Université Sidi Med Ben Abdellah

Fac. des Sciences Dhar El Mehraz

Département de physique. (Fès)

Licence SMP-S6-: Matériaux pour l’énergie Solaire

Série N°1: Semiconducteur à l’équilibre 2020-2021

Exercice 1 :
Sachant que pour un semi-conducteur intrinsèque, on a les relations
E  E Fi E  E Fi
ni  N c exp( c ) et pi  NV exp( V )
KT KT
1) Trouver la position du niveau de Fermi EFi dans la bande interdite, sachant
que : Eg = Ec – Ev = 1,21 eV à T = 300°K.
a) Dans le cas où mp = mn.
b) Dans le cas où mp = 2 mn
On donne K = 1,38 10-23 J/K, Nc = 2(2π mn .KT / h2) 3/2
et Nv = 2(2π mp .KT / h2) 3/2
2) Ce semi-conducteur est dopé de deux façons différentes :
a) Par des atomes donneurs tel que à 300°K :
n1 = 4 .1015 électrons /cm3 et p1 = 4 .1013 trous / cm3.
b) par des atomes accepteurs tel que à 300°K, on a:
n2 = 8 .1012 électrons /cm3 et p2 = 2 .1016 trous / cm3.
De combien et comment se déplace le niveau de Fermi EF par rapport au
niveau de Fermi intrinsèque EFi.
Solution-Exercice 1 :

1) Le semi-conducteur est intrinsèque : ni = pi

E  E Fi E  E Fi
Donc N c exp(  c )  NV exp( V )
KT KT
E  Ec N E  E Fi
Alors Fi  ln( V )  V
KT Nc KT
N
Donc E Fi  Ec  KT ln( V )  EV  E Fi
Nc
E  EV KT N
Alors E Fi  c  ln( c )
2 2 Nv
 3
Ec  EV KT  mn 2 
D’où E Fi   ln ( )
2 2  mp 
 
a) Dans le cas où mp = mn
E  EV
Nous avons E Fi  c  Ei donc EFi est au milieu de la bande interdite.
2

1
 mp mn 1
b) Dans le cas où  2 donc 
mn mp 2
 3
Ec  EV KT  1 2 
Alors E Fi   ln ( )
2 2  2 
 
 3
1
Or ln ( ) 2   0,04
 2 
 
alors E Fi  Ei  0,0135 (eV )

Donc EFi s’approche de la bande de conduction.

2) La présence des impuretés donneurs ou accepteurs provoque un

déplacement du niveau de Fermi.
3
Ec  E F 2mn KT 2
n  N c exp( ) avec N c  2( )
KT 2
h
3
E  EF 2m p KT
p  NV exp( V ) avec N v  2( )2
KT 2
h
3
n Nc 2 E  Ec  EV m 2 E  Ec  EV
Donc  exp( F )  ( n ) 2 exp( F )
p NV KT mp KT
3
ni m 2 E Fi  Ec  EV
Or  1  ( n ) 2 exp( )
pi mp KT
n 2( E F  E Fi )
Alors  exp
p KT
KT n
On en déduit que : E F  E Fi  ln
2 p
Alors si le scemiconducteur est de type n  n>p  EF > EFi
et si le scemiconducteur est de type p  n<p  EF < EFi

On en déduit que le niveau de Fermi se rapproche de la bande qui contient les porteurs
majoritaires (Bande de conduction pour le SC de type n et bande de valence pour le SC de type
p)
a) Pour : n1 = 4 .1015 électrons /cm3 à 300°K
p1 = 4 .1013 trous / cm3.
On aura EF  EFi  0,06 (ev) à T=300K
b) Pour : n2 = 8 .1012 électrons /cm3 à 300°K
p2 = 2 .1016 trous / cm3.
On aura EF  EFi  0,102 (ev) à T=300K

2
Exercice 2:
On considère un échantillon de Ge ayant initialement une concentration d’un
atome d’impureté de type donneur, pour 4. 107 atomes de Ge.
1) Dans quel régime se trouve ce matériau à 300K ?
On introduit ensuite de façon uniforme dans tout le volume de l’échantillon
des impuretés de type accepteur avec une densité NA=2,5 1015 cm-3.
2) En supposant que toutes les impuretés sont ionisées, quelle est la
concentration des porteurs libres ? Quelles est la position du niveau de
Fermi ?
Données : d= 4. 1022 atomes.cm-3 ; Eg (300k)=0,66 eV ;
mn = 0,55 m0 ; mp=0,36 m0.

Solution
1) Il faut comparer ni et ND.
2 E  Ev
On a ni  n. p  N c N v exp(  c )
KT
Eg
Donc ni  N c N v exp( )
2 KT
3 3
2mn KT 2 2m p KT
Or N c  2( ) et N v  2( )2
2
h h2
A.N.
KT= 0,026 eV ; m0= 9,1 10-31 Kg ; k=1,38 10-23 J.K-1 ; h=6,62 10-34 J.S

N C  1,024 1019 cm 3 et NV  5,42 1018 cm 3

13 3
donc ni  2,07 10 cm

4 10 22
et on N D   1015 cm  3
7
4 10
On a ND>>ni alors le semi-conducteur est en régime extrinsèque.

15 3 15 3
2) On a N D  10 cm et N A  2,5 10 cm
L’équation de neutralité électrique :
n + NA = p + ND
On a NA - ND = 1,5 1015 cm-3 d onc NA > ND  on néglige n

D’où NA = p + ND  p = NA - ND  p = 1,5 1015 cm-3

ni2 ni2
Et n    n = 2,7 1011 cm-3
p N A  ND
ème
2 méthode : on résout l’équation du deuxième degré :

3
 ni2
n  N A  p  ND  n  N A  ND  0
n
n 2  ( N A  N D )n  ni2  0
N A  ND N A  ND 2 2 ni2
D’où n  ( ) ( )  ni et p 
2 2 n

On a :
E  EF
p  N A  N D  NV exp( V )
KT
NV
E F  EV  KT ln( )
N A  ND
5,42 1018
AN E F  EV  0,0258 ln( )  EF  EV  0,2113 (eV )
15
1,5 10

Exercice 3 :
On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités équivalentes
d'états énergétiques dans la bande de conduction et dans la bande de
valence sont notées respectivement NC et NV.

1/ Rappelez les expressions de la densité d'électron n dans la bande de

conduction et la densité de trous p dans la bande de valence.
2/ En déduire l'expression de la densité intrinsèque ni et la position du
niveau de Fermi intrinsèque EFi.

3/ Le semi-conducteur considéré est du silicium de largeur de bande

interdite (ou gap) Eg=1,1eV et pour lequel NC=2,7.1019cm-3 et
NV=1,1.1019cm-3.
Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à 27°C,
127°C et 227°C. On rappelle qu'à 300K, kT=0.026eV, on prendra comme
référence énergétique, le haut de la bande de valence (EV=0eV).
4/ Le Silicium est dopé avec du phosphore (goupe V du tableau de Mendeleev)
de concentration 1018cm-3.
4.1- Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la
densité de trous. Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?
4.2- Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une
représentation du diagramme de bandes du Silicium ainsi dopé.
Solution
Semi-conducteur intrinsèque
E  EF E  EF
1) 0n a n  N c exp( c ) et p  NV exp( V )
KT KT

4
 E  Ev
2) On a ni2  n. p  N c N v exp( c )
KT
Eg
Donc ni  N c N v exp(  )
2 KT
n N 2 E Fi  Ec  EV
On a i  1  c exp( )
pi NV KT
E  EV KT N
Alors E Fi  c  ln( v )
2 2 Nc
E g KT N
D’où E Fi  EV   ln( v )
2 2 Nc
Eg
3) On a ni  N c N v exp( )
2 KT
Pour Ev= 0 ev et T=300 K
0,026)  1,12  1010 cm 3
1,1
A.N : ni  2,7  10191,1  1019 exp(
2
E g KT N E g KT N
On a E Fi  EV   ln( v ) donc E Fi   ln( v )
2 2 Nc 2 2 Nc
1,1 0,026 1,1  1019
Alors E Fi   ln( ) donc EFi  0,538ev
2 2 2,7  1019
Semi-conducteur extrinsèque
Le silicium est dopé avec du phosphore de concentration 10 15 cm-3.
4.1/ Le phosphore est de type donneur : ND=1015 cm-3.
Or ND >> ni alors n ND D’où n= 1015 cm-3
à T= 27°=300 K
ni2 ni2 (1,12  1010 ) 2
p   d’où p= 125 cm-3
n ND 15
10
4.2/ à T= 27°C , on a :
E  EF Ec  E Fi  E Fi  E F
n  N D  N c exp( c )  N c exp( )
KT KT

Ec  E Fi EF  EF EF  EF
Donc N D  N c exp( ) exp( i )  ni exp( i )
KT KT KT
N
Alors E F  E F  KT ln( D )
i
ni

5
 1015
A.N : E F  0,538  0,026 ln( )
1,2  1010