IUC TEL1 2023 2024 TD Amplificateurs de Puissance - 012431
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Amplificateurs de puissance
Exercice 1
On donne le schéma d’un étage amplificateur de puissance fonctionnant en classe B. la
charge est constituée par un résistor de résistance 𝑹𝒖 = 𝟏𝟎𝛀.
Chaque source continue vaut 𝑬 = 𝟐𝟎𝑽. On donne pour chaque
transistor : 𝜷 = 𝟓𝟎. On admettra que la tension de saturation
𝑽𝑪𝑬𝒔𝒂𝒕 = 𝟎. On supposera d’autre part que la tension entre base
et émetteur, lorsque la jonction BE est polarisée en direct, est
faible et considérée nulle. L’étage est alimenté par un
générateur de tension sinusoïdale (𝒆𝒈 , 𝑹𝒈 ) avec 𝑹𝒈 = 𝟓𝟎𝛀.
1) Rappeler ce qu’est le fonctionnement d’un transistor en
classe B.
2) Quelle est la nature (NPN et PNP) de chaque transistor ?
3) Pourquoi cette association des deux transistors ?
4) On désire obtenir en sortie un signal non écrêté. Dans toute la suite du problème, on
se placera à la limite de l’écrêtage.
a. Quel est le maximum 𝒖 ̂𝒄 de la tension de sortie qu’il est possible d’obtenir avec
ce montage ?
b. Que vaut alors 𝒆̂𝒈 ?
𝒖𝒄
c. En déduire l’amplification en tension 𝑨𝒗 = .
𝒆𝒈
Exercice 2
On étudie la structure de classe B, également appelée
montage push-pull, et représentée ci-contre. On se place
dans le cas où la tension de commande 𝒗𝒆 (𝒕) est
sinusoïdale. 𝒗𝒆 (𝒕) = 𝑽𝒆𝒎 𝐬𝐢𝐧(𝝎𝒕) où : 𝑽𝒆𝒎 désigne
l'amplitude de la tension de commande 𝒗𝒆 (𝒕) ; 𝝎 désigne
la pulsation de 𝒗𝒆 (𝒕).
1. Les transistors 𝑻𝟏 et 𝑻𝟐 peuvent-ils être
simultanément passants ? Justifier votre réponse en
raisonnant sur les signe des tensions (𝑽𝑩𝑬 )𝑻𝟏 et
(𝑽𝑩𝑬 )𝑻𝟐 .
2. On se place dans une phase où 𝑻𝟏 est passant et 𝑻𝟐 bloqué.
a. Déterminer l'équation de la droite de charge imposée par le circuit : 𝑰𝑪𝟏 = 𝒇(𝑽𝑪𝟏𝑬 ).
b. Tracer cette droite de charge dans le plan [𝑽𝑪𝟏𝑬 ; 𝑰𝑪𝟏 ].
c. Comment se déplace le point de fonctionnement lorsque la tension 𝒗𝒆 (𝒕) varie ?
d. Les transistors 𝑻𝟏 et 𝑻𝟐 fonctionnent-ils en régime saturé/bloqué ?
3. Compléter le diagramme de conduction de la figure ci-dessous.
a. Indiquer dans la ligne dédiée à cet effet lequel des deux transistors conduit (Dessiner
une croix dans les intervalles durant lesquels aucun des 2 transistors n'est passant).
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b. Représenter également les formes d'onde obtenues pour les tensions 𝒗𝒔 (𝒕), 𝑽𝑪𝟏𝑬 (𝒕),
𝑽𝑬𝑪𝟐 (𝒕).
c. Représenter enfin les formes d'onde obtenues pour les intensités 𝒊𝒔 (𝒕), 𝒊𝒄𝟏 (𝒕), 𝒊𝒄𝟐 (𝒕).
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5. Déterminer l'expression littérale de la puissance moyenne absorbée par la charge
résistive 𝑹𝑪 .
a. Montrer que cette puissance moyenne peut s'écrire sous la forme suivante : 𝑷𝒖 =
𝑽𝒔𝒎
𝒌𝟏 ( ), où 𝒌𝟏 est une constante que l'on précisera.
𝑹𝑪
6. On note 𝑽𝒔𝒆𝒇𝒇 la valeur efficace de la tension 𝒗𝒔 (𝒕). Démontrer que dans le cas où 𝒗𝒔 (𝒕)
𝑽𝒔𝒎
est une tension sinusoïdale d'amplitude 𝑽𝒔𝒎 , alors on a la relation : 𝑽𝒔𝒆𝒇𝒇 = .
√𝟐
7. Déduire des questions 5) et 6) que la puissance électrique moyenne absorbée par la
charge peut s'écrire : 𝑷𝒖 = 𝒌𝟐 . 𝑽𝒔𝒆𝒇𝒇 . 𝑰𝒔𝒆𝒇𝒇 où 𝒌𝟐 est une constante que l'on précisera.
8. Calculer la puissance moyenne 𝑷𝒇 fournie par l'alimentation [−𝑽𝒄𝒄 ; +𝑽𝒄𝒄 ].
a. Montrer que cette puissance moyenne peut s'écrire sous la forme suivante : 𝑷𝒇 =
𝒌𝟑 . 𝑽𝒄𝒄 . 𝑰𝒔𝒎 où 𝒌𝟑 est une constante que l'on précisera.
9. Le bilan de puissance au niveau de l'amplificateur de classe B peut s'effectuer comme
suit :
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