TD1-3_240709_122003

Université des Sciences et Techniques de Masuku
Ecole Polytechnique
Département Génie Mécanique
GIM 1/ 2023 – 2024
Enseignant : Dr Jean Claude ASSEKO
Travaux Dirigés d’Electronique Analogique

Exercice 1 :
Pour chacun des montages suivants, déterminer l’état de la diode supposée idéale, et calculer la valeur du courant qui la
traverse.
Exercice 2 :
On considère le montage ci-dessous :
1. Remplacer le circuit vu entre A et B par son générateur de Thévenin équivalent, et calculer 𝐸𝐸𝑇𝑇ℎ et 𝑅𝑅𝑇𝑇ℎ
2. Calculer le courant 𝐼𝐼 dans les trois cas suivants :
a) La diode est idéale.
b) La diode est avec seuil (𝑉𝑉𝐷𝐷 = 0,7).
c) La diode est avec seuil et résistance 𝑅𝑅𝐷𝐷 .
On donne : E=12 V, 𝑹𝑹𝟏𝟏 = 𝟔𝟔 𝒌𝒌𝛀𝛀, 𝑹𝑹𝟐𝟐 = 𝟑𝟑 𝒌𝒌𝛀𝛀, 𝑹𝑹𝑪𝑪 = 𝟏𝟏 𝒌𝒌𝛀𝛀 et 𝑹𝑹𝑫𝑫 = 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏 𝛀𝛀.
1
Exercice 3 :
1. Donner les différentes classes de transistors ; puis donner succinctement la différence de ses deux
familles de transistor.
2. Déterminer les caractéristiques 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 𝑓𝑓 (𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 ) et 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝑓𝑓(𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 ) de chacun des montages ci-dessous.
(b)
On pose : 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 et 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛼𝛼𝐼𝐼𝐸𝐸 (𝛼𝛼 → 1)
Exercice 4 :
Soient les schémas suivants avec 𝑉𝑉𝐷𝐷 = 0,6 𝑉𝑉 , 𝑅𝑅1 = 𝑅𝑅2 = 1 𝑘𝑘Ω :
1. Pour une f.é.m. 𝐸𝐸 = 5 𝑉𝑉, calculer la tension aux bornes de 𝑅𝑅2 .

2. On remplace le générateur de tension continue 𝐸𝐸 par un générateur de tension alternative :
𝑒𝑒(𝑡𝑡) = 5 sin(𝜔𝜔𝜔𝜔)
Déterminer la tension aux bornes de 𝑅𝑅2 pour une période 𝑇𝑇 = 20 𝑚𝑚𝑚𝑚
Exercice 5 :
Etudier le circuit électrique suivant dans les deux cas qui suivent : 1er cas : 𝐸𝐸1 = 3 𝑉𝑉 et 𝐸𝐸2 = 4 𝑉𝑉. 2ème cas : 𝐸𝐸1 = 15 𝑉𝑉 et
𝐸𝐸2 = 10 𝑉𝑉.
Utiliser les modèles de la diode idéale et réelle pour calculer la tension 𝑉𝑉𝑆𝑆 aux bornes de la résistance 𝑅𝑅𝑆𝑆 .
Données : 𝑅𝑅1 = 𝑅𝑅2 = 𝑅𝑅𝐷𝐷 = 1 Ω, 𝑅𝑅𝑆𝑆 = 2 Ω et 𝑉𝑉𝐷𝐷 = 0,6 V.
2
Exercice 6 : Transistor
Le transistor de la figure ci-contre est polarisé en émetteur commun
à l’aide de deux alimentations 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 et 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 .
1. Quels sont les rôles des résistances 𝑅𝑅𝐵𝐵 et 𝑅𝑅𝐶𝐶 ?
2. Exprimer 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 𝑓𝑓(𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 , 𝐼𝐼𝐵𝐵 ) puis 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑓𝑓(𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 , 𝐼𝐼𝐶𝐶 ).
3. Interpréter les résultats obtenus de ce montage présentés
dans la figure ci-dessous.
Exercice 7 : Transistor amplificateur : montage émetteur commun

On considère le montage de base ci-contre.
Polarisation du transistor : le transistor NPN est caractérisé par sa résistance
d’entrée r = 500 V, sa résistance de sortie r = 10 k Ω, son coefficient d’amplification
en courant 𝛽𝛽 = 100 et sa tension seuil 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0,6 𝑉𝑉. Dans le montage 𝑅𝑅𝐶𝐶 = 1 𝑘𝑘Ω
et 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 10 𝑉𝑉.
On désire que le point de fonctionnement F se trouve au milieu de la droite de charge.
1. Calculer 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶0 , 𝐼𝐼𝐶𝐶0 et 𝐼𝐼𝐵𝐵0 . L’indice ”o” se rapporte à l’état de polarisation du transistor.
2. Quelle valeur doit-on donner à 𝑅𝑅𝐵𝐵 ?
Exercice 8 : Transistors et thermistance

Le transistor est un NPN dont le coefficient d’amplification en courant 𝛽𝛽 vaut 100.
R(T) est une thermistance PTC dont la résistance augmente avec la température. On désire
qu’à 20 °C, le transistor soit bloqué (𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 < 𝑉𝑉𝑆𝑆 < 0,6 𝑉𝑉) et donc que la lampe de
résistance 𝑅𝑅𝐿𝐿 soit éteinte. Puis, en élevant la température de R(T), on désire que le
transistor se sature et que la lampe 𝑅𝑅𝐿𝐿 s’allume. On utilise une lampe 3,7 V - 0,3 A et
un générateur parfait de f.é.m. E = 3,7 V.
3
1. Calculer la résistance 𝑅𝑅𝐿𝐿 de la lampe.
2. Exprimer la condition de blocage du transistor pour 𝑇𝑇 = 𝑇𝑇𝑎𝑎 = 20°𝐶𝐶. Sachant que R(𝑇𝑇𝑎𝑎 ) = 30 Ω, calculer
la valeur minimum qu’il faut donner à R’ . Par la suite, on prendra R’ = 200 Ω.
3. Exprimer la condition de saturation du transistor pour 𝑇𝑇 = 𝑇𝑇𝑏𝑏 > 𝑇𝑇𝑎𝑎 pour laquelle R(T) = R(𝑇𝑇𝑏𝑏 ). En déduire
la valeur minimale de R(Tb) à partir de laquelle la lampe s’allume.
Exercice 9 : Amplificateur Opérationnel

On souhaite étudier quelques fonctions d’un amplificateur opérationnel idéal.
1. Donner les hypothèses simplificatrices d’un amplificateur opérationnel idéal.
2. On Considère les deux montages de la figure ci-dessous.
a. Exprimer 𝑉𝑉𝑆𝑆 en fonction des tensions d’entrée et des résistances dans ces deux montages.
b. Quelles sont les fonctions réalisées par chacun de ces montages ?

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Travaux Dirigés d’Electronique Analogique

On pose : 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 et 𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛼𝛼𝐼𝐼𝐸𝐸 (𝛼𝛼 → 1)

1. Pour une f.é.m. 𝐸𝐸 = 5 𝑉𝑉, calculer la tension aux bornes de 𝑅𝑅2 .

Données : 𝑅𝑅1 = 𝑅𝑅2 = 𝑅𝑅𝐷𝐷 = 1 Ω, 𝑅𝑅𝑆𝑆 = 2 Ω et 𝑉𝑉𝐷𝐷 = 0,6 V.

Exercice 7 : Transistor amplificateur : montage émetteur commun

Exercice 8 : Transistors et thermistance

Exercice 9 : Amplificateur Opérationnel

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