Université Ibn Tofail

Ecole Nationale des Sciences Appliquées, Kénitra.

Cours d’électronique analogique

Filière : Cycle Préparatoire (S4)

Module : Electronique analogique & numérique

Responsable : Tarik Boujiha

Ecole Nationale des Sciences Appliquées, Campus Universitaire, B.P 242, Kénitra-Maroc
Tél : (+212) 5 37 32 92 46 Fax : (+212) 5 37 32 92 47
 Chapitre I: Généralités sur les circuits électroniques

I. Rappels d’électrocinétique
I.1. Source de tension réelle
Un générateur de tension réelle est un instrument aux bornes duquel la tension est constante
quelque soit la charge d’utilisation. Le symbole est donné par la figure 1:

Figure 1 : source de tension réelle

𝐸−𝑉𝑢
𝑉𝑢 = 𝑅𝑢 𝐼𝑢 𝑉𝑢 = E – r 𝐼𝑢 → 𝐼𝑢 = 𝑟
𝑅𝑢 𝑅𝑢 𝑅𝑢
𝑉𝑢 = (𝐸 − 𝑉𝑢 ) → 𝑉𝑢 (1 + )= 𝐸
𝑟 𝑟 𝑟

𝑅𝑢 𝐸
→ 𝑉𝑢 = 𝐸 = 𝑟
𝑅𝑢 +𝑟 1+
𝑅𝑢
Quand r → 0 𝑉𝑢 = E ∀ 𝑅𝑢

Le meilleur générateur de tension est celui dont la résistance interne est faible. Pour une source
de tension idéale r = 0Ω et 𝑉𝑢 = 𝐸 ∀ 𝐼

I.2. Source de courant réelle

Un générateur de courant réel (cf. figure 2) fournit un courant I constant ∀ 𝑅𝑢 .

Figure 2 : source de courant réel

𝑉𝑟 = 𝑉𝑅𝑢 ⇔ 𝑟 𝐼𝑟 = 𝑅𝑢 𝐼𝑢 et I = 𝐼𝑟 + 𝐼𝑢
𝑅𝑢 𝐼𝑢 𝑅 +𝑟
→ I= + 𝐼𝑢 = ( 𝑢 ) 𝐼𝑢
𝑟 𝑟
𝑟
→ 𝐼𝑢 = 𝐼
𝑅𝑢 + 𝑟
 𝐼
𝐼𝑢 = 𝑟→∞ 𝐼𝑢 = 𝐼 ∀𝑅𝑢
𝑅
1 + 𝑟𝑢
Le meilleur générateur de courant est celui dont la résistance interne 𝑟 → ∞
Pour une source de courant idéale r = ∞ et 𝐼 = 𝐼𝑢 ∀𝑅𝑢
I.3. Diviseur de courant
Considérons deux résistances R1 et R 2 connectées en parallèle :

Figure 3 : équivalent parallèle de deux résistances

A l’aide des lois de Kirchhoff, on écrit :

𝑉 𝑉 1 1 𝑉
V = V1 = V2 i = i1 + i2 = 𝑅 + =V (𝑅 + 𝑅 ) =
1 𝑅2 1 2 𝑉𝑒𝑞

Le courant i à l’entrée est divisé en deux branches i1 et i2.

Chaque courant peut être calculé :
𝑅2 𝑅𝑒𝑞
𝑖1 = 𝑖= 𝑖
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1
𝑅1 𝑅𝑒𝑞
𝑖2 = 𝑖= 𝑖
𝑅1 + 𝑅2 𝑅2
Ces relations constituent la loi du diviseur de courant.
𝑅𝑒𝑞
𝑖𝑘 = 𝑖
𝑅𝑘
Généralisation
Pour le cas de N résistances connectées en parallèle. Le courant dans une résistance Rk est donné
par la loi du diviseur de courant :
𝑅𝑒𝑞
𝑖𝑘 = 𝑖
𝑅𝑘
I.3. Diviseur de tension
Considérons deux résistances R1 et R2 connectées en série, les courants dans les deux
résistances sont identiques i = i1 = i2.
 Figure 4 : équivalent série de deux résistances
A l’aide des lois de Kirchhoff, on écrit :
V = V1 + V2 = R1 i + R2 i = (R1+ R2) i = Req i avec Req = R1+ R2.
La tension V1 aux bornes de R1 est donnée par la relation :
𝑅 𝑅1
V1 = 𝑅 1 𝑉 = 𝑉
𝑒𝑞 𝑅1 + 𝑅2

La tension V2 aux bornes de R2 est donnée par la relation :

𝑅 𝑅2
V2 = 𝑅 2 𝑉 = 𝑉
𝑒𝑞 𝑅1 + 𝑅2

Ces relations constituent la loi du diviseur de tension

Généralisation
Soient N résistances connectées en série :

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅1 + 𝑅2 + … … … … … . . +𝑅𝑁
La tension aux bornes d’une résistance 𝑅𝑘 est donnée par la loi du diviseur de tension :
𝑅
Vk = 𝑅 𝑘 𝑉
𝑒𝑞

Où V est la tension totale aux bornes des N résistances.

II. Lois et théorèmes généraux

II.1. Lois de Kirchhoff
Les relations entre les courants à un nœud et entre les tensions dans un parcours fermé d’un
circuit électrique sont définies pour les deux lois de Kirchhoff : loi des courants et lois des
tensions.

II.1.1. Lois des courants

La somme algébrique des courants à un nœud d’un circuit électrique est égale à 0 :
On écrit : ∑𝑁
𝑘=1 𝑖𝑘 = 0 à un nœud.
 Figure 5 : loi des courants de Kirchhoff
On déduit que:
La somme des courants qui arrivent à un nœud est égale à la somme des courants qui le quittent.
Alors, pour le nœud A, on peut écrire : i1+i2-i3-i4-i5= 0.

II.1.1. Lois des tensions

La somme algébrique des tensions dans un parcours fermé d’un circuit électrique est égale à 0.
On écrit : ∑𝑁
𝑘=1 𝑉𝑘 = 0

Figure 6 : loi des tensions de Kirchhoff

On déduit que : la tension entre deux nœuds donnés est égale à la somme algébrique des tensions
sur n’importe quel parcours qui relie ces deux nœuds.
La tension VAD peut être calculée en suivant les deux parcours DCBA et DEA
VAD = V 3+V2-V1 = V5-V4
II.2. Théorème de superposition
Dans un circuit linéaire, le courant produit par plusieurs sources de courant indépendantes est
égale à la somme des courants produits par chaque source prises isolément.
Pour ce faire, on remplace chaque source de tension parfaite par un court –circuit, et chaque
source de courant par un circuit ouvert, à l’exception de la source dont on veut connaitre
l’influence.
Exemple:
Soit le circuit suivant :

E1 = 5V ; E2 = 0,5V ; R1 = 3KΩ ; R2 = 100 Ω ; R3 = 1KΩ

Calculer la tension V aux bornes de la résistance R3 ?
1. E1 agit seul → E2 = 0 et R3 // R2 → Schéma équivalent

R3 // R2
𝑉1 = 𝑅 𝐸1
1 + 𝑅2 // R3

R3 R2
A.N: R3//R2 = = 91 Ω 𝑉1 = 0,147 𝑉
R3 +R2

2. E2 agit seul → E1 = 0 et R3//R2 → Schémas équivalent

R1 // R3
𝑉2 = 𝑅 𝐸2 A.N R1 // R3 = 750 Ω; 𝑉2 = 0,441 𝑉
2 + 𝑅1 // R3

Finalement la tension V = 𝑉1 + 𝑉2 = 0,147 + 0,441 = 0,588𝑉

II.3. Théorèmes de Thevenin et de Norton
Les théorèmes de Thevenin et de Norton permettent de déterminer le circuit équivalent d’un
circuit électrique.

II.3.1. Théorème de Thevenin

L’équivalent d’un circuit actif linéaire est constitué, entre deux points A et B, d’une source de
tension Eth en série avec une résistance de Thevenin Rth avec :
Eth : la tension à vide entre les points A et B ;
 Rth : La résistance de Thevenin vue entre A et B, lorsque les sources de tension
sont court-circuitées et les sources de courant sont ouvertes.

Figure 7 : schéma équivalent de Thévenin

II.3.2. Théorème de Norton

Le circuit équivalent d’un circuit actif linéaire est constitué, entre deux points A et B, d’une
source de courant IN en parallèle avec une résistance RN avec :
IN : Le courant en court-circuit du circuit linéaire (courant circulant entre A et B
court-circuité) ;
RN : La résistance de Norton vue entre A et B, lorsque les sources de tension
sont court-circuitées et les sources de courant sont ouvertes.

Figure 8 : schéma équivalent de Norton

On peut remarquer que :
- Rth=RN
- La source de Thevenin et la source de Norton sont reliées par la relation
suivante : Eth= Rth iN.
II.4. Théorème de Millman
Le théorème de Millman s’applique à un circuit électrique constitué de N branches en parallèle.
Chacune de ces branches comprenant un générateur de tension parfait en série avec un élément
linéaire (résistance comme exemple).
 E1 E 2 E3 E k N E
   ..................  N 
K
R1 R2 R3 RN k 1 R K
VN  
1 1 1 1 k N 1
   ..................  
R1 R2 R3 RN k 1 R K
 Chapitre II: les quadripôles

I. Définition
Un quadripôle est une boite noire à quatre bornes dans laquelle des courants électriques peuvent
circuler ; Cette boitte comporte deux bornes d’entrée et deux bornes de sortie :

Figure 1: représentation d’un quadripôle

La condition pour que cette boîte noire soit un quadripôle est que le courant entrant par une des
bornes d'entrée (respectivement de sortie) soit égal au courant sortant par l’autre borne d'entrée
(respectivement de sortie).
Quatre paramètres électriques caractérisent alors le quadripôle : Tension et courant d’entrée V1,
I1 et tension et courant de sortie V2, et I2. Deux de ces variables sont indépendantes, les autres
y sont liées par les paramètres du quadripôle.

II. Matrices représentatives des quadripôles

Pour les quadripôles ne contenant que les dipôles linéaires les quatre grandeurs fondamentales
V1, V2, I1 et I 2 sont liées par des équations linéaires.
Plusieurs représentations matricielles sont possibles et le choix de l’une de celle-ci sera fait en
fonction du problème étudié.

II.1. Matrice impédance

On exprime les tensions en fonction des courants. Les éléments de la matrice ont la dimension
d'impédance.
 : Impédance d’entrée à sortie ouverte.

: Impédance de transfert inverse à entrée ouverte.

: Impédance de transfert directe à sortie ouverte.

: Impédance de sortie à entrée ouverte.

Schéma équivalent:

A partir des paramètres définis précédemment, on peut donner un schéma électrique équivalent
du quadripôle, ce schéma ne fait intervenir que des composants classiques de l'électricité.

Figure 2: schéma équivalent d’un quadripôle

II.2. Matrice d’admittance

La matrice d’admittance est donnée sous forme matricielle :

: Admittance d’entrée à sortie court-circuitée.

: Admittance de transfert inverse à entrée court-circuitée.

: Admittance de transfert directe à sortie court-circuitée.

: Admittance de sortie à entrée court-circuitée.

Schéma équivalent :
 Figure 3: schéma équivalent d’un quadripôle

II.3. Matrice hybride

La matrice hybride correspondant au cas où les variables indépendantes sont de nature

différente, un courant et une tension, relative à des accès différents :

: Impédance d’entrée à sortie court-circuitée.

: Gain en tension inverse à entrée ouverte.

: Gain en courant à sortie court-circuitée.

: Admittance de sortie à entrée ouverte.

Schéma équivalent:

Figure 4: schéma équivalent d’un quadripôle

III. Les quadripôles amplificateurs

En général, le générateur ne peut pas fournir une grande puissance directement au récepteur, on
intercale alors entre les deux (un ou plusieurs) quadripôles amplificateurs dont le rôle est
d’apporter la puissance nécessaire au récepteur.
On représente un amplificateur par le schéma équivalent suivant :

Figure 8: schéma équivalent d’un quadripôle

Pour caractériser complètement le quadripôle amplificateur, il faut connaître les paramètres

suivants :
 Impédance d’entrée
 Impédance de sortie
 Amplification à vide Av0

Impédance d’entrée

Ve
C’est l'impédance Z e  vue à l’entrée quand la sortie est chargée par Z u .
Ie
Ve
On utilise par exemple la matrice impédance de quadripôle pour calculer Z e  :
Ie

Ve  Z 11 I e  Z 12 I s (1)
Vs  Z 21 I e  Z 22 I s (2)
Vs  - Z u I s (3)

L’équation (2) et (3) donne :

 Z 21
Is   Ie
Z u  Z 22
L’impédance d’entrée est : Z  Z  Z 12 Z 21
Z u  Z 22
e 11

Impédance de sortie

Vs
C’est l'impédance Z s  vue à la sortie quand l'entrée est fermée par une impédance Z g
Is
qui est l’impédance du générateur.

 Matrice impédance :
Ve  Z11I e  Z12 I s (1) e g  Zg I e  Ve  0
Vs  Z 21I e  Z 22 Is (2) Ve  -Zg I e
Z 12 Z 21
L’impédance de sortie est : Z s  Z 22 
Z 11  Z g
Gain en tension

C’est le rapport de la tension de sortie sur la tension d'entrée. Il est le facteur multiplicatif de
l’amplificateur.

Le gain en tension dépend de la fréquence du signal d’entrée, tout en restant pratiquement

constant dans la plage de fréquences constituant la bande passante.
Le gain en tension à vide est donné par la relation suivante :
 Chapitre III: les propriétés électroniques des semi-conducteurs

I. Introduction
Un semi-conducteur est un corps qui présente, à la température ambiante, une résistivité
intermédiaire entre celle d’un conducteur et celle d’un isolant, mais qui se comporte comme un
corps isolant à très basse température.
Dans la production de composants semi-conducteurs, la principale matière utilisée est le
silicium, et dans une moindre mesure le germanium.
Les électrons d’un atome isolé prennent des valeurs d’énergie discrètes et chaque niveau
d’énergie peut accueillir un nombre limité d’électrons. Ce nombre est égale à 2n2 où n
correspond au numéro du niveau (couche) en partant du noyau. Les électrons se répartissent en
occupant d’abord les niveaux les plus proches du noyau. La figure 1 présente la structure
électronique de l’atome de silicium et celle de germanium.

Figure 1 : structure électronique de l’atome de Silicium et de Germanium

Pour qu’il soit stable, un semi-conducteur doit avoir huit électrons dans sa bande de valence,
ce qui n’est pas le cas de l’atome de Silicium isolé.
Lors de la formation du cristal cet atome va gagner quatre électrons en formant des liaisons
covalentes qui correspondent à la mise en commun de ses électrons périphériques avec les
atomes voisins. Ainsi un atome de silicium qui s’associe avec quatre autres atomes de Silicium
verra huit électrons sur sa dernière couche.
I.1. Semi-conducteur intrinsèque

Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsque le cristal est parfaitement pur. Pour une
température différente de 0 K, les concentrations en électron libres et en trous sont identiques.
La conductivité est due à la rupture des liaisons covalentes (agitation thermique).

I.2. Semi-conducteur extrinsèque

Le nombre de porteurs engendré par la seule action de la température est en général trop faible
pour assurer une bonne conductivité du cristal. Si l’on introduit dans un semi-conducteur
intrinsèque des impuretés (atomes étrangers), on obtient un semi-conducteur extrinsèque. On
dit aussi un semi-conducteur dopé, et l’opération s’appelle le dopage. La présence des
impuretés dans le cristal modifie considérablement la conductivité. Il existe deux types de
dopages N et P.

I.2.1. Semi-conducteur extrinsèque de type N.

Pour augmenter le nombre des électrons dans un semi-conducteur, on ajoute des atomes
étrangers pentavalents (ayant 5 électrons dans la bande de valence). Par exemple, l’atome de
Phosphore “P”.
Ces atomes étrangers possèdent un électron surnuméraire par rapport à ceux du semi-
conducteur. On parle d’un dopage avec des atomes donatrices. Les impuretés établiront des
liaisons covalentes avec les quatre atomes de silicium voisins, mais le cinquième électron, non
engagé dans une liaison covalente, sera facilement extrait (une simple agitation thermique
permettra de libérer un électron par atome étranger). De ce fait, la concentration en porteurs
négatifs devient très importante par rapport au semi-conducteur intrinsèque : les électrons sont
dits porteurs majoritaires, et les trous porteurs minoritaires. Les atomes étrangers (donneurs
d’e-) deviennent des ions positifs fixes.

I.2.2. Semi-conducteur extrinsèque de type P.

Pour augmenter le nombre des trous dans un semi-conducteur, on ajoute des atomes étrangers
trivalents (ayant 3 électrons dans la bande de valence). Par exemple, l’atome de Bore “B”.
Ces atomes étrangers possèdent un électron de moins par rapport à ceux du semi-conducteur.
On parle d’un dopage avec des atomes accepteurs. Il manque à l’impureté un électron de
valence pour assurer les 4 liaisons avec les atomes de silicium voisins. Un faible apport
d’énergie (≈ 0,05 eV) suffit pour qu’un électron d’un silicium voisin soit capté par l’impureté.
De ce fait, La concentration en porteurs positifs est très importante devant les porteurs négatifs:
les trous sont dits porteurs majoritaires, et les électrons porteurs minoritaires. Les atomes
étrangers (accepteurs d’e-) deviennent des ions négatifs fixes.

II. Jonction PN
Après avoir défini le mécanisme de conduction dans les solides et, en particulier, dans les semi-
conducteurs, nous allons étudier le comportement électrique de la juxtaposition de deux
barreaux de semi-conducteur extrinsèques de type différent.

II.1. Généralités
Si l’on réalise dans un barreau de semi-conducteur une conductibilité de type P dans une zone
et une conductibilité de type N dans l’autre partie, la zone de séparation entre ces deux
régions est appelée Jonction PN.

Nous verrons tout au long des chapitres suivants que la jonction PN est l’élément fondamental
des composants électroniques (Diodes, Transistors,…).

Dans la région de conductibilité de type P:

- Les trous sont les porteurs majoritaires.

- Les électrons sont les porteurs minoritaires.

Dans la région de conductibilité de type N:

- Les électrons sont les porteurs majoritaires.

- Les trous sont les porteurs minoritaires.
II.2. Jonction PN non polarisée
Sous l’action de l’agitation thermique et en raison de différences importantes de concentration
en porteurs libres :

- Les trous de la zone P diffusent vers la région N.

- Les électrons de la région N diffusent vers la région P.

On dit qu’il y a une diffusion en porteurs majoritaire.

A l’instant t, l’attraction électrostatique fait diffuser les électrons vers la région P, et les trous
vers la région N. de nombreuses recombinaisons se produisent, il en résulte au voisinage de la
jonction PN, une disparition presque complète des porteurs libres.

La zone vide de porteurs libres, située de part et d’autres de la jonction, est appelée zone de
transition, zone de déplétion ou zone de charge d’espace.
La double charge (négative du côté P, positive du coté N) crée dans la zone vide des porteurs
libres un champ électrique Ei, dit champ électrique interne, dirigé de la région N vers la région
P. seuls quelques porteurs dotés d’une énergie cinétique suffisante pourront franchir la barrière
que constitue le champ électrique interne Ei.
- Le déplacement de ces quelques porteurs majoritaires qui parviennent à franchir la
barrière de potentiel est appelé courant de diffusion.
- Ainsi que, le déplacement de ces quelques porteurs minoritaires qui parviennent à
franchir la barrière de potentiel est appelé courant de saturation.

Lorsque la jonction est en circuit ouvert, un état d’équilibre s’établit dans lequel l’intensité du
courant de diffusion est égale à l’intensité du courant de saturation.

II.2. Jonction PN polarisée

On dit qu’une jonction est polarisée, si on applique aux bornes de la jonction une différence
de potentiel à l’aide d’un générateur de tension.
II.2.1. Polarisation directe
Une jonction est dite polarisée en directe, si on branche l’extrémité de la région P à la borne
positive du générateur, et l’extrémité de la région N à la borne négative du générateur.

Appliquer une telle différence de potentiel aux bornes de la jonction PN revient à superposer
au champ électrique interne Ei, un champ électrique externe Ee dirigé suivant les potentiels
décroissants, donc en inverse de Ei.

Le champ résultant Er est donc plus faible en module que Ei, la barrière de potentiel est abaissée.

Le nombre de porteurs majoritaires qui peuvent franchir la barrière de potentiel est

considérablement augmenté.

Le courant de diffusion devient important, il est appelé courant direct Id.

II.2.2. Polarisation inverse

Une jonction est dite polarisée en inverse si, par l’intermédiaire d’un générateur extérieur, on
porte l’extrémité de la région N à un potentiel supérieur à celui de la région P.

Le champ total appliqué à la jonction est Er = Ee + Ei. Comme Ee et Ei ont le même sens, alors
la barrière de potentiel augmente, la zone de déplétion devient plus large. Seul un courant très
faible peut apparaître et qu’est dû au déplacement des porteurs minoritaires. Ce courant est
appelé courant inverse Ii ou courant de fuite.
II.2.3. Caractéristique courant-tension
Nous venons de voir que la tension appliquée modifie la hauteur de la barrière de potentiel. Le
courant de diffusion dépend beaucoup de la hauteur de cette barrière : le courant de direct est
donc fonction rapidement croissante de la tension lorsque celle-ci est positive.

Par contre, le courant de saturation ne dépend pratiquement pas de la hauteur de cette barrière,
il ne dépend que de la température : le courant inverse garde une intensité très faible et
pratiquement constante Ii lorsque la tension est négative.

II.2.4. Claquage d’une jonction

Pour des tensions inverses suffisamment élevées, la caractéristique courant-tension devient :

Ce claquage est le résultat de deux effets successifs : l’effet Zener, puis l’effet d’avalanche.

On a vu que le champ électrique résultant Er croît avec la tension inverse appliquée. Au-delà
d’une certaine valeur Vc, ce champ provoque la rupture de liaisons covalentes qui unissent les
atomes du cristal. Il y a alors augmentation importante de la concentration en porteurs libres
minoritaires. Donc accroissement important du courant inverse. Cet effet statique, par le champ
électrique, est appelé effet Zener.
Ce phénomène statique est immédiatement suivi d’un effet dynamique d’ionisation par chocs.
Les porteurs minoritaires créés sous l’effet du champ électrique sont accélérés par ce dernier.
Par collisions avec les atomes du cristal, de nouveaux porteurs sont libérés. Ces nouveaux
porteurs libèrent eux-mêmes par chocs d’autres porteurs, ect.

L’effet est alors cumulatif, il en résulte un accroissement considérable du courant inverse. Ce

phénomène est appelé effet d’avalanche. On dit encore que la jonction part en avalanche.
 Chapitre IV: Etude de la diode

I. Introduction
La diode est l’une des applications directes de la jonction PN. Par convention, la région P
représente l’entrée de la diode, elle est appelée anode, et la région N représente la sortie de la
diode, elle est appelée cathode.
Une diode est schématisée comme suit :

Le schéma suivant illustre les orientations du courant et de la tension dans une diode.

Is : le courant de saturation e : la charge élémentaire

T : la température absolue K : la constante de Boltzmann

II. Caractéristique d’une diode

Pour faire fonctionner la diode, il faut la polariser en l’insérant dans un montage comportant un
générateur en tension en série avec une résistance de protection.
Soit le circuit suivant :
Pour chaque valeur de E, nous aurons une valeur de V et une valeur de I. La courbe I=f(V) est
dite caractéristique de la diode.
Si E>0, alors la diode est polarisée en directe (passante). Sinon, elle est polarisée en inverse
(bloquée).
La caractéristique de la diode a l’allure suivante :

III. Modélisation de la diode

La diode est un élément non linéaire (elle est décrite par une équation non linéaire). L’analyse
d’un circuit électrique comportant des diodes est difficile, parce que le système d’équation
décrivant le circuit est non linéaire. Pour faciliter cette analyse, les diodes sont remplacées par
des modèles linéaires.

III.1. Modélisation N° :1 Diode idéale

Ce modèle est le plus simple, mais également le moins précis. En directe, la diode est considérée
comme un court-circuit (Vd = 0 et Id > 0).

En inverse, la diode est considérée comme un circuit-ouvert (Vd < 0 et Id = 0).

Le schéma suivant représente la caractéristique de la diode idéale.

III.2. Modélisation N° :2 Diode avec seuil
Ce modèle prend en compte la valeur de la barrière de potentiel Vs (Vs compris entre 0.6 et
0.7 pour une diode à Silicium) comme tension seuil de conduction de la diode.

- La diode est passante (Id > 0 et Vd = Vs), la résistance interne est supposée nulle.
- La diode est bloquée (Id = 0 et Vd < Vs).

Le schéma suivant représente la caractéristique de la diode avec seuil.

III.3. Modélisation N° :3 Diode réelle

Ce modèle est le plus précis, quand Vd > Vs la diode conduit et elle équivalente à un générateur
de tension de f.e.m = Vs, en série avec une résistance interne (Vd=Vs+ r.Id et Id >0).

Quand Vd < Vs la diode est bloquée (Id = 0 et Vd < Vs).

Le schéma suivant représente la caractéristique de la diode réelle.

IV. Droite de charge et point de fonctionnement

Soit le circuit suivant :
Le point de fonctionnement P de la diode est défini par l’intersection de la caractéristique de la
diode et de la droite de charge du générateur.

E0 = R.Id +VD → Id = -1/R.VD + E0/R

C’est une droite de pente -1/R. pour la tracer, il suffit de connaître 2 points :

Les coordonnées du point P déterminent le courant et la tension aux bornes de la diode pour un
E0 donné.

V. Résistance statique et résistance dynamique

V.1. Résistance statique
La résistance statique est déterminée en régime continu, au point de fonctionnement P, la diode
possède une résistance statique :

rs = Vp/Ip

rs dépend de la position de P et donc de la droite de charge ou encore de E et R.

V.2. Résistance dynamique

La résistance dynamique est déterminée en régime dynamique. Dans certaines applications, on
remplace le générateur de tension continue par un générateur alternatif délivrant de faibles
signaux. La diode fonctionne alors en régime dynamique. Donc, le point de fonctionnement
subit des variations. Le rapport rd= ∆Vd/ ∆Id est la résistance dynamique.
VI. Applications
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative en
une tension continue destinées à alimenter les montages électroniques.

VI.1. Redressement simple alternance

Si l’on fait passer dans la diode (supposée parfaite) un signal sinusoïdal V(t) = Vm.sin(ῳt).

Détermination de l’état électrique de la diode :

- Condition de blocage : VD<0 et I=0.
- Condition de conduction : VD=0 et I>0.

Quelque soit l’état électrique de la diode, nous avons la relation suivante :

V(t) = VD + Vs= VD+ R.I
- La diode est passante si V(t)>0
- La diode est bloquée si V(t)<0

Un des problèmes lié au redressement est le passage de la tension par zéro. Le filtrage va
permettre d’obtenir une tension quasi continue.

VI.2. Filtrage
Si l’on branche en parallèle avec la charge un condensateur de capacité C, on peut convertir le
signal en un niveau presque continu.
 - Quand la diode est passante, le condensateur se charge, la tension de sortie suit l’allure
de tension d’entrée.
- Quand la diode est bloquée, le condensateur se décharge dans R avec un temps
τ =R.C, plus C est grande et plus le temps de décharge est long, d’où la réponse
suivante :

VI.2. Redressement double alternance

Le redresseur double alternance, utilise 4 diodes (supposées parfaites) montées comme
indiquées sur la figure suivante (ce montage constitue le pont de Graëtz) :

Si Us(t) > 0, alors les diodes D2 et D3 sont passantes et D1 et D4 sont bloquées.

Donc VRC (t) = Us(t)

Si Us(t) < 0, alors les diodes D2 et D3 sont bloquées et D1 et D4 sont passantes.

Donc VRC (t) = - Us(t)

VII. Diode Zener
VII.1. Définition
Une diode Zener (dite aussi diode à avalanche contrôlée) ne diffère d’une diode ordinaire que
par la caractéristique inverse.

La représentation symbolique de la diode Zener est :

Après le claquage, la diode est équivalente d’un récepteur de f.e.m = VZ0 et d’une résistance
interne.

Donc VZ= VZ0 + rz.IZ (rz=0 si la diode Zener est parfaite)

VII.2. caractéristique de la diode Zener

- Si la diode Zener est polarisée en directe, elle va se comporter comme une diode
ordinaire.
- Si la diode Zener est polarisée en inverse et VZ<Vmin, la diode Zener est bloquée (IZ=0).
- Si la diode Zener est polarisée en inverse et Vmin <VZ < Vmax, la diode Zener est passante
(IZ>0).
- Si la diode Zener est polarisée en inverse et VZ>Vmax, la diode Zener part en avalanche.

La diode Zener peut être évidemment utilisée en directe, mais ses applications essentielles
résident dans son emploi en polarisation inverse.

VII.3. Applications de la diode Zener (voir TD)

 Chapitre V: Transistor bipolaire

I. Introduction
Le transistor bipolaire est un dispositif à trois couches, de types différents, séparées par deux
jonctions. Les trois couches sont appelées émetteur, base et collecteur. Il existe actuellement
deux grandes classes de transistors : les transistors NPN et les transistors PNP.

Ces transistors sont appelés bipolaire car les deux types de porteurs de charges qui sont les
électrons et les trous participent à la conduction électrique.

- L’émetteur représente une zone fortement dopé, il est responsable de l’émission des
charges.
- La base représente une zone mince est légèrement dopée. Son épaisseur est très faible.
- Le collecteur représente une zone plus large que celle des autres. Son dopage est plus
faible que celui de l’émetteur.

I.1. Transistor non polarisé

- Dans la zone N : les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous sont les porteurs
minoritaires.
- Dans la zone P : les électrons sont les porteurs minoritaires et les trous sont les porteurs
majoritaires.
I.2. Transistor polarisé

I.2.1. Effet transistor

L’effet transistor consiste à faire diffuser les porteurs majoritaires de l’émetteur vers le
collecteur en traversant les deux jonctions. le champ électrique toujours favorise le
passage des minoritaires
Pour l’exemple précédant, il faudra donc :

- Polariser la jonction base-émetteur en directe,

- Polariser la jonction base-collecteur en inverse.

I.2.2. Bilan des courants

IE = IC + IB

On montre que IC = α.IE + ICB0 avec 0.95< α<1

ICB0 : le courant qui circule entre le collecteur et la base quand seule la jonction B-C est polarisée
et qu’elle le soit en inverse.

α est un paramètre voisin de 1 et difficilement accessible par la mesure, on lui substitue le

paramètre β= α/1- α avec 25< β<500 suivant le type des transistors et les conditions de
fabrication.

IC = α.IE + ICB0 = α.(IC + IB) + ICB0

(1- α). IC = α.IB + ICB0

IC= (α/1- α).IB + (1/1- α).ICB0

IC= β .IB + (1+ β).ICB0

ICB0: le courant inverse, il est très faible :

IC= β .IB et IE= ( 1+β ).IB

 En injectant un courant IB très faible dans la base, nous commandons un courant de collecteur
IC beaucoup plus intense.

I.2.3. Représentation symbolique

Nous allons étudier plus particulièrement le transistor NPN.

Suivant le mode de polarisation des deux jonctions, quatre modes de fonctionnement du

transistor peuvent apparaître :

Jonction B-C Jonction B-C

E-B Mode de fonctionnement

normal
inverse directe
bloqué
inverse inverse
inverse
directe inverse
saturé
directe directe

II. Etude statique :

Le but de ce paragraphe est de déterminer le point de fonctionnement en régime continu, appelé
point de repos, d’un montage à transistor, à l’aide des réseaux de caractéristiques.

On considère le transistor comme un quadripôle dont une électrode est commune entre l’entrée
et la sortie. Trois montages sont donc à envisager.

 Base commune:
Dans ce montage, la base constitue la référence commune aux circuits d’entée (circuit émetteur-
base) et sortie (circuit collecteur-base). Ce montage est utilisé en hautes fréquences.
  Collecteur commun:
Dans ce montage, le collecteur constitue la référence commune aux circuits d’entée (circuit
base-collecteur) et sortie (circuit émetteur-collecteur). Ce montage est utilisé en adaptation
d’impédance.

 Emetteur commun:
Dans ce montage, l’émetteur constitue la référence commune aux circuits d’entée (circuit base-
émetteur) et sortie (circuit collecteur-émetteur). Ce montage est utilisé en amplification.

II.1. Recherche du point de repos

Soit le montage à transistor suivant. Les circuits d’entrée et de sortie sont appelés circuits de
polarisation.

Connaître l’état de fonctionnement de ce système exige de déterminer les quatre variables (IB,
IC, VBE, VCE), donc d’établir un système d’équations.

II.1.1. Droite d’attaque statique

La loi des mailles appliquée au circuit d’entrée entraîne :

VBE= VBB - RB. IB

IB = -1/ RB.VBE+ VBB/ RB

Dans le plan (IB, VBE), cette relation est l’équation d’une droite qui passe par les points :

(IB=0, VBE= VBB) et (IB= VBB/ RB, VBE= 0).

Cette droite qui représente le lien des points de fonctionnement du circuit d’entrée est appelée
droite d’attaque statique.

II.1.2. Droite de charge statique

La loi des mailles appliquée au circuit de sortie entraîne :

VCE= VCC – RC. IC

IC = -1/ RC.VCE+ VCC/ RC

Dans le plan (IC, VCE), cette relation est l’équation d’une droite qui passe par les points :

(IC=0, VCE= VCC) et (IC= VCC/ RC, VCE= 0).

Cette droite qui représente le lien des points de fonctionnement du circuit de sortie est appelée
droite de charge statique.

II.1.3. Réseau de caractéristiques d’un transistor

Le réseau de caractéristiques du transistor est représenté sur la figure suivante :

II.1.4. Schéma équivalent au transistor

Le transistor se comporte comme un quadripôle, à l’aide des paramètres hybrides nous aurons
les équations suivantes :

VBE= h11. IB + h12.VCE

IC= h21. IB + h22.VCE

 Le schema equivalent:

III. Etude dynamique :

Réalisation du montage émetteur commun fonctionnant en basses fréquences

On superpose un signal sinusoïdal Ve(t) à une alimentation continue VCC en respectant les
conditions suivantes :

1. Ve(t) doit être très faible devant VCC (petit signaux).

2. Le courant continu délivré par VCC ne doit pas traverser le générateur sinusoïdal, ce
qui impose le branchement en série avec le générateur une capacité dite de liaison CL.
3. Pour que le point de repos reste stable, la tension aux bornes de RE ne doit pas être
affectée par aucune variation, d’où la nécessité de brancher en parallèle avec R E une
capacité de découplage.

Pour un signal continu ZC=1/C.ῳ = ∞ (la capacité se comporte comme un circuit ouvert)

Pour un signal sinusoïdal C.ῳ >>1 alors ZC=0 (la capacité se comporte comme un court-circuit)

Schéma équivalent :