TD MX Solaire Serie N°3 Enoncé+Solution

Université Sidi Med Ben Abdellah
Fac. des Sciences Dhar El Mehraz

Département de physique. (Fès)
Licence SMP-S6-: Matériaux pour l’énergie Solaire

Série N°3 (2020-2021)
Exercice 1
On soumet à la température ambiante, du Silicium de type N (ND= 1011 cm-3)
à la lumière (photons). On assiste à la création des paires électrons-trous. Le
taux de génération G= 1018 cm-3/s. Le taux de recombinaison est lié à
l’évolution des porteurs minoritaires p dans le temps par la relation :
dp(t ) p(t )  p0
G  RG 
dt p
Sachant que la durée de vie p= 1 s.
1) Quelle est la densité des porteurs minoritaires p1 à t=0 si l’éclairement

est uniforme permanent ?
2) Comparer les conductivités avant et après l’éclairement ?
3) La diffusion des porteurs minoritaires à l’intérieur du semi-conducteur
obéit à l’équation :
d 2 p ( x) p ( x)  p 0
Dp  0
dx 2 p
a) Donner la variation de la densité du courant de diffusion des porteurs
minoritaires en fonction de x.
b) Quelle est sa valeur au niveau de la surface d’éclairement (x=0) ?
On donne : n= 0,15 m2/V S ; p= 0,06 m2/V S ; ni= 1,1 1010 cm-3.
Solution Exercice 1
1) Densité des porteurs minoritaires p1 à t=0 si l’éclairement est uniforme
permanent :
ni2
- Sans lumière Pn  P0 tel que P0 
ND
AN : P0=1,21 10 cm
9 -3
- A la lumière, G= 1018 cm-3/s

dp(t )
En régime permanent uniforme, nous avons : 0
dt
Alors : G  p1  p0  0 d’où p1  p0   G
p
p
AN : P1 = 1012 cm-3
C/C Le semi-conducteur est en dehors d’équilibre car le nombre des
porteurs minoritaires est beaucoup plus important qu’à l’équilibre.
Le nombre des porteurs majoritaires reste inchangé.
On remarque que : P1 >> ND .
1
2) Conductivités :
avant l’éclairement :  0  q(n0 n  p0  p )
AN :  0  2,41  10 3  1m 1
après l’éclairement : 1  q(n1n  p1 p ) or n1 n0  ND
Donc 1  q(n0 n  p1 p ) AN :  0  12  10 3  1m 1

1
On a  5.
0
On en déduit donc que la conductivité après éclairement est pratiquement 5
fois plus grand que sa valeur à l’obscurité.
3-a) Variation de la densité du courant de diffusion des porteurs

minoritaires
On a : D d p( x)  p( x)  p0  0
2
donc d 2 p ( x) p ( x)  p 0
 0
p Dp p
p
dx 2 dx 2
x x
Alors p( x)  p0  A exp( )  B exp( )
D p p D p p
Pour que la solution soit convergente ( l im ( p( x)  p0 )  0 ) c'est-à-dire un
x 
retour à l’état d’équilibre loin de la zone d’éclairement à l’intérieur du semi-
conducteur.
Alors B=0
x
D’où p( x)  p0  A exp(  ) , On pose LP  D p p
D p p
x
Alors p( x)  p0  A exp(  ) (Lp : la longueur de diffusion)
Lp
x
A t=0, On a p1-p0 = A alors p( x)  p0  p1  p0 exp(  )
Lp
  p( x) 
Or j p  qD p gr ad ( p)  qD p ex
x
 p  p0 x 
D’où j p ( x)  qD p 1 exp( )ex
Lp Lp
3-b) Sa valeur au niveau de la surface d’éclairement
A la surface (x=0), alors :
p  p0 G p D p p
j p (0)  qD p 1  qD p  qG
Lp Lp D p p
2
Donc j p (0)  qG D p p AN : j p (0)  6,3 Am 2
Exercice 2
On désire concevoir un composant électronique en silicium (transistor à effet de
champ à jonction canal ‘N’). ses propriétés découlent de celles d’une jonction PN.
1) Pour cela, on dispose d’une plaquette de silicium de type P et de résistivité

1=1,4 10-3 cm.
On prendra la température ambiante T0 telle que :
kT0 : 25 meV, q= 1.6 10-19 C,
=10-10 F/m, ni2=1031 m-6, n(T0)=1,4 103
cm V S-1, p(T0)=4,5 102 cm2V-1S-1
2 -1
1-1) Calculer la densité des porteurs majoritaires et minoritaires dans cette plaquette ?
1-2) Calculer la densité NA d’atomes dopants ?
2) Pour réaliser le ’’canal’’ du composant, on dépose sur cette plaquette une couche de
silicium de type N, d’épaisseur 2d=2m et de résistivité 2=0,9 cm.
2-1) Calculer la densité des porteurs
majoritaires et minoritaires dans cette
couche ?
2-2) Calculer la densité ND d’atomes dopants ?
Comparer cette valeur à celle de NA trouvée à
la question (1-2) ?
2-3) Calculer la barrière de potentiel Vd1 de la jonction ainsi formée ?

2-4) calculer la largeur de la zone de charge d’espace W1 établie entre les morceaux du
semi-conducteur ? Calculer xn et xp ? Que peut-on dire de l’extension de cette zone dans le
canal ?
Solution- Exercice 2
1
1-1) On a : 1= q (n1 n +p1 p) =
1
Le semiconducteur est de type P, alors 1 = p = q p1 p
1 1
p1  donc p1  A.N. p1= 9,92 1018 cm-3  1019 cm-3
q p 1q p
- La densité des porteurs majoritaires est : p1= 1019 cm-3
ni2
- La densité des porteurs minoritaires est : n1 
p1
A.N. n1  10-6 m-3 d’où n1 = 1 cm-3
1-2) Equation de neutralité électrique : n1  N A  p1 et n1<<p1
Alors p1  NA Donc NA  p1 = 1019 cm-3
2-1) De la même façon qu’en (1-1), on a :
3
1
n2  Alors n2 = 5 1015 cm-3
 2 q p
ni2
p2  Alors p2 = 2 103 cm-3
n2
2-2) de même, on a: n2  p2  N D et p2<< n2
Alors ND  n2 = 5 1015 cm-3
NA 1019
On a   2.103 d’où NA >> ND
N D 5.1015
2-3) La barrière de potentiel Vd1 de la jonction PN formée est donnée par la
relation :
KT N N
Vd1  ln( A D ) A.N Vd1 = 0,9 V
q ni2
2-4) La largeur de la zone de charge d’espace W1 :
2 1 1
W1  (  )Vd1
q ND N A
1 1 2
Comme NA >> ND ie (  ) alors W1  Vd1
ND NA qN D
A.N W1 = 0,47 m
D’autre part, on a W1 = xn + xp et ND xn = NA xp
1 1
xn  W1 et x p  W
ND NA 1
1 1
NA ND
A.N. xn = 0,467 m  W1 et xp=2,3 10-4 m
xn N A
On a   2.103 alors xn >> xp donc la zone de charge d’espace s’étend
xp ND
du côté du semiconducteur de type N (moins dopé). Alors, le canal va se
rétrécir plutôt du côté du semiconducteur de type N et la zone de charge
d’espace sera située dans le canal N.
S L D
a
xn=W1 (ZCE)
2d Si
Si (N)
(N)
Si (P)
4

TD MX Solaire Serie N°3 Enoncé+Solution

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

TD MX Solaire Serie N°3 Enoncé+Solution

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

TD MX Solaire Serie N°3 Enoncé+Solution

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Université Sidi Med Ben Abdellah

Fac. des Sciences Dhar El Mehraz

Licence SMP-S6-: Matériaux pour l’énergie Solaire

1) Quelle est la densité des porteurs minoritaires p1 à t=0 si l’éclairement

- A la lumière, G= 1018 cm-3/s

après l’éclairement : 1  q(n1n  p1 p ) or n1 n0  ND

Donc 1  q(n0 n  p1 p ) AN :  0  12  10 3  1m 1

3-a) Variation de la densité du courant de diffusion des porteurs

1) Pour cela, on dispose d’une plaquette de silicium de type P et de résistivité

2-3) Calculer la barrière de potentiel Vd1 de la jonction ainsi formée ?

2-1) De la même façon qu’en (1-1), on a :

A.N. xn = 0,467 m  W1 et xp=2,3 10-4 m

Vous aimerez peut-être aussi