sar un decadimento esponenziale con costante di tempo RC e
condizioni al contorno V1(0) = +Vcc e V1() = Vcc, e quindi:
V1(t) = (Vcc +Vcc)exp{t/RC} Vcc.
84
Quando V1(t) incontra la soglia V2 = Vcc, il comparatore scatta nuovamente: sia questo
istante t = . Si ha allora:
V1() = Vcc = (Vcc +Vcc)exp{/RC} Vcc ,
da cui si ottiene = RC ln{(1+)/(1)} = RC ln{1+2R1/R2}.
Se << 1, cio R1 << R2, si ha 2RCR1/R2.
A questo punto il processo si inverte: V1 sale verso +Vcc e il comparatore riscatta quando
V1 = V2 = +Vcc. facile vedere che ci avviene dopo un tempo ' = : il segnale in uscita
Vo(t) quindi unonda quadra di periodo 2, cio frequenza f = 1/2.
Per << 1 si ha f R2 / 4RCR1, cio la frequenza varia linearmente con R2, ed il periodo
linearmente con R, C, R1.
La simmetria dellonda quadra, cio luguaglianza tra ' e , dipende dalla simmetria della
alimentazione: si infatti supposto fin qui che +Vcc = (Vcc).
In caso di alimentazione dissimmetrica, o se l'operazionale ha tensioni di saturazione
dissimmetriche, il circuito pu essere migliorato introducendo un doppio zener in uscita,
disaccoppiando luscita del comparatore con una resistenza Ro, come indicato in figura
9.5.
In questo modo quando luscita V'o del comparatore si porta alla tensione di saturazione
V+cc o Vcc, la tensione di uscita Vo bloccata alla tensione rispettivamente Vz rispetto
a massa.
R'
R"
+Vcc
Vo'
Vcc
R0
Vo
R2
Vz
R1
Figura 9.5
vuole
un
impulso
di
durata
lampiezza del segnale in uscita, si pu sostituire alla singola R nel ramo di reazione
negativa un doppio ramo con diodi contrapposti, come indicato nellinserto in figura. In
questo modo si pu rendere ' molto diverso da .
85
V1
+Vcc
R1
R2
+Vcc
Vo
R3
V2
Figura 9.6
negativa (a massa).
V2+ = Vcc
V2 = Vcc
R 2 (R 1 + R 3 )
R2
= Vcc
R 2 + R1 R 3
R 1R 2 + R 2 R 3 + R 1R 3
R2 R3
R1 + R 2 R 3
= Vcc
R 2R 3
R 1R 2 + R 2 R 3 + R 1R 3
86
2 = RC ln[( V2 Vcc)/( V2+ Vcc)] = RC ln(1+R2/R3).
Londa quadra si ha ovviamente per R1 = R2.
Lo stesso circuito (con massa sostituita a +Vcc, e Vcc sostituita a massa) fornisce impulsi
negativi di durata 2.
87
10. Auto-oscillazione
In un amplificatore operazionale il fenomeno della auto-oscillazione, cio una oscillazione
spontanea della tensione all'uscita in assenza di segnale allingresso, si verifica di solito
quando si ha retroazione positiva. Questa pu essere generata da un ramo del circuito che
collega luscita allingresso non-invertente, ma anche da un ramo che collega luscita
allingresso invertente se lo sfasamento totale (ramo + amplificatore) esattamente .
La porzione di segnale prodotto alluscita che viene reintrodotta allingresso non tuttavia
trasmessa necessariamente da un ramo del circuito: essa pu anche essere il risultato di un
accoppiamento, ad esempio capacitivo, tra ingressi ed uscita, o di ritorni di massa
(trasmissione attraverso il circuito di alimentazione dellamplificatore). Questi sono casi
frequenti
di
auto-oscillazione
incontrollata
indesiderata,
cio
di
instabilit
A Vo
Figura 10.1
88
condizione impone che il segnale ritorni in fase nello stesso punto del circuito dopo aver
percorso l'anello, e la seconda garantisce una ampiezza del segnale costante. Infatti se
Re{A} < 1 loscillazione si spegne, e se Re{A} > 1 loperazionale si porta in
saturazione; in questo secondo caso l'analisi del circuito diventa pi complicata, e in
generale l'auto-oscillazione non avviene ad una singola frequenza: il segnale risultante
viene distorto in modo difficilmente prevedibile.
Ro
R1
dellAO
ideale
il
R2
C2
C3
R3
Figura 10.2
0 = 1 /(R 2 R 3 C 2 C 3 ) , e
Q=1/[0(R3C2+R2C2+R3C3)].
La condizione Im (A) = 0, con A reale, diventa
ovvero R 0 /R 1 = R 2 / R 3 + C 3 / C 2 .
Il caso pi semplice per R2 = R3 = R, C3 = C2 = C, corrispondente a = 1/3 e Q = 1/3,
impone A = 3, cio , Ro = 2R1 e la frequenza di oscillazione semplicemente f = 1/(2RC)
.
89
Oppure per R3 = 2R2 e C2 = 2C3 (che d = 1/2, Q = 1/4) devessere A = 2, cio Ro = R1.
Si vede che non molto importante la scelta dei valori nella rete di reazione: basta venga
soddisfatta la relazione A = 1. Alle alte frequenze bisogner poi tener conto che A()
cala con .
Una variante abbastanza ovvia si ottiene sostituendo induttanze alle capacit in figura
10.2. Si ha 1/ = 1+R2/R3+L2/L3+j(L2/R3L2/R3), (0)2 = (R2R3/L2L3), e per R = R2 =
R3, L= L2 = L3 la frequenza f = R/2L.
Il valore dellamplificazione, una volta fissato , critico, cio deve essere esattamente
A = Ao = 1/: infatti per A > Ao il segnale a 0 porta lamplificatore in saturazione e per
A < Ao esso si smorza a zero. Per avere un oscillatore stabile quindi necessario
introdurre una stabilizzazione automatica di guadagno
Laggiustamento automatico di guadagno si ottiene facilmente usando un componente non
lineare, lampadina o termistor, come negli schemi di figura 10.3.
Figura 10.3
In entrambi i casi si sfrutta la dipendenza dalla temperatura della resistenza R(T) del
componente non lineare: quando la tensione V ai capi di R(T) cresce, per effetto della
dissipazione(V2/R), anche la temperatura cresce. Nel caso della lampadina o del
termistore PTC (Positive Temperature Coefficient) il risultato R/V>0, e quindi nello
schema 10.3a lamplificazione cala al crescere dellampiezza del segnale: A=1+Ro/R(V).
Se si usa un termistore NTC (Negative Temperature Coefficient) si ha R/V<0, e
l'aggiustamento automatico di guadagno si ha usando lo schema 10.3b : A=1+R(V)/R1.
Assumendo anche qui, per esempio, un = 1/3 devessere A = 3. Quindi per un dato valore
RPTC della resistenza del PTC a temperatura ambiente, devessere Ro = 2RPTC ;
analogamente nel circuito che impiega un NTC devessere R1 = RNTC / 2.
90
Un altro semplice schema di oscillatore a ponte di Wien riportato in figura 10.4. Qui il
controllo automatico di guadagno fornito
dalla caratteristica non-lineare dei diodi che
R1
Ro
Rf
Vout
Figura 10.4
10.3. Sfasatore
Uno sfasatore un filtro passa-tutto, cio un circuito che produce uno sfasamento tra
segnale di ingresso e segnale di uscita senza variare lampiezza del segnale.
Anche i filtri passivi RC o LC producono uno sfasamento, ma in questo caso anche
lampiezza in uscita dipende necessariamente dalla frequenza, e il modulo della funzione
di trasferimento sempre inferiore allunit: |T(j)| < 1. Usando invece un AO possibile
eliminare la dipendenza dellampiezza dalla frequenza, e ottenere |T(j)| = 1, ad esempio
con gli schemi riportati in figura 10.5.
Ro
Ro
Vin
C
Ro
Vout
Vin
R
a)
Ro
Vout
b)
Figura 10.5
Il circuito a) genera un anticipo di fase ed il circuito b) un ritardo: essi si ottengono luno
allaltro invertendo le posizioni di R e C.
91
Esaminando il caso generale di figura
10.6, Vout si ottiene come sovrapposizione
del segnale Vin amplificato 1 (invertente)
e della frazione Z2/(Z1+Z2)Vin amplificata
Ro
Ro
Vin
Z1
+2 (non-invertente).
La funzione di trasferimento :
Vout
Z2
Z 2 Z1
1 jRC
T(j) =
=
= ej2,
Z1 + Z 2
1 + jRC
Figura 10.6
R'o
Ro
1
+
R
R1
R
R
R1 '
C2
V1
V2
3
+
C2 '
V3
Figura 10.7
Lanello chiuso da un doppio sfasatore (OA2 e OA3). Se le due RC degli sfasatori
danno uno sfasamento totale pari a ad una frequenza 0, il circuito auto-oscilla a 0,
perch linvertente sfasa ancora di .
92
Nel caso particolare che sia R1' = R1, e C2' = C2, si ottengono tre uscite: rispetto al segnale
in 1 il segnale in 2 in quadratura e quello in 3 in opposizione di fase. In parallelo a Ro'
opportuno mettere un limitatore per stabilizzare lampiezza, ed una piccola capacit nel
caso
si
osservi
auto-oscillazione
ad
alta
frequenza.
10.5. Sfasatore a /2
R1
Esso
non
altro
che
Vin
C1
R2
un
Vout
C2
amplificatore-integratore.
Tenendo conto ora che il guadagno per il
Figura 10.8
1 1 + sR 1C1
,
sR 1C1 1 + sR 2 C 2
che per R1C1 = R2C2 = RC si semplifica in T(s) = 1/(sRC). Questo circuito quindi un
integratore non-invertente il cui segnale alluscita in ritardo di = / 2 rispetto
allingresso, con una ampiezza inversamente proporzionale ad : |T(j)| = 1/(RC).
pu
essere
analizzato
C'
C1
che
soddisfa
la
R1
R'
1
R
VF
Figura 10.9
+
C
2
VQ
93
Una lieve differenza tra le costanti di tempo RC e R'C', rende instabile loscillatore, ma un
limitatore dampiezza in parallelo a C1 e un piccolo aggiustamento della resistenza R'
permette tuttavia una oscillazione stabile.
C'
V2
C"
V1
R'
Ro
Rf
Vo
Figura 10.10
Lanalisi del circuito pu essere fatta considerando i segnali Vo e V1, per i quali valgono
le relazioni Vo = A(s)V1 e V1 = (s)Vo, ove A(s)= sRoC il guadagno del derivatore
attivo38 e (s) il fattore di retroazione del filtro passa-alto. Trascuriamo per il momento il
circuito limitatore in serie a Ro.
Per calcolare la funzione di trasferimento (s) la si pu considerare come prodotto delle
due funzioni di trasferimento T1 = V2/Vo e T2 = V1/V2.
T2 la funzione di trasferimento di un partitore39 tra C' e Z2, ove Z2 il parallelo di R' e
C". Si ha quindi T2 = sR'C' / [1 + sR'(C' + C")]. Se poniamo C = C' = C" e R = R', si ha pi
semplicemente T2 = sRC / (1 + 2sRC).
T1 calcolata per il partitore tra C e Z1, ove Z1 limpedenza costituita dal parallelo di R
con C' in serie a Z2; con capacit e resistenze uguali essa si riduce semplicemente a
T1 = sRC(1+2sRC)/(1+4sRC+3s2R2C2).
La condizione di oscillazione si ha per A = 1, cio per 1+4sRC+3s2R2C2 = s2R2RoC3.
Questa condizione soddisfatta per Ro = [4RCj(13/2R2C2)]/3R2C3, ove si posto
s = j, quando si annulla la parte immaginaria, ovvero per 02 = 1/3R2C2.
In conclusione loscillazione si ha per Ro = 12R e 0 = 1/(RC 3 ). In pratica conviene
porre la resistenza di reazione Ro nellAO leggermente superiore a 12 R per innescare
loscillazione e limitare lampiezza mediante due diodi contrapposti e collegati in
38
39
Si veda 5.2.
Si noti che l'ingresso non-invertente a massa virtuale.
94
parallelo ad una frazione di Ro come in figura 10.10. In alternativa il limitatore pu
essere un ramo con doppio zener in serie ad una resistenza R >> Ro posto in parallelo a
Ro40.
+1
R2
VQ
VT
Figura 10.11
Supponiamo che luscita VQ sia a +Vcc: allora luscita VT dellintegratore invertente AO2
cala linearmente nel tempo, a partire dal valore iniziale VT(0): VT(t) = VT(0) Vcct/RC.
Poich Vx = VTR2/(R1+R2)+VQR1/(R1+R2), il comparatore commuta quando Vx = 0, cio
per VT = VQR1/R2. Affinch lintegratore non saturi devessere R2 > R1. A questo punto
VQ = Vcc e luscita dellintegratore inverte la pendenza: VT(t) = VccR1/R2+ Vcct/RC.
Il valore di VT a cui il comparatore scatta di nuovo (VT = VccR1/R2) fornisce il
semiperiodo dellonda triangolare T/2 = 2RC(R1/R2). Lampiezza dellonda triangolare
2VccR1 / R2, e la frequenza di oscillazione f = 1/T = (R2/R1)/4RC.
La tensione di offset allingresso del comparatore produce uno spostamento dallo zero del
valor medio dellonda triangolare, mentre loffset allingresso dellintegratore produce
una dissimmetria dellonda quadra.
Un circuito migliorato che consente di correggere gli effetti delloffset quello di figura
10.12, in cui si anche stabilizzata lampiezza dellonda quadra, rendendola insensibile a
variazioni dellalimentazione (Vz<Vcc), e si evidenziato il controllo di frequenza (RF) e
40
Il guadagno elevato richiesto all'AO in questo schema impone una certa attenzione nella scelta dei componenti: per alte frequenze, superiori al centinaio di Hz, il calo di Ad con la frequenza pu richiedere una
resistenza Ro>>12R.
95
di ampiezza (RG). Il potenziometro RT corregge lo zero di VT e RQ la simmetria di VQ.
R1
V1
RG
R2
RF
VQ
V2
Ro
VT
Vz
+Vcc RQ V cc
+Vcc RT V cc
Figura 10.12
La frequenza cresce al calare di RF e lampiezza cresce al calare di RG.
Posto K = (R2+RG)/(R1+R2+RG) si pu facilmente vedere che lampiezza picco-picco
dellonda triangolare vale VTpp = 2Vz(1/K1), con valor medio pari a V1/K, ove V1 la
tensione fornita allingresso invertente di AO1.
La frequenza ora f = [1 (V2 / Vz)2] / 4 [(1 /K 1) (R + RF) C], ove ove V2 la tensione
fornita allingresso non-invertente di AO2, che per V1 = V2 = 0 e RG = RF = 0 si riduce a
f = (R2 / R1) / 4RC.
R2
R1
VR
Ro
R
Vx
Ro
VT
V+
R
V
R
VQ
C
Figura 10.13
Lanalisi dellintegratore non immediata, e pu essere fatta come segue. Innanzitutto
osserviamo che OA2 pu essere visto dallingresso non invertente come un amplificatore
con guadagno 2, con in pi una reazione positiva.
Per il principio di sovrapposizione possiamo separare i contributi alla tensione Vx dovuti a
96
VQ e alla reazione VT: Vx1 = VQ(R || Zc) / (R + R || Zc), e Vx2 = VT(R || Zc) / (R + R || Zc)
Quindi VT = 2(Vx1 + Vx2) = 2(VQ + VT) / (2 + sRC), relazione che ci permette di scrivere la
funzione di trasferimento di OA2: T(s) = VT/VQ = 2/sRC. Questa ci dice che abbiamo a
che fare con un integratore non-invertente e quindi VT(t) = VT(0) + (2/RC) VQ dt .
Ora supponiamo che il comparatore sia scattato da Vcc a +Vcc al tempo t = 0, allora si ha
VT(0) = VR = VccR2 / (R1 + R2). A questo punto VT cresce linearmente nel tempo con la
legge: VT(t) = Vcc[2 t / RC R2 / (R1 + R2)].
La successiva commutazione avviene quando, dopo un semiperiodo T/2, VT(t) raggiunge
la soglia positiva, e si pu allora scrivere: VT(T/2) = VR+ = +VccR2 / (R1 + R2). Si ricava
cos il periodo T = 2RCR2 / (R1 + R2), che diventa T = RC per R1 = R2.
VQ1
VT1
VQ1
VT1
C
VQ2
VT2
VQ2
Figura 10.14
VT2
97
un
convertitore
Figura 10.15
98
V1(T2) = V3(T2)R1/R2. Esplicitando V1(T2) e V3(T2) si ottiene infine T2 2R3CR1/R2
e, nelle ipotesi fatte che sia R3 << R e Vi < Vcc, risulta T2 << T1.
Il periodo del segnale alluscita V1 quindi T = T1+T2 T1, e la frequenza vale f = 1/T
ViR2/(2VccRCR1), ed quindi proporzionale a Vi. Se si tiene conto anche del contributo
di I+ si ottiene una approssimazione al secondo ordine: f k1(Vi/Vcc) + k2(Vi/Vcc)2, con
k1 = 2R2/(2RCR1) e k2/k1 = R3/R << 1.
Vi
Vi
+
C
Vz
D1
a)
D2
C1
b)
Vo
Figura 10.16
Supponiamo per semplicit che il segnale di ingresso sia unonda quadra41 di frequenza f
ed ampiezza picco-picco costante Vi.
Per un segnale Vi qualsiasi, si pu interporre tra la sorgente e il convertitore uno
squadratore, realizzato ad esempio mediante un comparatore come in figura 10.16a: in tal
caso non sono pi importanti n la forma n lampiezza del segnale, che viene trasformato
in un segnale squadrato con ampiezza picco-picco costante Vi = 2Vz, ove Vz (<Vcc) la
tensione degli zener, contrapposti e in serie.
Per ogni fronte di salita del segnale squadrato una carica q = CVi viene iniettata attraverso
il diodo D2 dal condensatore C allingresso dellintegratore invertente, e la stessa carica
viene riaccumulata in C attraverso D1 per ogni fronte di discesa. Conviene proteggere il
diodo D2 mettendogli in serie una opportuna resistenza che limiti la corrente durante il
41
Esso potrebbe essere tuttavia un qualsiasi segnale ad impulsi squadrati di ampiezza costante, purch la
durata degli impulsi e la distanza tra due impulsi successivi o siano sufficientemente lunghe da
rendere trascurabile la costante di tempo RiC, ove Ri la resistenza interna della sorgente di segnale
(RiC<<,o).
99
fronte di salita.
Ora, se RC1 >> T, ove T = 1/f il periodo di ripetizione degli impulsi, la tensione Vo in
uscita controllata dalla corrente media i = q/T = CVi f, e si ha infine Vo = Ri = RCVi f.
Se si usato lo squadratore, ovviamente si ha Vo = Ri = 2RCVz f. Per avere uscita
positiva basta invertire le polarit dei due diodi.
100
carica elettrica, dipende dalla corrente I e dalla banda passante: IRMS= 2q I B 104
IB (A) . Il rumore flicker va come 1/f, ed quindi rilevante solo a bassa frequenza,
42
Una bella trattazione sintetica dei vari tipi di rumore elettrico si pu trovare in Electronics for the
Physicist, C.G.Delaney, capitolo11. Qui ricordiamo solo che il rumore termico pu essere pensato come
originato dal moto browniano degli elettroni, il rumore shot come dovuto alla natura quantizzata della
carica ed alla fluttuazione statistica del numero di cariche che fluiscono nell'unit di tempo per una data
corrente media, mentre il rumore flicker prodotto da cause molteplici.
43 Una tecnica molto usata per la modulazione di un segnale d.c. quella di "affettarlo" (chop), cio di
farlo passare attraverso un interruttore che si apre e si chiude periodicamente con la frequenza del
segnale di riferimento: ad esempio se il segnale un raggio di luce, lo si fa passare attraverso un chopper
costituito da un disco forato che, ruotando a velocit costante, alterna periodi di luce e di buio.
101
consistono nella risposta di un sistema ad una eccitazione, VR sar il segnale di
eccitazione.
importante sottolineare subito che il segnale prodotto dal lock-in una tensione
continua proporzionale allampiezza del segnale a.c. da rivelare. Si vedr che, perch il
dispositivo possa funzionare, la frequenza di lavoro 0 deve essere superiore alla
frequenza di taglio 1/RC del filtro passa-basso, mentre la eventuale modulazione
dell'ampiezza del segnale da rivelare dev'essere a frequenza m << 1/RC << 0. Pi
precisamente: il periodo del segnale da rivelare (2 /0) devessere molto minore del
tempo ( RC) impiegato dallo strumento per filtrare il segnale, che devessere a sua volta
minore del tempo (2 /m) impiegato dal segnale per cambiare sensibilmente la propria
ampiezza.
Figura 11.1
Per illustrarne il principio di funzionamento supponiamo che il segnale da rivelare sia
sinusoidale puro con frequenza angolare 0: VS = VS0 cos 0t . A questo sovrapposto un
rumore composto di varie frequenze con spettro VN(). Il segnale in ingresso quindi
VI () = VS (0) + VN (), ed il segnale di riferimento sincrono VR = VR0 cos (0t +),
ove lo sfasamento tra riferimento e segnale da rivelare.
Alluscita del moltiplicatore si ha un segnale, VM(i), che pu essere pensato, usando il
principio di sovrapposizione e la propriet distributiva della moltiplicazione, come somma
dei contributi dovuti alle singole componenti sinusoidali a frequenza i in ingresso:
VM(i) = kVI (i)VR(0) = k
VI 0 VR 0
{cos[(i+0)t + ] + cos[(i0)t ]}.
2
Ove k una costante con le dimensioni dellinverso di una tensione. Ogni componente
VM(i) d quindi in uscita dal moltiplicatore un segnale composto di un termine a
frequenza somma ed uno a frequenza differenza.
102
In particolare per la componente a frequenza 0 si ha:
VM(0) =
VI 0 VR 0
{cos[20t + ] + cos[]}.
2
punto
di
vista
del
rapporto
un
amplificatore
selettivo
cui
larghezza
inversamente
Il fattore di merito Q = 0/ pu
raggiungere valori anche molto elevati,
103
mescolato al rumore VN, lo sfasatore , il moltiplicatore e il filtro passa-basso.
m
VS
VS ( m )+ VN ( 0 )
RC
VN
VR
VR cos( 0 t )
VM
V0 ( m )
m<<1/RC << 0
VR cos( 0 t + )
Figura 11.3
3
5
e quindi alluscita del moltiplicatore (per semplicit si pone ora = 0) si ottiene per ogni
VR(0) =
1
2
VR0VI0 [cos(0+i)t + cos(0i)t cos(30+i)t
1
1
cos(30i)t + cos(50+i)t +... ]
3
5
104
Figura 11.4
Il riferimento ad onda quadra introduce quindi altre finestre di rumore rispetto al
riferimento sinusoidale puro. Tuttavia pi facile controllare la stabilit di ampiezza in
unonda quadra che in una sinusoide e soprattutto pi facile realizzare un moltiplicatore
usando come segnale di riferimento un'onda quadra.
Qui pertanto non si prenderanno in
VS
V0
C
VR
Figura 11.5
semiperiodo
del
segnale
di
44
45
Per una trattazione breve dei moltiplicatori analogici si vedano i riferimenti citati in 8.4.
Per qualche cenno sul funzionamento del transistor ad effetto di campo (FET), si veda appendice A.6,
per gli interruttori analogici si veda 13.3.
105
VS
Ro
R1
Ro
V0
VR
Figura 11.6
Nel caso di interruttori CMOS, RON dellordine di frazioni di k ed ROFF di molti
M. La resistenza R1 deve essere tale che valgano le disuguaglianze: RON << R1 << ROFF.
Infatti46, tenendo conto delle caratteristiche dellinterruttore analogico reale, il guadagno
vale, a seconda che linterruttore sia chiuso o aperto: G = 2RON / (R1 + RON) 1 oppure
G+ = 2ROFF/(R1+ROFF) 1. L'errore introdotto da R1 viene eliminato se al posto di un solo
interruttore analogico se ne impiegano due in serie, come indicato in figura 11.7.
VRA
VS
VR
VRA
V+
V+
VS
Ro
Ro
V0
VRB
V+
VS
VRB
a)
b)
VR
Figura 11.7
Qui i due interruttori (a), comandati in controfase da un doppio comparatore, equivalgono
ad un deviatore (b).
Il moltiplicatore pi integratore a singolo canale pu essere sostituito da un doppio
deviatore e da un amplificatore differenziale passa-basso come in figura 11.8.
In questo schema linterruttore quadruplo agisce da invertitore, commutando tra loro i due
ingressi del differenziale ad ogni semiperiodo Questa configurazione risulta utile in
particolare quando il segnale da rivelare non riferito a massa; in tal caso si amplificher
il segnale differenziale: VS1VS2.
46
106
VS
VR
VS1
R
+
VRA
VRB
C
V0
+
R
VS2
Figura 11.8
Un altro schema che impiega un singolo deviatore illustrato in figura 11.9, ove
lamplificatore differenziale legge la differenza tra le tensioni continue, uguali ed opposte,
alluscita dei due filtri RC.
Ciascun filtro integra una semi-onda del segnale da rivelare e, se il differenziale
bilanciato, l'offset di VS scompare nella differenza. Le due resistenze R possono essere
sostituite da una singola resistenza posta tra la sorgente di segnale e gli interruttori, purch
sia RON C >> s, ove s il tempo di commutazione degli interruttori. In tale
configurazione infatti le due capacit, connesse direttamente attraverso i due interruttori in
serie si scaricano parzialmente durante una frazione di s con conseguente attenuazione
del segnale differenziale.
R
VR
VS
(R)
Vo
Figura 11.9
107
VR
VS
Co
R
Ro
C
Figura 11.10
Diversamente dallo schema precedente, qui lamplificatore connesso alluscita del filtro
sincrono tramite un filtro passa-alto, con frequenza di taglio (1/RoCo) << 0, che provvede
a tagliare l'offset. Il segnale in uscita Vo quindi unonda quadra di ampiezza piccopicco
pari a 2Vm. Loffset di questo amplificatore meno importante dato che l'informazione su
Vs ora contenuta in un segnale a.c. anzich in una tensione continua come nel caso del
lock-in.
108
47
109
presente all'uscita di un qualsiasi dispositivo nello stato logico basso deve essere sempre
inferiore alla tensione minima riconosciuta all'ingresso come livello basso.
Un diagramma con i valori limite delle tensioni di soglia per ingressi e uscite nei TTL e
nei CMOS, per Vdd = 12 V, riportato in figura 12.1
Figura 12.1
Se la tensione del segnale in ingresso cade nell'intervallo di valori contrassegnato con un
punto interrogativo il dispositivo pu riconoscere il segnale sia come livello alto che
basso, e la risposta indeterminata. Entro questo intervallo si trova la zona lineare, per
cui, se la tensione di ingresso si trova in zona lineare ed sovrapposta ad un piccolo
rumore, la risposta pu anche essere una oscillazione casuale tra livello alto e basso. Nelle
porte CMOS una buona approssimazione assumere per le soglie di ingresso un unico
valore, simmetrico rispetto alle tensioni di alimentazione.
Ogni circuito digitale pu essere scomposto in costituenti elementari detti porte logiche
(gate). Le porte fondamentali sono di tre tipi: NOT (inverter), AND e OR, i cui simboli e
definizioni operative sono riportati in figura 12.2.
A
B
NOT
AX
0 1 X=A
1 0
A
B
AND
A
0
0
1
1
B
0
1
0
1
X
0
0 X=A B
0
1
OR
A
0
0
1
1
B
0
1
0
1
X
0
1 X=A+B
1
1
Figura 12.2
Il comportamento di una porta completamente definito dalla associata tabella di verit
(truth table), che d il valore logico delluscita X per fissati valori degli ingressi A e B. Se
luscita X definita come risultato di A AND B, che si scrive anche X = AB, ci
significa che X alto solo se sono alti contemporaneamente sia A che B. Viceversa se X =
A OR B, che si scrive anche X = A+B, ci significa che X alto ogni volta che alto A e
ogni volta che alto B. Una barra sopra il simbolo di una variabile logica indica la sua
110
A
B
X
NAND
A B X
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
X=A B
X
NOR
A B X
0 0 1
0 1 0 X=A+B
1 0 0
1 1 0
Figura 12.3
Usando le tabelle di verit facile vedere come un NAND pu essere costruito con due
inverter collegati agli ingressi di un OR, e un NOR con due inverter collegati agli ingressi
di un AND. Queste equivalenze, illustrate in figura 12.4, costituiscono i due teoremi di De
Morgan.
A
B
equivale a
X
B
X=A B
cio
A
B
A B =A+B
X=A+B
A
equivale a
X
B
X=A+B
X=A B
cio A + B = A B
Figura 12.4
111
Figura 12.5
Da una porta NAND con i due ingressi cortocircuitati, o con un ingresso alto, si ottiene un
inverter, quindi con due NAND si pu ottenere un AND, con tre un OR, con quattro un
NOR e con sei un EXCLUSIVE-OR, come mostrato in figura 12.6, ove per semplicit si
sono indicati con inverter le porte NOT costruite con NAND ad ingressi cortocircuitati.
+V
X
A
A
A
B
X
B
AND
X=A B
X = A NOT
X=A B
OR
A
A
X
X
B
X=A B
X=A+B
EXCLUSIVE OR
NOR
Figura 12.6
Si vede quindi che ogni circuito logico pu essere descritto come una composizione di
sole porte NAND. Tuttavia facile vedere come una analoga scomposizione pu essere
anche fatta in termini di porte NOR, come in figura 12.7.
A
A
A
B
X
X
X A
X
X=A+B
OR
X = A NOT A
X = A + B AND
X
X = A + B NAND
Figura 12.7
112
Lanalisi di circuiti logici pu essere notevolmente semplificata usando alcune identit
riportate in tabella 12.1.
AA =0
A +A =1
A + B = A B
A B C = A (B C)
AA =A
A +A =A
AB = A +B
A + B + C = A + (B + C)
A 1 = A
A +1 =1
A +AB= A
A + B C = (A + B) (A + C)
A0 =0
A +0 =A
A +A B= A+ B
A (B + C) = (A B) + (A C)
Tabella 12.1
Le configurazioni interne tipiche di un inverter TTL, con gli equivalenti schemi logici,
sono rappresentate nelle figure 12.8
Figura 12.8
In a) riportata la configurazione standard per linverter detta Totem-pole, equivalente a
connettere l'uscita a un deviatore tra V+ e massa comandato dall'ingresso, ed in b) quella a
collettore aperto, equivalente a connettere l'uscita ad un interruttore verso massa, che
richiede una resistenza esterna (pull-up resistor) verso +5 V. La prima configurazione
esclude la possibilit di connettere tra loro le uscite di pi porte, infatti due inverter di
questo tipo con uscita in comune, e gli ingressi uno alto e laltro basso, cortocircuitano a
massa lalimentazione attraverso due transistor accesi in serie. Ci non accade con la
configurazione a collettore aperto, che invece pu essere utilmente impiegata per costruire
porte logiche a pi ingressi: N inverter di questo tipo con uscita in comune costituiscono
un NOR ad N ingressi. Lo svantaggio che il pull-up resistor al posto del transistor
mancante alluscita, riduce la velocit del dispositivo.
Gli ingressi TTL se lasciati fluttuanti si portano a livello alto, se posti a massa (livello
basso) iniettano a massa una corrente di circa 1.6 mA, se posti a livello alto estraggono
una corrente trascurabile (0.04 mA). La potenza erogabile alluscita di un TTL
sufficiente a pilotare almeno 10 porte (si dice che ha un fan-out di 10), con una corrente
massima erogata verso massa, quando luscita alta, di circa 0.4 mA, ed una corrente
113
massima assorbita da +5 V, quando luscita bassa, di circa 16 mA.
Le porte CMOS invece non richiedono corrente di polarizzazione agli ingressi. Tuttavia,
dato che sono suscettibili di danneggiamento per effetto della carica elettrica statica,
bene che gli ingressi non usati vengano collegati a massa o alla alimentazione positiva. Le
porte TTL sono pi veloci, ma consumano di pi che le porte CMOS. Vi sono diverse
famiglie di TTL, tutte individuate dalla cifra 74 o 54 allinizio della sigla. La famiglia 54
estende lintervallo utile per la temperatura di lavoro da 0 oC +70 oC a 55 oC +125 oC.
Una sigla letterale (H, L, S, LS) tra le cifre 74 o 54 e le cifre xx che identificano il
dispositivo, caratterizza la velocit, ovvero il tempo di propagazione del segnale, e la
potenza dissipata da ogni singola porta nel dispositivo.
Vi sono infine famiglie di CMOS (74HCxx, 74HCTxx) i cui componenti sono
equivalenti, per funzione e piedinatura, ai corrispondenti TTL, e che offrono i vantaggi
dei normali CMOS ed inoltre possono erogare, o assorbire, una corrente di carico
dell'ordine di 20 mA per porta. Questa famiglia comprende anche dispositivi equivalenti
alle normali porte CMOS (74HCT40xx=74HC40xx=40xx), ma con uno stadio di potenza
all'uscita e, nel caso degli HCT, uno stadio TTL in ingresso.
sigla
tipo
74xx
74Hxx
74Lxx
74Sxx
74LSxx
74HCTxx
74HCxx
40xx
TTL-Normale
TTL-High Speed
TTL-Low Power
TTL-Schottky
TTL-Low Power Schottky
CMOS (TTL input)
CMOS (TTL pin compatible)
CMOS
t (ns)
Vcc (V)
potenza (mW)
10
6
33
3
10
10
10
100
5
5
5
5
5
2-6
2-6
3-18
10
22
1
19
2
.001
.001
<.001
Q
Q
SET
RESET
RESET
SET
Figura 12.9
114
Le uscite Q e Q sono stati stabili che vengono commutati chiudendo temporaneamente gli
interruttori. Chiudendo S si ha Q = 1, chiudendo R si ha Q = 0.
Questo circuito ha memoria, cio commuta chiudendo R (o S) solo se in precedenza
stato chiuso S (o R). Le resistenze di protezione servono a proteggere gli inverter nel caso
si chiudano contemporaneamente R ed S; in questo caso infatti Q = Q = 1.
Un altro modo di realizzare un RS flip-flop indicato in figura 12.10, ove si utilizzano
rispettivamente due NAND o due NOR, ed un commutatore connesso a massa o a +V,
rispettivamente.
La commutazione pu essere realizzata, anzich con un commutatore manuale, con un
impulso, di livello basso nella versione NAND, e livello alto nella versione NOR. Se
limpulso viene fornito tramite un condensatore, si parla di commutazione a fronte di
salita o fronte di discesa (edge triggering) anzich di commutazione a livello logico (level
triggering).
La durata dellimpulso di comando in questo caso non ha importanza, ad esempio un
impulso di RESET pu essere lanciato anche prima che sia terminato limpulso di SET.
Q
Q
+V
RESET
SET
S Q
R Q
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
Q
?
1
0
Q
RESET
SET
+V
S Q
R Q
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
Q
Q
0
1
?
Figura 12.10
In terza colonna della tabella di verit il punto interrogativo indica che il dispositivo in
uno stato proibito (disallowed), nel senso che entrambe le uscite sono nello stesso stato
(Q= Q ). Infatti luscita di un NAND con un ingresso basso sempre alta, e luscita di un
NOR con un ingresso alto sempre bassa, indipendentemente dallaltro ingresso. Il
simbolo Q in quarta riga, terza colonna, indica che lo stato non commuta: entrambi gli
stati, tra loro complementari, sono possibili alluscita.
Lo stato rappresentato in figura 12.10 quello definito in riga 3 per le porte NAND e in
riga 2 per le porte NOR. Il simbolo grafico accanto alle tavole di verit indica che Q = 1
per S = 0 nel primo schema e Q = 1 per S = 1 nel secondo schema.
115
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
Q
Q
0
1
?
S Q
CLK
R Q
Figura 12.11
Quando il CLOCK abilitato le due porte comandate da S e R diventano due inverter,
quando invece il CLOCK disabilitato luscita delle porte S ed R 1. Le altre due porte
NAND sono pertanto configurate come il primo flip-flop RS di figura 12.10.
Lo stato disallowed per S = R = 1, perch allora Q = Q = 1. Sostituendo le quattro
porte NAND con quattro NOR si ottiene lo stesso dispositivo, ma con il CLOCK abilitato
a livello 0 ed il ruolo invertito per S e R: lo stato proibito ora per S = R = 0.
Un limite di questo dispositivo il seguente. Lintervallo di tempo durante il quale il
valore logico in R e S sentito dal flip-flop quello durante il quale attivo limpulso di
CLOCK, e quindi pi di un cambiamento di stato pu avvenire durante un singolo
impulso di sincronismo.
Una configurazione che evita commutazioni multiple durante il tempo in cui il dispositivo
abilitato quella detta master-slave, riportata in figura 12.12. Qui due sezioni identiche
di flip-flop sincrono sono poste in serie, ed il comando di CLOCK viene fornito alle due
sezioni in controfase mediante un inverter.
S
Q
MASTER
R
S Q
C
R Q
SLAVE
Q
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
Q
Q
0
1
?
CLOCK
Figura 12.12
Il primo flip-flop acquisisce i valori logici imposti da R ed S durante il tempo in cui
116
CLOCK alto e il suo stato viene trasferito al secondo flip-flop quando il CLOCK passa a
livello basso. Anche se pi di un segnale set o reset viene fornito a questo dispositivo
durante limpulso di clock, tuttavia luscita registra solo lultimo stato degli ingressi prima
del fronte di discesa dellimpulso di clock. Anche qui resta uno stato proibito per R = S =
1, infatti entrambe le uscite del primo flip-flop in questo caso sono 1.
Se si connette R ad S mediante un inverter, come in figura 12.13, si ottiene il flip-flop tipo
D, ove la sigla D deriva da data delay perch, come si vedr, esso trasferisce con ritardo
alluscita il dato in ingresso.
D
Q
MASTER
SLAVE
Q
C
D Q
0 0
1 1
Q
CLOCK
Figura 12.13
In questo dispositivo spariscono la prima e lultima riga della tabella di verit del masterslave. Lanalisi la stessa del circuito precedente in cui si pone D = S = R .
Questo circuito trasferisce alluscita Q il valore logico dellingresso D. Negli schemi di
figura 12.12 e 12.13 il dispositivo scatta alla transizione del livello di CLOCK da alto a
basso, e quindi vengono detti sincronizzati col fronte di discesa (negative-edge
triggering). Usando porte NOR vale lopposto (positive-edge triggering).
Se luscita Q viene connessa allingresso D in un flip-flop tipo D, si ottiene un divisore
per due che come ingresso ha il CLOCK e due uscite tra loro in controfase che
commutano ad ogni impulso di clock (figura 12.14).
Q
D Q
C
Figura 12.14
Diversi (n) circuiti di questo tipo messi in cascata, con luscita di ciascuno usata come
clock per il successivo, forniscono un divisore per 2n, cio la frequenza di commutazione
viene divisa per due ad ogni stadio.
E' interessante notare che l'uscita in questo caso sempre un'onda quadra, a prescindere
117
dal duty cycle dell'impulso di comando48.
Un ultimo schema molto importante quello del flip-flop J-K, che pu essere ottenuto ad
esempio connettendo due porte AND e un flip-flop SR sincrono, ad esempio master-slave,
come in figura 12.15.
J
C
K
J Q
C
K Q
Q
Q
J
0
0
1
1
K
0
1
0
1
Q
Q
0
1
Q
Figura 12.15
Se J o K sono 1 le porte AND trasmettono ad S e R i valori logici di Q e Q, se sono 0
trasmettono ad S ed R il valore logico 0. In questo modo S e R non possono mai assumere contemporaneamente il valore logico 1, e si elimina cos lo stato proibito. La
quarta riga della tabella di figura 12.15 discende dalla seconda e terza della tabella di
figura 12.11. Un flip-flop J-K equivale ad un divisore per due quando si pongano J
e K entrambi a livello alto, ed equivale ad uno tipo D se si connette J a K mediante un
inverter.
Se J e K vengono connessi direttamente si ottiene un flip-flop tipo T, (dal termine toggle
= commutare): lingresso di comando, ingresso T, quando alto fa commutare luscita al
segnale di CLOCK, quando basso la lascia immutata. In figura 12.16 riportato un
esempio di segnali di clock, toggle e l'uscita Q corrispondente.
T
C
J Q
C
K Q
C
T
Q
Figura 12.16
Nella famiglia 74xx, il 7473 e il 7476 sono dual J-K flip-flop, e il 7474 un dual D-type
flip-flop, mentre nella famiglia CMOS il 4013 un dual D-type, il 4027 un dual J-K e i
4043 e 4044 sono RS flip-flop, rispettivamente di tipo NOR e di tipo NAND (fig. 12.10).
Gli integrati 7476 e 7474 sono dotati anche di ingresso SET che, se posto a livello basso,
porta luscita Q a livello alto, e di un ingresso CLEAR che nello stesso modo porta Q a
livello basso; SET e CLEAR vanno normalmente tenuti a livello alto: se entrambi sono
48
Il duty cycle di un segnale digitale il rapporto tra il tempo durante il quale il segnale a livello logico
118
0 ne risulta uno stato proibito. Il 7473 ha solo ingresso CLEAR. Anche i 4027,4043 e
4044 sono dotati di SET e CLEAR.
2
C1
R1
A
+V
1
B
Figura 12.17
un qualsiasi impulso positivo. Esso pu essere anche applicato attraverso un derivatore 49.
Il meccanismo di funzionamento il seguente: per la polarizzazione a livello alto
dellingresso B della porta 2, luscita normalmente a livello basso. Entrambi gli ingressi
della porta 1 sono a livello basso e quindi luscita della porta 1 normalmente a livello
alto. Quando arriva il segnale di comando luscita della porta 1 commuta a 0 e fa
scattare a 1 luscita della porta 2. A questo istante la capacit C scarica e la tensione V
cade tutta ai capi di R. Poi la capacit comincia a caricarsi e quando la tensione
allingresso B2 raggiunge la soglia VTH, luscita riscatta a 0.
La durata dellimpulso RC ln [V/(VVTH)], ove V la tensione di alimentazione e VTL
la tensione di soglia bassa. I diodi in figura proteggono gli ingressi delle porte dalle
sovratensioni introdotte dai due filtri passa-alto. La durata dellimpulso di comando e la
costante di tempo R1C1 non sono importanti: se la tensione in B1 scende a livello basso
prima di quella in B2, luscita della porta 1 non commuta perch lingresso A1
comandato dalluscita della porta 2.
In tal modo si pu anche usare un segnale di comando non TTL(0V,+5V), ad esempio un segnale tra -5V
e 0V, o tra -2V e +2V ..., basta che l'ampiezza del fronte di salita sia maggiore di 3V.
119
Uno schema analogo al precedente, ma
A
2
+V B
R
R1
1
B
C1
anche
un
comando
di
A
B
1
R
Figura 12.19
Il fronte di salita fa commutare a livello alto l'uscita della porta 1 (inverter), e luscita
della porta 2 (A2 = B2 = 1) a livello basso. Luscita resta bassa il tempo necessario a che
la tensione in B2 scenda sotto la soglia di commutazione. La tensione in B2 decade
esponenzialmente con la legge VB2(t) = V et/RC, se V la tensione di livello alto e 0 V
quella di livello basso. Poich la commutazione avviene per VB2(T) = VTL, si ottiene
T = RC ln (V/VTL).
I circuiti one-shot fin qui illustrati servono a esemplificare il funzionamento essenziale di
questi dispositivi, e talvolta risultano utili anche a livello pratico quando si voglia
minimizzare lingombro o il consumo.
In generale tuttavia consigliabile far uso di monostabili preconfezionati disponibili come
singolo circuito integrato, ad esempio 74121, 74122, 74123, 9602, 8853, 4538, che
offrono la possibilit di scegliere il fronte positivo o quello negativo per il comando,
l'uscita Q oppure Q e richiedono solo di connettere una R e una C per determinare la
durata dell'impulso.
120
Figura 12.20
Ri
Vi
Vo
a)
Vi
VT
Ro
Vo
b)
Figura 12.21
Anche un normale buffer, che una porta non-invertente equivalente a due inverter in
serie, pu essere trasformato in un trigger di Schmitt mediante un partitore resistivo
connesso in reazione positiva come in figura 12.21b, ove Ri<Ro/2.
Consideriamo per semplicit un buffer CMOS alimentato tra VSS = 0 V e VDD = 5 V, con
soglia a VDD /2. Supponiamo ora che l'uscita sia bassa (Vo 0 V) e vediamo per quale
50
Ad esempio nella famiglia TTL: 7414 = hex inverter, e nella famiglia CMOS: 4584 = hex inverter, 4093
= quad NAND.
51 Si veda ad esempio 9.2.
52 Si veda ad esempio 9.2.
121
valore della tensione di ingresso VTH l'uscita commuta, partendo da Vi = 0. La tensione
VT data da Vi ripartita su Ri e Ro: VT = Vi Ro /(Ri + Ro). La soglia di commutazione
superiore per Vi quindi VTH = (1 + Ri /Ro)VDD /2.
La soglia inferiore VTL si ottiene supponendo Vo = VDD, applicando il principio di
sovrapposizione per calcolare VT , ed imponendo infine che sia VT = VDD/2 quando Vi,
che scende a partire da VDD, raggiunge VTL. Poich VT = Vi Ro /(Ri + Ro) + Vo Ri /(Ri +
Ro), si ricava VTL= (1 Ri /Ro)VDD /2.
L'ampiezza dell'isteresi vale quindi V = VTHVTL= VDD Ri /Ro, che pu essere aggiustata
variando Ri oppure Ro.
1
VC
VA
2
R
C
VB
VC
T1
T2
V
VTH
VTL
t
Figura 12.22
Un altro schema di impulsatore astabile che utilizza due inverter mostrato in figura
12.22: il funzionamento pu essere schematizzato come segue. Supponiamo di usare porte
con soglie distinte e alimentate tra 0 e V. Sia all'inizio l'interruttore chiuso: si ha
VC = VB = 0, VA = V e la capacit scarica. Appena si apre l'interruttore la capacit
comincia a caricarsi e VC, sale verso V. Quando raggiunge la tensione di soglia alta VTH,
luscita della porta 1 commuta a livello basso e quella della porta 2 a livello alto.
La situazione ora rovesciata, con VA = 0 e VC = VTH + V. La corrente attraverso la
resistenza cambia segno, la capacit comincia a caricarsi in verso opposto e
VC = (VTH + V) exp(t/RC) scende verso la tensione di soglia bassa VTL finch fa
ricommutare il sistema dopo il tempo T1 = RC ln [(VTH + V)/VTL]. A questo punto VA = V
e VC = VTL V, la corrente si inverte di nuovo e la tensione all'ingresso dell'inverter 1 sale
con la legge VC = V +(VTL 2V) exp(t/RC). Quando raggiunge la soglia alta, dopo il
tempo T2 = RC ln [(2V VTL)/(V VTH)], il ciclo si ripete.
Questo circuito offre il vantaggio di due uscite in controfase, ma il segnale generato un
onda quadra solo se le soglie di commutazione sono simmetriche rispetto alle
alimentazioni: VTL = V, VTH =VV, e ci in generale vero per i CMOS ma non per i
TTL.
122
Per svincolare il duty cycle del multivibratore
dai valori delle tensioni di soglia, si possono
Q
1
R1
R2
C
Figura 12.23
R2 quando Q basso.
Un ultimo schema, utile per generare alte frequenze (fino a qualche decina di MHz, dato
che il tempo di trasmissione del segnale attraverso la porta varia da qualche ns a decine
di ns), mostrato in figura 12.24, per 2n+1 inverter, con n 1.
1
2n
2n+1
(2n+1)
Fig. 12.24
Qui i primi 2n inverter possono essere visti come lanalogo del circuito di ritardo RC dello
schema 12.20. Va detto che questo tipo di oscillatore non particolarmente stabile in
frequenza, perch il tempo di commutazione dipende fortemente dalla temperatura e dalla
tensione di alimentazione.
2n
2n+1
2n
2n+1
B
A
B
A
Figura 12.25
La durata dellimpulso T = (2n+1). Il meccanismo di funzionamento per lo schema con
AND il seguente: a riposo i due ingressi sono complementari per effetto della catena di
inverter: A = basso, B = alto. Appena arriva limpulso di comando lingresso A cambia
stato facendo commutare la porta. Dopo un ritardo T anche lingresso B cambia stato e si
ha una nuova commutazione e la fine dellimpulso in uscita (A = 1, B = 0) . A questo
punto lingresso A pu tornare nello stato iniziale senza commutazione (A = 0, B = 0),
123
seguito dallingresso B (A = 0, B = 1). Lunica condizione che la durata To
dell'impulso di comando sia maggiore della durata dell'impulso di uscita (To > T).
Per lo schema con la porta OR il ragionamento analogo, solo che limpulso, questa volta
negativo, viene comandato dal fronte di discesa anzich di salita. Usando porte NAND o
NOR si ottengono ovviamente all'uscita impulsi negati.
Vo
R
(a)
Vi
Vi
Vo
R
C
T
Vi
Vo
Vo
T
Ti
(b)
Ti
Figura 12.26
Nel circuito di figura 12.26a il fronte di discesa all'uscita ritardato, rispetto al fronte di
salita all'ingresso, di T = RC ln [V/(VVTH)] . Nel circuito di figura 12.26b il fronte di
salita all'uscita ritardato di T = RC ln (V/VTL) rispetto al fronte di discesa all'ingresso.
In entrambi i casi deve essere T < Ti, ove Ti la durata dell'impulso di comando.
Due circuiti di questo tipo in serie, con la stessa RC e con soglie simmetriche,
riproducono all'uscita l'impulso in ingresso, ma ritardato del tempo T. Lo stesso risultato
si ottiene usando una porta AND e una NOR oppure una NAND e una OR.
Gli schemi di figura 12.25 differiscono sostanzialmente da quelli di figura 12.26 solo per
l'interposizione di un inverter tra il segnale di comando ed uno degli ingressi: facile
vedere che aggiungendo un inverter in uno dei due rami di ingresso degli schemi di figura
12.26 si ottiene ancora un monostabile che genera un impulso la cui durata controllata
da RC.
124
R
Tensione di
controllo
5
6
Soglia
2Vcc /3
C1
Uscita
Flip
Flop
Vcc /3
Innesco
Scarica
C2
S
+V cc
Reset
T2
T1
Figura 13.1
La condizione di riposo con la tensione al terminale 2 (innesco) superore a 1/3Vcc, il
transistor T1 acceso, la capacit C scarica, ed entrambi i comparatori hanno uscita a
massa. Quando il terminale di innesco (trigger) viene momentaneamente portato a valori
di tensione inferiori a 1/3Vcc, il comparatore C2 scatta, e alluscita si genera un impulso di
125
durata regolata dalla costante di tempo RC. La durata dellimpulso determinata dal
tempo necessario affinch la tensione ai capi del condensatore raggiunga, per effetto della
corrente attraverso R, la tensione 2/3Vcc. A questo punto il comparatore C1 commuta, e il
circuito si riporta allo stato iniziale.
Luscita Q del Flip-Flop, normalmente a livello alto, che si era portata a livello basso per
effetto della commutazione di C2 (segnale S di set), si riporta a livello alto quando
commuta anche C1 (segnale R di reset). Il transistor T1 comandato dal segnale Q : esso
si spegne quando Q va basso (SET), e si riaccende quando Q torna alto (RESET),
cortocircuitando nuovamente il condensatore.
Luscita del timer pu essere forzata a zero in ogni momento portando a livello basso il
terminale di reset, accendendo cos T2 che a sua volta accende T1.
il 555
53.
Lo schema
+V cc
Control V
Threshold 6
le tensioni +7 V 7 V o 0 V 15 V.
Output
Reset
555
Trigger 2
basso54.
Discharge 7
1
Vcc
Figura 13.2
53
Questo tipo di dispositivo stato prodotto per la prima volta nel 1972 dalla Signetics con la sigla NE555.
Lo stesso circuito attualmente prodotto sotto diverse sigle da numerose altre ditte (Exar XR555,
Motorola MC1455, National LM555, Raytheon RM555, RCA CA555, Texas SN7255). Esso esiste
anche in versione duale (due timer nello stesso integrato) con sigla finale 556.
54 Nella versione CMOS (Intersil 7555 e 7556) l'uscita pu raggiungere i valori +V e V .
cc
cc
126
Il piedino 5 (Control Voltage) connesso allingresso invertente del comparatore C1.
Quando questo terminale non viene usato in modo attivo dalla configurazione scelta per il
timer, esso viene di solito connesso alla alimentazione inferiore tramite una capacit, per
garantire una maggiore insensibilit a eventuali rumori elettrici del valore di tensione
corrispondente alla soglia di commutazione di C1. La tensione in 5 in questo caso vale
Vcv = 2/3Vcc
Il piedino 2 (Trigger) fa commutare C2 quando la tensione ad esso applicata attraversa,
passando da valori superiori a valori inferiori, il valore 1/3Vcc, oppure il valore 1/2Vcv
qualora al piedino 5 sia applicata una tensione di controllo diversa da 2/3Vcc. Per operare
correttamente il terminale di trigger devessere attraversato da una corrente di
polarizzazione minima, pari a 0.5 A, il che pone un limite al massimo valore delle
resistenze ad esso collegate. La durata minima dellimpulso di trigger di 1 s.
Il piedino 6 (Threshold) analogo al 2, ma agisce sul comparatore C1: esso connesso allingresso non-invertente di C1 e quindi la tensione ad esso applicata provoca la commutazione quando attraversa, passando da valori inferiori a valori superiori, il valore 2/3Vcc,
oppure 1/2Vcv. Qui la corrente minima di polarizzazione di solo 0.1 A.
Il piedino 4 (reset) serve ad accendere il transistor T1, e a portare bassa luscita. Per
questo il terminale di reset deve essere portato ad una tensione inferiore a +0.7 V rispetto
al terminale 1, e la corrente minima da assorbire di 100 A; questi valori sono
indipendenti dal valore di Vcc.
Il piedino 7 (Discharge) il collettore aperto di un transistor npn (T1) che agisce da
interruttore. Linterruttore chiuso quando T1 acceso e aperto quando T1 spento.
Linterruttore non ideale: quando T1 acceso tra collettore ed emettitore resta una d.d.p.
di circa 0.1 V, e quando spento passa una debole corrente di perdita di circa 0.02 A.
127
Poich il Flip-Flop del tipo
RS
55,
+V cc
commutato
il
sistema
R1
Ci
fornito
alla
capacit
di
R2
+V cc
6 Threshold
VT
4
Reset
Vc
Output
555
Trigger
Control 5
Voltage
Discharge
Cv
V cc
serve a polarizzare VT in
modo che sia VT > 1/3Vcc in
Figura 13.3
condizioni di riposo: R2 pu essere omessa se l'ampiezza del fronte di discesa del segnale
di trigger supera Vcc.
Ad esempio con R1 = R2 = Ri = 10 k, si ha VT(0) = 1/2Vcc, e una costante di tempo del
derivatore allingresso pari a RiCi / 2. Con unampiezza dellimpulso di trigger pari a
1/ V ,
3 cc
il tempo per cui VT < 1/3Vcc pari a * = RiCi ln (2) / 2. Si visto che devessere
55
56
128
+V cc
R1
4
Reset
Vs 6
Threshold
R2
+V cc
Output
2Vcc /3
555
2
VT
7
Trigger
+V cc
Control 5
Voltage
Output
V cc
Discharge
V cc
VT
Vcc /3
Cv
T2 T1
Figura 13.4
Nella prima fase la dipendenza dal tempo di VT, e di Vs, :
VT(t) = 2/3Vccexp(t/R2C),
che fornisce per la durata T1 di uscita bassa: T1 = R2C ln2 0.693 R2C.
Nella seconda fase la dipendenza dal tempo di Vs e VT :
VT(t) = 1/3Vcc + 2/3Vcc{1 exp [t/(R1 + R2)C]},
che fornisce per la durata T2 di uscita alta T2 = (R1 + R2) C ln 2 0.693 (R1 + R2)C.
Il rapporto T2 / T1 1 + R1 / R2, ove non pu mai essere R1 = 0: il limite inferiore di R1
posto infatti dalla corrente massima, im = Vcc/R1 100 mA, che pu essere sopportata dal
transistor T1. Quindi il segnale alluscita non pu mai essere unonda rigorosamente
quadra. In pratica tuttavia si pu porre R2 / R1 = 100, ottenendo un segnale che approssima
unonda quadra, con una asimmetria dell1%.
Un modo di rendere indipendente la durata di T2 da quella di T1 porre un diodo in
parallelo a R2 come indicato in figura 13.4.
In questo modo si ha VT(t) = 1/3Vcc + (2/3Vcc 0.6V){1 exp (t/R1 C)}, dato che si deve
tener conto della tensione di polarizzazione diretta del diodo durante il tempo di carica del
condensatore. Con Vcc = 15 V si ottiene T2 0.76 R1 C.
129
La resistenza R1 potrebbe essere omessa in un circuito ideale, o se si usa un timer tipo
CMOS: va invece usata con i normali timer TTL per consentire alla tensione di uscita,
quando nello stato alto, di raggiungere il valore +Vcc, anzich il valore +Vcc 1.7 V.
In questo modo si simmetrizza londa quadra, il cui semiperiodo T/2 = RC ln 2.
Il terminale di scarica pu essere usato come indicato in figura per ottenere unuscita
ausiliaria (uscita 2) in fase con luscita 1.
+V cc
4
Reset
Vs 6
Threshold
R1
R
RL
Uscita 2
VT
2
7
+V cc
Output
555
Trigger
Control 5
Voltage
Discharge
V cc
Uscita 1
Cv
Figura 13.5
Luscita 2 pu essere connessa, tramite la resistenza di carico RL, ad una qualsiasi
tensione compresa tra Vcc e 15 V Vcc, e quindi si pu scegliere a piacere lampiezza
dellonda quadra: in figura 13.5 si connessa RL a +Vcc, duplicando cos luscita 1.
Si noti che il carico connesso alluscita 2 non influenza le correnti di carica e scarica del
condensatore, diversamente da quanto avviene per un carico connesso alluscita 1.
57
130
comando : si ha f = Vi / Vcco.
Vcc
Ro
Vi
C
R*
6
7
VT
Co
C
Vo
3
555
Cv
Figura 13.6
Per analizzare il circuito supponiamo che ad un certo istante t* sia VT(t*) > Vcc / 3, e che
l'uscita del timer sia Vo = 0: allora l'uscita dell'integratore cala linearmente nel tempo:
VT(t) = VT(t*) Vi(t t*) / RC, raggiungendo ad un certo istante il valore Vcc / 3. A questo
punto, che assumeremo come t = 0, parte l'impulso e si ha Vo = Vcc. L'integratore
differenziale d allora all'uscita una tensione che cresce (Vi < Vcc) linearmente nel tempo
con la legge: VT(t) = VT(0) + (Vo Vi)t / RC = Vcc/3 + (Vcc Vi)t / RC.
Dopo il tempo o, istante in cui si ha VT(o) = Vcc/3 + (Vcc Vi)o/RC, cessa l'impulso e
VT torna a scendere verso Vcc / 3, raggiungendo nuovamente tale valore al tempo T,
chiudendo il ciclo. In questa fase vale la VT(t) = VT(o) Vi(t o)/RC, per cui scrivendo
l'equazione VT(T) = Vcc / 3 si ottiene T = Vcco / Vi, ovvero f = 1/T = Vi / 1.1RoCoVcc.
A prima vista sembrerebbe che il valore della costante di integrazione = RC non sia
importante, in quanto non compare nella relazione che esprime la frequenza, tuttavia
bisogna tener presente che , assieme al valore del rapporto Vi / Vcc, determina
la
pendenza dei fronti di salita e discesa del segnale VT e la sua ampiezza, e quindi il valore
di non del tutto arbitrario.
Il valor massimo del segnale VT, che un'onda triangolare per Vi = Vcc / 2,
Vp = Vcc / 3 + (Vcc Vi)o / , e deve essere Vp < 2Vcc / 3 perch l'impulso non termini
anzitempo, e quindi nel caso pi sfavorevole (Vi 0) si ottiene la condizione limite
> 3o.
131
Vo
Vi
R1
Vz=2.75V
R2
Vo
R1
TL431
Vz=1.2V
Vo=Vz (1+R1/R 2)
a)
R2
LM385
Vo=Vz (1+R2/R 1)
b)
Figura 13.7
Gli zener programmabili sono dispositivi a tre terminali che vanno connessi come in
figura 13.7a, o 13.7b, a seconda del modello. Il terminale di controllo Vc serve a
58
132
controllare, mediante il partitore R1, R2 la tensione di zener in uscita Vo che data dalla
relazione Vo = Vz(1 + R1/R2) oppure Vo = Vz(1 + R2 / R1) a seconda del del dispositivo in
questione. Se il partitore viene omesso, il dispositivo si comporta come uno zener
normale.
I generatori di tensione fissa a tre terminali (figura 13.8a) possono essere positivi o
negativi, cio fornire una tensione fissa in uscita Vo, al variare della tensione in ingresso
Vi entro un ampio intervallo, da Vi Vo a Vi 10 Vo. Questi dispositivi hanno per lo pi
una corrente di polarizzazione di qualche mA, possono erogare al carico una corrente
massima Io che pu arrivare a 3 A, e la tensione Vo ha un coefficiente di temperatura di
10 30 ppm /oC. Valori tipici della tensione in uscita sono +2.5 V (AD580, AD1403),
+5 V (LM123/223/323, LM109/209/309, AD581), e 5 V (LM145/245/345).
Vi sono dei modelli di potenza inferiore forniti in versioni con diverse tensioni Vo
(generalmente 5, 6, 8, 10, 12, 15, 18, 24 V): LM140/240xx, LM341xx, A78Mxx, LM78xx
per tensioni positive, e LM120/220/320xx, LM79xx, A79Mxx per tensioni negative, ove
nella sigla le cifre xx indicano il valore di Vo. Ad esempio: A79M05 per 5 V, LM22018
per +18 V.
Figura 13.8
Sempre a tre terminali vi sono poi i generatori di tensione regolabili mediante un partitore
esterno, che permettono di fissare Vo, generalmente nellintervallo 1.25 V Vi 2 V. Lo
schema da usare indicato in figura 13.8b. Nel partitore la resistenza R2 pu arrivare fino
a zero, valore per cui si ha |Vo| minima. La massima tensione allingresso generalmente
35 V, ma vi sono anche modelli con Vi = 60 V. Le caratteristiche di stabilit, potenza e
polarizzazione sono simili a quelle dei modelli a tensione fissa, e anche qui sono
disponibili regolatori per tensioni positive (LM150/250/350, LM/317/TL317) e per
tensioni negative (LM237/337).
59
133
Vi sono anche generatori di tensione regolabili a quattro terminali, del tutto simili a quelli
a tre terminali, ma con uno schema circuitale diverso, con R1 e R2 che si scambiano di
ruolo, come indicato in figura 13.8c, e qui per R1 = 0 che si ha |Vo| minima. Ad esempio
il tipo A78G ha Vz = +5 V, e A79G ha Vz = 2.2 V.
Esistono poi generatori di tensione a molti terminali che possono essere usati in svariati
modi, e che qui non illustriamo per brevit.
60
13.9.
60
CD4016 prodotto dalla RCA , o 74MM4016 della National, o i 4066 con Ron 90 .
134
Esso un dispositivo attivo e va alimentato con una tensione V = VDD VSS) compresa
tra +3 V e +20 V e tutti i terminali, compresi quelli di comando, non possono essere
portati a tensioni inferiori a VSS 0.5 V o superiori a VDD+ 0.5 V. La corrente massima
10 mA.
Figura 13.9
Valore tipico della resistenza tra i terminali ad interruttore chiuso Ron = 300 , e la
corrente di perdita ad interruttore aperto dellordine di frazioni di nA.
Altri interruttori analogici pi sofisticati, sempre quadrupli bilaterali e a componenti
CMOS, sono i modelli 201 e 20261 . Lo schema funzionale riportato nelle figure 13.10a
e 13.10b rispettivamente. Il primo tipo ha i 4 interruttori normalmente chiusi, quando il
segnale di comando a tensione inferiore alla soglia, mentre il secondo tipo ha gli
interruttori normalmente aperti.
Questi integrati hanno una
alimentazione
simmetrica
duale,
riferita
135
61
DG201 della Siliconix, o equivalenti SW201 della Precision Monolitics e LF11201 della National, ed il
DG202, o equivalenti SW202 e LF11202.
136
interfacciamento, in tre grandi categorie: sensori resistivi, sensori a diodo e termocoppie.
Vediamone le caratteristiche essenziali, vantaggi e svantaggi.
62
137
R7
R1
Ip ri
R2
R3
P2
R6
P1
xR5
Rx
Vo
Vz
rv
R5
R5
Vx
R4
ri
R8
rv
R8
R6
R7
R8
VT
R8
Vo
Figura 14.1
Uno schema semplice per una configurazione a quattro terminali quello riportato in
figura 14.1, ove il primo operazionale stabilizza la tensione di riferimento63 Vo =
Vz(1 + R2/R3) e il secondo stabilizza la corrente di polarizzazione64 Ip = Vo/R4. La
tensione Vx = RxIp ai capi del termometro letta dal differenziale ad alta impedenza di
ingresso65 che, nella configurazione riportata in figura, ha il guadagno variabile G(x) =
(1 + 2/x)R7/R6.
Il fattore di scala per la conversione temperatura/tensione V(T) aggiustato variando il
rapporto x tra il valore della resistenza del potenziometro P1 e quello delle resistenze R5.
Lo zero della scala viene invece fissato mediante il potenziometro P2 che sottrae al
segnale in uscita dal differenziale una frazione del segnale di riferimento:
V(T) = G(x)Vx Vo. In questo modo si pu aggiustare G e cos da leggere la
temperatura direttamente in gradi kelvin, o centigradi, o differenze di temperatura rispetto
ad un valore prefissato.
Nello schema sono messe in evidenza le resistenze ri,v dei 4 fili che connettono il
termometro al circuito di polarizzazione e lettura: poich il differenziale ad alta
impedenza, attraverso i due terminali di lettura passa una corrente trascurabile che rende
trascurabile lerrore introdotto dalle resistenze rv.
Il circuito di figura 14.1 con polarizzazione in corrente continua non permette di
distinguere tra variazioni della Rx , dovute a variazioni di temperatura, e offset degli
operazionali nello stadio di amplificazione. Questo inconveniente si pu eliminare
sostituendo la tensione di riferimento Vo con una tensione alternata stabilizzata: in tal
63
138
caso il valore della temperatura misurato dallampiezza della tensione a.c. alluscita.
Un altro modo di misurare Rx quello per confronto con resistenze calibrate mediante il
sistema a ponte, esemplificato in figura 14.2 con polarizzazione a.c. prodotta da un
oscillatore sinusoidale 66.
2R
R
Rx
R
R2
Ip
V1
V
V2
C
C
R
R1
R3
Figura 14.2
Qui, anzich misurare una tensione ed una corrente, si cerca la condizione di
bilanciamento del ponte che verificata per Rx/R1 = R2/R3. Sia ad esempio R2 = R3 e sia
R1 una cassetta di resistenze calibrate: la misura consiste allora nel variare il valore di R1
finch la tensione V = GV, letta da un amplificatore differenziale con guadagno G, sia
zero. Si avr allora Rx = R1. Il valore della corrente Ip non modifica la condizione di
bilanciamento, ma solo il valore del segnale di sbilanciamento residuo: se R2 = R3 = R e
R1 = Rx(1+) = kR, ove k una costante arbitraria e = (R1 Rx) / Rx descrive lo
sbilanciamento residuo, il segnale residuo V in uscita dal ponte misura lo sbilanciamento
mediante la relazione V = RIp(/2) / (2+). Le tensioni V1 e V2 sonoinfatti ricavabili
come partizioni di V : V2=VR1 / (R1+Rx), e V1=VR2 / (R2 + R3), e V = V2V1.
La risposta del ponte lineare in ,( e quindi in Rx, ) solo per piccolissimi sbilanciamenti
(<<1). In tal caso il valore della temperatura misurato dalla resistenza di bilanciamento
Questo tipo di interfacciamento spesso usato con sensori fortemente non lineari, utili
quando la linearit della risposta del sistema di misura diventa inessenziale, o di elevato
valore ohmico, per cui non pi necessario tener conto della resistenza dei cavi, quali gli
RTD a semiconduttore.
I sensori a germanio e termistori NTC hanno una dipendenza esponenziale della
66
139
resistenza dalla temperatura R(T) = Roexp(B/T), dovuta alla creazione termica di coppie
di cariche in un semiconduttore. Da ci deriva la grande sensibilit e la notevole nonlinearit ( = R/RT = B/T2). Un vantaggio dei sensori a semiconduttore la possibilit
di scegliere il valore ohmico a temperatura ambiente in un intervallo vastissimo, senza
dover aumentare sensibilmente le dimensioni del sensore.
Una tecnica frequentemente usata per linearizzare in un piccolo intervallo la risposta di un
ponte, che impiega un termistore in uno dei due rami, quella di scegliere la resistenza in
serie (R in figura 14.3) in modo che la risposta coincida con landamento lineare in tre
temperature: i due estremi dellintervallo di misura T1 e T2, e nel punto medio Tm.
Ci sempre possibile perch la risposta
V
VT2
RT
R
V2
V2
VTm
VT1
T
T1
Tm
Figura 14.3
T2
R T e V2 0 , mentre per T si
ha R T 0 e V2 V .
Si pu quindi scegliere un valore per R
tale che sia V2(T2) V2(Tm) = V2(Tm) V2(T1). Risolvendo rispetto a R si ottiene per la
resistenza ottimale da usare: R = (RT1RTm + RT2RTm 2RT1RT2) / (RT1 + RT1 2RTm), che
quindi determinata una volta noti i valori di RTi alle tre temperature T1, T2 e Tm.
67
140
Vo = Eg/q la tensione estrapolata a 0 kelvin e la pendenza che dipende
logaritmicamente da Id, e cala al crescere di Id. I vantaggi offerti da questo termometro
sono essenzialmente la buona linearit e la elevata sensibilit, dell'ordine di 2 mV/K.
Uno svantaggio la necessit di usare una polarizzazione a corrente costante:
Id 1 100 A. Diversamente che per i sensori resistivi, qui la misura va fatta con la
stessa corrente usata per la calibrazione, e non si pu ovviamente usare una corrente
alternata.
Uno schema adeguato per luso di questo
sensore quello di figura 14.1. in cui il diodo
R0
+V
P2
P1
R1
Id
R
R1
Vout
R0
Figura 14.4
141
14.1.3. La termocoppia
La termocoppia sfrutta la dipendenza dalla temperatura della forza elettromotrice ai capi
di una giunzione tra metalli diversi (effetto Seebeck). Questa forza elettromotrice VTC
funzione crescente di T, ed quasi lineare in prossimit della temperatura ambiente, con
un coefficiente VTC/T dellordine di qualche decina di V/K.
I vantaggi essenziali sono: 1) prontezza, dovuta alla piccola massa; 2) facilit di
accoppiamento termico, purch si usino fili sufficientemente sottili e lunghi; 3) esteso
intervallo di lavoro, da 10 K a 1000 K; 4) basso costo; 5) non richiede polarizzazione68.
Svantaggi: non-linearit e scarsa sensibilit. La sensibilit dipende dai materiali usati nei
vari tipi di termocoppia. I tipi principali sono J: (Ferro+, Costantana), K: (Cromel+,
Alumel). La Costantana una lega 60%Cu-40%Ni (anche 55%Cu-45%Ni), il Cromel
90%Ni-10%Cr, e lAlumel 95% Ni-2%Mn-2%Al-1%Co.
Tx
Tx
2
3
VTC
1
3
a)
Ta
3
m
VTC
To
1
b)
Ta
di tre VTC.
Con riferimento alla figura 14.5a, detti 1, 2, 3 i metalli costituenti rispettivamente i due fili
68
Per una misura accurata, non solo il sensore, ma anche i cavi necessari per la sua polarizzazione e per la
lettura del segnale vanno ancorati termicamente al campione, ossia all'oggetto di cui si vuole misurare la
temperatura, per evitare che si crei un gradiente tra sensore e campione, con conseguente errore di
misura difficilmente calcolabile. Lancoraggio va fatto per compressione, mediante viti o molle, contro
la parete del campione, o meglio per incollaggio mediante resine con buona conducibilit termica. Una
differenza di temperatura tra sensore e campione pu essere originata, nei termometri a resistenza o a
diodo, dalla potenza dissipata nel sensore stesso per effetto di eccessiva corrente di polarizzazione. Tale
inconveniente non si presenta nella termocoppia.
142
della termocoppia ed i terminali del voltmetro, ed indicata con
ab
VTC
(Tx) la forza
23
31
21
12
Poich VTC (Ta) + VTC
(Ta) = VTC
Ta) = VTC
(Ta), si ottiene in definitiva la relazione
m
12
12
12
VTC
= VTC
(Tx) VTC
(Ta). Quindi una volta nota la funzione VTC
(T) per ogni valore di
12
T, basta conoscere Ta e misurare VTC
(Tx) per ottenere Tx .
Per non dover tener conto delleffetto della temperatura ambiente si usa spesso una
giunzione di riferimento mantenuta ad una temperatura fissa e nota To, ad esempio 0 oC,
cos da poter chiudere il circuito sul voltmetro a Ta con fili dello stesso metallo (1-2-1, in
figura 14.5b).
m
12
12
In questo modo il valore di Ta non modifica la tensione misurata VTC
= VTC
(Tx) VTC
(To), che quella data nelle tabelle per ogni tipo di termocoppia, purch le giunzioni
terminali
temperatura
di
compensazione
circuito
per
di
un
amplificatore di segnale di
143
nellingresso invertente di A1: facile dimostrare che V5 viene trasferita alluscita con
guadagno unitario69. La tensione V5 la sovrapposizione del segnale V6 e del segnale
IcRp prodotto dalla corrente calibrata Ic, funzione della temperatura Ta, generata
dallintegrato IC (del tipo AD590, AD592). Il valore di Rp devessere tale da produrre una
variazione V5/T tale da correggere la Vo/T, provocata dal segnale V2 della giunzione
a temperatura ambiente. Con G = 200 e con una sensibilit dellIC pari a Ic/T = 1 A/K e
V5/T = 10 mV/K, quindi Rp = 10 k. La resistenza Rz deve polarizzare adeguatamente
lo zener per stabilizzare la tensione Vz, della quale il potenziometro P preleva la frazione
V6, che deve essere 2.73 V se si sceglie di azzerare luscita a 0 oC.
La descrizione dettagliata di questo circuito giustificata dal fatto che esistono circuiti
integrati (Analog Devices: AD 594 per termocoppie J, AD595 per termocoppie K, e
Linear Technology: LT1025 per entrambe) che contengono in un singolo chip un intero
circuito di interfacciamento come quello di figura 14.5, con in pi una uscita per segnale
TTL che commuta quando si interrompe il circuito di termocoppia.
69
La tensione V5 riportata all'uscita con guadagno unitario, come si pu verificare ripetendo l'analisi
fatta in 4.1, e sostituendo V5 alla tensione 0 ad un estremo della resistenza R"a.
70
I materiali piezoelettrici e piroelettrici sono isolanti in cui il baricentro delle cariche positive differisce
da quello delle cariche negative. Nei piezolelettrici una polarizzazione elettrica associata ad una
deformazione elastica del cristallo e nei piroelettrici associata ad un gradiente termico.
144
film semiconduttori.
+V
A
B
D
A
V
Piste in estensione
Piste in compressione
A
D
V
Piste
P=0
Membrana
P>0
Vista in pianta
Viste di lato
Figura 14.7
71
L'unit di misura della pressione nel sistema internazionale (SI) il pascal (Pa) o newton su metro
quadrato (N/m2). Tuttavia ancora molto usate sono altre unit quali il Torr (pressione esercitata da una
colonna di mercurio alta 1mm), l'atmosfera e il bar (1 atm = 760 Torr = 101.32 kPa; 1 bar = 750 Torr).
145
Nei sensori assoluti una faccia della membrana chiude un piccolo volume evacuato
(pressione di riferimento), mentre nei sensori relativi la pressione di riferimento quella
atmosferica, o pu essere diversa se si misurano differenze di pressioni.
La sensibilit varia da sensore a sensore e dipende debolmente dalla temperatura:
/T 103 K1. Anche loffset dipende da T: Vos/VT 10 4 K1.
Variazioni di sensibilit possono essere compensate correggendo opportunamente la
tensione di polarizzazione.
In figura 14.8, la polarizzazione prelevata da un partitore di tensione formato dalle
resistenze R1 e un termistore a coefficiente di temperatura positivo (KTY 10 della
Siemens), posto in parallelo al sensore di pressione: cos si aumenta la polarizzazione al
crescere di T.
Il guadagno totale dellamplificatore (A1 + A2 + A3) aggiustato tramite il potenziometro
P2, e la tensione di offset azzerata dal potenziometro P1, e la sua dipendenza da T
compensata da un secondo termistore in serie alla resistenza R7 che scala il segnale Vos
allingresso del sommatore invertente A4.
P1
+V
R2
R2
R1
KTY10
Vos
R5
KTY10
A1
R7
R4
1,2,8
KPY10
7
3
5
xR3
P2
R8
A3
R3
R3
GV
R6
R4
A2
A4
R5
VP
R1
V
Figura 14.8
146
Microfono
Altoparlante
V(t)
R
Eo
R
V(t)
C
a)
b)
Eo
C1
V(t)
c)
Figura 14.9
Se tale capacit carica, ad esempio se polarizzata da un generatore di tensione continua
Eo attraverso una resistenza R, ogni spostamento della membrana produce un segnale
elettrico ai capi di C. Osservando lo schema di figura 14.9a, si capisce che questo
trasduttore visto dal generatore come un filtro passa-basso con costante di tempo = RC
e la sua impedenza di uscita ZC || R, se R comprende la resistenza interna del generatore.
Se la membrana viene sollecitata dalle variazioni di pressione associate ad un'onda
acustica il dispositivo si comporta come un microfono (figura 14.9a) per segnali acustici
di frequenza maggiore della frequenza di taglio f > 1/.
Il microfono capacitivo in linea di principio un dispositivo reversibile, infatti se il
generatore, eliminando R, fornisce direttamente alla membrana una tensione alternata
V(t) = Vcos t (figura 14.9b), la forza dovuta al campo elettrico tende ad avvicinare le
armature, e si produce una modulazione della pressione dell'aria adiacente alla membrana.
Si noti per inciso che per effetto dellinduzione le cariche accumulate sulle due armature
sono sempre di segno opposto, cio la forza che agisce sulla membrana proporzionale al
modulo di V(t). Lo spostamento della membrana, e dellaria ad essa adiacente, pertanto
in fase con (V cos t)2, e si sviluppa quindi unonda acustica di frequenza 2t.
Se si vuole produrre un segnale acustico, ovvero un'onda di pressione, proporzionale non
a [V(t)]2, ma a V(t), si pu polarizzare la capacit con una tensione continua Eo > V(t),
cosicch il segnale somma Eo + V(t) non cambia mai di segno (figura 14.9c) e il segnale
acustico riproduce fedelmente l'eccitazione elettrica. Si pu iniettare il segnale attraverso
una capacit C1 >> C: in tal caso la funzione di trasferimento72 jRC1 / [1+jR(C+C1)]
che tende a 1 per >> 1 / RC1.
72
147
cui lunghezza donda sia compresa tra 10 nm (ultravioletto) e 1 mm (infrarosso) (o
alternativamente fotoni con energia compresa tra 100 eV e1 eV). Tuttavia locchio
umano cieco in gran parte di questo intervallo spettrale, e quindi con il termine luce si
intende
comunemente
elettromagnetica
di
la
radiazione
lunghezza
donda
(in
condizioni
di
grande
in
fotometria
come
sensibilit
Quando la lunghezza donda supera = 0.8 m la radiazione viene anche detta luce
infrarossa (IR), o radiazione termica, quando inferiore a = 0.4 m, viene detta luce
ultravioletta (UV). Per ancora inferiori si hanno raggi X e poi raggi gamma, e per
superiori le onde radio. Intenderemo qui per luce la radiazione IR, visibile e UV.
I tre tipi principali di conversione di luce in segnale elettrico sono per trasformazione
dellenergia assorbita in fononi (eccitazioni del reticolo, cio energia termica), per effetto
fotoelettrico interno (creazione di coppie elettrone-lacuna nei semiconduttori) e per effetto
fotoelettrico esterno (emissione di un elettrone dal metallo nel vuoto). In base a questo
criterio si possono quindi distinguere tre grandi categorie di sensori elettro-ottici: i sensori
termici (termopile, cristalli piroelettrici, bolometri resistivi), i sensori a semiconduttore
(fotoresistenze, celle fotovoltaiche, fotodiodi, fototransistor) e i fotomoltiplicatori.
Vari sono anche i trasduttori che trasformano il segnale elettrico in luce: trasduttori
termici, come le lampade ad incandescenza, trasduttori a scarica nei gas, come le lampade
73
I bastoncelli sono recettori della retina che sono molto sensibili alla quantit di luce, ma poco sensibili al
colore (risposta poco piccata in ), mentre i coni sono recettori meno sensibili che per consentono di
distinguere i vari colori.
148
ad arco, a luminescenza e a fluorescenza, e i laser a gas, e infine trasduttori a
semiconduttore, come i LED, e i diodi laser.
Giunzioni illuminate
Giunzioni al buio
Figura 14.11
I sensori piroelettrici sono costruiti con materiali che presentano una polarizzazione
dielettrica spontanea che varia con la temperatura (ad esempio PbTiO3, ZrTiO3, LiTaO3
... o particolari sali organici). Se sulle due facce di un sottile strato di materiale
piroelettrico si depositano elettrodi metallici il dispositivo si pu pensare come un
condensatore le cui armature hanno carica indotta dal dielettrico polarizzato. Quando la
temperatura del sensore varia anche la polarizzazione (e la carica del condensatore) varia,
producendo una debole corrente alternata (dellordine di 10-12 10-10 A) Questa corrente
pu essere convertita in tensione mediante un amplificatore operazionale con elevata
resistenza di retroazione (Ro 2 109 ). L'operazionale deve avere elevata impedenza
d'ingresso in modo da assorbire una minima frazione della corrente generata dal
piroelettrico.
149
Dal punto di vista elettrico un sensore di questo tipopu essere visto o come un generatore
di corrente, in parallelo ad una capacit Cp dellordine di una decina di pF e ad una
resistenza Rp dellordine di 1012 . Lintervallo utile della frequenza di lavoro
10 Hz 10 kHz, con una sensibilit a = I/W 1 A/W.
Ro
A
Rp
PZT
1012
Cp
10 pF
Figura 14.12
Il circuito di amplificazione pu essere allora un amplificatore di corrente come quello di
figura 14.12. La variazione della tensione alluscita per variazione unitaria di
illuminamento allora V = RoI= RoaW. Per ottenere un segnale apprezzabile con
piccoli illuminamenti si dovr ricorrere a valori elevati di Ro, e quindi si dovr porre
anche all'ingresso non-invertente una resistenza elevata (R = Rp || Ro) per limitare l'offset
dovuto alle correnti di polarizzazione, e l'AO dovr essere con ingresso a FET.
I bolometri resistivi sono essenzialmente termometri, a resistenza metallica, termistori...,
con piccola capacit termica e piccolo accoppiamento termico con lambiente esterno, che
misurano il proprio riscaldamento per effetto della energia raggiante assorbita. Il loro
funzionamento analogo a quello descritto in 14.1.1.
74
La lunghezza d'onda di soglia s per l'effetto fotoelettrico interno quella per cui hc/ = h = Eg, ove Eg
il salto energetico che l'elettrone deve fare per passare dalla banda di conduzione alla banda di valenza,
h la costante di Plank, la frequenza della luce e c la velocit della luce.
150
portatori, e lintervallo utile di frequenze di lavoro va da 0 Hz a qualche kHz. La elevata
sensibilit incompatibile con la rapidit di risposta, infatti tanto maggiore tanto pi
tempo ci vuole perch il conduttore torni allequilibrio una volta cessato limpulso
luminoso. Essi necessitano di polarizzazione, che pu essere d.c. oppure a.c. I circuiti per
la rivelazione del segnale sono sostanzialmente quelli adatti anche ai termometri resistivi,
illustrati nelle figure 14.1 e 14.2.
La cella fotovoltaica o fotodiodo una giunzione PN75, cio sostanzialmente un diodo, in
cui il semiconduttore drogato P ha uno spessore sottile, cos da permettere alla luce di
penetrare nello strato di svuotamento: qui le coppie create per effetto fotoelettrico
migrano nel campo elettrico della giunzione e generano in un circuito esterno una
corrente fotovoltaica. Questo sensore non richiede necessariamente polarizzazione, e la
sensibilit anche qui massima a valori prossimi a s. La risposta lineare con lintensit
di luce solo se si misura, anzich il segnale di tensione a circuito aperto, il segnale di
corrente di corto circuito.
Figura 14.13
In figura 14.13 sono riportate le curve caratteristiche di una cella fotovoltaica in
condizioni di buio (curva 1) e in condizioni di illuminamento (curva 2). La curva 1
quella di una normale giunzione p-n, e quella 2 solo spostata a correnti negative di una
quantit proporzionale al flusso di luce incidente. Nel quadrante A la polarizzazione
inversa e il funzionamento quello normalmente detto di fotodiodo. Nel quadrante B la
polarizzazione diretta e il funzionamento quello della cella fotovoltaica usata come
generatore di corrente: Vn e In indicano i valori di tensione e corrente su carico
ottimizzato per massimo rendimento, cio la resistenza che rende massima la potenza
W = VI. Nel quadrante C la polarizzazione eccessiva rispetto alle condizioni di
75
151
illuminamento, cosicch la cella attraversata da corrente diretta anzich inversa. In A e
C la cella dissipa energia (W < 0), in B la produce (W > 0).
I
Ro
Va
I
Ro
Ro
Vd
Rp
I + Ib
d)
V2
Ro
V1
Ro
c)
b)
Vcc Rcc
Ro
R1
Ib
Vb
V2
a)
R1
Ro
V1
Vc
Ro
Vf
Ve
Rp
e)
Rp
f)
Figura 14.14
Si detto che la massima linearit si ottiene con polarizzazione nulla. Si pu allora
impiegare il circuito di figura 14.14a ove nel convertitore corrente-tensione la tensione ai
capi della cella mantenuta a zero dalla resistenza di controreazione Ro. Tuttavia in
questo schema resta l'errore dovuto alle correnti di polarizzazione, che pu diventare
importante per piccoli valori della corrente inversa I: Va = Ro(I + Ib). Per eliminare questa
tensione di offset si pu aggiungere una resistenza all'ingresso non-invertente cone in
figura 14.14b, ove si ha Vb = Ro(I + Ios) in questo caso per il diodo resta, sia pur
debolmente, polarizzato direttamente dalla tensione V1 = V2 = RoI. Questa difficolt si pu
superare usando lo schema di figura 14.14c, purch l'AO abbia un elevato CMRR: in
questo caso infatti si ha V2 = V1 = RoI e Vc = RoI + V2 = 2RoI.
Un circuito alternativo quello riportato in figura 14.14d, ove il segnale prodotto dalla
fotocorrente I ai capi di Rp viene amplificato del fattore 1+ Ro/R1 e, tenendo conto della
corrente di polarizzazione Ib dell'AO, si ricava Vd = Rp(I + Ib)(1 + Ro/R1). Anche in
questo caso tuttavia la polarizzazione diretta del diodo pu essere evitata modificando lo
schema in quello di figura 14.14e, che fornisce il segnale Ve= + Rp(I Ib)(1 + Ro/R1).
Infine il fotodiodo pu essere usato imponendo una polarizzazione inversa, cio con il
catodo positivo rispetto all'anodo, come nel circuito di figura 14.14f. In assenza di luce la
corrente di buio che attraversa la giunzione PN quella dovuta solo alla generazione di
coppie per effetto termico che molto piccola, dellordine di 10 pA /mm2, e cala
152
drasticamente a bassa temperatura. Questa configurazione quindi adatta ad essere usata
come sensore di deboli flussi luminosi. Si tratta tuttavia di un sensore lento perch la
maggior parte dei fotoni assorbiti genera coppie di portatori fuori dallo strato di
svuotamento, e le cariche che producono segnale devono raggiungere lo strato di
svuotamento per diffusione.
h
Nel
SiO
P+
Strato di svuotamento
dello
strato
di
N bulk
N+
+V
PIN76,
fotodiodo
Figura 14.15
campo della giunzione pi rapido che il processo di diffusione, la velocit delle cariche
nello strato di svuotamento pu raggiungere decine di Km/s. Lo spettro ha un picco
centrato nellinfrarosso e la risposta lineare con lintensit della luce incidente in un
ampio intervallo.
Nel fototransistor (NPN) la giunzione illuminata quella base-collettore, che si comporta
come fotodiodo. La corrente inversa di questa giunzione viene iniettata nella zona n
dellemettitore e viene qui amplificata di circa due ordini di grandezza77. Il circuito
equivalente quello di figura 14.16. In questo caso la risposta lineare solo per piccoli
valori dellilluminazione.
c
Schema
Circuito
equivalente
b
e
e
Figura 14.16
76
L'acronimo PIN sta per P-layer/Intrinsic-layer/N-layer, perch tali fotodiodi sono ricavati da silicio molto
puro, detto anche materiale intrinseco.
77 Per una spiegazione qualitativa di questa amplificazione si veda l'appendice A.
153
Vi
Ra
Rd
Rb
Ra
Vo
Rd
Rc
Rb
Vo
Rc
Vi
Figura 15.1
E' immediato vedere come i due schemi si trasformano l'uno nell'altro semplicente
scambiando tra loro gli ingressi dell'AO: ci che cambia, in sostanza, solo il valore delle
frazioni di reazione + (reazione positiva ) e (reazione negativa).
Quindi uno schema del tutto generale pu essere tracciato come in figura 15.2.
Figura 15.2
Applicando a questo schema il solito metodo, si ottiene Vo = AVi + (+ )Vo, ovvero
Vo/Vi = A/[1A],
[15.1]
154
ove = (+) la reazione totale, e un coefficiente che dipende dal particolare
circuito che si considera. Negli schemi di figura 15.1 si ha ad esempio = Ra/(Ra+Rb),
+ = Rd/(Rd+Rc), mentre + = Rc/(Rd+Rc), nel caso del non invertente e = Rb/(Ra+Rb)
nel caso dell'invertente.
Si vede subito che la relazione [15.1], per A , fornisce Vo/Vi = / .
Questo risultato per + = 0 coincide con quello ottenuto con l'analisi fatta nel capitolo 3,
in assenza di reazione positiva.
Se si pone + = , ovvero = 0, cio se per effetto del bilanciamento delle due reazioni la
reazione totale nulla, si torna al caso di operazionale che lavora a circuito aperto, e si
prevede correttamente la divergenza di Vo, quando A .
Per tutti gli altri casi la relazione [15.1] prevede ancora un comportamento lineare, con
Vo/Vi / , per A
[15.2]
Invece, quando + > (cio > 0), la relazione [15.1] non sempre approssimabile con
la [15.2] per A . In altri termini, il principio di sovrapposizione ci pu portare a
previsioni errate in presenza di doppia reazione, se non si adottano le opportune cautele.
Una analisi generale e rigorosa, in questo caso, deve tener conto anche della dipendenza
dalla frequenza di A(s) e (s), che sono in generale funzioni complesse. Questa analisi
generale richiede una trattazione molto lunga e complicata che non prendiamo qui in
considerazione78. Proveremo tuttavia ad analizzare qualche esempio in cui il nostro
semplice metodo fallisce, sperando di capirne, almeno qualitativamente, le ragioni.
Ad esempio se consideriamo l'andamento dell'amplificazione con la frequenza tipico di un
amplificatore operazionale A(s) = Ao/(1 + s/o), e una reazione reale , la [15.1] diventa:
T(s) = Ao/(1 Ao + s/o),
[15.3]
che ha un polo in s = o (Ao 1). L'analisi con la trasformata di Laplace (appendice B.6)
ci dice che se il polo cade sul'asse reale positivo il sistema diverge. Quindi la validit
dell'approssimazione [15.2] limitata dalla condizione Ao < 1, per qualsiasi valore di Ao,
e quindi anche per Ao . Se considerassimo anche reazioni complesse la cosa
diventerebbe piuttosto complicata, e quindi ci fermeremo qui.
Prendiamo ora in esame qualche caso pratico da analizzare in dettaglio. Abbiamo visto ad
esempio in figura 5.3 e 5.4 che si pu utilizzare un AO con doppia reazione per migliorare
155
la stabilit di un generatore di tensione che
impiega un diodo zener. Se si scambiano tra loro
gli ingressi dell'AO in questi due schemi, l'analisi
con il solito modello non cambia sostanzialmente,
e prevede in entrambi i casi ancora una tensione
stabilizzata all'uscita dell'AO.
Vediamo in dettaglio solo il caso dello schema 5.3:
Figura 15.3
78
Il lettore interessato a questo tipo di analisi potrebbe consultare ad esempio Feedback and control system
analysis and synthesis, J.D'Azzo et al.
156
Vz/ l'AO amplifica una negativa facendo calare ancora Vo: l'effetto in ogni caso la
saturazione.
Una situazione analoga si verifica per il generatore di corrente costante di figura 6.4 e per
il filtro passa-banda di figura 8.18. Si lascia al lettore l'esercizio di dimostrare come, in
entrambi i casi, l'analisi consueta (sovrapposizione lineare e approssimazione 1/A 0)
preveda lo stesso comportamento per i circuiti ottenuti da questi invertendo gli ingressi
degli operazionali, circuiti che invece non funzionano affatto come previsto. Al lettore si
suggerisce inoltre di verificare che nello schema 6.4, in presenza di carico, si ha + < , e
che nello schema 8.18, per Ra = Rb e Ca = Cb, si ha + = qualora si ponga
R1 = 2R2 = G*R2 (di conseguenza se G* supera il valore 2 si ha + > , e di nuovo la
reazione totale positiva). Come ultimo esercizio si pu verificare che lo schema di
figura 8.17 analizzabile come NIC anche con ingressi invertiti, e come tale proposto in
qualche testo di elettronica79.
79
157
158
5) Fattore di qualit, o banda passante di rumore.
Oltre a queste misure se ne suggeriscono delle altre, adatte ai casi particolari.
Per luso degli interruttori analogici si veda il capitolo 13.
Per disporre di due segnali sincroni VS e VR, di
cui uno molto piccolo e di ampiezza variabile
(VS) e laltro di ampiezza costante, si pu usare
per VR luscita di un oscillatore sinusoidale e per
VS luscita di un partitore come nella figura
accanto. Il segnale di riferimento VR verr usato
per pilotare gli interruttori analogici tramite
comparatori.
Se due interruttori devono essere azionati in controfase (cio in modo tale che quando uno
chiuso laltro aperto e viceversa) si potr ricorrere a due comparatori che commutano
alla stessa tensione di soglia ma in senso opposto, come nello schema seguente.
Lampiezza dellonda quadra di comando va limitata per evitare di superare le tensioni
limite degli interruttori analogici.
Qui il potenziometro R da1 k serve a a
variare
la
tensione
di
soglia
resistor)
comparatori
necessaria
come
nei
LM311/LF311
159
luscita TTL standard a livello alto non pu erogare pi di 0.4 mA e quindi non in grado
di accendere il LED, che richiede una corrente minima di circa 2 mA.
Si suggerisce di usare come porte logiche gli integrati TTL, o gli equivalenti CMOS, citati
in Appendice D. L'inconveniente della corrente limitata in uscita pu essere evitato
usando i nuovi componenti CMOS tipo 74HCxx e 74HC40xx.
Per il timer 555 i valori estremi da usare per resistenze e capacit di temporizzazione sono
rispettivamente 10 k10M e 100 pF10 F. La durata minima dellimpulso alluscita
dellordine di 10 s.
Per i diodi zener: la serie Philips BZV85CxxVx fornisce Vz a diversi valori (Vz = 2.7, 4.7,
5.1, 5.6, 6.8, 7.5, 8.2, 8.1, 10, 11, 12 ...) fino a 75 V. La sigla terminale xxVx indica
appunto la Vz in volt, ove V sta per il punto decimale. La minima corrente inversa Iz
cresce al calare di Vz, quindi per contenere la dissipazione conviene usare Vz > 7 V. Per
piccole Iz (0.5 mA) ci sono i modelli Texas 1N46781N4700 che vanno da Vz = 1.8 V fino
a 40 V: la tensione cresce con il numero della sigla: 1N4679 = 2.0 V, 1N4680 = 2.2 V etc.
Pi comuni sono i tipi a 5mA: 1N702/3/4/5/6, rispettivamente per Vz = 2.6, 3.5, 4.1, 4.8,
5.8 V. Per ottenere una migliore stabilit in temperatura si potr invece impiegare uno
zener a bandgap, ad esempio la serie LM103XX, o LM199, LM329, LM113, AD589...
(cfr. 13.2).
Per i diodi raddrizzatori: vanno generalmente bene i tipi da segnale (switching diode) o
duso generale (general purpose), come 1N914, 1N4148, o BAR10.
Quando si usa come segnale sorgente la tensione di uscita dell'oscillatore, si tenga
presente l'impedenza di uscita, tipicamente 50 , e la possibilit di una tensione continua
(offset) sommata al segnale; ci pu essere importante specie negli esercizi relativi al
capitolo 8. In generale va bene una tensione dell'ordine di 1 V picco-picco.
Ove si suggerisce di usare l'oscilloscopio in modo X-Y, quasi sempre disponibile nei
moderni oscilloscopi, si intende che uno dei due segnali da visualizzare va fornito
all'amplificatore di controllo della deflessione verticale (canaleY) e l'altro segnale
all'amplificatore di controllo della deflessione orizzontale (canale X).
Dalla figura di Lissajous formata sullo schermo dell'oscilloscopio comandato in modo XY da due segnali sincroni Vx e Vy, facile ricavare lo sfasamento tra i due segnali.
Supponiamo per semplicit che Vx e Vy abbiano uguale ampiezza Vo, condizione che
sempre possibile ottenere variando opportunamente il guadagno degli amplificatori nei
due canali; allora si ha: Vx = Vocos(t) e Vy = Vocos(t + ).
160
E' subito evidente che, se = 0 (o = ), la traccia una retta con inclinazione /4 (o
3/4) rispetto all'asse X, e che, se = /2 (o = 3/2), la traccia un cerchio.
Per valori intermedi la traccia una ellisse il cui asse maggiore giace nel primo e terzo
oppure nel secondo e quarto quadrante, a seconda che sia 0 < < /2 oppure /2 < < . In
questo caso il valore di si ottiene centrando l'ellisse sul reticolo dello schermo
dell'oscilloscopio, e poi misurando il valore y(0) = Y(0) / Vo dell'intercetta della traccia
con l'asse Y, normalizzato a Vo. Il valore di Vo semplicemente il valore massimo di Y
che si valuta facilmente spostando orizzontalmente la traccia.
Si ha = arcsin [Y(0) / Vo]. Infatti, dalle relazioni
Vx/Vo = x = cos t, e Vy/Vo = y = cos(t + ) = cos t cos sin t sin ,
si vede subito che, per x = 0 , sin t = 1 e quindi y(0) = sin . Il grafico che segue rende
la formula pi immediatamente evidente.
Y=X
Vo
Y(0)
Vo
Y(0)
sin = 0
( =0)
Vo
Y=-X
Y(0)
sin = Y(0) / Vo
Vo
0 < sin < 1
16.2
sin = 1
( =/2)
Vo
(=)
161
Si preferito fornire gli esempi pratici in un capitolo a parte, per non appesantire con dati
numerici gli schemi al momento in cui essi vengono analizzati in base a modelli ideali.
Anche se ci richiede al lettore la fatica di ritracciare gli schemi su un quaderno di
laboratorio, se egli vi annoter, accanto ai valori dei componenti usati, i risultati delle
misure, alla fine tale quaderno gli risulter pi utile e ricco di informazioni che questo
stesso libro.
Figure 3.1, 3.2 e 3.3
Guadagno dellinvertente e del non-invertente. Ri =1 k, Ro=110 k, R = 0 , Vi=
010V.
Si misuri Vo per diversi valori di Vi e per i diversi valori di Ro. Si valuti nei vari casi
lampiezza dellintervallo delle tensioni di ingresso che consentono allAO di operare in
zona lineare. Nello schema di figura 3.2 si ponga Ro = 0 , e si verifichi che il circuito si
comporta da inseguitore (figura 3.3).
Figura 3.4 Misure con un amplificatore differenziale
E
Ra
Rd
B
Rb
C
V1
G
V2
Ro1
Ri1
Ri2
Vo
Ro2
Rc
D
Figura 16.1
a) Azzeramento delloffset, con G = 100. (Si trascura il contributo di Ios). Ri1 = Ri2 = 1 k,
Ro1 = Ro2 = 100 k. Si pongano V1 e V2 a massa. Si azzeri loffset agendo su un
potenziometro da 20 k connesso ai piedini 15, come indicato in D.2.1 (o D.2.2 )
finch Vo = 0.
b) Misura di tensione differenza, e bilanciamento, con G = 10. Ri1 = Ri2 = 10 k e
Ro1 = Ro2 = 100 k, scelte accuratamente in modo che siano a due a due uguali.:
resistenze all'1% o eventuale piccolo potenziometro in serie alla pi piccola per
aggiustarne il valore. Si monti un partitore ABCD come indicato in figura 16.1
Ra = Rc = potenziometri da 10 k, Rb = potenziometro da 100 , VA = +15V, VD =
15 V. Si connetta B con V1 e C con V2 e si misuri VC, VB e VC VB e Vo con un tester,
162
per diversi valori di Ra, Rb, Rc. Si scambino tra loro le connessioni di C e B, e si ripeta
la misura.
c) Misura del guadagno differenziale, in a.c., con G = 100. Stessi valori usati al punto b)
per le resistenze, eccetto che per Ri1 = Ri2 = 1 k e Ra = Rc = 10 k. Si ponga D a massa,
si connetta A alluscita E delloscillatore (frequenza 1kHz, Vpp 1V) e ad una traccia
delloscilloscopio, B con V1 e C con V2, e luscita alla seconda traccia
delloscilloscopio. Si misuri Vo con l'oscilloscopio per diversi valori di Rb. Il guadagno
differenziale ottenuto dalla relazione Ad = Vo/(VC VB), ove (VC VB)
VERb/(Ra + Rb + Rc), se si trascura la corrente nei rami Ro1 e Ro2 rispetto a quella nel
ramo Rb.
d) Misura del guadagno di modo comune, e bilanciamento del differenziale in a.c. Stessi
valori usati al punto c) per Ro e Ri. Si usi come partitore di tensione il potenziometro
Rd =10 k. Si connetta E con F e G con V1 e V2. In questa configurazione
Vo = Ad(Vos + Vd) + AcmVcm , con Vd = 0, Vcm = VG, Ad = Ro/Ri. Si noti che Vos una
tensione d.c. mentre VG una tensione a.c. e quindi i due contributi a Vo possono essere
misurati separatamente. Ponendo VG = 0 si pu meglio misurare e azzerare
Vos= VoRi/Ro. A questo punto si pu misurare Acm = (Vo / VG) per diversi valori di VG.
Si ripeta la misura minimizzando Acm, e cio aggiustando le resistenze Ro e Ri come al
punto b).
Figura 3.8
a) Valutazione di Vos. Ri = R = 100 , Ro = 10 k. Vos VoRi/Ro: si trascura l'errore
Vo = RoIos dovuto al contributo dello sbilanciamento della corrente di polarizzazione.
Si misuri Vos con i due tipi di AO (A741 e TL081). Si provi ad azzerare Vo usando un
potenziometro da 20 k connesso ai piedini 1-5, come indicato in D.2.1 e D.2.2
rispettivamente. Si osservi l'effetto di cambiamenti della temperatura su Vos scaldando
l'AO, ad esempio avvicinandogli la punta di un saldatore caldo.
b) Valutazione di Ib2. R = potenziometro da 1 M. Si tolga Ri e si cortocircuiti
Ro (configurazione tipo inseguitore). Vo = V1 = V2 +Vos= RIb2 Se si suppone Vos 0,
per averlo minimizzato precedentemente, si ottiene: Ib2 = Vo/R. Si verifichi che la
tensione in uscita dipende dal valore di R, e quindi dalla corrente Ib1 , misurandola per
diversi valori di R. Si confrontino i risultati per i diversi tipi di AO.
163
c) Valutazione di Ios e Ib1. Ri = R = 10 k, Ro = 1 M. Poich R Ri || Ro, si ha all'uscita
Vo = Vos RoIos RoIos, assumendo di aver azzerato Vos al punto a), quando si era
reso inferiore il contributo di Ios usando Ro cento volte pi piccola. Invece cortocircuitando R a massa si ha Vo = RoIb1, cio Ib1 = Vo / Ro.
Figura 4.1
Ri = Ro = Ra = 100 k in entrambi i rami (ramo ' e ramo "), R = potenziometro da 100 k
in serie a 1 k, cos da avere 0.01 < x < 1.01. Si misuri il guadagno differenziale al variare
del valore della resistenza del potenziometro, usando per il segnale di ingresso il partitore
di figura 16.1 (Ra = Rc = 10 k, Rb = 100 ).
Figura 4.2
AO = TL082,
Tenendo
conto
di
R'
si
dimostri
che
il
guadagno
differenziale
diventa:
Ro/Ri[(x+R'/R)/(1+R'/R)], che varia, con i valori qui suggeriti, tra 5 e 10. Si noti che
piccoli valori di R' riducono il valor massimo che consentito a Vo per mantenere AO2 in
zona lineare. Si misuri il valor massimo di Vo con questi valori.
Figura 4.3
AO = TL082, R1 = 10 k, Ro = R = 100 k, xR = potenziometro da 100 k, R' = 100 k.
Tenendo conto di R' si dimostri che il guadagno differenziale diventa: Ro/Ri(x+R'/R), che
varia, con i valori qui suggeriti, tra 10 e 20. Anche qui piccoli valori di R' riducono il
valor massimo consentito a Vo .
Figura 4.4
R2 = R'2 = R1 = R'1 = 10 k, xR = potenziometro da 100 k. Si noti che il guadagno non
dipende dal valore di R2 e R'2, finch vale la relazione R2 = R'2.
Figura 4.5
Ro = R'o = R1 = R'1 = 10 k, R = potenziometro da 100 k in serie a 10 k. In questo
modo il guadagno differenziale varia all'incirca tra 2 e 40.
Figura 4.6
AO = TL084. Ro = R1 = R2 = R3 = 100 k, R = potenziometro da 100 k in serie a 10 k. Si
noti che il valore di R2 pu essere diverso dal valore di R3: ci che conta ai fini del
164
guadagno differenziale solo la loro somma.
Figura 4.7
Per 1 < G < +1: Ro = R1 = 10 k, R = potenziometro 10 k, R2 = (non inserita).
Per 10 < G < +10: Ro = R1 = 1 k, R = potenziometro 10 k, R2 = 1.11 k.
Figura 5.2
AO generico, con alimentazione tra +15V e 0V. R2 e R1 dellordine di qualche k. R
dipende da Vz e dalla tensione V, che pu essere prelevata da +Vcc tramite un partitore. Si
misuri Vo al variare della corrente erogata ad un carico costituito da un potenziometro da
10 k connesso alluscita, ed in serie ad un amperometro. Si misuri lintervallo di valori
di V entro il quale Vo non varia. Si misuri Vo al variare di R2 e di R1.
Figura 5.3
Usando uno zener da 6.9 V (ad esempio LM329) si pu porre Rb 5 k, Ra 10 k, diodo
e AO generici. Ad esempio volendo Vo regolata a +10V, si scelga R1 = 3.3 k (Iz 1mA),
R2 = 10 k, R3 = 22 k. Per avere Vo regolata a 10V, si rovesciano lo zener e il diodo. Si
ripetano le misure dellesempio precedente. Si verifichi che portando V2 a tensione
negativa il circuito lavora con lo zener polarizzato direttamente.
Figura 5.4
Come per l'esercizio precedente ma con valori scambiati di R2 e R3. Si provi a scambiare
tra loro gli ingressi dell'AO per verificare le conclusioni del capitolo 15.
Figura 5.5
R1 = 2 k, R2 = 10 k, R3 = 50 k. Zener da 6.9V e diodo generico. Questo schema, se si
impiegano operazionali di potenza (A759 e A791,TC365,L165, 3571), pu essere usato
come alimentatore duale con tensioni fisse Vz, a partire da un alimentatore singolo che
fornisca Vcc > 2Vz.
Figure 6.1 , 6.2 e 6.3
Ri = 1 k, RL = potenziometro 10 k. Si inserisca in serie a RL un amperometro e si
misuri IL, per diversi valori RL, al variare di Vi , tra 0 e Vcc/2 per 6.1a, e tra 0 e Vcc/2 per
6.1b. Si misuri lintervallo di correnti IL e di valori di RL per cui il generatore di corrente
costante funziona. Negli schemi di figura 6.2 e 6.3 si usi una batteria per produrre Vi, o un
165
secondo generatore riferito ad una massa diversa da quella del generatore usato per
alimentare lAO.
Figura 6.4
R1 = R2 = 10 k, Ro = R3 = 1 k, RL = potenziometro 5 k. La capacit in parallelo al
carico, se necessaria, basta sia di pochi nF, e pu essere posta anche in parallelo a Ro. Si
inserisca in serie a RL un amperometro e si misuri IL al variare di Vi e RL. La tensione di
controllo Vi deve essere erogata da un generatore a bassa impedenza di uscita per evitare
di modificare il valore efficace di R1.
Figura 6.5
R1 = 1 k, R2 = 9 k, R = 10 k, C = qualche nF, RL = potenziometro 5 k. Un amperometro in serie al carico verifica che IL indipendente da RL, e controllabile mediante la
tensione in ingresso.
Figura 6.6
R1 = R2 = 10 k, R3 = R4 = 1 k, R5 = 1 k in serie a un potenziometro da 100 k,
RL = potenziometro da 5 k, C = qualche nF. AO = TL082. Un amperometro in serie al
carico verifica che IL indipendente da RL, e controllabile mediante R5 o Vi.
Figura 6.7
Ro = 5 k, R = 1 k in serie a un potenziometro da 100 k, RL = potenziometro da 10 k,
AO = LF356, Zener da 1.2 V. Si misuri IL al variare di R e RL, e ILmax e Rmin.
Figura 7.1
AO = A741, diodi generici (ad esempio 1N914), Ro = RL = 1 k. Si usi un piccolo
segnale sinusoidale in ingresso ( |Vin| < 1 V), e si osservi luscita all'oscilloscopio, prima
per il circuito di figura 7.1a e poi per quello di figura 7.1b, con e senza diodo D2. Si
sostituisca il A741 con un LF356 e si ponga Ro = 100 k. In questo e nei raddrizzatori
seguenti la precisione migliorata se si usano diodi a bassa corrente di perdita (ad
esempio 1N4561N459).
Figura 7.2
AO = ingresso a FET, R = R' = RL = 10 k. Se si usa AO bipolare (A741), si inserisca una
resistenza di polarizzazione (R/2) allingresso non-invertente. Si osservino Vi e Vo
166
alloscilloscopio, eventualmente in modo X-Y.
Figura 7.3
Ro = R1 = R'1 = R2 = R'2 = 10 k, Ri = potenziometro da 10 k in serie a 1 k, per regolare
il guadagno. R'o = potenziometro da 2 k in serie a 9 k, per bilanciare le due semionde.
Figura 7.4
Ro = potenziometro da 10 k in serie a 10 k, R' = R = 10 k Si carichi l'uscita con una
resistenza da 10 k. Eventualmente si ponga una capacit da un centinaio di pF ai capi
del diodo di retroazione in AO1 per sopprimere oscillazioni. Si verifichi che il
funzionamento indipendente da Ro.
Figura 7.5
R1 = R'1 = Ri = 2R2 = 10 k. R2 pu essere ad esempio costituita dal parallelo di due
resistenze da 10 k. Ro = potenziometro da 50 k in serie a 10 k per variare il
guadagno.
Figura 7.6
R' = R = 10 k, R1 = 5 k. In caso di auto-oscillazione si ponga una decina di pF in
parallelo a D2, o in parallelo ad entrambi i diodi come indicato in figura .
Figura 7.7
Si ponga K = 2, cio R3 = 3R1, R2 = 2 R1, R1 = R4 = 1 k. Eventualmente si usi una
capacit per eliminare auto-oscillazioni come nel caso precedente.
Figura 7.8
R1 = R2 = R3 = 10 k. R4 = 20 k. Eventuale capacit in parallelo a D1. Si misuri la
massima tensione in ingresso che non satura luscita.
Figura 7.9
R 100 k. C 10 nF. Il valore di C, di tipo ceramico, deve essere piccolo se si vuole un
dispositivo rapido. Diodi a bassa perdita (1N458). AO con ingresso a FET. Si parta da
Vi = 0 e si osservi la tensione in uscita variando la tensione in ingresso (Vi > 0).
Figura 7.10
R1 100k, R2 20 k. C 10nF. AO1 = A741, AO2 con ingresso a FET. Oppure si usi
un duale tipo LF353,TL082...
167
Figura 8.1b
R = 10 k, Ro = 1 M, C = 10 nF. Si leggano Vo e Vi sulle tracce delloscilloscopio al
variare della frequenza: si parta da frequenze elevate ( 50 kHz, sinusoidi) scendendo
finch |Vo| = |Vi|. Si valuti il ritardo (fase) di Vo rispetto a Vi. Si tracci il grafico di Vi / Vo
verso , e si verifichi che la pendenza vale RC. Si faccia in modo che il segnale in
ingresso non abbia componente continua (offset), che verrebbe amplificata di un fattore
Ro / R = 100: per eliminare l'offset si pu usare un filtro passivo passa-alto con bassa
frequenza di taglio (capacit di 10 F). Si usi all'ingresso un segnale ad onda quadra, e si
verifichi che l'uscita un'onda triangolare. Si usi all'ingresso un'onda triangolare e si
osservi all'uscita il segnale formato da rami di parabola (assomiglia ad una sinusoide, ma
non lo ). Anche qui attenzione ad eventuali offset che possono saturare l'AO.
Figura 8.2b
Ri = 1 k, R = 100 k, C = 10 nF. Vi prelevata da un oscillatore sinusoidale, con tensione
picco-picco 1V. Si leggano Vo e Vi sulle tracce delloscilloscopio al variare della
frequenza: si parta da frequenze basse ( 100 Hz) salendo finch |Vo| = |Vi|. Si valuti
lanticipo di Vo rispetto a Vi come per il caso precedente. Anche qui si osservi come
appare l'uscita quando l'ingresso un'onda quadra o una triangolare.
Figura 8.4
R1 = R3 = R4 = 10 k, C2 = C5 = 10 nF. Si ha G =1, f = 0/2 1.59 kHz e = 1.5. Si
raddoppino le resistenze e si verifichi che G e non cambiano, mentre si dimezza 0. Si
moltiplichi C2 per 10 e si divida C5 per 10, e si verifichi che G e 0 non cambiano,
mentre scala di un fattore 10. Si osservi la dipendenza dell'ampiezza all'uscita in
funzione della frequenza, e si verifichi che il valor massimo circa G/2 (quando << 1).
Si sostituisca a R1 un potenziometro da 100k e si osservi la dipendenza di G e da R1.
Figura 8.5
C1 = C3 = C4 = 10 nF, R2 = R5 = 10 k. Si ha G = 1, f = 0/2 1.59 kHz e = 1.5. Si
raddoppino le capacit e si verifichi che G e non cambiano, mentre si dimezza 0. Si
moltiplichi R5 per 10 e si divida R2 per 10, e si verifichi che G e 0 non cambiano,
mentre scala di un fattore 10. Si osservi la dipendenza dell'ampiezza all'uscita in
funzione della frequenza, e si verifichi che il valor massimo circa G/2 (quando << 1).
168
Figura 8.6
R1 = R2 = 10 k, R5 = 20 k, C3 = C4 = 10 nF. Si ha G = 1, f = 0/2 1.59 kHz e
Q = 1. Si raddoppino le capacit e si verifichi che G e Q non cambiano, mentre si dimezza
0. Si dimezzino R1 e R2 e si raddoppi R5 , e si verifichi che 0 non cambia, mentre
Q raddoppia e G quadruplica (raddoppia il rapporto tra le ampiezze Vo/Vi).
Figura 8.12
R1 = R2 = 10 k, C3 = C4 = 10 nF. Si ha f = 0/2 1.59 kHz e = 1. Si moltiplichi C3 per
10 e si divida C4 per 10, e si verifichi che 0 non cambia, mentre scala di un fattore 10.
Si ripetano misure analoghe a quelle fatte per lo schema 8.4.
Figura 8.13
R3 = R4 = 10 k, C1 = C2 = 10 nF. Si ha f = 0/2 1.59 kHz e = 1. Si moltiplichi R4 per
10 e si divida R3 per 10, e si verifichi che 0 non cambia, mentre scala di un fattore 10.
Si ripetano misure analoghe a quelle fatte per lo schema 8.5.
Figura 8.15
R1 = R2 = R = 10 k, C = 10 nF. Si ha f = 0/2 1.59 kHz, = 0.5, Q = G1 = G2 = 1. Si
confrontino i segnali alle tre uscite con il segnale di ingresso al variare della frequenza. Si
ponga R2 > 100 k. Si ha 0.1, G1 2, Q 5 (per = 0 all'incirca raddoppia il
rapporto tra le ampiezze V2/Vi).
Figura 8.16
R1 = R2 = 10 k, C = 10 nF. Si misuri la frequenza centrale e la larghezza di banda.
Figura 8.18
Ra = Rb = 10 k, Ca = Cb =10 nF, R2 = 10 k, R1 = 15 k in serie a potenziometro da 5 k.
Si ha f = 0/2 1.59 kHz. Si aggiusti R1 in modo da variare il fattore di merito Q,
variando G*= R1/R2 attorno a 2. Tuttavia, con G* < 2, si vedano le osservazioni alla fine
del capitolo 15.
Figura 8.19 e 8.20
R1 = R2 = R3 = R5 = 10 k, C = 100 nF. Si ha L* = 108 C =1 mH. Si misuri la frequenza di
taglio di un filtro R*L* (la cui uscita l'ingresso di questo circuito guidato da un
oscillatore attraverso una resistenza R = 10 k: il valore della R* efficace quindi la
169
somma di R e della resistenza di uscita Rs dell'oscillatore). Per evitare auto-oscillazioni
pu essere necessario inserire una piccola capacit (10 pF) in parallelo a R3, nello
schema 8.19, o R5, nello schema 8.20.
Figura 8.21
Ri = 10 k, Ro = 100 k o 1 M, C = 10 nF. Si ha C* = 11 C o 101 C. Si misuri la frequenza
di taglio di un filtro R*C* come per l'esercizio precedente. Qui, per evitare autooscillazioni pu essere necessario inserire una piccola capacit ( 47 pF) in parallelo a Ro.
Figura 8.22
R1 = 1 k, R2 = 100 k, C = 1 nF. Si ha C* 100 nF in serie a Rp = R1 || R2 1 k. Si misuri
la frequenza di taglio di un filtro R*C* come per l'esercizio precedente (R* = R+Rs). Si
calcoli la funzione di trasferimento di questo filtro [(1+sRpC*)/(1+s{Rp+R*}C*)].
Figura 9.1
Si connetta
lAO
ad
un
oscillatore
figura
qui
accanto.
Si
osservi
in
seconda
traccia,
Si
osservi
170
per il comparatore non-invertente.
Figura 9.4
C = 10 nF, R1 = R2 = 100 k, R = Potenziometro 100 k. Vo sulla prima traccia e V1 sulla
seconda traccia delloscilloscopio. Si misuri il periodo dellonda quadra al variare di R. Si
scambino tra loro R ed R2 e si misuri la frequenza al variare di R2.
Figura 9.5
C = 10 100 nF, R1 = R2 = 10 k, Ro = 1 k. R' = R" = Potenziometri da 100 k in serie a
100 . Diodi generici e Zener da 5.8V. Si misuri la frequenza di ripetizione e la durata
degli impulsi al variare di R' e R". Si misuri lampiezza di Vo e di Vo al variare delle
tensioni di alimentazione.
Figura 9.6
C = 100 nF, R1 = R2 = 100 k. R3 = R = Potenziometro da 100 k in serie a 10 k.
Vcc = +15 V, 0 V. Si osservi Vo e V1 alloscilloscopio. Si misuri la frequenza al variare di
R e di R3. Si ripeta con C = 10 nF. Si scambi R2 con R3 e si osservi la variazione della
durata dell'impulso con R2. Si ripetano le misure collegando lalimentazione negativa ed
R2 a 15V.
Figure 10.2 e 10.3
R2 = R3 = 15 k, C2 = C3 = 10 100 nF, Ro = Potenziometro da 200 in serie a 200 . Il
potenziometro di va scelto di valore adatto alla lampadina che si usa, e va aggiustato per
stabilizzare lampiezza e minimizzare la distorsione. Si possono usare ad esempio
lampadine da 12V-20 mA o da 24V-50 mA, che hanno resistenza a 10 mA di circa 500 e
250 , rispettivamente. Detta RL la resistenza della lampadina percorsa dalla corrente di
lavoro, il valore di Ro va aggiustato a circa 2 RL. Come termistore NTC si pu usare ad
esempio un Philips da 4.7 k (mod. 232262721472), con R1 = potenziometro da 5 k.
Figura 10.4
R = potenziometro da 20 k, R1 = 20 k, Ro = 47 k, Rf = 10 k. Si aggiusti lampiezza e
si minimizzi la distorsione variando R.
Figura 10.5
Ro = 10 k, C = 100 nF, R = Potenziometro da 100 k. Oscillatore : 5Vpp (pu essere uno
degli oscillatori precedentemente costruiti).Usando eventualmente gli ingressi X e Y
171
sulloscilloscopio, valutare lo sfasamento tra ingresso e uscita alle varie frequenze nelle
due configurazioni a) e b), e per diversi valori di R e C. Si verifichi che l'ampiezza del
segnale in uscita non dipende da .
Figura 10.7
AO = TL084, Ro = R = 15 k, Z1 = Z'1 = C = 100 nF, Z2 = Z'2 = 15 k, Ro = 10 k in serie a
un potenziometro da 10 k, per aggiustare lampiezza. Per ottenere unoscillazione stabile
conviene, come nello schema di figura 10.a, porre in serie a R'o un parallelo di due diodi
da segnale e una piccola resistenza (200 ). Variare la frequenza modificando Z2 e Z'2.
Ripetere con Z1 al posto di Z2 e Z'1 al posto di Z'2. Per eliminare eventuali autooscillazioni ad alta frequenza porre una capacit di qualche decina di pF, in parallelo a
R'o.
Figura 10.8
R1 = R2 = 10 k, C1 = C2 = 10 nF. Verificare con loscilloscopio che luscita sia in
quadratura con lingresso: la traccia XY una ellisse con assi ortogonali. Al variare della
frequenza, si verifichi che cambia l'ampiezza ma non lo sfasamento.
Figura 10.9
AO = TL082, R1 = R = 15 k, R' = 10 k in serie a potenziometro da 10 k,
C = C' = C1 = 10 nF. Limitatore: 200 k in serie a 200 k in parallelo a due diodi da
segnale. Si parte con R' leggermente inferiore a R per innescare loscillazione e poi si
aggiusta per ridure la distorsione.
Figura 10.10
R = R' = 10 k, C = C' = C" = 100 nF, Ro = 100 k in serie a potenziometro da 20 k,
Rf = 10 k. Diodi da segnale. Si inneschi l'oscillazione con Ro al valor massimo, e poi si
riduca ampiezza e distorsione del segnale aggiustando opportunamente Ro.
Figura 10.11
AO = TL082, R1 = 1 k, R2 = 3.3 k, R = 10 k, C = 100 nF. Se R rimpiazzata dal
parallelo di due resistenze diverse, ciascuna in serie a un diodo (con polarit invertite) la
corrente di carica dellintegratore differisce nel fronte di salita e di discesa dellonda
triangolare, e si ottengono quindi alluscita del comparatore impulsi squadrati di durata
diversa.
172
Figura 10.12
AO = TL082, R = 10 k, R1 = 3.3 k, R2 = 1 k, RG = RF = Potenziometri da 5 k,
C = 100 nF, RT = RQ = Partitori simmetrici composti da due resistenze da10 k in serie a
un potenziometro da 1 k. Zener da 6.9 V. Alimentazione 15 V. Si aggiustino,
controllando i segnali sulloscilloscopio, la simmetria dellonda quadra e triangolare come
spiegato nel testo (RT e RQ). Si provi a variare lampiezza di VT, agendo su RG, e poi a
riportare la frequenza allo stesso valore, agendo su RF.
Figura 10.13
AO = TL082, R = R2 = 10 k, C = 10100 nF, R1 = potenziometro da 10 k. Si provi a
cambiare lampiezza (e quindi la frequenza) di VT cambiando il valore di R1. Inserire tra
luscita di AO1 e VQ una resistenza da 1 k e un doppio zener tra VQ e massa per
stabilizzare lampiezza dell'onda quadra a Vz.
Figura 10.14
AO = TL084, R = 10 k, C = 10 nF. Si osservino le forme d'onda all'oscilloscopio e si
verifichino le relazioni di fase. Si provi a cambiare una delle due R (o C), e si osservi la
variazione di ampiezza delle onde triangolari.
Figura 10.15
AO = TL082, R = 100 k, R1 = R2 = 10 k, R3 = 1 k, C = 1 nF (o 10 nF), D = 1N914,
Vcc = 15 V. Si misuri la frequenza al variare della tensione (positiva) in ingresso. Si
osservi il segnale in uscita dopo aver invertito il diodo ed il segno della tensione in
ingresso.
Figura 10.16
Squadratore: AO = TL082, R = 1 k, doppio Zener da 6.9V. Convertitore: R = 1 M,
C = 1 nF, C1 = 1 F, diodi 1N914. Si misuri il segnale in uscita al variare della frequenza
allingresso. Si valuti la frequenza minima che garantisce linearit al circuito.
Figura 11.6 e 11.7
Interruttore analogico: CD4016 o equivalente. R1 = Ro = R = 10 k, C = 1 F
Si osservi alloscilloscopio il segnale prima e dopo il filtro RC, a varie frequenze. Si ripeta
con diversi valori della costante di tempo RC. Si interponga uno sfasatore nel canale di
riferimento (figura 10.4), prima dello squadratore, e si misuri Vo in funzione dello
173
sfasamento. Si verifichi la reiezione di segnali asincroni sommati a VS.
Figura 11.8
Per lamplificatore differenziale si usi la configurazione gi provata per la figura 4.7, con
laggiunta delle due capacit di integrazione (C 470 nF). Si osservi inoltre il segnale
alluscita senza le capacit. Si usi per VS prima un segnale riferito a massa (VS2 = 0) e poi
differenziale (con lo schema di figura 16.1 e VS1 = B, VS2 = C).
Figura 11.9
Per lamplificatore differenziale si usi la configurazione precedente. R = 10 k, C = 1 F,
f 1 kHz. Si provino le due configurazioni: con una o due R. Si si ripeta la prova con
C = 10 nF, f 50 kHz.
Figura 11.10
R = Ro = 100 k,
174
costruito con inverter. Si verifichi, con riferimento alla tavola di verit di figura 12.10, che
passando dalle righe 2 e 3 alla riga 4, per il Flip Flop costruito con NAND (o alla riga 1
per il Flip Flop costruito con NOR) le uscite non commutano e che le uscite sono
entrambe 1 alla riga 1, per il Flip Flop costruito con NAND e 0 alla riga 4, per il Flip
Flop costruito con NOR (disallowed state).
Figura 12.11
FLIP-FLOP sincrono. Come impulso di clock si usi luscita di un altro RS flip-flop
comandato da un deviatore come in figura 12.10, in questo modo si evitano impulsi
multipli alla chiusura del deviatore. Si verifichi che questo circuito, con il clock abilitato
(= "1") equivale al RS fatto con i NOR dellesercizio precedente. Si verifichi che le uscite
non commutano quando il clock "0". Si ripeta lanalisi usando quattro porte NOR. Si
provi a variare lo stato di R e S durante limpulso di clock.
Figura 12.12
Master-Slave. Si utilizzino in un primo montaggio tutte porte NAND (nove) e poi tutte
porte NOR. Nel secondo caso si ricavi sperimentalmente la tavola di verit e si determini
quale fronte del clock trasferisce i dati alluscita. Se si rivela, mediante sei LED, lo stato
di R, di S e delle uscite di master e slave, si potr evidenziare il trasferimento degli stati
con il fronte di salita e di discesa del clock. Si provi a variare lo stato di R e S durante
limpulso di clock.
Figura 12.13
FLIP-FLOP tipo D e tipo T. Qui servono 10 porte, ad esempio due Quad-NAND e due
inverter. Si provi anche a studiare in comportamento delle versioni costruite con porte
NOR. Si provi ad usare uno dei flip-flop D contenuti nell'integrato 7474. Si connettano le
due sezioni del 7474 come flip-flop T in serie per ottenere un divisore per 4. Nel 7474 si
connettano i terminali di SET e CLEAR a livello alto.
Figura 12.14
Divisore per due. Si usi una sezione di 7474, e si verifichi che l'uscita cambia stato ad
ogni impulso di CLOCK. Si montino pi divisori in cascata e si piloti l'ingresso con un
multivibratore: si osservi all'oscilloscopio l'ingresso e l'uscita dei vari stadi.
Figura 12.15
J-K FLIP-FLOP. Si usino due 7400: due porte NAND con ingressi cortocircuitati fanno
da inverter per trasformare due NAND in AND. Con le rimanenti quattro porte si monta il
175
flip-flop RS sincrono. Si provi a vedere leffetto dellimpulso di clock con J e K connessi
tra loro e posti prima a livello alto e poi a livello basso. Si verifichi lequivalenza a un Dflip-flop quando J e K sono connessi da un inverter: lingresso D quello connesso
allingresso dellinverter. Si provi ad usare un 7473 come J-K.
Figura 12.16
Flip-flop tipo T. Si usi un 7473. Si piloti l'ingresso CLOCK con un multivibratore a bassa
frequenza (pochi Hz) e l'ingresso TOGGLE con un deviatore manuale tra tensioni low e
high. Si osservi l'uscita all'oscilloscopio.
Figure 12.17 e 12.18
Monostabile. Si usino porte CMOS (4011, 4001): R = potenziometro da 10 k, in serie ad
una resistenza da 1 k, R1 = 100 k, C = 10 100 nF, C1 = 1 F. Se si usano invece porte
TTL, le resistenze R e R1 dovranno sempre essere inferiori a 470 perch lingresso
corrispondente non si porti sempre a livello alto, per effetto della corrente erogata
dallingresso verso massa.
Figura 12.19
Si osservi come cambia il comportamento del circuito se alle porte NAND si sostituiscono
porte NOR. Si provi anche ad analizzare il circuito spostando il filtro passa-basso dal
ramo connesso alll'ingresso B a quello connesso all'ingresso A.
Figura 12.20, 22 e 23
Astabile. Se si usano porte TTL (7414 per lo schema 12.20; 7402, 7404, 7408 per lo
schema 12.22 e 12.23): R = potenziometro da 100 in serie ad una resistenza da 100 ,
C = 1 F. Se si usano porte CMOS (4584): R = potenziometro da 100 k, C = 10 nF. Si
osservi il segnale alloscilloscopio, al variare di R. Si osservi all'oscilloscopio il segnale
all'ingresso dell'inverter (12.20) e all'ingresso della porta 1 (12.22 e 12.23).
Figure 12.24 e 12.25
Si usi una catena di ritardo di almeno 11 inverter, meglio se 23 inverter impiegando
quattro 74L04, o 7404, o 4069
176
Figure 12.26
Si usino CMOS, onda quadra in ingresso, ad esempio utilizzando i circuiti di figura 12.20
o 12.22, e si dimensioni la costante di tempo in modo che sia inferiore al semiperiodo. Si
provino i diversi schemi con porte NAND, AND, OR, NOR (4011,4001,4071,4081). Si
provi il circuito sfasatore costituito da due stadi in serie con la stessa RC.
Figura 13.3
Alimentazione +15 V, 0 V. R1 = R2 = 10 k, Cv = Ci = 10 nF, C = 100 nF, R = 10 k in serie
a un potenziometro da 1 M. Per il segnale allingresso si pu utilizzare ad esempio il
circuito di figura 9.6. Si osservino alloscilloscopio i segnali Vi e VT, poi Vi e Vc e infine
Vi e Vout, al variare di R.
Figura 13.4
1k
Figura 13.5
R1 = 1 k, R2 = 10 k in serie a un potenziometro da 100 k, Cv = C = 10 nF,
RL = potenziometro da 10 k. Si osservi londa quadra alluscita 1 e 2 al variare di R2.
Si connetta RL alluscita 1 e si osservi leffetto di RL.
Figura 13.6
AO = TL081, Timer = ICM7555. R = 100 k, Ro = 10 k, C = Co = 100 nF. R* = 1 k serve
solo per proteggere l'ingresso del terminale di trigger. Si osservi all'oscilloscopio come
variano VT e Vo al variare della tensione di comando. Si provi a cambiare e o per
generare impulsi in diversi intervalli di frequenza.
177
Appendice A
Una spiegazione molto semplificata del funzionamento del transistor in zona
lineare
Uno studio dettagliato e completo del funzionamento del transistor (analisi dei criteri per
ottimizzare la polarizzazione e dellaccoppiamento d.c. e a.c. di stadi successivi, e in
regime di alte frequenze) richiede luso di modelli complessi che impiegano vari
parametri per caratterizzare il transistor.
Qui si cercato di semplificare al massimo questa complessa trattazione, mantenendone i
pochi elementi essenziali che risultino facilmente acquisibili e che tuttavia permettano una
comprensione sommaria del funzionamento della maggior parte dei circuiti che impiegano
il transistor.
Si preferito definire, senza giustificarle, le caratteristiche I(V) di diodo e transistor, ed
usare un numero ridotto di parametri (hfe e hie) di facile intuizione che consentono tuttavia
una trattazione abbastanza bene approssimata del comportamento reale in condizione di
piccoli segnali a bassa frequenza.
Per snellire la trattazione matematica al massimo gli esempi forniti riguardano per il
transistor solo segnali dinamici, suggerendo nelle note a margine che, per segnali assoluti
(regime d.c.), si dovr tener conto delle tensioni di polarizzazione delle giunzioni.
A.1. Il diodo
Un diodo un dispositivo non lineare a due terminali costituito da una giunzione tra due
semiconduttori, uno drogato P e uno drogato N. Nel sottile strato di giunzione80 i portatori
maggioritari della zona P (lacune) e quelli maggioritari81 della zona N (elettroni) si ricombinano lasciando una zona svuotata di cariche libere detta strato di svuotamento. In questo
strato restano tuttavia le cariche legate al reticolo (ioni positivi nel materiale di tipo N e
negativi in quello di tipo P), e quindi attraverso la giunzione si origina un campo elettrico
che limita la diffusione delle cariche libere maggioritarie (elettroni da N a P e lacune da P
a N).
Tale campo elettrico non si oppone tuttavia al flusso dei portatori minoritari (elettroni da
P a N e lacune da N a P), generati per effetto termico nello strato di svuotamento. Questo
80
81
178
flusso di cariche costituisce una corrente elettrica che va da N a P e viene detta corrente
Io .
Allequilibrio, se non si applica cio tensione ai capi del diodo, la corrente inversa
bilanciata dalla corrente diretta Id dovuta alla diffusione dei portatori maggioritari:
I = Id + Io = 0. La corrente elettrica, per convenzione, ha sempre il verso del movimento
delle cariche positive, fittizie come nei normali conduttori, o vere come per le lacune nei
semiconduttori.
La corrente diretta dipende dalla differenza di potenziale V applicata alla giunzione (si
conviene porre V > 0 se P a tensione maggiore di N), dalla temperatura assoluta T e dal
tipo di materiale semiconduttore. La dipendenza da questi parametri di tipo
esponenziale:
qV
Id = C exp
nK B T
ove q la carica elementare, KB la costante di Boltzman, ed n una costante che vale circa
1 per il germanio e circa 2 per il silicio. Poniamo per brevit KBT / q = Vt: a temperatura
ambiente si ha Vt 26 mV. Per effetto di una tensione applicata V la corrente totale che
attraversa il diodo quindi: I(V) = C eV/nVt Io.
La costante di proporzionalit C si ricava dalla condizione di equilibrio: I(0) = 0 che d
C = Io, e in definitiva si ottiene l'equazione caratteristica del diodo ideale :
I(V) = Io(eV/nVt 1).
Per V >> Vt lesponenziale predomina rispetto ad 1 e quindi la precedente relazione si pu
semplificare in:
I(V) Id = IoeV/nVt, V >> Vt .
La pendenza (figura A 1a) della curva caratteristica del diodo I/V = I/(nVt) = (rd)-1,
ove rd detta resistenza dinamica del diodo polarizzato direttamente, che cresce
linearmente con T : a temperatura ambiente rd 26 / I ( / mA).
179
scala ingrandita
anodo
Io
VF
catodo
V
b)
a)
VF
c)
Figura A 1
Per V < 0 lesponenziale trascurabile e quindi si ha I(V < 0) Io .
Io dipende dal particolare diodo usato, ma comunque una corrente molto piccola,
normalmente dellordine del A.
Il diodo si comporta quindi come un elemento raddrizzatore: esso conduce
apprezzabilmente solo se polarizzato direttamente. Nel simbolo del diodo il terminale P
detto anodo, ed indicato con una freccia, quello N detto catodo ed indicato con una
barra (figura A.1c).
Una schematizzazione talvolta utile nella pratica quella di approssimare la curva
caratteristica del diodo con la spezzata V VF + I rd, come indicato dalla curva tratteggiata
in figura A1b, assumendo generalmente VF 0.6 V per i diodi a silicio e VF 0.2 V per
quelli a germanio. Pi spesso, cos come si trascura la corrente inversa, si trascura anche
rd, approssimando il diodo polarizzato direttamente ad un interruttore chiuso in serie ad
un generatore di tensione ideale VF, e il diodo polarizzato inversamente ad un interruttore
aperto. E' questo il modello di diodo come interruttore comandato dalla polarizzazione,
schematizzato dalla curva continua di figura A1b.
In figura A 2 illustrato il comportamento di un partitore costruito con un diodo ed una
resistenza R (con R >> rd). Se allingresso si fornisce un segnale di tensione alternata
Vu
Vi (t)
Vi
Vu(t)
VF
R Io
t
Figura A 2
180
Se in parallelo alla resistenza di carico si pone un condensatore (figura A 3), esso si carica
durante la semionda positiva attraverso la resistenza dinamica del diodo, e si scarica
durante la semionda negativa attraverso la resistenza di carico. Se R >> rd, allora il segnale
ai capi del condensatore quello indicato dalla curva continua, per R confrontabili con rd
quello indicato dalla linea tratteggiata (qui si trascura VF).
Vi
Vu
Vu(t)
t
Figura A 3
Lampiezza V delloscillazione del segnale in uscita, cio il residuo in alternata del
segnale di ingresso rettificato ed integrato, detta ripple voltage. Un calcolo rapido di V
il seguente. Supponiamo che la corrente di scarica I = Vu / R sia costante: allora, se
T = 1/f il periodo del segnale sinusoidale di frequenza f, dalla definizione di capacit
(C = q/V) e di corrente (I = q/t) si ottiene V = VT/RC, ovvero V / V = (f RC)-1.
181
VB
N
P
Figura A 4
La curva caratteristica di un diodo Zener in polarizzazione inversa ed i simboli grafici
normalmente usati sono riportati in figura A 4, ove i segni + e indicano il verso della
polarizzazione inversa.
Il diodo Zener pu essere utilizzato come stabilizzatore di tensione: ad esempio nella
figura A 5 si pu vedere come lampiezza di una variazione di tensione allingresso Vi
viene notevolmente ridotta alluscita Vz, prelevata ai capi dello zener.
La retta di carico dello zener Vz = Vi RIz. Nella figura gli assi Vz e Iz sono stati
invertiti per poter indicare come positive le tensioni e correnti inverse. Quando la tensione
in ingresso varia la retta di carico si sposta parallelamente a se stessa ed il punto di lavoro
segue la curva dello Zener (che per Vz > VB quasi verticale) con conseguenti piccole
variazioni di Vz.
Analogamente, per variazioni di carico alluscita, cio per variazioni di una resistenza Rc
posta in parallelo allo Zener, la retta di carico cambia pendenza, perch cambia la corrente
I che attraversa la resistenza in serie R, ma resta piccola la variazione di Vz che la
tensione in uscita, purch resti Vi RI > VB.
Vi
Vz
Iz
Vz
I zmin
Vz
Vi
Iz
Vz = Vi R I z
VB
Figura A 5
In termini di corrente massima Ic erogabile al carico dallo stabilizzatore, questa
condizione pu essere riscritta come Ic = Vz / Rc < (Vi Vz)/R + Izmin, ove Izmin la
corrente di zener corrispondente ad una polarizzazione inversa pari a VB.
182
NPN
C
PNP
B
Elettrodi di contatto
B
E
Quando sono in comune gli anodi si ha un transistor NPN, quando sono in comune i
catodi si ha un transistor PNP. In realt connettendo in serie due normali diodi
contrapposti non si ottiene affatto un transistor: per avere un transistor bisogna che le due
giunzioni sianovicinissime e fortemente interagenti. Bisogna cio che i portatori iniettati
nello strato di svuotamento della giunzione polarizzata direttamente possano diffondere
nello strato di svuotamento della giunzione polarizzata inversamente: in altri termini la
lunghezza di diffusione delle cariche iniettate nella giunzione EB devessere maggiore
dello spessore della giunzione. Perch un transistor possa funzionare da amplificatore
bisogna infatti che la giunzione base-emettitore (BE) sia polarizzata direttamente e quella
base-collettore (CE) polarizzata inversamente82. Ci significa che un transistor NPN deve
essere sempre polarizzato in modo che Vc > Ve. Linverso vale per il transistor PNP.
Qui nel seguito si prender sempre in considerazione il caso NPN: per analizzare il caso
PNP sar sufficiente invertire tutte le polarizzazioni.
183
Senza entrare in dettagli circa il funzionamento del transistor in generale, si pu
schematizzarne il comportamento in zona lineare83, cio per valori sufficientemente
grandi della tensione base-collettore e della corrente di base, a partire dalle curve
caratteristiche Ic(Vce,Ib).
Se si riporta su un grafico la corrente di collettore Ic verso la tensione tra collettore ed
emettitore Vce per diversi valori della corrente di base Ib, si vede che nella regione
I c (mA)
15
SATURAZIONE
Ib =80 A
I b =60 A
I b =40 A
ZONA
LINEARE
10
Ib =20 A
Ib =0
INTERDIZIONE
2
6
8
Figura A 7
10
Vce (V)
82
184
ragionamento (per il caso NPN): la giunzione BE polarizzata direttamente e quindi i
portatori di carica maggioritari in regione E che attraversano questa giunzione sono
elettroni che vanno da E a B. La maggior parte di questi elettroni diffonde nello strato di
svuotamento BC (giunzione polarizzata inversamente) e si comporta come un flusso di
carica, modulato dalla polarizzazione BE, che si aggiunge alla corrente inversa di BC. Qui
pu anche avvenire il fenomeno di moltiplicazione a valanga per effetto della elevata
polarizzazione inversa di BC, che fornisce un ulteriore guadagno in corrente.
Una trattazione pi completa e rigorosa dei diversi fenomeni in gioco va oltre lo scopo di
queste note, e qui ci accontenteremo di usare senza altre giustificazioni il modello
schematico del transistor definito nel suo comportamento dai due parametri e Rb.
Prenderemo in esame le due configurazioni pi frequentemente usate: quella ad emettitore
comune (amplificatore di tensione) e quella a collettore comune (emitter-follower), e
analizzeremo solo il comportamento in regime dinamico, cio per segnali a.c., in zona
lineare.
Vcc
RL
Vcc
RL
Ic
Ic
Ib
Vu
Rb
Vi
b)
Ib
Ie
Vce
Vcc
Figura A 8
Per capire cosa si intende per zona lineare si consideri la figura A8.b ove si tracciata,
insieme alle curve caratteristiche Ic(Vce) anche la retta di carico, definita dalla equazione
Vce = Vcc RLIc, la cui posizione fissata dai valori della resistenza RL e della tensione di
alimentazione Vcc.
Ad ogni valore della tensione in ingresso Vi corrisponde un valore per la corrente di base,
e quindi una delle curve caratteristiche: lintersezione della retta di carico con la curva
185
caratteristica determina la corrente di collettore e la tensione Vce.
Al variare della tensione in ingresso quindi il punto di lavoro si sposta lungo la retta di
carico e lintervallo di tensioni ammissibili allingresso quello che mantiene il punto di
lavoro in zona lineare.
Definiamo ora come tensioni e correnti dinamiche rispettivamente le variazioni di
tensione e di corrente in ogni ramo del circuito rispetto ai valori assunti per un arbitrario
valore della tensione in ingresso, ad esempio Vio. Indicheremo queste grandezze con le
lettere minuscole vi = Vi Vio, vu = Vu Vuo... ib = Ib Ibo, ic = Ic Ico ecc. In questo
modo si potr trascurare nellanalisi successiva il contributo delle tensioni costanti, come
quelle di alimentazione e quelle dovute alle giunzioni PN.
La tensione dinamica in uscita vu si ottiene differenziando lequazione della retta di
carico:
vu = Vce = (Vcc RLIc) = RL Ic = RL ic.
Se definiamo come coefficiente di amplificazione in tensione il rapporto vu / vi = AV,
essendo vi = Rbib, si potr scrivere:
AV = (RLic ) / Rb ib) = RL/Rb,
ove RL la resistenza di carico.
Nel circuito di figura A 8 lamplificazione AV quindi funzione di parametri caratteristici
del transistor e della temperatura: e Rb dipendono infatti da T oltre che dal particolare
transistor usato. Tuttavia possibile rendere AV indipendente da e Rb, semplicemente
introducendo una resistenza esterna RE in serie allemettitore.
In figura A 9 riportato lo schema di un amplificatore ad emettitore comune in cui si
inserita una resistenza esterna di emettitore RE, e in cui si evidenziata la resistenza di
polarizzazione della base RB, necessaria se si usa un condensatore di accoppiamento in
uscita. Tale condensatore serve per evitare che il generatore sposti il punto di riposo86. Per
semplicit assumeremo infinita le capacit di accoppiamento, cos da poterne trascurare
limpedenza87.
Ora la tensione dinamica in ingresso si pu scrivere:
vi = Rbib + REie = Rbib + RE(1 + )ib = [Rb + RE(1 + )]ib,
86
87
186
e limpedenza di ingresso risulta:
Ri = vi/ib = Rb + RE(1 + ).
Ora poich >> 1 e Rb 1 k basta che sia RE 1 k perch si possa trascurare Rb
rispetto a (1 + )RE. In definitiva si ha: Ri (1 + )RE RE, cio limpedenza di ingresso,
nelle ipotesi fatte indipendente dalla resistenza caratteristica Rb del transistor e vale
circa volte la resistenza introdotta nel ramo di emettitore.
RL
R1
Vcc
Ib
Ic
Rb
C
R1
Ib
Vi
Vu
R2
Vi
RE
RL
Vu
Ie
R2
RE
Figura A 9
La tensione dinamica in uscita ancora vu = RL ic = RL ib. Di conseguenza il guadagno in tensione :
Vu
R i
R
R
RL
= L b = L
L
Vi
R ii b
Ri
1+ RE
RE
e risulta pertanto indipendente dal particolare transistor usato.
AV =
Se si considera anche leffetto delle resistenze di polarizzazione R1, R2 si vede che esse
sono in parallelo ad Ri e quindi limpedenza di ingresso efficace :
Ri = R1 || R2 || RE = (1/R1 + 1/R2 + 1/RE)-1,
e basta che la pi piccola tra R1 e R2 sia dellordine di RE perch sia Ri R1 || R2.
Limpedenza di uscita Ru data dal rapporto
v u (i u = 0)
, ove vu (iu = 0) la tensione in
i u ( v u = 0)
uscita a circuito aperto, cio senza carico applicato al terminale di uscita, e quindi vale
vu (iu = 0) = RLic. La corrente iu (vu = 0) la corrente di collettore calcolata per RL = 0, cio
con luscita cortocircuitata: essa tuttavia non dipende da RL perch controllata solo dalla
187
polarizzazione della base ic = ib. In conclusione: Ru = RLic/ ic = RL.
Per dimensionare il partitore R1, R2 bisogna tenere inoltre presenti le seguenti condizioni:
1) la corrente di collettore Ico al punto di riposo definisce la tensione Vco attraverso la
retta di carico, e per avere la massima escursione in uscita opportuno che sia
Vco = Vcc / 2;
2) fissata Ico resta definita VEo = REIco: allora perch il transistor sia in conduzione la
tensione della base a riposo Vbo deve essere tale che Vbo > VEo + Vbe VEo + 0.6V;
3) i valori di R1, R2 non devono essere troppo elevati affinch la corrente di base resti
trascurabile rispetto alla corrente che attraversa il partitore: Vcc / (R1 + R2) >> Ib.
a)
Ic
R1
Vcc
Vu
Ru
Vi
Eu
Ib
C
R2
RL
Ie
RE
Vu
b)
Figura A 10
Ora lequazione della retta di carico Vce = Vcc RE ie, e la tensione dinamica di uscita :
vu = RE ie = RE(1 + )]ib.
La tensione dinamica allingresso ancora vi = Rbib + RE ie = [Rb + RE(1 + )]ib, e ne
segue subito che il guadagno in tensione :
AV =
Rb
vu
= 1 / [1 +
].
vi
(1 + )R E
188
Nellipotesi che sia ancora (1 + )RE >> Rb, si ha88 in definitiva AV 1.
Ci significa che in uscita la tensione di emettitore insegue la tensione di ingresso, da cui
il nome emitter follower che viene attribuito spesso a questa configurazione89.
Limpedenza di ingresso si ricava immediatamente come per la configurazione ad
emettitore comune:
Ri (1 + )RE RE,
o, tenendo conto delle resistenze del partitore di polarizzazione Ri R1 || R2 || RE.
Limpedenza di uscita Ru pu essere vista come la resistenza equivalente in serie al
generatore ideale di tensione Eu = vu(RL = ), come in figura A10b.
Quindi se l'uscita caricata una resistenza RL = Ru la tensione di uscita si dimezza. Dalle
relazioni precedenti, tenendo conto che il carico si pone in parallelo a RE, si ricava:
vu(RL = Ru) =
vi
vi / 2
= Eu /2 =
1 + R b /[{1 + }R E* ]
1 + R b /[{1 + }R E ]
88
89
Tuttavia se si usa una resistenza di emettitore troppo piccola, RE << Rb/(1 + ), anche il guadagno tende
a zero: AV [(1+)RE/Rb] <<1.
In realt il livello d.c. della tensione di emettitore sempre inferiore a quello della tensione di base, della
quantit costante Vbe 0.6 V, dovuta alla caduta attraverso la giunzione base-emettitore polarizzata
direttamente.
189
fluisce nel gate generalmente trascurabile (dellordine del nA).
I FET possono venir divisi in due grandi categorie: quelli in cui la tensione di controllo
applicata attraverso una giunzione polarizzata inversamente, che vengono chiamati
Junction Field Effect Transistor o JFET, e quelli in cui tale tensione applicata attraverso
uno strato isolante, che vengono chiamati Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistor o MOSFET.
Uno schema dei JFET e dei rispettivi simboli grafici mostrato in figura A 11.
drogato p
Drain
Drain
Gate
Source
n-channel
Gate
Drain
drogato n
Gate
Source
p-channel
Drain
n-JFET
S Gate
Source
Source
Drain
Drain
Gate
S
Source
drogato p
p-JFET
Gate
Source
Figura A 11
In ciascuna categoria poi si distingue fra quelli in cui il canale tipo n, per i quali la
freccia nel simbolo grafico diretta verso linterno: n-JFET, n-MOSFET, e quelli in cui il
canale tipo p, per i quali la freccia nel simbolo grafico diretta verso linterno: p-JFET,
p-MOSFET. I dispositivi integrati costruiti con MOSFET dei due tipi vengono detti
MOSFET complementari o CMOS. I terminali di source e drain sono quasi simmetrici, e
questo si riflette nel simbolo grafico ove drain e source non sono diversi; tuttavia il source
marcato con una S o tracciato pi vicino al gate.
Uno schema dei MOSFET e dei loro diversi simboli grafici mostrato in figura A 12.
Anche qui la sigla S o la posizione del gate indica il source, e il terminale substrato, che in
generale connesso al source, indica il tipo: n se la freccia verso linterno, p se verso
lesterno.
190
depletion
type
D
n-MOSFET
isolante
substrato-p
n-channel
Source Gate Drain
substrato
p-MOSFET
substrato-n
substrato
G
S
isolante
p-channel
enhancement
type
D
substrato
substrato
G
S
Figura A 12
Il funzionamento di entrambi i tipi di FET si basa sulla variazione della sezione del canale
indotta dalla tensione di polarizzazione del gate rispetto al substrato in cui ricavato il
canale. Nei JFET questa tensione non deve mai essere di segno tale da polarizzare
direttamente la giunzione gate-channel, mentre nei MOSFET il valore della tensione di
gate solo limitato dalla possibilit di danneggiamento dellisolante: per esempio
possibile la perforazione del dielettrico per scarica dovuta ad accumulo di elettricit
statica.
Una regola generale per i JFET la seguente: supponendo di porre a tensione zero il
terminale source, per aumentare la corrente nel canale la tensione del gate deve crescere
verso il valore del terminale drain: I/VGS positiva per tipo n e negativa per tipo p.
Quindi il comportamento dei JFET-n assomiglia a quello dei BJT npn, mentre i JFET-p
corrispondono ai BJT pnp. Dal punto di vista dellimpedenza di ingresso, i JFET hanno
valori di gran lunga maggiori che i BJT, dellordine di 1010 1014 .
I MOSFET sono ulteriormente suddivisibili in due categorie, a seconda che il canale di
conduzione sia effettivamente presente in assenza di polarizzazione tra gate e source
(depletion mode, o tipo a svuotamento che normalmente acceso con VGS = 0), o che si
crei solo in presenza di polarizzazione (enhancement mode, o tipo ad accrescimento, che
spento con VGS = 0). Nel primo caso il comportamento analogo a quello del JFET, e la
resistenza del canale cresce al crescere della polarizzazione inversa. Il canale qui una
regione drogata con lo stesso segno delle zone di contatto drain e source, ma pi
debolmente. Nel secondo caso il canale generato dalla polarizzazione diretta che crea
uno strato conduttore, detto di inversione, adiacente al gate. In questo caso la conduzione
inizia solo quando la polarizzazione raggiunge un valore di soglia VGS = VT per il quale si
191
crea nel substrato un canale indotto90.
P N P N
a)
A
C
b)
c)
Figura A.13
Il comportamento dellSCR il seguente. Finch la tensione VG dellelettrodo di controllo
(gate) inferiore o di poco superiore a quella del catodo VC, la corrente che fluisce tra
anodo e catodo trascurabile: lSCR spento. Appena la giunzione GC polarizzata
direttamente, in modo da iniettare una corrente apprezzabile attraverso il gate, il
dispositivo entra in conduzione e la resistenza efficace tra A e C diventa molto piccola (I
pu raggiungere nei modelli pi potenti valori di migliaia di ampere).
Una volta acceso, il dispositivo resta acceso, e per spegnerlo si deve ridurre la corrente
sotto un livello minimo (soglia). Ci pu essere ottenuto interrompendo il circuito,
cortocircuitando temporaneamente l'SCR, o infine polarizzando inversamente GC in
modo da estrarre una corrente sufficient, che di solito dellordine di un decimo della
corrente anodica. Gli SCR che possono essere spenti in questo ultimo modo, mediante un
breve impulso di corrente negativa, vengono detti GTO (Gate Turn Off).
Una
spiegazione
grossolana
del
funzionamento
dellSCR
pu
essere
fornita
90
192
corrente nel gate esso si accende: la giunzione collettore-base del PNP pu essere vista
come un diodo polarizzato direttamente in serie allNPN. Iniziata la conduzione essa si
autosostiene, perch, anche ponendo IG = 0, la corrente di base dellNPN fornita dal
collettore del PNP.
Il simbolo grafico del SCR riportato in figura A13 c.
Un altro dispositivo che pu funzionare come regolatore di potenza il TRIAC (Triode
A.C.), che viene rappresentato con il simbolo di figura A14a. Questo, rispetto allSCR,
offre il vantaggio di poter essere usato con correnti alternate.
Il TRIAC in sostanza un SCR reversibile che viene acceso da un impulso di comando
applicato al gate, e pu essere visto come come due SCR in parallelo con lo stesso gate,
come schematizzato in figura A14b.
A
M1 (Anodo)
a)
b)
G
G
M2 (Catodo)
C
Figura A.14
91
193
Appendice B
B.1. Numeri complessi
Sul piano x-y tracciamo due assi ortogonali, indichiamo con j lasse y che chiamiamo
immaginario, e chiamiamo reale lasse x. Ogni punto del piano di coordinate (a, b) pu
essere associato al vettore che trasporta lorigine degli assi (0, 0) in (a,b). Tale vettore
rappresenta il numero complesso C = a + jb. Il simbolo j lunit immaginaria per la quale
valgono le relazioni: j = 1 e j2 = 1. Detta m la lunghezza del vettore, o modulo del
numero complesso C, si ha m = |C| = a 2 + b 2 .
Langolo che il vettore forma con lasse x
detto fase del numero complesso = arctg (b / a), e
si pu scrivere C = m (cos + j sin ).
Im
a Re
Figura B 1
194
In regime sinusoidale la situazione stazionaria, e dato che la dipendenza dal tempo
ovvia, si preferir mettere in evidenza la dipendenza dalla frequenza. Poniamo quindi
s = j e con questa notazione si ha I(s) = Ioest. Analogamente si associa ad una tensione
sinusoidale, v(t) = Vocos t, il numero complesso V(s) = Voest. Si noti che questa
rappresentazione generale, in quanto ogni segnale periodico pu essere sempre
scomposto nella somma di un numero, finito o infinito, di componenti sinusoidali (le
componenti di Fourier).
v(t) = R i(t)
{ZR} = {R}.
Nel caso della capacit, dalla definizione di capacit C = q/v e di corrente i = q/t, si ha
i(t) = C q(t)/t e integrando:
v(t) = (1/C) i(t )dt
{ZC} = {(1/C) dt }.
Nel caso dellinduttanza (ad esempio un solenoide), la tensione indotta dalla variazione
del flusso magnetico concatenato al solenoide per effetto di variazioni della corrente,
data dalla relazione :
v(t) = Li(t)/t
{ZL} = {L/t}.
Applicando loperatore {Z} nel campo complesso nei tre casi (R,C, e L) si ottiene rispettivamente:
{ZR}I(s) = R I(s)
{ZR} = R
{ZL} = sL = jL
195
Alla stessa conclusione si perviene operando sul numero complesso definito dalle
funzioni trigonometriche I(t) = Io(cost + j sint) e, ricordando che
cos(x) dx = sin(x),
In un sistema reale il grado del polinomio N(s) sempre minore o uguale di quello di
D(s), perch al tendere di s (frequenza) allinfinito lampiezza alluscita non pu
divergere.
196
frequenza angolare log e in ordinata il logaritmo del modulo della funzione di
trasferimento log A(), e infine si approssima la curva ottenuta con dei segmenti di retta.
Per tracciare il diagramma di Bode della fase, si riporta in ascissa il logaritmo della
frequenza angolare log e in ordinata la fase (), e ancora si approssima la curva
ottenuta con dei segmenti di retta. Le frequenze corrispondenti ai vertici di queste
spezzate vengono dette frequenze di taglio (break frequencies).
Consideriamo due semplici esempi, in regime sinusoidale:
1) Filtro passa-basso costruito con induttanza e resistenza (figura B2). Qui valgono le
relazioni Vu(s) = R I(s) e Vi(s) = (R + ZL) I(s) e quindi si ricava subito la funzione di
trasferimento:
Quindi
Figura B.2
197
2) Filtro passa-alto RL (figura B3). Qui Vu(s) = ZL I(s) e Vi(s) = (ZL + R) I(s) e si ottiene
la funzione di trasferimento T(s) = sL/(R + sL) = s / (s + R/L) = 1/(1+j o/). Quindi
A() = (1 + 20 /2)-1/2, e () = arctan(o/). Per << o = R/L si ha che A /o, e
+/2, per = o si ha A = log2 0, e = +/4, e infine per >> o si ha A 1,
e 0. Di conseguenza il diagramma di Bode per A() formato dalla retta
y = log |T| = log (R/L) + log a basse frequenze e dalla retta y = log |T| = 0 ad alte
frequenze. Il diagramma di Bode di () anche qui una spezzata costruita con due
rette orizzontali
Figura B.3
198
L [f1(t)] + L[f1(t)]
F1(s) + F2(s)
L [af(t)]
a L [f(t)]
a F(s)
L [f(t to)]
e-sto L [f(t)]
e-sto F(s)
L [f(t)/t]
s F(s) f(0)
F(s) / s
lim {sF(s)}
lim{sF(s)}
L [ f(x)dx ]
f()
s L[f(t)] f(0)
1
L [f(t)]
s
lim {sL[f(t)]}
f(0)
lim{sL[f ( t )]}
s 0
s 0
Inoltre facile vedere che, se u(t) la funzione a gradino unitaria, definita come: u(t) = 0
per t < 0 e u(t) = 1 per t > 0:
L [u(t)]
(1 e ) dt
-st
1/s
( a s ) t
1/(sa).
L [exp(at)]
dt
1 1
1
2 j s ja s + ja
a/(s2 + a2)
L[cos(at)]
1 1
1
+
2 s ja s + ja
s/(s2 + a2).
Per capire come si usa il metodo della trasformata di Laplace in elettronica, analizziamo
innanzitutto un caso semplice: la risposta di un filtro passa-alto RC ad un segnale a
gradino.
199
vi(t)
i(t)
vo(t)
C
vi(t)
i(t)
vo(t)
C
i(t)
i(t)
a)
b)
Figura B.4
Con riferimento alla figura B4a e dalla definizione di corrente i(t) = q/t e di capacit
C = q(t)/v(t), si pu ricavare lequazione:
vi(t) = vC(t) + vR(t) = (1/C) i(t)dt + Ri(t).
[b1]
[b2]
sRC
[b3]
La tensione in uscita :
Notiamo subito che questa relazione (ove L-1 la antitrasformata di Laplace) pu anche
essere scritta come:
vo(t) = L-1 [L{vi(t)} T(s)].
[b4]
Sostituendo nella [b3] la trasformata della funzione a gradino per un impulso di ampiezza
V: Vi(s) = L [Vu(t)] = V/s, e ricordando che L-1 [1/(s + a)] = exp(at), si ottiene:
vo(t) = L-1[V/(s + 1/RC)] = V exp(t/RC).
[b5]
Questo risultato si sarebbe potuto ottenere direttamente dalla [b4], che una equazione
del tutto generale, una volta note le trasformate ed antitrasformate delle funzioni
coinvolte. Usando questa scorciatoia, analizziamo il caso della risposta alla funzione a
gradino del filtro RC passa-basso (figura B4b). Si ha T(s) = (1/RC)/(s + 1/RC), e
92
Una breve ma esauriente spiegazione si trova ad esempio in Electronics for the Physicist, C.G. Delaney,
capitolo 12. Una utile trattazione della trasformata di Laplace fatta anche in Elettronica Generale, Vol
200
Vi(s) = V/s. Usando la relazione [b4] si ottiene subito:
V
1
1 / RC
1
vo(t) = L-1
= V(1 e t/RC).
= V L-1
s + 1 / RC s
s s + 1 / RC
[b6]
Avendo a disposizione una tabella di trasformate di Laplace per le varie funzioni, diventa
facile risolvere rapidamente anche casi pi complessi.
Un altro vantaggio offerto da questo tipo di analisi consiste nelle utili conclusioni che si
possono trarre da uno studio dei poli della T(s). Supponiamo ad esempio che T(s) abbia
un solo polo, cio il suo denominatore abbia una sola radice: T(s) = 1/(s a). Si visto che
L[exp(at)] = 1/(s a). Se a reale e negativo, l'esponenziale che compare nella antitrasformata f(t) = L-1[{T(s)}] decrescente, e quindi il segnale trasferito ha un andamento
convergente. Viceversa se a reale e positivo, l'esponenziale crescente e quindi il
segnale trasferito ha un andamento divergente.
Questo risultato generalizzabile a pi poli: se T(s) ha poli sull'asse reale positivo, il
segnale in uscita tende a divergere (criterio di instabilit).
In conclusione: il metodo della trasformata di Laplace pu agevolare la soluzione delle
equazioni integro-differenziali associate alla trasformazione di segnali nei circuiti elettrici,
e consente una veloce previsione, almeno qualitativa, dell'effetto di una particolare
funzione di trasferimento.
Una raccolta delle funzioni pi frequentemente usate, con le corrispondenti trasformate di
Laplace, fornita nella figura B.5.
201
f(t)
F(s)
1(t)
1/s
funzione
a gradino
1/s2
rampa
0
a>0
eat
1
s+a
esponenziale
a<0
s + 2
sin(t)
sinusoide
a>0
eatsin(t)
t
0
a<0
t
0
Figura B.5
(s a ) 2 + 2
esponenziale
oscillante
202
Appendice C
C.1. Resistenze
La resistenza un elemento che dissipa energia: la potenza P dissipata (per effetto Joule)
vale P=RI2=V2/R=VI [watt]. Le resistenze per circuiti elettronici sono disponibili con
valori che vanno da 10 m a 1000 G (da 102 a 10+12 ), e in modelli che possono
dissipare da 1/8 di watt a centinaia di watt. Possono essere distinte essenzialmente in
quattro grandi categorie: quelle costituite di miscele a base di carbone, quelle a film
metallico, a filo metallico, o a semiconduttore.
Il tipo pi economico e diffuso quello a miscela di carbone : la potenza dissipabile va da
1/8 W a /2 W, ed i valori nominali sono compresi tra 1 e 22 M con tolleranze del 3%,
5%, 10% e 20%. Il coefficiente di temperatura abbastanza elevato (TC 0.1% per
grado), soprattutto a temperature superiori a 60 oC e inferiori a 0 oC, ed un rumore
elettrico molto elevato.
Le resistenze a filo metallico hanno valori che vanno da 1 a 100 k, tolleranze mai
peggiori dell1%, e si possono dividere in 4 tipi: a elevata precisione, di potenza, a bassa
induttanza e il tipo duso generale. Poich il filo metallico generalmente avvolto a
spirale, ad esso generalmente associata una induttanza non trascurabile: vi sono tuttavia
modelli (pi costosi) avvolti a doppio filo per ridurre linduttanza, ed adatti quindi ad
essere usati anche a frequenze moderatamente elevate.
I tipi di potenza possono dissipare fino a 200 W.
I tipi a grande precisione possono offrire una accuratezza (fino a 0.0005 % = 5 p.p.m.),
hanno basso coefficiente di temperatura (fino a 5 p.p.m./oC) ed eccellente stabilit nel
tempo.
Quelli per uso generale (da 1/4 W a 1 W) si possono considerare degli ottimi sostituti delle
resistenze a carbone, quando si possa accettare un piccolo sovrapprezzo per ottenere
migliore stabilit termica.
Le resistenze a film metallico sono disponibili con valori da 1 a 1000 M, e potenze da
1/4 W a 1 W, e hanno un coefficiente di temperatura molto piccolo (fino a 1 p.p.m./oC),
grande stabilit nel tempo, e bassissimo rumore elettrico.
Esistono anche resistenze a film di carbone, con elevati valori (da 10 a 100 M) e
buone tolleranze (0.5%).
Esse hanno coefficiente termico negativo e sono poco costose. Il rumore inferiore a
quello dei tipi ad impasto di carbone, specie per i piccoli valori ohmici.
203
Vi sono infine resistenze a semiconduttore, caratterizzate da un elevato coefficiente di
temperatura: per questa ragione esse vengono anche chiamate termistori. Vengono
indicate con la sigla NTC o PTC a seconda che tale coefficiente di temperatura sia
negativo ovvero positivo.
Le resistenze a filo metallico o semiconduttore portano scritti il valore ohmico e la classe
di tolleranza, in cifre o in numero di codice.
Per le resistenze di carbone o a film, esiste un codice a colori standardizzato per il riconoscimento del valore ohmico e della classe di tolleranza. Esso riportato in figura C.1. La
prima striscia indica la prima cifra, la seconda la seconda cifra, e la terza striscia il
numero
di
zeri
che
segue
(lesponente
di
10):
ad
esempio
rosso-rosso-
Figura C.1
Nella figura sono indicati in grassetto i valori standard per resistenze con tolleranza 20%.
Resistenze con tolleranza 10% hanno anche i valori indicati in carattere normale, e quelle
con tolleranza 5% hanno anche i valori indicati in carattere corsivo.
Esistono anche resistenze a film metallico con tolleranze del 1/2 % e 1%, di costo limitato
(tipo RN55 da 1/4 W, e RN60 da 1/2W). Per queste anzich un codice a colori si usa un
codice numerico a 4 cifre, con convenzione analoga a quella del codice numerico: qui le
prime tre cifre indicano il valore, e la quarta il numero di zeri che segue (ovvero
lesponente di dieci). Ad esempio 1353 equivale a 135103. Nel caso di resistenze piccole
si usa la lettera R per indicare il punto decimale (ad esempio: 10R0 significa 10.0 ; 1R0
= 1.0; ed infine R10 = 0.1). I valori standard vanno da 1 a 300 k.
Le resistenze reali presentano una piccola capacit parassita Cp in parallelo e una
piccolissima induttanza in serie (trascurabile per frequenze inferiori al megahertz).
204
Limpedenza complessiva di una resistenza quindi Z = R/(1 + jRCp).
Il fattore di merito Q di una resistenza reale il rapporto tra la parte reale e quella immaginaria dellimpedenza: Q = RCp.
Per le resistenze di alto valore (da 109 a 1012 ) bisogna infine tenere presente che il
valore nominale pu essere notevolmente ridotto da effetti di conduzione superficiale se si
in presenza di umidit o elementi contaminanti la superficie. Questi componenti vanno
usati accuratamente sgrassati ed eventualmente ricoperti da sostanze idrorepellenti ad alto
isolamento.
Potenziometro
Reostato
Trimmer
Figura C.2
I piccoli potenziometri da pannello sono generalmente a simmetria cilindrica (diametro
18 mm), con un asse rotante (diametro 6 mm) su cui fissata una manopola che muove il
contatto strisciante. Esistono anche potenziometri in miniatura (trimmer) adatti ad essere
montati su circuiti stampati, e che vanno manovrati con un cacciavite (figura C.2).
Lelemento resistivo che compone il potenziometro pu essere una pista di miscela di
carbone, di plastica conduttiva o un avvolgimento di filo metallico. I pi economici sono
quelli a carbone (da 5 a 1 M), che hanno anche il pi alto coefficiente di temperatura.
Seguono, con costo crescente, quelli in plastica e quelli a filo (da 10 a 500 k), che
offrono anche eccellente linearit e basso TC (fino a 100 p.p.m. /oC). I potenziometri a filo
possono essere a molti giri (helipot), normalmente 4, 10, 15, 20 o 25 giri, consentendo
cos una migliore risoluzione, cio un aggiustamento pi fine del valore di resistenza.
205
C.3. Condensatori
I condensatori sono disponibili in una grande variet di tipi e forme. Tra i dispositivi passivi, essi sono gli elementi pi difficili da scegliere: innanzitutto possono essere assai
costosi, e poi hanno caratteristiche assai diverse da tipo a tipo.
Possono essere di film plastico metallizzato su una faccia e avvolto a spirale a formare un
cilindro, o un sottile disco ceramico metallizzato sulle due facce, o fogli metallici separati
da un ossido isolante, possono essere polarizzati o no...
Il valore della capacit del condensatore dato dalla relazione:
C=
ove A larea degli elettrodi affacciati, dallo spessore, o la costante dielettrica del vuoto
e K la costante dielettrica relativa dellisolante. Si vede come elevati valori di C
richiedono grande A (e quindi grandi dimensioni) o piccolo d (e quindi tensione massima
di lavoro limitata dallelevato campo elettrico nellisolante). La costante dielettrica pu
variare molto con il tipo di isolante usato.
Le specifiche pi importanti sono, oltre al valore capacitivo, la tensione massima, la
stabilit termica, il fattore di dissipazione e la corrente di perdita (o equivalentemente la
resistenza di perdita).
Rp
Ls
C
Rs
d
C
Figura C.3
La resistenza di perdita Rp definita come rapporto tra la tensione continua applicata agli
elettrodi e la corrente di perdita Ip che attraversa il dielettrico. Essa pu essere vista come
una resistenza efficace messa in parallelo alle armature del condensatore. Un
condensatore reale ha anche una resistenza in serie Rs, ed una induttanza Ls, di solito
trascurabili (Rs di solito inferiore a 1 , ma pu anche arrivare al centinaio di ).
Fissata K, Ip cresce con C, essendo proporzionale direttamente ad A e inversamente a d.
Per un dato valore di tensione massima e di K, il prodotto RpC circa costante (e viene di
solito indicato in secondi o MF).
Il fattore di dissipazione DF misura la potenza P dissipata dal condensatore in regime di
206
correnti alternate, ed definito come rapporto tra lenergia dissipata e quella
immagazzinata in un ciclo (in regime sinusoidale). DF( = 1/Q, ove Q il fattore di merito)
abbastanza costante in un ampio intervallo di frequenze f :
DF = (P /f)/(CV2/2),
e perci la potenza dissipata cresce linearmente con la frequenza:
P = (CV2/2)DFf.
Le capacit reali hanno quindi una impedenza complessa Zc = Rp/(1 + jRpC). Langolo di
perdita definito come = /2 , ove tg = Q = 1/DF il rapporto tra parte immaginaria e parte reale dellimpedenza. La capacit ideale ha angolo di perdita zero (Rp = ).
Si possono distinguere quattro grandi categorie di condensatori, a seconda del tipo di
dielettrico interposto tra le armature: ceramici, a mica, a film plastico, elettrolitici.
Tra i ceramici ve ne sono alcuni (a basso valore di K, e quindi piccole capacit) che hanno
moderato TC, ma la maggior parte offre scarsa stabilit termica. Sono adatti per luso ad
alte frequenze. I condensatori di mica (DF 0.02) sono i migliori per altissime frequenze
(>100 MHz), ma hanno bassi valori capacitivi. Il coefficiente di temperatura pu essere
molto piccolo (200 p.p.m./oC).
Figura C.4
I condensatori di mica e ceramici sono contrassegnati da un codice a colori (figura C.4).
Per il valore capacitivo il codice quello usato per le resistenze, con le seguenti
differenze: lesponente va solo da 0 a 4 (nero - giallo), e pu assumere anche valori
negativi (oro = 1, argento = 2 per condensatori di mica; bianco = 1 e grigio = 2 per i
condensatori ceramici).
I condensatori a film plastico si dividono a loro volta in cinque sottocategorie: quelli di
207
poliestere (mylar) (K = 3.1, DF 0.3) possono sopportare elevate tensioni, mediocre TC;
quelli di polistirene (K = 2.5, TC 1000 p.p.m./oC) sono adatti a basse tensioni, ma
vanno bene ad alta frequenza (DF 0.03) ; quelli di policarbonato (K = 2.8) hanno miglior
coefficiente di temperatura che quelli di polistirene (TC +300 p.p.m. /oC); quelli di
polipropilene (K = 2.4) sono simili a quelli di polistirene, ma pi ingombranti; quelli di
teflon hanno alto isolamento.
I condensatori elettrolitici offrono un alto rapporto capacit/volume, a scapito di una
elevata corrente di perdita. Generalmente sono polari: se la tensione applicata con
polarit errata conducono. I tipi non polari sono costituiti da due condensatori in serie
accoppiati con polarit invertita, ed hanno quindi capacit dimezzata, a parit di
ingombro. Possono essere con elettrodi di alluminio o tantalio. Quelli di tantalio possono
avere dimensioni molto ridotte. I condensatori elettrolitici hanno di solito forma cilindrica,
con elettrodi assiali. Il valore capacitivo (in unit F, anche se talvolta la scritta "m") e
la tensione massima sono riportati in cifre. Gli elettrolitici devono essere usati in modo
che il terminale positivo sia sempre a tensione pi alta rispetto al terminale negativo. Un
condensatore elettrolitico connesso con polarit invertite conduce, e rapidamente si brucia
(talvolta esplode). La polarit negativa quella dellelettrodo connesso alla carcassa,
indicato con un o con una linea nera; la polarit positiva talvolta indicata con un
+.
Anche alcuni condensatori cilindrici a carta, non polari, individuano lelettrodo (foglio)
esterno con una linea nera. Tale elettrodo va connesso alla tensione minore per
minimizzare il rumore (pick-up). Vi sono infine i condensatori in bagno dolio, modelli
tuttavia ormai obsoleti.
Le propriet caratteristiche dei principali tipi di condensatori sono riassunte in tabella
[lunit di misura il Farad (F) ed il simbolo (p) sta per pico = 10-12, (n) sta per
nano = 10-9, () sta per micro = 10-6]
208
Tipo
Intervallo
di valori
V max
(V)
coeff.
temperatura
resistenza di
perdita
Commenti
mica
1pF-10nF
100-600
aggiustabile
buono
economici
ceramica
10pF-1F
50-3000
mediocre
discreto
economici
mylar
1nF-50F
50-600
mediocre
buono
economici
polistirene
10pF-1F
100-300
buono
eccellente
per filtri
policarbonato
100pF-30F
50-800
molto buono
buono
per integratori
polipropilene
100pF-50F
50-300
buono
molto buono
teflon (PTFE)
1nF-2F
200
buono
ottimo
tantalio
100nF-1000F
6-100
mediocre
alluminio
100nF-0.001F
3-600
pessimo
olio
0.1 F-20F
>10.000
piccole dimens.
pessimo
alta C
buono
grandi dimens.
C.4. Induttanze
Le induttanze reali sono generalmente piccoli solenoidi avvolti in aria. Esse presentano
quindi una resistenza parassita in serie Rp e capacit parassita in parallelo (spesso
trascurabile): ZL Rp + jL. Talvolta lavvolgimento fatto su nucleo di ferrite per
crescere il valore di L senza crescere troppo Rp (ma con conseguente perdita di linearit).
Linduttanza si misura in Henry: i valori disponibili per induttori in aria variano tra
centesimi di microhenry (0.01H) e alcuni millihenry (mH), mentre per induttori su
nucleo di ferrite variano tra decine di H e decine di henry (con Rp 100).
C.5. Diodi
I diodi hanno indicata di solito la polarit mediante una linea dalla parte del terminale N
(catodo). Vi sono molti tipi di diodi: i diodi da segnale, per bassa potenza (frazioni di W)
e con piccola corrente inversa (dellordine del A, e del nA in alcuni modelli). I diodi
rettificatori sopportano correnti dirette anche elevate (da frazioni di A fino a centinaia di
A), ma con correnti inverse maggiori (fino a qualche mA ). I rettificatori veloci (switching
diode) sono caratterizzati da piccoli tempi necessari a svuotare lo strato di giunzione. Si
riportano in tabella le caratteristiche di alcuni diodi di uso comune: VB = tensione massima
inversa (o di breakdown), Io = corrente inversa (o di perdita, leakage), VF = caduta di
tensione ai capi del diodo polarizzato direttamente (forward voltage), Id = corrente diretta,
C = capacit parassita in parallelo.
209
VB
Io
VF
Id
(V)
(A)
(V)
FJT1100
30
.001
1N3595
150
1N914
Sigla
Commenti
(mA)
C
(pF)
1.1
.05
1.2
bassissima Io
0.7
10
(veloce) bassa Io
75
.75
10
(vel.) da segnale
1N4148
75
.75
10
1N456/9
30/200
0.025
40/3
(vel.) da segnale
(vel.) bassa Io
1N6263
60
10
.4
(vel.) bassa Vf
1N3062
75
50
20
.6
(vel.) bassa C
1N4002
100
50
.9
1000
15
rettificatore 1A
1N4007
1000
50
.9
1000
10
rettificatore 1A
1N5625
400
50
1.1
5000
45
rettificatore 5A
1N1183A
50
1000
1.1
40000
I diodi Zener sono diodi che possono essere usati applicando una tensione inversa
maggiore di quella di breakdown Vz : servono come regolatori di tensione. Esistono
Zener con Vz nellintervallo da 250 mV a 1.5 kV. Per una lista succinta si veda il capitolo
16.
I vari tipi di diodi sono individuati da una sigla: talvolta la sigla (che in questo caso
sottintende il prefisso "1N") indicata con tre o quattro cifre nel codice a colori delle
resistenze. In questo caso il catodo lelettrodo pi vicino alle striscie di colore, e la
prima cifra quella pi vicina al catodo.
Nei diodi emettitori di luce (LED) il catodo individuato dalla parte tagliata o appiattita
dellinvolucro, o da una linguetta metallica.
catodo
sigla
sigla
sigla
anodo
Figura C.5
210
Cos si pu correggere agevolmente il circuito spostando o sostituendo i componenti, o
modificando i collegamenti senza il rischio di surriscaldare o rovinare i componenti usati
e risparmiando un tempo notevole.
Figura C.6
I fori nelle tre file orizzontali (righe) alle estremit sono elettricamente tra loro collegati, e
vengono usati per portare le tensioni di alimentazione. Tutti gli altri fori sono invece
collegati in verticale (colonne): i circuiti integrati vengono inseriti in posizione centrale,
cosicch ciascun piedino pu essere collegato a pi componenti inseriti nei fori di una
stessa colonna.
I vari componenti attivi e passivi vengono collegati tra loro usando spezzoni di filo di
rame ( 0.5 mm) isolato con guaina di plastica, guaina che va spellata alle estremit per
un tratto di circa 1/2 cm, in modo che possa essere inserita saldamente nei fori della
contattiera.
211
Appendice D
Circuiti integrati commerciali: caratteristiche e piedinatura
AD
Burr-Brown
OPA-nessuna
Fairchild Semiconductors
Harris Semiconductors
HA-(CA)
Intersil Inc.
ICL-ICM
Linear Technology
LT
Maxim
MAX-(BB-ICL)
Motorola Semiconductors
MC-(LF-LM-TL)
LF-LH-LM
OP
Raytheon Semiconductors
RC-RM
CA
Signetics Corp.
NE-SE
SGS-Ates
LS
TL-TLC-(A)
212
D.2. Piedinature e caratteristiche di alcuni Amplificatori Operazionali
La numerazione dei piedini sempre in verso antiorario se si osserva il componente da
sopra, ed il piedino numerato 1 il primo a partire dalla marcatura. La marcatura una
linguetta nei modelli a contenitore metallico, e un cerchietto inciso (o una fenditura) nei
modelli a contenitore plastico.
8
1
Marcatura
7
6
3
(Visti da sopra)
5
4
(Vista laterale)
Metal Can
Le caratteristiche dei vari operazionali sono fornite dai costruttori organizzate in manuali
(Data Sheet) che spesso sono anche utilissime guide all'uso, corredate di esempi pratici e
di dettagliate spiegazioni di vari possibili circuiti.
Le pubblicazioni della Texas, della National, della Analog Devices e della Faichild sono
particolarmente ricche di informazioni. Per la parte relativa ai circuiti lineari esistono
anche veri e propri manuali dedicati esclusivamente a suggerire soluzioni ottimali per la
progettazione93:
Nelle tavole seguenti si riportano solo alcune specifiche degli operazionali pi comuni: i
dispositivi in commercio sono diverse centinaia e nuovi tipi vengono continuamente
prodotti ogni anno.
93
Texas: Linear and Interface Circuit Applications, National: Linear Application Handbook. Interessanti
sono anche : Analog Devices, Data Book Vol 1 (per lineari e integrati con funzioni particolari, sensori),
Fairchild Linear Data Book, National Linear Data Book (per lineari, comparatori, regolatori di tensione,
interruttori analogici).
213
D.2.1. Operazionali con piedinatura di tipo 741
Sigla
stadio
ingresso
A741
AD741
LS148
OP01
OP02
RC4131
NE530
NE535
MC1456
MC1436
LM143/343
HA2645
MC1741
TL081
TL071
TL061
TL051
TL031
LF351
AD515
3528BM
CA3140
CA3160
2
3
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
JFET
JFET
JFET
JFET
JFET
FET
FET
FET
Mosfet
Mosfet
+
4
Vcc (V)
Vos
Ib
Ios
Min-Max
(mV)
(nA)
(nA)
(MHz)
1036
1044
422
1044
1044
736
1036
1036
1036
1080
1068
2080
1044
515
515
515
515
515
1036
1036
1040
444
516
2
0.5
1
1
0.3
1.5
2
2
5
5
2
2
6
5
3
3
0.7
0.5
5
0.4
0.1
2
2
80
30
80
20
18
70
65
65
15
15
8
15
200
.03
.03
.03
20pA
2 pA
.05
.3 pA
.2 pA
10pA
5 pA
20
2
20
1
0.5
3
15
15
5
5
1
12
30
.005
.005
.005
4 pA
1 pA
.025
.3 pA
.04pA
.5 pA
.5 pA
1.2
1
1
2.5
1.3
4
3
1
1
1
1
4
1
3
3
1
3.6
1
4
0.4
0.7
3.7
4
CMRR
(dB)
(mA)
(mA)
90
110
90
100
100
100
90
90
110
110
90
100
90
80
76
76
85
87
100
94
86
90
90
200
200
150
100
250
160
200
200
100
500
100
200
200
200
200
10
60
7
100
40
100
100
320
2.8
2.8
1.9
3
2
2
3
2.8
3
5
2
4.5
3.5
2.8
2.5
0.25
2.3
0.2
3.4
1.5
1.5
6
15
20
15
25
6
6
10
10
10
5
10
20
10
10
10
10
5
80
40
10
10
10
10
12
+Vcc
6
1
Vcc
(103)
Vcc
I terminali 1 e 5 vengono usati per azzerare l'offset.
214
D.2.2. Operazionali con piedinatura di tipo 356
Sigla
LF355
LF356
LF357
OP15
OP16
LM110
/210/310
LM112
/212/312
LM216
/316
AD504
AD510
AD517
A725
OP05
OP07
HA2500
/02/05
HA2510
/12/15
HA2520
/22/25
Ib
Ios
(mV)
(nA)
(nA)
(MHz)
bipolare
1036
1036
1036
1044
1044
518
3
3
3
0.2
0.2
1.5
30pA
70pA
70pA
15pA
15pA
1.5
3pA
7pA
7pA
3pA
3pA
10
bipolare
518
bipolare
520
0.5
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
1036
1036
1036
520
644
644
1020
bipolare
bipolare
stadio
ingresso
FET
FET
FET
FET
FET
Vcc (V)
Vos
Min-Max
CMMR
(103)
(mA)
(mA)
2.5
4.5
20
6
8
20
100
100
100
100
100
100
100
100
100
240
240
0 dB
4
10
10
4
7
4
20
20
20
15
20
5
0.3
100
20
0.3
50pA
0.1
80
30
0.6
0.5
0.02
0.02
0.5
0.2
0.01
4
80
10
5
42
1.2
0.7
100
2
3
2
1.2
0.3
20
0.3
0.3
0.25
0.08
0.6
0.6
0.5
110
110
100
100
123
126
90
1000
1000
1000
3000
500
500
60
3
3
4
3
4
4
4
15
10
10
5
10
10
10
1020
100
20
0.5
90
15
10
1020
100
20
90
15
10
+Vcc
7
2
3 +
4
(dB)
V cc
+Vcc
6
215
D.2.3. Operazionali doppi (Dual)
Sigla
MC1458
RC4558
LM158/
/258/358
A798(#)
OP04 (*)
OP14
A747 (*)
TL082
TL072
TL062
TL052
TL032
LF353
A772
Ib
Ios
Min-Max
(mV)
(nA)
(nA)
(MHz)
bipolare
bipolare
bipolare
518
515
318
2
1
2
80
40
50
20
5
10
bipolare
bipolare
bipolare
bipolare
318
522
522
518
515
515
515
515
515
518
518
2
0.3
0.3
2
5
3
3
0.7
0.5
5
2
50
18
18
80
.03
.03
.03
20pA
2 pA
.05
.05
10
0.5
0.5
20
.005
.005
.005
4 pA
1 pA
.025
Vcc (V)
JFET
JFET
JFET
JFET
JFET
JFET
JFET
8
2
3
Vos
stadio
ingresso
+Vc
1
2
7
6
Vc
(#)
(103)
(mA)
(mA)
1.2
3
1
90
100
90
200
300
200
2.8
7
3
20
20
20
1
1.3
1.3
1.2
3
3
1
3.6
1
4
3
90
100
100
90
80
76
76
85
87
100
80
200
250
250
200
200
200
10
60
7
100
100
3
2
2
2.8
2.8
2.5
0.25
2.3
0.2
3.4
3
20
6
6
20
10
10
5
80
40
10
10
+Vc
offset
12
3
14
(*)
6
(dB)
13
CMMR
offset
Vc
5
9
10
216
D.2.4. Operazionali quadrupli (Quad)
Sigla
MC4741
RC4156
LM148/
248/348
LM124/
224/324
OP11
TL084
TL074
TL064
TL054
TL034
LF347
A774
stadio
ingresso
Vcc (V)
Vos
Ib
Ios
Min-Max
(mV)
(nA)
(nA)
(MHz)
bipolare
bipolare
bipolare
518
320
518
2
5
2
80
60
80
20
30
20
(#)
330
45
522
515
515
515
515
515
518
518
0.5
5
3
3
0.7
0.5
3
10
bipolare
bipolare
JFET
JFET
JFET
JFET
JFET
JFET
JFET
300
25
.03 .005
.03 .005
.03 .005
20pA 4 pA
2 pA 1 pA
50pA 25pA
0.2
0.1
4
2
3
6
5
9
10
13
12
(#)
(103)
(mA)
(mA)
1.2
3.5
1.2
90
80
90
200
100
200
2.8
7
2.8
20
20
20
100
50
0.8
30
2
3
3
1
3.6
1
3
3
120
80
76
76
85
87
100
70
600
200
200
10
60
7
3
2.8
2.5
0.25
2.3
0.2
7
3
15
10
10
5
80
40
14
11
(dB)
+Vcc
CMMR
V cc
25
25
217
1 2
RG
8
4
Vcc
5
INA 114: il guadagno regolato dalla resistenza esterna RG: G=1+50k/ RG
D.3. Comparatori
Sigla
A111/311
LM111/211
LF111/211/311
A710-LM710
LM106/206/306
LM119/219/319
LM139/239/339
A139/239/339
LM193/293/393
A711-LM711
LP165/365
collettore
Num
Single
(A)
s
(s)
Comp.
Supply
0.04
0.2
si
50nA
20
20
0.5
0.2
.02nA
3
3
0.1
0.05
0.2
0.04
0.04
0.08
1.3
1
1
1
2
4
si
no
no
si
si
0.1
50
0.1
0.02
10
0.05
1.3
0.04
4
2
2
4
si
no
si
Vcc
Vos
Ib
aperto
(V)
(mV)
(A)
si
15
0.1
si
no
si
si
si
15
4
7+14 0.6
12
2
15
4
18
2
si
no
si
18
7+14
18
1
3
3
Ios
Per la piedinatura dei diversi tipi si rimanda alle specifiche fornite dal costruttore.
I comparatori la cui sigla differisce solo nel primo carattere numerico (1 o 2 o 3) si
distinguono solo per qualit e intervallo di temperature entro il quale sono garantite le
specifiche (1=military grade, 2=industry grade, 3=commercial grade): i tipi pi economici
sono ovviamente gli ultimi.
Lo stesso vale anche per molti AO.
218
Tipo
TTL
numero
dispositiv schem
sigla
i
a
numero
ingressi
Inverter
AND
AND
AND
NAND
NAND
NAND
NAND
OR
OR
OR
NOR
NOR
NOR
XOR
XNOR
Schmitt NAND
Schmitt Inverter
1
2
3
4
2
3
4
8
2
3
4
2
3
4
2
2
2
1
6
4
3
2
4
3
2
1
4
3
2
4
3
2
4
4
4
6
a
b
+V
CMOS
schema
sigla
7404
7408
7411
7421
7400
7410
7420
7430
7432
7402
7427
7425
7486
74266
7414
a
c
c
c
4069
4081
4073
4082
4011
4023
4012
4068
4071
4075
4072
4001
4025
4002
4070
4077
4093
4584
+V
14
14
13
12 11
10 9
12
13
4 5
1
2
11
9
10
4
5
a)
+V
b)
+V
14
14
12
13
1
2
11
9
8
10
12
11
5
6
3
2
c)
13
9
8
10
6
5
4
7
d)
219
Bibliografia
I testi attualmente disponibili per lo studio dellelettronica sono assai numerosi, sia in
lingua italiana che in inglese. Meno numerosi sono quelli scritti in modo rigoroso e nello
stesso tempo facili da leggere: in questa bibliografia si cercato di raccogliere un
sottoinsieme di questi ultimi piuttosto ridotto, ma tuttavia sufficiente a soddisfare tutte le
curiosit rimaste al lettore in merito agli argomenti qui trattati. Per ciascuno riportato il
numero di pagine, per dare unidea delle dimensioni del testo.
1)
The Art of Electronics, P. Horowitz and W. Hill, Cambridge Univ. Press, 1980, 700 pp. un'opera
fondamentale per chi voglia apprendere lelettronica analogica e digitale. Divertente e chiaro. Presenta
utili esempi pratici ed evidenzia possibili errori in cui facile cadere. disponibile anche un secondo
volume con la risoluzione e discussione degli esercizi proposti nel testo.
2)
Microelectronics, J. Millman and A. Grabel, Mc Graw Hill, 1987, 1000 pp. Un testo classico. Di
lettura pi difficile del precedente, ma utile per uno studio approfondito. Discute molto in dettaglio i
transistor ed i dispositivi digitali; tra gli altri, un capitolo dedicato agli amplificatori a componenti
discreti, uno alla conversione A/D e D/A ed uno ai sistemi di potenza.
3)
Operational Amplifiers, G. B. Clayton, Butterworths, 1979, 400 pp. Uno dei primi libri dedicati
essenzialmente allo studio degli operazionali. Rigoroso, completo e tuttavia di facile lettura.
4)
Linear Integrated Circuit Applications, G. B. Clayton, Macmillan, 1975, 270 pp. Una estensione del
precedente trattato, con un capitolo sui filtri attivi ed uno sui timers; include la discussione di alcuni
integrati adatti al calcolo analogico (moltiplicatori e divisori a transconduttanza).
5)
Experiments with Operational Amplifiers, G. B. Clayton, Macmillan, 1975, 120 pp. Una ottima breve
raccolta di esercizi ed esempi pratici sugli operazionali.
6)
Amplificatori operazionali e loro applicazioni, W. G. Young, Tecniche Nuove, 1988, 480 pp. Un ricettario intelligente e ben scritto, con esempi pratici. Ottima guida alla sperimentazione.
7)
8)
Introduction to Operational Amplifiers: Theory and Applications, J. Wait, L. Huelsman and G. Korn,
McGraw Hill, 1975, 390 pp. Molto bello il capitolo dedicato alle funzioni non lineari e ai moltiplicatori. Alterna parti molto facili e chiare con parti trattate in modo pi specialistico.
9)
Applications of Operational Amplifiers, J. G. Graeme, McGraw Hill, 1973, 230 pp. Ha la stessa
impostazione del testo precedente, ma con meno enfasi nella analisi del dispositivo e una raccolta pi
ricca di esempi applicativi.
10) Elettronica Analogica Integrata, E. Panella e G. Spalierno, Edizioni Cupido, 1990, 700 pp. uno dei
pochi buoni testi scritti da autori italiani sugli amplificatori operazionali. Alcuni argomenti sono
trattati un po sommariamente, ma resta una ottimo lavoro. (Degli stessi autori uscito anche un
volume di esercizi ed applicazioni).
11) Elettronica Generale- Vol. II, A. Cupido, Edizioni Cupido, 1988, 600 pp. Un po pi sbrigativo del
testo precedente, tratta anche circuiti logici, microprocessori e dispositivi particolari.
12) Elettronica Generale, G. Lotti, La Sovrana, 1985, 610 pp. Pi che un libro di testo questo un utile
manuale di consultazione sugli operazionali: contiene molti Data Sheet scelti con intelligenza e
commentati in modo esteso.
220
13) Lock-in Amplifiers: Principles and Applications, M. L. Meade, Peregrinus Ltd., 1983, 230 pp. Forse
lunico trattato monografico sui lock-in, che guida il lettore, con linguaggio chiaro, dai princpi primi
fino ai moderni lock-in industriali ad eterodina.
14) TTL Cookbook , D. Lancaster, Howard W. Sams, 1981, 330 pp. Come dice il titolo, questo un
ricettario per facilitare la comprensione e la progettazione di circuiti logici della famiglia TTL.
Impostazione molto semplice e chiara. Riporta, per molti integrati, lo schema di piedinatura ed una
sintetica descrizione delle funzioni.
15) CMOS Cookbook, D. Lancaster, Howard W. Sams, 1981, 410 pp. la versione del libro precedente
per circuiti integrati di tipo CMOS.
16) Digital Electronics, W. G. Young, Hayden Book Co., 1980, 200 pp. Ha la stessa impostazione dei due
testi precedenti, ma la trattazione, sia di circuiti logici TTL che CMOS, notevolmente ridotta e
semplificata.
17) IC Timer Cookbook , W. G. Young, Howard W. Sams, 1981, 200 pp. Dedicato essenzialmente agli
integrati 555 e derivati, per i quali presenta moltissime applicazioni, tutte discusse in dettaglio.
18) Elementary Semiconductor Physics, H. C Wrigth, Van Nostrand, 1979, 77 pp. Un libretto utilissimo
come veloce introduzione ai princpi fisici di funzionamento dei dispositivi (ad esempio la fisica della
giunzione p-n e del contatto metallo-semiconduttore).
19) The Physics of Semiconductor Devices, D. A. Fraser, Clarendon Press, 1983, 170 pp. un trattatello
sintetico ma abbastanza completo, che pu sostituire il precedente per una consultazione un po pi
approfondita.
20) Dispositivi a Semiconduttore, S. M. Sze, Hoepli, 1991, 650 pp. Un trattato poderoso ed esauriente
sulla fisica dei semiconduttori e sui dispositivi.
21) Introduction to Semiconductor Physics, R. Adler, A. Smith, and R. Longini, John Wiley & Sons, 1964,
250 pp. Un manuale introduttivo, molto accurato, adatto a studenti universitari. Include alcuni
esperimenti guidati sui semiconduttori.
22) Electronics for the Physicist, C. G. Delaney, Ellis Horwood Ltd., 1980, 300 pp. Si propone di condurre
il lettore alla comprensione dellelettronica dei rivelatori di particelle, ma adatto anche ad un
pubblico pi vasto. un libro scritto molto bene, in particolare il capitolo sulla trasformata di Laplace
e quello sul rumore elettrico.
23) Semiconductor Controlled Rectifiers, F. Gentry, F. Gutzwiller, N. Holonyak and E. von Zastrov
Prentice Hall, 1965, 380 pp. Un volume dedicato ai principi di funzionamento ed applicazioni dei
dispositivi p-n-p-n (SCR, TRIAC), con una introduzione sulle propriet della giunzione p-n.
24) Transducers in Mechanical and Electronic Design, H. Trietley, Dekker Inc., 1986, 370 pp. Un trattato
generale sui trasduttori commerciali di grandezze fisiche: dedicato essenzialmente ai componenti, con
pochi cenni sulla fisica e lelettronica di acquisizione.
25) Instrument Transducers, H. K. Neubert, Oxford University Press, 1963, 390 pp. Rispetto al testo precedente questo dedica molto pi spazio alla analisi della fisica dei trasduttori. Un po vecchio, ma ancora insuperato.
26)
Elettricit, A. Shure, Franco Angeli, 1978, 530 pp. Un corso di auto-istruzione programmata: consiste
in brevi spiegazioni di singoli argomenti, seguite da una serie di domande alle quali il lettore invitato
a rispondere prima di leggere la soluzione fornita dal libro. Utile soprattutto come test per verificare le
proprie cognizioni sui circuiti in corrente continua e alternata.
27)
Electronic Circuits and Applications, S. Senturia and B. Wedlock, J. Wiley, 1975, 600 pp. Un testo un
po vecchio per la parte relativa ai dispositivi, ma esemplare in semplicit e chiarezza per il resto.
221
28) Feedback and control system analysis and synthesis, J. J.D'Azzo and C.H. Houpis, Mc Graw Hill,
1986, 824 pp. Un poderoso trattato su metodi di analisi di sistemi reazionati. Contiene in particolare
uno studio dei criteri di stabilit e una esauriente trattazione matematica dei sistemi di equazioni
integro-differenziali.
Lautore
Giacomo Torzo stato Dirigente di Ricerca nel Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR)
e docente incaricato di Laboratorio di Fisica presso l'Universit di Padova per il Corso di
Laurea in Fisica e poi di Scienze dei Materiali. Ha svolto la sua attivit di ricerca
sperimentale in Scienza dei materiali come associato dellIstituto Nazionale per la Fisica
della Materia (INFM). E vicedirettore della rivista La fisica nella scuola (organo dellAIF).
Lopera
Usare gli amplificatori operazionali molto pi facile che usare i transistors. Partendo da
questo assunto, l'autore propone un percorso di apprendimento dell'elettronica fondato
sostanzialmente sugli amplificatori operazionali nel quale il lettore viene guidato,
attraverso lo studio dettagliato di esempi semplici ma di uso generale, ad impadronirsi di
un potente metodo di analisi, che consente una rapida comprensione di circuiti anche
molto complessi. Questo libro, accanto all'interpretazione teorica di svariate applicazioni
dei circuiti integrati analogici e digitali, offre una guida pratica alla progettazione e alla
sperimentazione in laboratorio.