Cours Delectronique de Base Filiere SMP

Université Ibn Zohr
Faculté des Sciences Appliquées

Campus Universitaire Ait Melloul
Cours d’électronique de base
Filière SMP/S4
Prof : L.OUBOUBKER
Année universitaire 2019/2020

Avant - propos
Avant - propos
Ce cours complet du module «électronique de base» est destiné aux étudiants de la deuxième
année Filière SMP Semestre 4.
Ce manuel rédigé avec un souci permanent de simplicité est structuré en sept chapitres.
Le premier chapitre (chapitre 0), traite des notions fondamentales des circuits électriques, lois
de Kirchhoff et théorèmes généraux de l’électricité en régime continu, circuits électriques en
régime sinusoïdal, les paramètres hybrides d’un quadripôle utilisés pour d’écrire les
transistors en faible signaux.
Dans le deuxième chapitre (chapitre 1), nous avons présenté les notions élémentaires sur la
physique des semi-conducteurs, jonction PN et diodes. Quelques applications des diodes
(redressement –filtrage, circuits limiteurs) sont abordés dans le troisième chapitre (chapitre 2).
Le quatrième et le cinquième chapitre (chapitre 3 et chapitre 4) traitent successivement le

transistor bipolaire en régime statique et en régime dynamique (structure, fonctionnement et
caractéristiques).
Le sixième chapitre (chapitre 5) sera consacré à l’étude du transistor à effet de champ (TEC)
en régime statique et en régime dynamique (faible signaux).
Dans le dernier chapitre (chapitre 6), nous présenterons les filtres passifs et leurs diagramme
de Bode (filtre passe bas du premier ordre, filtre passe haut du premier ordre et le filtre passe
bande).
La version manuscrite de ce polycopié a été élaborée par l’enseignant chercheur

L.OUBOUBKER professeur à la faculté des sciences appliquées Ait Melloul, Université Ibn
Zohr, Agadir. Toutefois, ce polycopié n’est pas exhaustif, nous attendons vos remarques et
suggestions pour enrichir et améliorer son contenu et répondre aux besoins de nos étudiants.
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Table des matières
Avant - propos…………………………………………………………………………... i
Table des matières…………………………………………………………………….… ii
Chapitre 0 : Généralités ………………………………………………………………... 1
I. Dipôle électrique - Caractéristique d’un dipôle ………………………………………. 2

I.1 Générateur …………………………………………………………………………... 2
I.1.1 Générateur de tension…………………………………………………………. 2
a. Générateur de tension idéal (ou parfait)………………………………….. 2
b. Générateur de tension réel ………………………………………………... 3
I.1.2 Générateur de courant ………………………………........................................ 3
a. Générateur de courant idéal (ou parfait)…………………………………....... 3
b. Générateur de courant réel ……………………………………………………… 3
I.2 Récepteur…………………………………………………………………………….. 4
I.3 Dipôle actif utilisé comme récepteur….………………………………………………… 4
I.4 Droite de charge et point de fonctionnement (point de polarisation)………………... 4
II. Théorèmes généraux ……………………………………………………………….... 5
II.1 Lois de Kirchhoff…………………………………………………………………… 5
II.1.1 Lois de Kirchhoff des nœuds…………………………………………………. 5
II.1.2 Lois de Kirchhoff des mailles………………………………………………… 5
II.2 Théorèmes fondamentaux…………………………………………………………... 5
II.2.1 Pont diviseur de tension………………………………………………………. 5
II.2.2 Pont diviseur de courant………………………………………………………. 6
II.2.3 Théorème de superposition………………………………………………….... 6
II.2.4 Théorèmes de Thevenin et de Norton………………………………………… 7
II.2.4.1 Théorème de Thevenin………………………………………………… 7
II.2.4.2 Théorème de Norton…………………………………………………... 7
II.2.5 Théorèmes de Millman………………………………………………………... 8
III. Circuits en régime sinusoïdal……………………………………………………….. 9
III.1 Définitions…………………………………………………………………………. 9
III.2 Eléments passifs en alternatifs……………………………………………………... 10
III.3 Notation complexe ………………………………………………………………… 10
IV. Quadripôle…………………………………………………………………………... 11
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Table des matières
IV.1 Définition…………………………………………………………………………... 11
IV.2 Paramètres hybrides……………………………………………………………….. 11
III.3 Schéma équivalent du quadripôle…………………………………………………. 12
Chapitre 1 : Semi-conducteurs et diodes…….................................................................. 13
I. Notions élémentaires sur la physique des semi-conducteurs …………………………. 14

I.1 Rappels de la structure atomique…………………………………………………….. 14
I.1.1 Couches d’électrons et orbites………………………………………………… 14
I.1.2 Niveaux d’énergie……………………………………………………………... 14
I.1.3 Électrons de valence…………………………………………………………… 14
I.1.4 Bande d’énergie……………………………………………………………….. 14
I.2 Notion sur les semi-conducteurs……………………………………………………... 16
I.2.1 Semi-conducteur intrinsèque………………………………………………….. 16
I.2.2 Semi-conducteur dopés ou extrinsèques……………………………………… 17
I.2.2.1 Dopage des semi-conducteurs………………………………………... 17
I.2.2.2 Semi-conducteur extrinsèque type N………………………………… 18
I.2.2.3 Semi-conducteur extrinsèque type P………………………………….. 18
II. Jonction PN : Diode………………………………………………………………….. 19
II.1 Jonction PN non polarisée…………………………………………………………... 20
II.2 Jonction PN polarisée : Diode polarisée……………………………………………. 21
II.2.1 Polarisation directe…………………………………………………………… 21
II.2.2 Polarisation inverse…………………………………………………………… 21
II.2.3 Symbole d’une diode………………………………………………………… 21
II.2.4 Caractéristique courant-tension……………………………………………… 22
II.2.4.1 Polarisation directe (courant direct)…………………………………. 22
II.2.4.2 Polarisation inverse (courant inverse)………………………………. 22
II.2.4.3 Tension seuil d’une diode (V0)……………………………………… 23
II.2.4.4 Point de fonctionnement d’une diode……………………………….. 23
II.2.4.5 Résistance dynamique……………………………………………….. 24
II.2.4.6 Linéarisation de la caractéristique……………………………………. 24
II.2.5 Schémas équivalents de la diode…………………………………………… ... 24
II.2.5.1 Zone de conduction V d  V0 ………………………………………… 25
II.2.5.2 Zone de blocage V d  V0 ……………………………………………. 25
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Table des matières
II.3 Autres types de Diodes……………………………………………………………… 26

II.3.1 Diode Zener : Claquage de la jonction……………………………………….. 26
II.3.2 Diode électroluminescente (ou LED)………………………………………… 26
II.3.3 Diodes varicap (ou varactor) : diode à capacité variable……………………... 27
II.3.4 Diodes Schottky……………………………………………………………… 27
II.3.5 Photodiode……………………………………………………………………. 27
Chapitre 2 : Application des diodes : Circuits à diodes................................................... 29
I. Introduction…………………………………………………………………………… 30
I.1 Limitation en puissance d’un composant……………………………………………. 30
I.2 domaines d’utilisation des diodes……………………………………………………. 30
II. Redressement – Filtrage……………………………………………………………… 31
II.1 Redressement………………………………………………………………………. 31
II.1.1 Redressement mono-alternance………………………………………………. 31
II.1.2 Redressement double alternance 32
II.1.2.1 Redressement double alternance à deux diodes et transformateur à 32
point milieu……………………………………………………………………
II.1.2.2 Redressement double alternance à pont de Graetz………………….. 34
II.2 Filtrage……………………………………………………………………………… 35
II.2.1 Redressement mono-alternance avec filtrage………………………………… 35
II.2.1.1 Taux d’ondulation……………………………………………………. 36
II.2.1.2 Choix de la capacité de filtrage………………………………………. 36
II.2.2 Redressement double alternance avec filtrage………………………………... 37
III. Circuits limiteurs (écrêteurs)………………………………………………………… 37
Chapitre 3 : Transistor bipolaire en régime statique....................................................... 40
I. Transistor bipolaire (transistor à jonction)……………………………………………. 41

I.1 Définition…………………………………………………………………………….. 41
I.2 Transistor bipolaire sous polarisation………………………………………………... 43
I.2.1 Mode de fonctionnement……………………………………………………… 43
I.2.2 Montage de base……………………………………………………………….. 43
I.2.3 Effet transistor…………………………………………………………………. 43
I.2.3.1 Montage base commune en régime de fonctionnement normale……... 43
I.2.3.2 Fonctionnement……………………………………………………….. 44
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Table des matières
I.2.3.3 Courant de fuite……………………………………………………….. 44

I.2.3.4 Bilan des courants pour un transistor NPN…………………………… 45
I.2.3.5 Effet transistor……………………………………………………….. 46
I.2.4 Relations fondamentales………………………………………………………. 46
I.2.4.1 Montage base commune (gain en courant en base commune)………… 46
I.2.4.2 Montage émetteur commun (gain en courant en émetteur commun)…. 46
II. Montage à transistor : réseau de caractéristiques…………………………………….. 47
II.1 Configuration émetteur commun…………………………………………………… 47
II.1.1 Caractéristique d’entrée……………………………………………………… 48
II.1.2 Caractéristique de sortie …………………………………………………….. 48
II.1.3 Caractéristique de transfert en courant………………………………………. 49
II.1.4 Caractéristique de transfert en tension……………………………………….. 49
II.2 Le graphique à quatre quadrants…………………………………………………… 49
III. Polarisation du transistor : point de fonctionnement statique……………………….. 50
III.1 Point de fonctionnement (ou de repos) du transistor bipolaire…………………….. 50
III.1.1 Maille d'entrée : détermination du point Q………………………………….. 50
III.1.2 Maille de sortie : détermination du point P………………………………….. 50
III.2 Transistor bipolaire saturé- transistor bipolaire bloqué……………………………. 51
III.2 Polarisation à l’aide d’une seule alimentation………………………………. …….. 52
III.2.1 Polarisation par pont de base R1 et R2 ……………………………………… 52
III.2.2 Polarisation par une résistance de base RB…………………………………. 52
III.3 Effet de la température……………………………………………………………... 53
III.4 Facteur de stabilisation…………………………………………………………….. 53
III.4.1 Stabilisation par la résistance d’émetteur (RE)……………………………… 53
Chapitre 4 : Transistor bipolaire en régime dynamique................................................. 56
I. Introduction…………………………………………………………………………… 57
II. Fonctionnement en régime dynamique petits signaux……………………………….. 57
II.1 Caractéristique d’entrée…………………………………………………………….. 57
II.2 Caractéristique de transfert en courant……………………………………………… 58
II.3 Caractéristique de sortie……………………………………………………………. 58
III. Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux……………... 58
III.1 Interprétation physique des paramètres hybrides…………………………………... 59
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Table des matières
IV. Amplificateur à transistor monté en émetteur commun…………………………….. 61

IV.1 Schéma du montage ……………………………………………………………….. 61
IV.2 Schéma équivalent du montage en dynamique……………………………………. 62
IV.3 Calcul des caractéristiques de l’amplificateur……………………………………... 62
IV.3.1 Gain en tension………………………………………………………………. 62
IV.3.2 Gain en courant……………………………………………………………… 62
IV.3.3 Impédance d’entrée et de sortie……………………………………………… 63
IV.4 Variation du gain en fonction de la fréquence (basses fréquences)……………….. 64
IV.4.1 Influence des capacités de liaison C1 et C2………………………………….. 64
IV.4.2 Influence de la capacité de couplage CE……………………………………. 65
Chapitre 5 : Transistor à effet de champ (TEC).............................................................. 67
I. Introduction…………………………………………………………………………… 68
II. Transistor à effet de champ à jonction JFET…………………………………………. 68
II.1 Structure…………………………………………………………………………….. 68
II.2 Fonctionnement…………………………………………………………………….. 69
II.3 Réseau de caractéristiques…………………………………………………………... 70
III. JFET en régime continu (ou statique)……………………………………………….. 72
III.1 Polarisation automatique…………………………………………………………… 72
III.1.1 Méthode graphique……………………………………………………… 72
III.1.2 Méthode analytique………………………………………………………….. 73
IV. TEC en régime dynamique (faible signaux)………………………………………… 73
IV.1 Schéma équivalent en Basses Fréquences…………………………………………. 73
IV.2 Schéma équivalent en hautes Fréquences………………………………………….. 74
Chapitre 6 : Filtres passifs................................................................................................ 76
I. Définitions 77
I.1. Réponse fréquentielle d’un filtre 77
I.2 Fonction de transfert 77
I.3 Echelles logarithmiques 77
I.3 Fréquence de coupe 78
I.4 Lieu de transfert - Diagrammes de Bode 78
II. Lieu de transfert dans le plan de Bode……………………………………………….. 78
II.1 Intégrateur…………………………………………………………………………... 78
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Table des matières
II.2 dérivateur……………………………………………………………………………. 79
II.3 Filtre passe bas du 1er ordre……………………………………………………....… 80
II.4 Filtre passe haut du 1er ordre………………………………………………………. 81
II.5 Filtre passe bande…………………………………………………………………... 83
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Chapitre 0 : Généralités
Chapitre 0
Généralités
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I. Dipôle électrique - Caractéristique d’un dipôle

Un dipôle est un système comportant deux pôles de branchement dans lequel peut circuler un
courant électrique. Le comportement d'un dipôle est caractérisé par la relation entre la tension
U à ses bornes et l’intensité de courant I qui le traverse : I = f(U). Si cette relation est linéaire
le dipôle est dit linéaire sinon le dipôle est non linéaire.
Exemple :
 Une résistance est un dipôle linéaire
 Une diode est un dipôle non linéaire
I
Non Linéaire
Linéaire
I.1 Générateur
On appelle générateur un dipôle actif capable de convertir en énergie électrique une autre
forme d'énergie. Un dipôle est un générateur lorsqu'il fournit de l'énergie électrique.
Convention de sens pour le générateur : Le courant et la tension sont de même sens à travers
le générateur (les deux sont positifs).
I >0
Générateur
B A
VA-VB = U >0
I.1.1 Générateur de tension

a) Générateur de tension idéal (ou parfait) :
Le générateur de tension idéal impose une différence de potentiel (d.d.p) entres ses bornes
quel que soit le courant qui le traverse donc quel que soit la charge (sa résistance interne r est
nulle).
e(t) u(t) R E U R
i(t) I
U
E
Générateur idéal de Générateur idéal de Caractéristique d’un générateur idéal de
tension tension continue tension continue

b) Générateur de tension réel :

Il possède une résistance interne r .
Loi d’Ohm : I
r ICC=E/r
U  E  r.I
U R
E d’où
I
E U U
I  E
r r
Générateur réel de tension Caractéristique d’un générateur réel de
continue tension continue
E
 Le courant I CC  est le courant de court circuit (on court-circuite les bornes du
r
générateur c à d R  0) .
 E est la tension à vide (le générateur est ouvert entre ses bornes c à d R est
débranchée).
I.1.2 Générateur de courant
a) Générateur de courant idéal (ou parfait) :
Le générateur de courant impose la valeur du courant qui le traverse quel que soit la tension
(d.d.p) entre ses bornes donc quelle que soit la charge (sa résistance interne est nulle).
I
I
I0
I0 U R
U
Caractéristique d’un générateur idéal de

Générateur idéal de courant continu
courant continu
b) Générateur de courant réel :

Il possède une résistance interne r .
I
I
U I0
I0 r U RC I   I0
r
U
Caractéristique d’un générateur réel de

Générateur réel de courant continu
courant continu

I.2 Récepteur
On appelle récepteur tout dispositif convertissant de l'énergie électrique en une autre forme
d'énergie. Un dipôle est un récepteur lorsqu'il consomme de l'énergie électrique (p>0).
Si le récepteur convertit toute l'énergie électrique qu'il reçoit en chaleur ou en rayonnement
thermique, on dit qu'il s'agit d'un récepteur passif. S'il la convertit autrement (en énergie
lumineuse, par exemple), on dit qu'il s'agit d'un récepteur actif. Une ampoule, un moteur à
courant continu, sont des récepteurs actifs.
Convention de sens pour un récepteur : Le courant et la tension sont de sens opposé.
I I >0
Récepteur
B A
VA-VB = U >0
I.3 Dipôle actif utilisé comme récepteur
La tension et le courant sont de sens inverse. E est la force contre électromotrice du récepteur
(f.c.e.m) et r’ sa résistance interne.
I
Loi d ' Ohm I
r’
U  E '  r '.I
E’ U
d ' ou
U E' E’ U
I 
r' r'
Caractéristique d’un récepteur réel actif
Récepteur réel
I.4 Droite de charge et point de fonctionnement (point de polarisation)

La caractéristique d’un dipôle est une donnée du concepteur du composant, c’est une relation
entre le courant I qui traverse le dipôle et la tension U à ses bornes.
La droite de charge est une deuxième relation entre I et U dans un circuit donné. Cette droite
est fixée par l’utilisateur en fonction des composants du circuit.
Le point de fonctionnement (Ip, Up) est l’intersection de ces deux droites. Ip et Up sont les
valeurs mesurées ou calculées du dipôle en question.
Exemple : Un générateur de tension alimente une charge résistive R.
I
I ICC Droite de charge
r
E U R IP Caractéristique de pente 1/R
U
UP E

U
Caractéristique du dipôle R : U  R.I  droite de pente 1
I 
R R
U E
Droite de charge : U  E  r .I  I  
r r
II. Théorèmes généraux

Les théorèmes généraux sont déduits des lois de Kirchhoff et permettent de simplifier les
méthodes de résolution des circuits électriques.
II.1 Lois de Kirchhoff
II.1.1 Lois de Kirchhoff des nœuds
La première loi de Kirchhoff est la loi des nœuds : La somme des intensités des courants
entrants dans un nœud est égale à la somme des intensités des courants qui en sortent (pas
d’accumulation de charge).
I1 I4
I1  I 2  I 3  I 4  I 5 I2 N
I3 I5
II.1.2 Lois de Kirchhoff des mailles

La deuxième loi de Kirchhoff stipule : La somme algébrique des différences de potentiel (ou
tension) le long d’une maille quelconque est nulle :
U2
U1  U 2  U 3  U 4  0 U1 + U3
U4
Toutes les tensions Ui sont orientées en fonction du sens de parcours sur la maille.
II.2 Théorèmes fondamentaux
II.2.1 Pont diviseur de tension
Le schéma d’un pont diviseur de tension est donné U1
par la figure ci-contre :
I R1
Il s’agit d’une application directe de la mise en
E R2 U2
série de deux résistances :
E
E  U 1  U 2  R 1 .I  R 2 . I  I 
R1  R 2

R2
La tension aux bornes de la résistance R2 vaut : U 2  R 2 .I  E
R1  R 2
D’une façon générale, la tension aux bornes d’une résistance placée dans un circuit
comportant n résistances en série, alimenté par une source de tension E est :
Ri
U i  R i .I  E
R1  R 2  ...  R n
II.2.2 Pont diviseur de courant

Le schéma d’un pont diviseur de courant est donné à la figure suivante (résistances en
parallèle) :
I2
I
I1
I R1 R2 U
Appelons U la différence de potentiel qui se trouve aux bornes des différents éléments en
parallèle, nous obtenons :
I  I1  I 2  R2 R1
  I1  I et I2  I
U  R1 . I 1  R 2 .I 2  R1  R 2 R1  R 2
II.2.3 Théorème de superposition

Considérons par exemple le montage de la figure suivante (circuit alimenté par deux sources
indépendantes) :
r I r I1 r I2
E R Ig = E R + R Ig
Montage 1 Montage 2
 Montage 1 : la source de courant Ig étant neutralisée, le générateur (E, r) débite un

E
courant I1 dans la résistance R : I 1 
rR
 Montage 2 : le générateur (E, r) étant neutralisé (remplacé par sa résistance interne r),
la source de courant activait seule. Le courant dans la résistance R serait I2 :
r
I2  Ig
rR
Le courant I dans la résistance R dû à la contribution des deux sources sera : I = I1 + I2

Donc on aura : E r
I  I1  I 2   Ig
rR rR
II.2.4 Théorèmes de Thevenin et de Norton

II.2.4.1 Théorème de Thevenin
Il est possible de remplacer une portion de réseau électrique linéaire, considérée entre deux
bornes A et B, par un générateur de tension, dit «générateur de Thevenin», ayant les
caractéristiques suivantes :
 Sa résistance interne RTh est la résistance équivalente entre les bornes A et B lorsque
chaque générateur indépendant est passivé (remplacé par sa résistance interne).
 Sa f.é.m ETh est la tension mesurée entre A et B à vide (le dipôle n’est pas connecté à
d’autres éléments externes.
Prenons par exemple le montage de la figure suivante :
A A
R1 RTh
E R2  ETh
B B
 La résistance RTh est obtenue en passivant la source de tension E :

R1 . R 2
R Th  ( R1 // R 2 ) 
R1  R 2
 La tension ETh est la tension obtenue entre A et B (tension aux bornes de R2) :
R2
E Th  E
R1  R 2
II.2.4.2 Théorème de Norton

Il est possible de remplacer une portion de réseau électrique, considérée entre deux bornes A
et B, par un générateur de courant, dit «générateur de Norton», ayant les caractéristiques
suivantes :
 Sa résistance interne RN est la résistance de Norton.
 Son courant IN est égal à l’intensité de court-circuit lorsque l’on relie les points A et B
par un fil.
Prenons par exemple le montage de la figure suivante :

A A
R1
E R2  IN RN
B B
 La résistance RN est obtenue en passivant la source de tension E :

R1 .R 2
R N  ( R1 // R 2 ) 
R1  R 2
E
 Le courant IN est le courant obtenu en court-circuitant la résistance R2 : I N 
R1
Remarque : Le passage du modèle d’un générateur de Thévenin à celui d’un générateur de

Norton conduit à trouver :
E Th
R Th  R N et IN 
R Th
II.2.5 Théorèmes de Millman

Le théorème de Millman, dit aussi «théorème des nœuds», permet de déterminer le potentiel
d’un nœud où aboutissent des branches composées d’un générateur de tension réel.
I1 I2 In
r1 r2 rn
U
E1 E2 En
La démonstration de ce théorème consiste à transformer chaque branche en générateur de

courant :
n
Le courant résultant ( I  I )
i 1
i circule dans la résistance équivalente à l’ensemble des
G E i i
 G ) . La tension U s’écrit donc : U 

i
résistances en parallèle (G  i n
i
G i
i

III. Circuits en régime sinusoïdal

Importance du régime sinusoïdal :
 La plus grande partie de l’énergie électrique est produite sous forme de courant
alternatif sinusoïdal;
 Les fonctions sinusoïdales sont simples à manipuler mathématiquement et
électriquement ;
 Toute fonction périodique de forme quelconque peut être décomposée en une somme
de signaux sinusoïdaux (série de Fourier).
III.1 Définitions
Une tension sinusoïdale est une grandeur périodique et alternative pouvant s’écrire sous la
forme : u (t )  U m sin(t   )
Um : est l’amplitude en Volt, c’est la valeur maximale de u(t) ;

t : est le temps en secondes (s) ;
: est la pulsation en radians par seconde (rad/s) ;
( + ) : est la phase instantanée en radians (rad) ;

: est la phase à l’origine en radians (rad ou en °) ;
UCC=2.Um : est la valeur crête à crête.
T u (t )  U m sin(t   )
Um
i (t )  I m sin(t )
UCC
Valeur efficace :
La valeur efficace d’une fonction u(t) périodique de période T est définie par :
T
1
U 2
eff   u 2 (t )dt
T 0
Um
Si u(t) est sinusoïdale d’amplitude Um alors : U eff 
2
Valeur moyenne :
T
1
La valeur moyenne d’une fonction périodique u(t) est définie par : U moy   u (t )dt
T 0

III.2 Eléments passifs en alternatifs

En plus d’un conducteur ohmique (résistance), nous avons :
La bobine (ou self) :
L
i(t) di (t )
u (t )  L
dt
u(t)
Le condensateur :
C
i(t) du (t )
i(t )  C
dt
u(t)
III.3 Notation complexe

A toute fonction sinusoïdale x(t) d'amplitude A et de phase instantanée ( + ) nous
pouvons faire correspondre un nombre complexe défini par :
x(t )  Acos(t   )  j sin( t   )  Ae j (t  )  A.e j .e jt
x(t )  X .e jt avec X  e j
d x (t ) 1
dt
 j X .e jt et  x(t ) dt  j
X e jt
La représentation vectorielle (Fresnel) des relations courant-tension en régime sinusoïdal est

une manière de ne garder du signal qu'un déphasage et une amplitude. Ce résultat peut aussi
être obtenu grâce à l'utilisation des nombres complexes:
dx (t ) 1
x(t )  X  A.e j ,
dt
 j X et  x(t )dt 
j
X
Loi d’Ohm en alternatif : U  Z .I
On introduit le nombre complexe Z, impédance complexe donnée par :

U m j
Z .e  Z .e j Z : impédance complexe et Z : mod ule de Z en .
Im
On peut aussi décomposer Z en partie réelle et partie imaginaire :
Z  Z . cos( )  j. Z . sin( )  R  jS
R  0 : Résistance du dipôle et S : Réactance.

IV. Quadripôle
Nous n’allons pas entrer ici dans les détails de cette théorie, mais juste indiquer ce qui nous
sera utile pour l'étude des transistors.
IV.1 Définition
Un quadripôle est une boite noire à quatre bornes dans laquelle des courants électriques
peuvent circuler; cette boite comporte deux bornes d'entrée et deux bornes de sortie :
ie is
ve vs
ie is
La condition pour que cette boite noire soit un quadripôle est que le courant entrant par une
des bornes d'entrée (resp. de sortie) soit égal au courant sortant par l'autre borne d'entrée (resp.
de sortie).
Quatre paramètres électriques caractérisent alors le quadripôle :
La tension et le courant d'entrée ve et ie,
La tension et le courant de sortie vs et is.
Deux de ces variables sont indépendantes. Les autres y sont liées par les paramètres du
quadripôle.
En général un quadripôle est alimenté par un dipôle générateur (source de tension ou source
de courant) et est chargé par un dipôle récepteur (charge ZC). Son rôle principal consiste à
adapter les conditions de fonctionnement du dipôle générateur et du dipôle récepteur destinés
à être connectés l'un à l'autre.
A A
ie is
Zg
eg(t) ve vs Zc
ie is
B B
Dipôle générateur Quadripôle Dipôle Récepteur
IV.2 Paramètres hybrides

Vu qu'on a quatre variables dont deux indépendantes, il y a plusieurs possibilités pour écrire
les équations liant ces variables. Nous choisirons ici les équations faisant intervenir les
paramètres hybrides, ce qui est le formalisme le plus simple pour décrire le fonctionnement
des transistors.

On démontre que l'on peut écrire :
v e  h11 .ie  h12 .v s v e  h11 h12  ie 

 En écriture matricielle i     
i s  h21 .ie  h22 .v s  s  h21 h22  v s 
La matrice de transfert h  est appelée matrice hybride du quadripôle.
La signification des paramètres est la suivante :

- h11 est l'impédance d'entrée du quadripôle avec la sortie en court-circuit ;
- h12 est un coefficient (sans dimension) quantifiant la réaction de la sortie sur l'entrée ;
- h21 est le gain en courant avec sortie en court-circuit ;
- h22 est l'admittance de sortie avec entrée à vide.
III.3 Schéma équivalent du quadripôle
A partir des paramètres définis précédemment, on peut donner un schéma électrique

équivalent du quadripôle.
Ce schéma est typiquement celui qui sera utilisé pour représenter le transistor en petits
signaux alternatifs.
ie h11 h21.ie ic
h22.vs
h12.vs vs
ve 1/h22
Schéma équivalent d'un quadripôle

Chapitre 1 : Semi-conducteurs et Diodes
Chapitre 1
Semi-conducteurs et Diodes

I. Notions élémentaires sur la physique des semi-conducteurs

I.1 Rappels de la structure atomique
Un atome est la plus petite particule d’un élément qui possède les caractéristiques de cet
élément. Chaque type d’atome contient un certain nombre d’électrons et de protons qui le
distinguent des atomes de tous les autres éléments.
I.1.1 Couches d’électrons et orbites
Les électrons gravitent autour du noyau d’un atome à certaines distances de celui-ci. Les
électrons près du noyau possèdent moins d’énergie que ceux situés sur des orbites plus
éloignées. Il n’existe que des quantités d’énergie électronique discrètes (séparées et distinctes)
à l’intérieur des structures atomiques. Les électrons doivent donc demeurer en orbite
seulement à ces distances du noyau.
I.1.2 Niveaux d’énergie
À chaque éloignement distinct (orbite) du noyau correspond un certain niveau énergétique.
Dans un atome, les orbites sont regroupées en bandes énergétiques appelées couches. Un
atome donné possède un nombre fixe de couches. Chaque couche possède un nombre
maximal fixe d’électrons pour des niveaux d’énergie admissibles (orbites).
I.1.3 Électrons de valence
Les électrons sur les orbites plus éloignées du noyau ont une énergie plus grande et sont
moins fortement liés à l’atome que ceux situés plus près du noyau. Ceci s’explique du fait que
la force d’attraction entre les charges positives du noyau et les charges négatives des électrons
diminue à mesure qu’on s’éloigne du noyau. Les électrons avec les niveaux d’énergie les plus
élevées existent dans la couche la plus éloignée d’un atome et sont relativement moins liés à
cet atome. La couche la plus éloignée est connue sous le nom de couche de valence et les
électrons dans cette couche sont appelés électrons de valence. Ces électrons de valence
contribuent aux réactions chimiques et aux liaisons à l’intérieur de la structure d’un matériau,
déterminant ses propriétés électriques.
I.1.4 Bande d’énergie
Rappelons-nous que la couche de valence d’un atome représente une bande d’un certain
niveau énergétique et que les électrons de valence sont confinés à cette bande. Lorsqu’un
électron acquiert assez d’énergie additionnelle d’une source externe (champ électrique), il
peut quitter la couche de valence, devenir un électron libre et exister dans ce que l’on désigne
comme étant la bande de conduction.
En terme d’énergie, la différence entre la bande de valence et la bande de conduction est
appelée un écart énergétique. Il s’agit en fait de la quantité d’énergie que doit avoir un
électron pour sauter de la bande de valence vers la bande de conduction.

Niveau d’énergie
Bande de conduction
Bande interdite Ecart énergétique
Bande de valence
Fig.1.1 Représentation des bandes d’énergies
 Bande de valence : l’électron qui se trouve dans cette bande, participe à une liaison
covalente au sein du cristal.
 Bande de conduction : un électron ayant acquis suffisamment d’énergie peut se
trouver dans cette bande; il est alors mobile et peut participer à un phénomène de
conduction.
 Bande interdite : la mécanique quantique a montré que les électrons ne peuvent pas
prendre des niveaux d’énergie quelconques, mais que ceux-ci sont quantifiés; entre la
bande de valence et la bande de conduction peut donc exister une bande interdite. Pour
rendre un électron mobile, il faut donc apporter de l’énergie en quantité suffisante
pour franchir cet écart.
En fonction de la disposition de ces bandes, et surtout de la largeur de la bande interdite, les
matériaux peuvent être isolants, conducteurs ou semi-conducteurs :
Energie Energie Energie
Bande de conduction
Bande de conduction
Ecart énergétique
Ecart énergétique
Bande de conduction
Chevauchement
Bande de valence Bande de valence
Bande de valence
1.Isolant 2. Semi-conducteur 3. Conducteur
Fig.1.2 : Diagrammes énergétiques pour les trois types de matériaux

Un conducteur : la bande de conduction est partiellement remplie. Le solide contient

donc des électrons mobiles susceptibles de participer aux phénomènes de conduction
sans fournir d’énergie.
Un isolant : la bande de conduction est vide et l’écart énergétique est grand (ex : de
l'ordre de 10 eV). Le solide ne contient alors aucun électron capable de participer à la
conduction.
Un semi-conducteur : la bande de conduction est vide mais l’écart énergétique est
plus faible (de l'ordre de 1 à 2eV). Le solide est donc isolant à température nulle
(T=0°K), mais une élévation de température permet de faire passer des électrons de la
bande de valence à la bande de conduction. La conductivité augmente avec la
température.
I.2 Notion sur les semi-conducteurs
Les semi-conducteurs se situent entre les conducteurs et les isolants. Un semi conducteur est
constitué par un réseau cristallin de matériau très pur. Les atomes sont liés entre eux par des
liaisons covalentes. Pour arracher des électrons à des atomes, il faut fournir une énergie de
l’ordre de 1eV (0,1eV pour les conducteurs et 5eV pour les isolants).
Les semi conducteurs ont une résistivité électrique comprise entre 10 2  et 10 9  .
En électronique, les trois principaux semi-conducteurs les plus utilisés sont :
 Le Silicium (Si) : c'est le plus utilisé pour la fabrication des composants électroniques.
 Le Germanium (Ge) : il est d’utilisation plus limitée (trop sensible en température,
courants de fuite importants)
 L’Arséniure de Gallium (AsGa) : il est très utilisé dans la fabrication de composants
optoélectroniques, il permet aussi de fabriquer des composants plus rapides que ceux
en silicium. Ces applications sont cependant relativement rares.
I.2.1 Semi-conducteur intrinsèque
Ils sont dits intrinsèques lorsqu’ils sont parfaitement purs (ne contenant aucun élément
étranger).
Pour les semi-conducteurs intrinsèques usuels tels que le Silicium ou le Germanium, les
structures cristallines sont identiques et chaque atome est entouré tétraédriquement par quatre
autres atomes avec lesquelles il assure des liaisons covalents.
Pour des températures assez élevées, certains électrons sont arrachés du fait de l’agitation
thermique devenant ainsi libres de se déplacer sous l’action d’un champ électrique.
Lorsqu’une une liaison covalente entre deux atomes se rompt sous l’effet de l’agitation
thermique, l’électron libéré laisse à sa place un vide appelé trou (Fig.1.3a). Un électron d’une
liaison voisine peut venir combler ce trou (Fig.1.3b) ; il laisse à son tour un trou derrière lui
qui peut aussi être comblé (Fig.1.3c). On peut parler donc du déplacement d’électrons de
charges –e et de trous (en sens inverse) de charges +e (Fig.3d).
Les électrons sont des porteurs de charges négatives et les trous sont des porteurs de charges
positives.

Si Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si (b)
(a) Si Si
Si Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si Si
Si
Si Si Si Si Si Si (d)
(c) Si Si
Si Si Si Si Si Si Si
Si
: Mouvement d’un électron libre : Mouvement d’un trou libre
Fig.1.3 : Déplacement des électrons et trous dans un semi-conducteur (Si) sous l’effet de
l’agitation thermique
On définit la concentration en porteurs par le nombre de porteurs par unité de volume.

Pour un semi conducteur intrinsèque la concentration pi en porteurs positifs est égale à la
concentration ni en porteurs négatifs (il y a autant de trous que d’électrons).
Lorsqu’on applique un champ électrique E à l’intérieur du semi-conducteur, les porteurs
libres prennent un mouvement d’ensemble :
 Les trous dans le sens du champ
 Les électrons en sens opposé du champ
Ce double déplacement constitue un courant électrique.
La conductivité des semi conducteurs peut être augmentée par l’addition d’impuretés. Ce
procédé est appelé dopage. Dans ce cas le semi conducteur est dit extrinsèque.
I.2.2 Semi-conducteur dopés ou extrinsèques
I.2.2.1 Dopage des semi-conducteurs
Le dopage est l’introduction dans un semi-conducteur intrinsèque de très faible quantité d’un
corps étranger (impureté) appelé dopeur.
Pour les semi-conducteurs usuels (Si, Ge), les dopeurs utilisés sont :
 Soit des éléments pentavalents : ayant 5 électrons périphériques.

Exemples : l’Arsenic (As), l’Antimoine (Sb), le Phosphore (P),…

 Soit des éléments trivalents : ayant 3 électrons périphériques.
Exemples : le Bore (B), le Gallium (Ga), l’Indium (In),…
Ces dopeurs sont introduits à très faible dose (de l’ordre de 1 atome du dopeur pour 106
atomes du semi-conducteur).
Après le dopage, le semi-conducteur n’est plus intrinsèque mais extrinsèque.
I.2.2.2 Semi-conducteur extrinsèque type N

Le dopeur utilisé appartient à la famille des pentavalents (As, Sb, P,…).
L’atome dopeur s’intègre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer les
liaisons entre atomes voisins, 4 électrons sont nécessaires : le cinquième est donc en excès et
sera libre. L’agitation thermique permet donc la libération d’un électron par atome dopeur. On
dit que le dopeur est un donneur d’électrons (porteurs de charge Négative). Il faut noter que
cet électron lorsqu’il quitte son atome, il laisse à sa place un ion positif fixe (Fig.1.3).
Si Si Si Si
Si Si As+ Si
Atome donneur
ionisé positif
Si Si Si Si
FIg.1.3 : Un atome d’Arsenic incorporé dans le cristal de semi-conducteur (Si)
: Ion positif fixe du dopeur

: Electron libre majoritaire
(porteur de charge négatif)
: Atome de Silicium
: Trou libre minoritaire
(porteur de charge négative)
Fig.1.4 : Constituant d’un semi-conducteur (Si) type N
La concentration des électrons libres provenant des atomes donneurs est très importante
devant celles des porteurs intrinsèques (dans ce cas les trous).
On dit que les électrons sont des porteurs majoritaires et des trous minoritaires.
I.2.2.3 Semi-conducteur extrinsèque type P
Le dopeur utilisé appartient à la famille des trivalents (B, Ga, In,…).
L’atome dopeur s’intègre dans le cristal de semi-conducteur, cependant, pour assurer les
liaisons entre atomes voisins, 4 électrons sont nécessaires alors que le dopeur ne porte que 3
électrons, il y a donc un trou disponible susceptible de recevoir un électron. Un électron d’un

atome voisin peut occuper ce trou. L’atome du dopeur devient un ion négatif fixe. L’atome
quitté aura un trou et une charge positive excédentaire. On dit que le dopeur est un accepteur
d’électrons (Fig.1.5).
Si Si Si Si Si Si
Si Si
In Si Si Si In- Si
Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si
Atome accepteur
ionisé négatif
Fig.1.5 : Un atome d’Indium incorporé dans le cristal de semi-conducteur (Si)
: Ion négatif fixe du dopeur

: Trou libre majoritaire
(porteur de charge positive)
: Atome de Silicium
: Electron libre minoritaire
(porteur de charge négative)
Fig.1.6 : Constituant d’un semi-conducteur (Si) type P
On dit que les trous sont des porteurs majoritaires et des électrons minoritaires.
II. Jonction PN : Diode

La jonction PN est l’élément fondamental des composants électroniques (diodes, transistors,
thyristors…). La jonction PN est la zone qui sépare deux semi conducteurs extrinsèques de
types différents : type P et type N.
On peut réaliser ceci sur un barreau intrinsèque en introduisant d’un coté les impuretés de
type P et de l’autre coté les impuretés de type N.
Zone P Zone N
Fig.1.7 : Jonction PN avant diffusion

II.1 Jonction PN non polarisée

Au voisinage de la jonction il y a une importance différence de concentration en porteurs
libres. Il se produit un phénomène de diffusion des porteurs majoritaires : les trous diffusent
de P vers N et les électrons diffusent de N vers P, de nombreuses recombinaisons se
produisent (disparition d’e- et de trous libres de part et d’autre de la jonction).
Les parties P et N étant initialement neutres, la diffusion des électrons et des trous a pour effet
de charger positivement la partie N et négativement la partie P, d’où la création d’un champ
électrique interne Ei. Ce champ repousse les porteurs majoritaires de chaque partie et arrête la
diffusion (Fig.1.8). Entre les deux parties P et N apparaît alors une différence de potentiel
(d.d.p) appelée aussi barrière de potentiel de l’ordre de 0,7 V pour le Silicium et 0,3 V pour
le Germanium.
Zone P Id Zone N
Ei
Zone de déplétion
Fig.1.8 : Jonction PN non polarisée après diffusion

Zone de déplétion ou zone de transition ou zone d’espace ou zone désertée.
Le courant de diffusion Id total correspond au bilan de la migration des porteurs majoritaires,
il est orienté de P vers N. Dans la zone de déplétion, il n’y a plus de porteurs de charge. Suite
à la migration des porteurs, les ions négatifs dans la zone P et les ions positifs dans la zone N
n’ont plus leur charge «neutralisée», donc subsistent, face à face, les charges des ions négatifs
ayant perdu leur trou (zone P) et celles des ions positifs ayant perdu leur électron (zone N).
On arrive donc à un équilibre, la zone de transition ayant une largeur et un champ interne tels
que seuls les porteurs ayant une énergie suffisante peuvent franchir cette «barrière» et
entretenir le courant de diffusion.
Le champ interne favorise par contre le passage des porteurs minoritaires (les trous dans P et
les électrons dans N). Il se crée donc un courant de porteurs minoritaires dirigé de N vers P. Il
est appelé courant de saturation, noté Is et ne dépend que de l’activité intrinsèque du semi-
conducteur, donc de la température.
Lorsque la jonction n’est soumise à aucune action externe, aucun courant ne peut traverser la
diode.

II.2 Jonction PN polarisée : Diode polarisée

II.2.1 Polarisation directe
Lorsqu’une tension positive est appliquée entre la région P et la région N (UPN > 0), la
jonction PN est polarisée en direct (Fig.1.9). Cela revient à superposer au champ interne Ei,
un champ externe E e, le champ résultant Er a pour effet de diminuer la hauteur de la barrière
de potentiel et par conséquent, le nombre de porteurs majoritaires capables de franchir la
jonction augmente.
Courant de diffusion Id
Ei
Er
P N
Ee
I  Id  Is  Id
Courant de saturation Is
Fig.1.9 : Diode polarisée en direct

II.2.2 Polarisation inverse
Lorsqu’une tension négative est appliquée entre la région P et la région N (UPN < 0), la
jonction PN est polarisée en inverse (Fig.1.10). Le champ E e vient s’ajouter au champ interne
Ei et le champ résultant Er a pour effet d’empêcher la circulation des porteurs majoritaires. La
jonction est bloquée. Le courant inverse est pratiquement nul.
Courant de diffusion Id
Er Ei
P N
Ee
I  Id  Is  Is
Courant de saturation Is
Fig.1.10 : Diode polarisée en inverse

II.2.3 Symbole d’une diode
Une diode à jonction PN est un composant électronique constitué de deux électrodes :
l’Anode (A) et la Cathode (K).
A K
Anode Cathode
(région P) (région N)
Fig.1.11 : Symbole d’une diode

1. Polarisation directe 2. Polarisation inverse
Id Ii
VAK VAK
+ - - +
(a) (b)
Fig.1.12 : Polarisations d’une diode : (a) directe et (b) inverse

En polarisation directe, la tension appliquée (VAK>0) permet le passage d’un courant
électrique de l’anode vers la cathode appelé courant direct Id.
En polarisation inverse, la tension appliquée (VAK<0) empêche le passage du
courant. Le courant inverse Ii est pratiquement nul.
II.2.4 Caractéristique courant-tension

La loi de variation du courant Id qui traverse la diode en fonction de la tension V d à ses bornes
est donnée par la relation suivante :
 eV 
I d  I s exp( d )  1
 KT 
e : Charge élémentaire (e  1,6.10 19 C )
T : Température absolue en  K
Is : Intensité de saturation, de l’ordre de 10 12 A
K : Constante de Booltzmann (1.38.10 23 J /  K )

II.2.4.1 Polarisation directe (courant direct)
eV d eV d
Vd  0  exp( )  1  I d  I S exp( ) : C’est le courant direct.
KT KT
II.2.4.2 Polarisation inverse (courant inverse)
eV d
Vd  0  exp( )  1  I d   I S   I i : C’est le courant inverse.
KT

Id (mA)
Vd (V)
-IS
Fig.1.13 : Caractéristique Id=f(Vd) d’une diode
II.2.4.3 Tension seuil d’une diode (Vo)

C’est la tension au dessous de laquelle le courant qui traverse la diode est très faible (qq A à
qq mA) selon le type de la diode. C’est une caractéristique importante de la diode. D’après le
relevé de la caractéristique, cette tension vaut environ : 0,6 V pour le Silicium et 0,2 V pour le
Germanium.
Remarque : Pour des tensions inverses importantes (quelques dizaines de volts), on observe
un effet de conduction forcé au travers de la jonction (Effet Avalanche) qui est en général
destructeur.
En général, on admet le fonctionnement suivant de la diode :
Diode polarisée en sens direct; la diode est dite passante.
Diode polarisée en sens inverse; la diode est dite bloquée.
II.2.4.4 Point de fonctionnement d’une diode

C’est le point d’intersection de la caractéristique Id=f(Vd) de la diode, donnée par le
constructeur, et de la droite de charge du circuit à diode, fixée par l’utilisateur.
On considère le circuit suivant :
Id (mA)
RP Id
Droite de charge
+
E Vd IM
- M
Vd (V)
-IS VM E
Fig.1.14 : Point de fonctionnement d’une diode

On peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement M : c’est l’intersection de la
caractéristique Id=f(Vd) avec la droite de charge.

E  Vd
Loi de Kirchoff  I d  : équation de la droite de charge
Rp
II.2.4.5 Résistance dynamique

La résistance de la diode au point de fonctionnement M est définie par :
V V1  V 0
rd   (Inverse de la tangente à la courbe au point M)
I I1  I 0
Id (mA)
I1 Tangente à la
caractéristique au point M
I0 M
Vd (V)
-IS V0 V1
Fig.1.15 : Résistance dynamique d’une diode
II.2.4.6 Linéarisation de la caractéristique

La caractéristique de la diode n’est pas linéaire et la modélisation des signaux à ces bornes
devient complexe. On se ramène habituellement au cas linéaires en effectuant une
linéarisation de la caractéristique. Dans ce cas les différents morceaux de la courbe sont
assimilés à des droites.
Nous distinguons deux zones de fonctionnement :
V d  V 0 : le courant est non nul et varie linéairement en fonction de la tension, on dit
que la diode est passante.
V d  V 0 : le courant est pratiquement nul, on dit que la diode est bloquée.
Id (mA)
Vd (V)
V0
Fig.1.16 : Linéarisation de la caractéristique Id=f(Vd) d’une diode

II.2.5 Schémas équivalents de la diode
Pour analyser un circuit électrique on doit remplacer la diode par son schéma équivalent selon
la tension à ses bornes.

II.2.5.1 Zone de conduction V d  V 0
La diode est passante et la relation entre le courant et la tension est linéaire et de la forme
V d  a .I d  b .
V
a  rd  pente dynamique et b  V 0  tension seuil
I
La diode est équivalente à un récepteur de force contre électromotrice (f.c.é.m) Vo et de

résistance interne rd.
rd V0

Id Id
Vd Vd
Fig.1.17 : Schéma équivalent de la diode polarisée en direct

II.2.5.2 Zone de blocage V d  V 0
Le courant qui traverse la diode est pratiquement nul. La diode est équivalente à une très
grande résistance Ri. On prend en général une résistance de valeur infinie (circuit ouvert).
La diode est remplacée par un circuit ouvert.

Id
Vd
Vd
Fig.1.18 : Schéma équivalent de la diode polarisée en inverse

Cas particulier : Diode idéale ou parfaite
Dans ce cas V0 = 0, rd = 0 et Ri = ∞
 Dans la zone de conduction, la diode est équivalente à un circuit fermé.
 Dans la zone de blocage, la diode est équivalente à un circuit ouvert.
Id
Vd
Fig.1.19 : Caractéristique idéalisée de la diode

II.3 Autres types de Diodes

II.3.1 Diode Zener : Claquage de la jonction
La diode Zener est une diode particulière, spécialement conçue pour exploiter le claquage
inverse. Elle permet de laisser passer le courant à partir d'une certaine tension inverse : cette
tension de seuil s'appelle la tension Zener. C'est un claquage contrôlé, où le courant se
stabilise et ne prend pas des valeurs destructrices, comme le cas d’une diode classique.
Le schéma équivalent et la caractéristique courant-tension d’une diode Zener sont donnés
successivement par les figures (Fig.1.20) et (Fig.1.21).
VZ0 rZ
I
 I
VZ
VZ
Fig.1.20 : Schéma équivalent d’une diode Zener
Fig.1.21 : Caractéristique courant-tension d’une diode Zener
II.3.2 Diode électroluminescente (ou LED)

La LED (Light Emitting Diode), également appelée diode électroluminescente, est une diode
prévue pour fonctionner en polarisation directe, afin d’émettre des radiations lumineuses
invisibles (infrarouge) ou visibles (rouge, orange, jaune, vert ou bleu).
Ces composants ont des caractéristiques intéressantes comme une durée de vie quasi illimitée
(100 000 heures) et une petite taille. On les rencontre partout : feux tricolores de circulation,
panneaux d'affichage électroniques (heure, température...). Les diodes à infrarouges servent
beaucoup dans les télécommandes d'appareils TV …

Fig.1.22 : Diode électroluminescente

II.3.3 Diodes varicap (ou varactor) : diode à capacité variable
Polarisée en inverse, la diode varicap (Fig.1.23) est équivalente à une capacité C dont la
valeur est variable en fonction de la tension inverse appliquée. Grâce à ce type de diode, on
peut réaliser une capacité variable commandée par une tension. Avec la technologie actuelle,
la valeur de la capacité ne peut dépasser quelques 100 pF (pico farad = 10-12F). Ces diodes
sont utilisées à hautes fréquences (à partir de 100 MHz). On l'utilise par exemple pour régler
la fréquence de résonance d’un capteur (circuit RLC) de signaux radiofréquences de l’lRM
(Imagerie par Résonance Magnétique) en agissant sur la tension de commande. Les capteurs
de la dernière génération sont équipés de ce type de diode.
Son symbole électronique est le suivant :
Fig.1.23 : Diode Varicap

II.3.4 Diodes Schottky
La diode Schottky est utilisée en haute fréquence. Elle est constituée par une zone métallique
(or, argent ou platine) et une zone N. Les électrons libres sont les seuls porteurs majoritaires
dans la jonction. Cette jonction hétérogène est très utilisée dans les circuits logiques rapides.
Diode avec seuil Vo très petit et un temps de réponse très court.
Fig.1.24 : Diode Schottky

II.3.5 Photodiode
Cette diode doit être polarisée en inverse. Elle fournit un courant inverse I dépend de
l’éclairement. Cette diode réalise la fonction inverse d’une LED. Ses applications majeures
concernent son utilisation comme capteur de lumière : conversion d’un signal optique, fourni
par une fibre optique par exemple, en signal électrique; récepteur des télécommandes
infrarouges. La photodiode, soumise à une différence de potentiel d’une part et à un
rayonnement d’autre part, elle se comporte comme un générateur de courant.

V
Fig.1.25 : Photodiode
I   ( I s  I ph )   I s si I s  I ph
On réalise ainsi une source de courant commandée par un flux lumineux.

Chapitre 2 : Application des diodes : Circuits à diode
Chapitre 2
Application des diodes : Circuits à

diode


I. Introduction
I.1 Limitation en puissance d’un composant
Lorsque un courant électrique travers, sous une tension, un élément résistif il se produit un
dégagement de chaleur (Effet joule). Si cette température atteint une certaine valeur le
composant est détruit.
De même pour une diode, la température qui peut supportée la jonction ne doit pas dépasser
une valeur limite qui dépend de la puissance fournit au composant. Cette puissance maximale
qui peut supporter le composant est indiquée par le constructeur.
P  PMax : c’est la courbe limite
id
P  i d .v d et PMax  I d Max .V d Max
Pour un bon fonctionnement de tout composant actif,

P=Pmax
en particulier la diode, il ne faut pas dépasser une valeur
M
limite PMax de la puissance dissipée au sein du
vd
composant.
Le point de fonctionnement M doit
Fig.2.1
être choisit en dessous de la courbe P  PMax .
E  V0
RP id id   I dMax
R P  rd
+
E vd
- La résistance R P dans le circuit limite le courant
qui traverse la diode. R P est une résistance de
protection.
Fig.2.2
I.2 domaines d’utilisation des diodes

Ils sont multiples, on peut citer :
 Redressement et filtrage des courants (ou tensions) alternatifs (utiliser pour les
alimentations continues) ;
 Circuit comparateur (comparaison entre deux tensions) ;
 Détecteur de crêtes (détection radio) ;
 Les circuits limiteurs (sélection de signal) ;
 Les circuits logiques (opérateurs Booléennes) ;
 Stabilisation de tension, à l’aide de diode Zener

II. Redressement - Filtrage

II.1 Redressement
Le redressement est l’une des principales applications des diodes, il consiste à transformer
une tension bidirectionnelle en une tension unidirectionnelle appelée tension redressée. C’est
la conversion d’une tension sinusoïdale de moyenne nulle en une tension de moyenne non
nulle et plus grande que zéro.
II.1.1 Redressement mono-alternance
C'est le redressement le plus simple, obtenu à l’aide d’un circuit comprenant une diode et une
résistance pure.
a. Schéma du montage : considérons le schéma de la Fig.2.3 suivante.
i
ud
Secteur
u(t) R uR
220V/50Hz
Fig.2.3 : Schéma du circuit du redresseur mono-alternance

avec : u (t )  U m sin(t ) ;   2F
b. Principe de fonctionnement
Nous supposons que la diode est idéale (V0 = 0, rd = 0 et Ri = ∞).
T
Pendant l’alternance positive de la tension u(t) (0  t  ) (u(t)>0), la diode est
2
polarisée en direct donc elle est passante (i >0 et ud = 0) donc uR = u(t) – ud = u(t).
T
Pendant l’alternance négative de la tension u(t) (  t  T ) (u(t)<0), la diode est
2
polarisée en inverse donc elle est bloquée (i = 0 et ud < 0) donc uR = 0.
u(t), uR(t)
t(s)
0 T/2 T
Fig.2.4 : Allures des tensions u(t) et uR(t)

On obtient à la sortie un signal uR(t) périodique (période T) de signe constant, mais n’est pas
alternatif. Sa valeur moyenne U R _ moy est non nulle :
T
T 2
1 1 U
U R _ moy  
T 0
u R (t )dt   U m sin(t )dt  m
T 0 
On définit aussi :
1
1 T 2
 La valeur efficace de la tension redressée uR(t) : U R _ eff    u R2 (t ) dt 
T 0 
 Le facteur de forme de uR(t) : La tension redressée uR(t) n’est pas continue. On dit
alors qu’il existe un facteur de forme F qui varie selon la forme de la tension redressée
U R _ eff
défini par la relation suivante : F 
U R _ moy
U R _ moy Um
 Le courant moyen étant égal : I moy  
R R
Exercice : Etudier le même circuit en utilisant la diode dans l’approximation suivante :
(V0=0,7V, rd = 0 et Ri = ∞).
II.1.2 Redressement double alternance
Contrairement au redresseur mono-alternance qui utilise une seule alternance du signal
sinusoïdal, le redresseur à double alternance utilise les deux alternances de la sinusoïde.
II.1.2.1 Redressement double alternance à deux diodes et transformateur à point milieu
Nous utilisons un transformateur avec deux enroulements secondaires que l'on câble de
manière à ce qu'ils délivrent des tensions en opposition de phase sur les diodes.
Dans ce cas, tout se passe comme si nous avons deux montages identiques à celui de la
Fig.2.5 qui fonctionnent l'un pour l'alternance positive et l'autre pour l'alternance négative.
a. Schéma du montage : D1
i
Secteur
u1 R
220V/50Hz
u2 uR
D2
Fig.2.5 : Schéma du circuit du redresseur double alternance à deux diodes et
transformateur à point milieu

avec :  u (t )  u  u  U sin(t ) u u
1 2 m , u1  , u2   et   2F
2 2
Hypothèse : Les diodes sont supposées idéales (V0 = 0, rd = 0 et Ri = ∞).
T
Pendant l’alternance positive de u(t) (0  t  ) :
2
u1 est positive, D1 conduit donc uR = u1 =u/2
u2 est négative, D2 bloquée.
T
Pendant l’alternance négative de u(t) (  t  T ) :
2
u2 est positive, D2 conduit donc uR = u2 = -u/2
u1 est négative, D1 bloquée.
D1 Passante D1 Bloquée
i
i
u1 u1 R
R i i
u2 u2 uR
uR
i
i
a) b) D2 Passante
D2 Bloquée
Fig.2.6 : Sens du courant a). Pendent l’alternance positive, b). Pendent l’alternance négative
u(t)
t(s)
0 T/2 T
uR(t)
t(s)
0 T/2 T

Exercice : Donner la période de uR(t) et calculer sa valeur moyenne, sa valeur efficace et le

facteur de forme.
II.1.2.2 Redressement double alternance à pont de Graetz

Il existe une autre façon de faire un redressement double alternance, ne nécessitant pas un
transformateur à double enroulement : nous utilisons 4 diodes montées en pont.
a. Schéma du montage
D1
D3
u(t)
uR R
D4 D2
Fig.2.8 : Schéma du circuit du redresseur double alternance à pont de Graetz

avec : u (t )  U m sin(t ) ;   2F
Hypothèse : Les diodes sont supposées idéales (V0 = 0, rd = 0 et Ri = ∞).
T
Pendant l’alternance positive de u(t) (0  t  ) :
2
D1 et D4 conduisent et D2 et D3 bloquées donc uR = u(t).
T
Pendant l’alternance positive de u(t) (0  t  ):
2
D2 et D3 conduisent et D1 et D4 bloquées donc uR = - u(t).
i i
D1 D1
D3 D3
uR uR
u(t) u(t)
R R
D4 D2 D4 D2
i i
Fig.2.9 (a) : Demi-alternance positive Fig.2.9 (b) : Demi-alternance négative

u(t)
t(s)
0 T/2 T
uR(t)
t(s)
0 T/2 T
II.2 Filtrage
Les tensions redressées vus précédemment ne permettent pas d'alimenter les circuits
électroniques qui requièrent une tension DC constante.
La technique la plus simple pour améliorer et réduire les ondulations de la tension redressée
est d’utiliser un filtrage capacitif en plaçant en parallèle sur la charge un condensateur de
capacité C.
II.2.1 Redressement mono-alternance avec filtrage
Considérons le schéma de la figure suivante :
i
iC iR
ud
Secteur
220V/50Hz u (t )  U m sin(t ) C uR R
Fig.2.11 : Schéma du circuit de redressement mono-alternance et filtrage

 Si la diode est conductrice; le condensateur se charge
 Si la diode est bloquée; le condensateur se décharge à travers R.
L’allure de la tension aux bornes de la charge R après filtrage est donnée par la figure 2.12.

uR
Umax
Umoy
2U
Umin
t1
t(s)
0 T/4 T/2 T 5T/4

Décharge de C Charge de C
Fig.2.12 : Forme du signal de sortie aux bornes de la charge R après filtrage

T
0t : La diode conduit et le condensateur se charge.
4
A l’instant t=0 la source u(t) est connectée aux bornes de la diode; la tension aux bornes du
condensateur passe de 0 à Umax=Um (charge du condensateur) au bout d’un temps t=T/4.
T
t , u C (t )  u (t ) : La tension u(t) devient à un potentiel inferieur à celle aux
4
bornes du condensateur; la diode se polarise en inverse et sera bloquée et le circuit RC
se trouve isolé. Le condensateur se décharge dans la charge R avec une constante de
temps   RC . Lors de cette décharge la tension u R aux bornes de R décroit
5T
exponentiellement et tend vers une valeur U min pour t1    . A cet instant, le
4
potentiel de l’anode redevenant supérieur au potentiel de la cathode, la diode se remet
5T
à conduire et recharge complètement le condensateur à t  et le processus
4
recommence.
II.2.1.1 Taux d’ondulation
U
Le taux d’ondulation est définit par le rapport :  ond 
U moy
 U : Ondulation de la tension filtrée ;

2U  U max  U min : Ondulation crête à crête ;
U moy : Tension filtrée moyenne
II.2.1.2 Choix de la capacité de filtrage

Si 2 U est la valeur crête de la tension d’ondulation, on voit que pendant le temps  , le
condensateur C se charge et que la tension à ses bornes varie de 2 U . La quantité
d’électricité reçue de la part de la source pendent le temps  est : Q r  2CU
Pendant le temps T    T le condensateur se décharge dans R et restitué une quantité

d’énergie Q p telle que : Q p  i (T   )  iT

U moy
La conservation d’électricité reçue et restitué impose Q r  Q p , avec i  i moy 
R
U moy U 1 1
Qr  Q p  2C  U  T    ond  T 
R U moy 2 RC 2 RCf
Ce calcul suppose que RC  T , le filtrage est d’autant plus efficace (faible ondulations) que
U
est faible, ce qui nécessite un RC élevé.
U moy
La résistance R est généralement imposé par le circuit d’utilisation, il faut donc choisir C
T
élevé pour satisfaire cette condition, (C  ) .
R
II.2.2 Redressement double alternance avec filtrage
On considère le montage de la figure (Fig.2.13).
D1
i
R C
u1 uR
Secteur
220V/50Hz
u2
D2
Fig.2.13 : Schéma du circuit de redressement double alternance et filtrage

La tension de sortie aux bornes de la résistance aura la forme suivante :
uR(t)
Umax
2U
Umin
t(s)
0 T/2 T
Fig.2.14 : Forme du signal de sortie aux bornes de la charge R après filtrage du circuit de la
figure 2.13
Un raisonnement analogue à celui fait dans le redressement mono-alternance avec filtrage
U 1
montre que la tension aux bornes de la charge R est telle que : 
U moy 4 RCf
III. Circuits limiteurs (écrêteurs)

Les circuits limiteurs sont utilisés pour sélectionner une portion d’un signal quelconque.

Exemple 1 :
Le circuit de la figure 2.14 permet d'écrêter le signal de sortie vs(t), qui est limité à E0.
L'étude est menée avec le modèle de la diode idéale et avec l'hypothèse rp << RC.
RP
D
ve(t)=Vmsin( ) RC vs
E0
Fig.2.14
1er cas : la diode est bloquée
RP Id=0
Vd<0
ve RC vs
E0
RC
I d  0  v s (t )  v e (t ) et comme R p  RC , donc v s (t )  v e (t ).
RC  R p
Limite de blocage : la diode (D) reste bloquée tant que Vd<0 et on a Vd=vs(t)-E0=ve(t)-E0.
Donc la diode reste bloquée tant que ve(t)<E0.
2éme cas : la diode est conductrice
RP Id>0
Vd=0
ve RC vs
E0
V d  0  v s (t )  E 0
v e (t )  E 0 E 0 v e (t ) 1 1 1 1 1
Id     E0 (  ) avec (  )  Id  (v e (t )  E 0 )
Rp RC Rp R p RC RC Rp Rp
Limite de conduction : la diode (D) reste conductrice tant que Id>0.

Donc la diode reste conductrice tant que ve(t)>E0.

Le graphique de la figure 2.15, montre l'évolution de vs(t), il traduit les équations établies
précédemment.
ve(t)
(D) ON (D) OFF (D) ON
t(s)
0
vs(t)
vs(t)=E0 vs(t)=ve(t)
E0 t(s)
0
Fig.2.15
Exemple 2 : Circuit double écrêteur
Un circuit dont la tension d'entrée doit impérativement rester en dessous d'une valeur seuil Vs,
peut être protégé par un jeu de diodes montées en antiparallèle. En cas de dépassement de la
tension seuil Vs, l'une des deux diodes se mettra alors à conduire et assurera ainsi une
protection du circuit.
On considère le montage de la figure 2.16, les diodes (D1) et (D2) fonctionnent en régime
normale.
RP
ve(t)=Vmsin( ) D1 D2 vS RC
Fig.2.16
Etudier le comportement de ce circuit, déterminer les variations de vs(t) pendent les deux
alternances de ve(t) : positive et négative.

Chapitre 3 : Transistor bipolaire en régime statique
Chapitre 3
Transistor bipolaire en régime

statique


Introduction
Depuis son invention par John Bardeen, William Shockley et Walter Brattin en 1948, le
transistor bipolaire (transistor à jonction) a révolutionné l’industrie électronique. Il fait partie
des composants que l'on retrouve sans exception dans toutes les applications de l'électronique
(électronique analogique, électronique numérique et électronique de puissance) :
 Amplification d’un signal : amplificateur de tension, de courant ou de puissance ;
 Il peut être utilisé comme une source de courant ;
 Ou encore comme interrupteur commandé, qui est un élément essentiel en
électronique numérique.
 Convertisseurs de puissance AC-AC, AC-DC, DC-DC, DC-AC ;
 Oscillateurs ;
 Microcontrôleurs ;
 Micro-processeurs, etc...
Le but de ce chapitre est de donner un aperçu de la structure et du principe de fonctionnement

des transistors bipolaires en régime statique.
I. Transistor bipolaire (transistor à jonction)

I.1 Définition
Le transistor bipolaire est obtenu à partir d’un barreau de semi-conducteur (Si ou Ge) sur
lequel on a crée trois zones. Deux zones de même type P ou N appelée Emetteur et Collecteur,
séparée par une troisième zone de type différent appelée Base. Le transistor est donc
l’association de deux jonctions P-N (diode) dos à dos.
On distingue deux types de transistor bipolaire :
Transistor bipolaire NPN (jonction NP suivie d’une jonction PN)
Transistor bipolaire PNP (jonction PN suivie d’une jonction NP)
La figure 3.1 montre ces deux types de transistor bipolaire.

Transistor PNP Transistor NPN
Emetteur Collecteur Emetteur Collecteur

P N P N P N
Base Base
a). Construction
E C E C
B B
b). Comparaison avec un circuit à deux diodes
C C
B B
E E
c). Symbole
Fig.3.1 : les deux types de transistor à jonction PNP et NPN

De point de vue physique le fonctionnement des deux transistors est le même. Nous
étudierons par la suite le transistor NPN. Le raisonnement est identique par rapport au
transistor PNP : il suffit de permuter le rôle des électrons et des trous.
Les trois bornes Emetteur, Base et Collecteur sont définies respectivement :
Emetteur (E) : région de type N, qui est fortement dopé. Son rôle est d’injecter des
électrons dans la base.
Base (B) : région de type P, faiblement dopé, sa zone est mince et son épaisseur est
faible devant la longueur de diffusion des porteurs minoritaires (électrons) dans cette
zone. Elle transmit au collecteur la plus part des électrons venant de l’émetteur.
Collecteur (C) : région de type N moyennement dopée. Le collecteur recueille les
électrons qui lui viennent de la base d’où son nom.
Remarques :
- Le transistor n’est pas symétrique, car les dimensions géométriques et les dopages de
l’émetteur et de collecteur ne sont pas identiques. Le collecteur est plus volumineux et
moins dopé que l’émetteur.

- En absence d’une tension appliquée, le transistor est en circuit ouvert. Le courant total
est nul.
I.2 Transistor bipolaire sous polarisation
I.2.1 Mode de fonctionnement
Selon les polarités des tensions appliquées aux jonctions émetteur-base et base-collecteur, on
obtient des comportements différents du transistor. Ce sont les régimes de fonctionnement du
transistor, on distingue quatre types :
Régime normale : utilisé essentiellement en amplification
 La jonction E-B est polarisée en direct
 La jonction B-C est polarisée en inverse
Régime bloqué : le transistor est équivalent à un circuit ouvert.
 La jonction E-B est polarisée en inverse
 La jonction B-C est polarisée en inverse
Régime saturé : le transistor est équivalent à un circuit fermé.
 La jonction E-B est polarisée en direct
 La jonction B-C est polarisée en direct
Régime inverse : très peu utilisé
 La jonction E-B est polarisée en inverse
 La jonction B-C est polarisée en direct
I.2.2 Montage de base
Le transistor bipolaire étant un dispositif à trois pattes (bornes), il existe fondamentalement
trois façons de le connecter dans un circuit électronique. Une patte étant commune à l'entrée
et à la sortie. Chaque façon de connexion réagit différemment à son signal d'entrée dans un
circuit. Les trois montages possibles sont :
Montage émetteur commun (très utilisé) : la patte commune est l’émetteur, l’entrée
est la base et la sortie est le collecteur.
Montage base commune (peu utilisé) : la patte commune est la base, l’entrée est
l’émetteur et la sortie est le collecteur.
Montage collecteur commun (parfois utilisé) : la patte commune est le collecteur,
l’entrée est la base et la sortie est l’émetteur.
I.2.3 Effet transistor

I.2.3.1 Montage base commune en régime de fonctionnement normale
Considérons le montage de la figure 3.2.
Nous appliquons entre l’émetteur et la base une tension VBE de l’ordre de 1 Volt, tel que la
jonction N-P émetteur-base est polarisée en direct (VBE>0). Et appliquons entre la base et le
collecteur une tension VCB d’une dizaine de volts, tel que la jonction base-collecteur est
polarisée en inverse (VBC<0).

C
E C
N P N B
B
VBE VCB
E
Fig.3.2 : Montage base commune du transistor NPN

I.2.3.2 Fonctionnement
La jonction B-E étant polarisée en direct, donc la barrière de tension est diminue et on
favorise le passage des porteurs majoritaires (les électrons) de l’émetteur vers la base. De
même, les trous majoritaires de la base vont diffuser vers l’émetteur.
Les électrons injectés de l’émetteur vers la base devient minoritaire. Certains d’entre eux vont
se recombiné avec les trous majoritaires de la base. Mais comme la base est très faiblement
dopé et son épaisseur est faible devant l’épaisseur des électrons injectés par l’émetteur, ces
derniers auront peu de chance de se rencontrer les trous majoritaires de la base. Seule une
faible portion de ces électrons va subir des recombinaisons avec les trous de la base. Donc les
électrons émis par l’émetteur arriverons très vite à proximité de la jonction base-collecteur ou
existe un champ interne important qui capte ces électrons et ils sont accélérés vers le
collecteur.
Conclusion : la presque totalité des électrons émis par l’émetteur arrivent au collecteur.
I.2.3.3 Courant de fuite
Si on laisse l’émetteur ouvert (en l’air) (figue 3.3), c à d IE=0, le courant IC devrait être nul.
Mais on constate qu’il existe un courant de fuite (c’est le courant inverse de saturation IS de
la jonction B-C) noté ICB0.
E C
N P N
B ICB0
Fig.3.3
De même il circule le courant de fuite ICE0 lorsque la base est ouverte figure 3.4.
B
E C
N P N
ICE0
Fig.3.4

I.2.3.4 Bilan des courants pour un transistor NPN
N P N
IEN ICN1
IE IC
IEN-ICN1
ICN0
IEP
ICB0
ICP0
IB
Fig.3.5 : Bilan des courants pour un transistor NPN

a. Au niveau de l’émetteur
Le courant total qui circule dans l’émetteur est composé :
IEN : courant des électrons injectés dans la base, c’est un courant fort (qlq mA)
IEP : courant des trous qui proviennent de la base (ce sont des trous majoritaires dans la base).
Il est faible parce que la base est moins dopée que l’émetteur.
I E  I EN  I EP  I EN (1)
b. Au niveau du collecteur
Le courant qui circule dans le collecteur est composé de :
ICN1 : courant du aux électrons provenant de l’émetteur qui traversent la base
ICB0 : c’est le courant de fuite
I C  I CN 1  I CB 0 (2)
c. Au niveau de la base
Le courant dans la base est composé de quatre courants :
IEP : le courant des porteurs majoritaires (trous) de la base injectés dans l’émetteur
IEN-ICN1 : les électrons injectés par l’émetteur qui n’arrivent pas jusqu’au collecteur
ICN0 : les minoritaires de la base (électrons) injectés dans le collecteur
ICP0 : les minoritaires du collecteur (trous) injectés dans la base
Ces deux dernières courants forment le courant de fuite : I CB 0  I CN 0  I CP 0  I S
On a donc : I B  I EP  ( I EN  I CN 1 )  I CB 0  0 (3)

I.2.3.5 Effet transistor

Le transistor, permet avec une faible tension VBE (de l’ordre 1volt) d’injecté un courant donné
(courant d’émetteur) dans un circuit de faible résistance (jonction Emetteur-Base polarisée en
direct (diode passante!)) et de transférer ce même courant dans un circuit de grande résistance
(jonction Base-collecteur polarisée en inverse (diode bloquée!)) : c’est effet transistor.
I.2.4 Relations fondamentales
I.2.4.1 Montage base commune (gain en courant en base commune)
Bilan des courants en régime stationnaire :
IC
On a : I E  I B  I C C
VCB
Et d’après la relation ( 2) : IB B
I C  I CN1  I CB 0 , soit  la proportion des porteurs VBE
majoritaires de l’émetteur qui arrivent dans le collecteur. E

IE
I CN 1   .I EN   .I E Fig.3.6
Donc : I C   .I E  I CB 0 , avec   1 (0.95    0.99)

 est un paramètre important du transistor, il représente le gain statique en courant d’un
montage base commune.
Dans la plupart des cas, on néglige les courants de fuite ( I CB 0  0) : donc I C   .I E
I.2.4.2 Montage émetteur commun (gain en courant en émetteur commun)
Bilan des courants en régime stationnaire : IC

C
I E  I B  IC
IB B
I C   .I B  I CE 0
VCB
VBE
On peut déduire les deux équations
E
  IE
   1  
suivantes : 
Fig.3.7
 I CE 0  (   1) I CB 0
avec :   1 (100    300)

 représente le gain statique en courant d’un montage émetteur commun.
Dans la plupart des cas, on néglige les courants de fuite ( I CE 0  0) : donc I C   .I B
Ordres de grandeurs : IC ≈ IE qq mA à qq 10mA et IB qq 10µA à qq 100µA

Remarque :
Le transistor se comporte comme une source de courant commandé soit du courant de
l’émetteur soit du courant de la base.
Les courants IB et IE sont commandés par la tension VBE.
VBE s’appelle tension de commande, plus cette tension est grande plus IC est important. Nous
avons donc un dispositif dont la grandeur de sortie est commandée par une grandeur d’entrée.
II. Montage à transistor : réseau de caractéristiques
L’état du transistor est déterminé par les différentes grandeurs électriques (IE, IB, IC, VBE, VCB
et VCE).
Les caractéristiques électriques du transistor sont décrites sous formes de courbes qui
précisent l’interdépendance entre les différentes grandeurs, imposé par le transistor. Plusieurs
représentations sont possibles. On peut passer de l’une à l’autre grâce aux relations décrites
ci-dessus.
 En configuration base commune (la base constitue l’électrode de référence pour les
tensions) on représente les caractéristiques d’un transistor NPN par :
I E  f (V BE )VCB cte I C  f (VCB ) I E cte
et
 En configuration collecteur commun (le collecteur constitue l’électrode de référence

pour les tensions) on représente les caractéristiques d’un transistor NPN par :
I B  f (V BE )VCE cte I C  f (VCB ) I E cte
et
 En configuration émetteur commun (l’émetteur constitue l’électrode de référence

pour les tensions) on représente les caractéristiques d’un transistor NPN par :
I E  f (V BE ) VCE cte I C  f (VCE )I B cte
et
II.1 Configuration émetteur commun
On considère le montage de la figure 3.8. L’émetteur E est choisi comme référence.
IC
C
IB B RC
RB
E
VCC
VBB IE
Dans ce montage : Fig.3.8

(VBE, IB) ce sont les grandeurs d’entrée et (IC, VCE) les grandeurs de sortie.
Le circuit de la base est alimenté par une tension VBB variable, RB est une résistance de
protection et VBE est de l’ordre de 0,7volt pour un transistor au Silicium.
Le circuit du collecteur est alimenté par une tension VCC variable, RC est la charge.
II.1.1 Caractéristique d’entrée
Elle est donnée par la relation : I B  f (V BE )VCE  cte
C’est pratiquement la caractéristique d’une diode en polarisation directe (diode passante),

figure 3.9.
IB(µA)
Cette caractéristique est donnée en général pour une
VCE=cte
seule valeur de VCE. Elle est légèrement influencée
par VCE (négligeable).
VBE(V)
II.1.2 Caractéristique de sortie

Fig.3.9
Elle est donnée par la relation : I C  f (VCE ) I B cte
En pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs de I B (figure 3.10).
IC(mA)
IB5
Transistor saturé
IB4
IB3
Transistor en IB2
mode actif
IB1
IB=0 VCE(V)
Fig.3.10
Transistor bloqué
Nous distinguons trois modes de fonctionnement pour le transistor :

Mode actif : la jonction B-E est passante et la jonction C-B bloquée. le courant IC
dépend du courant IB I C   .I B  et varie très peu avec VCE. Cette caractéristique est
celle d’un générateur de courant utilisé en tant que récepteur.
Mode saturé : ce mode correspond à la zone des faibles tensions VCE (0 à quelque
volt). Quand la tension VCB diminue pour devenir très faible, la jonction B-C cesse
d’être polarisée en inverse et l’effet du transistor décroit rapidement. A la limite la
jonction B-C devient passante.
Mode bloqué : les deux jonctions B-E et B-C sont bloquées.

II.1.3 Caractéristique de transfert en courant

Elle est donnée par la relation : I C  f ( I B )VCE cte
IC(mA)
Le courant du collecteur est proportionnel
à IB (figure 3.11). I C   .I B
IB(µ A)
II.1.4 Caractéristique de transfert en tension

Fig.3.11
Elle est donnée par la relation : V BE  f (VCE ) I B cte
VBE(V)
Les caractéristiques de transfert en tension sont
presque horizontales (figure 3.12). La tension
VCE présente une faible influence sur la tension
d’entrée VBE. Cette caractéristique est souvent VCE(V)
ignorée par les constricteurs.
Fig.3.12
II.2 Le graphique à quatre quadrants
Ces quatre caractéristiques décrites sont en général représentées dans un graphique à quatre
quadrants. On obtient ainsi une vue globale des caractéristiques du transistor figure 3.13.
IC(mA)
Caractéristiques de Caractéristiques de sortie
transfert en courant IC=f(VCE)]IB=cte
IC=f(IB)]VCE=cte
IB5
IB4
IB3
IB2
IB1
IB(µA) VCE(V)
IB=0
Caractéristiques de
Caractéristiques d’entrée transfert en tension
VBE=f(IB)]VCE=cte VBE=f(VCE)]IB=cte
VBE(V)
Fig.3.13 : Caractéristiques statiques du transistor NPN

III. Polarisation du transistor : point de fonctionnement statique

Polariser un transistor, c’est lui fixer un ensemble de valeurs caractérisant son état de
fonctionnement. Cela revient à fixer les valeurs des tensions de polarisation des diodes V BE et
VCE ainsi que le courant de commande IB et le courant d’émetteur IE ou du collecteur IC.
On considère le montage de la figure 3.14. Le transistor est monté en émetteur commun.
IC
C
IB B RC
VCE
RB VBE
E
VCC
VBB IE
Fig.3.14
III.1 Point de fonctionnement (ou de repos) du transistor bipolaire
A partir du réseau de caractéristique, on peut déterminer le point de fonctionnement. La
connaissance du point de repos à l'entrée Q, permet de déduire, via la caractéristique de
transfert en courant IC=f(IB), la valeur du courant de sortie et donc le point de repos en sortie
P.
Le point de repos est défini par : IB0, IC0, VBE0, et VCE0.
III.1.1 Maille d'entrée : détermination du point Q :
L’examen du circuit d’entrée permet d’écrire l’équation de maille : VBE=VBB-RB.IB.
C’est l’équation d’une droite que l’on appellera la droite d'attaque statique. Cette droite est
représentée sur la caractéristique de base du transistor. Le point Q est définit par l’intersection
de la caractéristique d'entrée du transistor VBE=f(IB) et de la droite d’attaque statique
VBE=VBB-RB.IB.
III.1.2 Maille de sortie : détermination du point P :
La connaissance du point Q(VBE0, IB0) permet la détermination du courant IC0. L'équation de
la droite de charge statique est définie, à partir de la maille de sortie, par VCE=VCC-RC.IC.
L'intersection de cette droite avec la caractéristique de sortie du transistor (correspondant au
courant IB0 d'entrée) définit le point de repos en sortie P caractérise par IC0 et VCE0.

IC(mA)
Droite de charge statique
IB5
VCC/RC IB4
IB3
P
IB2
IC0
IB1
IB(µA) VBB/RB VCE(V)
IB=0
IB0 VCE0 VCC
VBE0
Q
VBB
Droite d’attaque statique
VBE(V)
Fig.3.15 : Détermination du point de fonctionnement statique

III.2 Transistor bipolaire saturé- transistor bipolaire bloqué
La partie de la droite de charge statique située entre les points de blocage et de saturation
définit la zone active (figure 3.16). I Cblocage  I C  I Csat
Au point de saturation, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur fermé. Au point de

blocage, le transistor idéal est équivalent à un interrupteur ouvert. Autrement dit le transistor
fonctionne en commutation (tout ou rien).
IC(mA)
Point de saturation VCE=VCEsat
IB5
ICEsat=Vcc/RC
IB4
IB3
IB2
Point de blocage IB=0  IC=0
IB1
VCE(V)
IB=0
VCEsat VCC
Fig.3.16

III.3 Polarisation à l’aide d’une seule alimentation

En pratique, on peut utiliser d’autres circuits de polarisation (moins coûteux) et qui présentent
le même fonctionnement.
Dans les montages usuels, on utilise rarement une source de tension séparée VBB pour
polariser la jonction B-E en direct. On alimente la base à l’aide d’un générateur unique VCC.
III.3.1 Polarisation par pont de base R1 et R2 (figure 3.17 (a))
IC
RC
C
R1
IB B
VCC
R2
E
IE
IC
Fig.3.17 (a)
C
R1
IB B RC
R2
VCC E
VCC
IE
M
Fig.3.17 (b)
Théorème de Thevenin entre B et M : IC
C
 R2
ETh  VCC .  VBB
 R1  R2  IB B RC
R  R // R  R
 Th 1 2 B
RB
E
VCC
VBB IE
Fig.3.17 (c)

III.3.2 Polarisation par une résistance de base RB (figure 3.18)
IE
RC
C
RB
IB B
VCC
E
IE
Fig.3.18
Déterminer l’équation de la droite d’attaque et l’équation de la droite de charge pour ce

montage.
III.4 Effet de la température

Si la température augmente l’intensité du courant ICB0 augmente et VBE diminue (de même ߚ
augmente).
Pour le montage émetteur commun on a : I C   .I B  (   1) I CB 0
L’accroissement de ICB0 est multiplié par (   1) , ce qui entraine une augmentation non
négligeable de IC.
Conséquence :
Si la température augmente  ICB0  IC. Cet effet commutatif produit l’emballement

thermique et la destruction du transistor.
Il faut prévoir donc les paramètres de stabilisation.
III.5 Facteur de stabilisation
Soit ΔIC une variation du courant IC due à une variation de la température. Elle est due
essentiellement à ΔVBE, ΔICB0 et Δβ.
ΔIC=S1.ΔICB0 +S2.ΔVBE+S3.Δβ, avec S1, S2 et S3 sont appelés facteurs de stabilisation, ils sont
définis par :
I C  I C  I C 
S1   S2   S3 
I CB 0  V  cte ,   cte
V BE  I  cte ,   cte
  VBE  cte, I CB  cte
BE CB

III.5.1 Stabilisation par la résistance d’émetteur (RE)

On considère le montage de la figure 3.19.
IC
RB
IB B RC
VBB E
VCC
IE
+
RE
Fig.3.19
La loi des mailles dans le circuit d’entrée donne :
V BB  R B I B  V BE  R E ( I C  I B ) (*)
I C  (   1) I CB 0
Et on a : I C   I B  (   1) I CB 0  IB 

On remplace IB par son expression dans (*), on obtient :
 (   1)  
I C  (V BB  V BE  ( R B  R E ) I CB 0 
   R B  (   1) R E
*Par rapport à I CB 0
RB
1
I C  (1   )( R B  R E ) RE
S1     (1   ).
I CB 0  V R B  R E (1   ) R
BE  cte ,   cte 1   B
RE
RB R
S1 varie entre 1 pour (  1) et (1+β) pour ( B   ) .
RE RE
**Par rapport à V BE

I C   RE
S2    
V BE  I R B  (1   ) R E RB
CB  cte ,   cte (1   ) 
RE

***Par rapport à 
I C  IC
S3   S1
  VBE  cte, I CB  cte
 (1   )
Remarque :
La résistance RE joue un rôle très important dans la stabilisation de la température du
transistor.
Sans RE nous avons :

S1    1 , S2  
RB
Avec RE nous avons : S1  S 1 et S 2  S 2

' '
Donc nous avons S1 diminue, S2 diminue et S3 diminue, et par conséquent la présence de RE

diminuer ΔIC. Elle stabilise la température du transistor.

Chapitre 4 : Transistor bipolaire en régime dynamique
Chapitre 4
Transistor bipolaire en régime

dynamique


I. Introduction
En régime dynamique, les grandeurs d’entrée et de sortie résultent de la superposition des
grandeurs continues ou statiques (VBE0, IB0, IC0 et VCE0) et des grandeurs alternatives qui sont
l’effet de source alternative
On considère le montage du transistor en émetteur commun en régime statique, nous ajoutons
à l’entrée du montage un générateur de tension sinusoïdale e (t )  E sin( t ) (figure 4.1).
iC
RB iB B RC
VBB E
VCC
iE
e(t)
Fig.4.1
La présence de e(t) fait apparaitre des composantes variables de iB(t), iC(t), vBE(t) et vCE(t).
II. Fonctionnement en régime dynamique petits signaux
Pour un fonctionnement en petits signaux (E faible), on peut écrire :
i B (t )  I B 0  ib (t ) v BE (t )  V BE  vbe (t )
 
iC (t )  I C 0  ic (t ) v CE (t )  VCE  v ce (t )
Notation : une grandeur variable est notée en minuscule et une grandeur continue en
majuscule.
ib(t), ic(t), vbe(t) et vce(t) représentent des petites variations autour des tensions et des courants
continues IB0, IC0, VBE0 et VCE0 correspondants au point de repos.
ib (t )  ibm sin(t ) v be (t )  v bem sin(t )

 
ic (t )  icm sin(t ) v ce (t )  v cem sin(t )
II.1 Caractéristique d’entrée
Le point de repos Q va se déplacer entre Q’ et Q’’. La portion de caractéristique Q’Q’’ est
assimilée à un segment de droite (linéaire) (Fig.4.2), on dit que le transistor fonctionne en
régime linéaire.

Q ' : I B'  I B 0  ibm


Q ' ' : I B''  I B 0  ibm
II.2 Caractéristique de transfert en courant
Par la suite, le point de repos N se déplace entre N’ et N’’(Fig.4.2) :
 N ' : I C'  I C 0  icm


 N ' ' : I C''  I C 0  icm
II.3 Caractéristique de sortie
Le déplacement du point N entraine donc le déplacement du point de repos P sur la droite de
charge entre P’ et P’’ (Fig.4.2) :
 P ' : VCE '

 VCE 0  v cem

 P ' ' : VCE''
 VCE 0  v cem
iC(mA)
IB5
IB4
P’ IB3
N’ ic(t) t(s)
P
IB2
N IC0
P’’
IB1
iB(µA) N’’
vCE(V)
IB=0
I’B0 IB0 I’’B0 VCE0
vce(t)
Q’’ t(s)
Q
VBE0 t(s)
Q’ vbe(t)
ib(t)
vBE(V)
t(s)
Fig.4.2
III. Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux
En régime faible signaux le fonctionnement du transistor est linéaire, on peut donc le
considérer comme un quadripôle linéaire actif.

On considère le montage émetteur commun et en ne s’intéressant qu’aux composantes

alternatives, le transistor peut être représenté dans son domaine de fonctionnement par un
quadripôle actif (Fig.4.3).
ic C
B ib B C
vce vbe vce
vbe E E
ie
E E E
Fig.4.3
Le quadripôle équivalent au transistor est représenté par ses paramètres hybrides ’’h ‘’ (les
plus utilisés en basse fréquence) tels que :
v be  h11e .ib  h12e .v ce vbe  h11e h12e  i 

 en écriture matricielle i     b 
ic  h21e .ib  h22e .v ce c  h21e h22 e  v ce 
 
h s’appelle la matrice hybride.
Le schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux monté en émetteur
commun devient (Fig.4.4):
ib h11e h21e.ib ic
B C
h22e.vce
H12e.vce
vbe 1/h22e vce
E
E E
Fig.4.4 : Schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux

III.1 Interprétation physique des paramètres hybrides
v be  v BE 
h11e     : l’impédance d’entrée du transistor, n’est autre que la
ib  v i B  V  cte
ce  0 CE
résistance dynamique de la jonction base-émetteur.

vbe  v BE 
h12 e     : l’inverse du gain en tension (ou facteur de réaction de la
v ce  i vCE  I  cte
b 0 B
sortie sur l’entrée).
ic   iC 
h21e       : le gain en courant du transistor ou le moteur  .
ib  v i B  V  cte
ce  0 CE
ic   iC 
h22 e     : l’admittance de sortie du transistor. En pratique sa valeur est
vce  i v CE  I  cte
b 0 B
1
faible, dans la suite on posera   .
h22e
iC(mA)
IB5
IB4
IB3
ΔIC
IB2
IC0
IB1
iB(µA) vCE(V)
IB=0
IB0 VCE0
ΔIB
ΔVCE
VBE0 ΔVBE
vBE(V)
Fig.4.5
Les paramètres hij dépendent du point de fonctionnement et peuvent être obtenus

graphiquement (Fig.4.5). Ils ne sont constants que si les variations autour du point de
fonctionnement sont faibles.
Sur les fiches techniques des constructeurs :
hi au lieu de h11 : entrée (input)
h0 au lieu de h22 : sortie (output)
hf au lieu de h21 : transfert direct (forward transfer)
hr au lieu de h12 : transfert invers (reverse transfer).

Remarque :
En général h22 est très faible de l’ordre de 10 -5 (ou  est très grande). De même h12 est très
faible. On obtient un schéma simplifié du transistor suivant (Fig.4.6) :
B ib C
ve h11e ic=β.ib vs
E E
Fig.4.6 : Schéma équivalent simplifié du transistor en régime dynamique petits signaux

IV. Amplificateur à transistor monté en émetteur commun
Un amplificateur est un circuit actif capable d’amplifier un signal d’entrée, amplifier
signifiant augmenter la puissance du signal.
IV.1 Schéma du montage
On considère le montage de la figure 4.7 suivant.
RC
C2
C
R1
C1
B
VCC
Ru
R2
e(t) E
RE CE
Fig.4.7 : Amplificateur émetteur commun à résistance émetteur découplée
C1 et C2 sont des condensateurs de liaison (de couplage). Ils se comportent comme des
circuits ouverts en courant continu et des courts-circuits en courant alternatif (aux fréquences
des signaux à amplifier).
 Le condensateur C1 est placé entre la source alternative et le point d’entrée du
montage.
 Le condensateur C2 élimine la composante continue à la sortie. On recueille
uniquement le signal alternatif amplifié.
Ces capacités sont choisit suffisamment grandes pour que l’on puisse négliger leurs
impédances aux fréquences de travail.

Le condensateur CE est un condensateur de découplage : il est semblable à un condensateur de

couplage à la nuance près qu’il couple à la masse un point qui n’y est pas relié. Ce
condensateur sert à découpler RE en régime alternatif.
IV.2 Schéma équivalent du montage en dynamique
Pour établir le schéma équivalent en dynamique d’un montage à transistor (Fig.4.8) :
- On supprime les générateurs de tension continue (on les court-circuite) tout en
conservant leurs résistances internes ;
- On court-circuite les capacités de liaisons ;
- On court-circuite les capacités de découplage ;
- On remplace le transistor par son schéma équivalent.
ib ic=β.ib
R1 R2 h11e Rc Ru vs
ve e(t)
Fig.4.8 : Schéma équivalent du montage amplificateur EC en régime dynamique

IV.3 Calcul des caractéristiques de l’amplificateur
IV.3.1 Gain en tension
vs
Le gain en tension est défini par : Av 
ve
On a les équations Suivantes : v e  h11e .ib et v s  ( Rc // Ru ).ic avec ic   .ib
vs  ( Rc // Ru )
Donc : Av  
ve h11e
Remarque : Av dépend de la valeur de la charge Ru (gain en charge). On définit le gain en

tension à vide Av 0 , tel que :
vs   . Rc
Av 0   donc : Av 0  
ve  R h11e
u 
IV.3.2 Gain en courant
is
Le gain en courant est défini par : Ai 
ie
On pose R=R1//R2

ie ib ic=β.ib is
i1 i2
ve R h11e Rc Ru vs
Fig.4.9
ic  i s  i 2  Ru R
  ic  i s (1  )   .ib  i s (1  u )
Rc .i 2  Ru .i s  Rc Rc
A la sortie on a :
Rc
 is   . .ib
Rc  Ru
ie  i1  ib  h11e
A l’entrée on a :   ie  ib (1  )
 R.i1  h11e .ib  R
is  .Rc .R
Donc : Ai   c’est le gain en courant en charge (présence de Ru).
ie ( Rc  Ru )( R  h11e )
is 
On définit Ai 0   : gain en courant en sortie court-circuitée
ie  R
u 0
 .R
Donc Ai 0 
R  h11e
IV.3.3 Impédance d’entrée et de sortie

Le schéma équivalent du montage amplificateur peut être représenté comme suit :
ie ib ic=β.ib is
i1 i2
ve R h11e Rc Ru vs
ie Zs is
ve Ze Av.ve vs
Fig.4.10

En entrée, le générateur alternatif voit l’impédance d’entrée de l’amplificateur Ze.

En sortie, on a un générateur de tension commandé en série sa résistance interne Zs qui
représente l’impédance de sortie.
a). Impédance d’entrée
ve
L’impédance d’entrée est définit par : Z e   ( R // h11e )
ie
b). Impédance de sortie
L’impédance de sortie est l’impédance du montage vu par la charge. Elle est définit par
vs
Zs  .
is
D’après le théorème de Thevenin le montage vu entre les bornes de sortie est équivalent à un
générateur de Thevenin ETh et d’impédance ZTh=Zs.
On vérifie facilement que Zs=Rc.
Remarque :
Si la charge est une impédance complexe, il suffit de remplacer dans les expressions
précédentes Ru par Zu.
IV.4 Variation du gain en fonction de la fréquence (basses fréquences)
Le gain de l’amplificateur émetteur commun varie en fonction de la fréquence sous
l’influence de plusieurs paramètres.
Les paramètres hybrides du transistor. On notera que pour les basses fréquences
(<100kHz), leurs variations restent négligeables ;
Les capacités de liaisons C1 et C2 : pour les basses fréquences, ces dernières ne
peuvent plus être considérés des courts-circuits et leur impédances ne peuvent ainsi
être négligées ;
La capacité de découplage CE.
IV.4.1 Influence des capacités de liaison C1 et C2
On considère le schéma équivalent de l’amplificateur EC en régime dynamique et en tenant
compte des capacités de liaison (Fig.4.11).
C1 C2
ib ic=β.ib
v’e ve R h11e Rc vs Ru v’s
Fig.4.11

On va avoir l’effet de C1 et C2 sur le gain en tension :
v s' v s' v s v e
Av'   . .
v e' v s v e v e'
v  ( Rc // Ru ) ve Ze v s' Ru
avec : s  Av   et  et 
ve h11e ve Z e  Z C1
'
v s Ru  Z Cs
En remplaçant ZCe et ZCs par leurs expressions, on obtient :
Av 1 1
Av'  , avec 1  et  2 
     Z e .C e Ru .C s
 1  j 1 1  j 2 
    
D’une façon générale, on a :  2  1
La figure 4.12 donne le tracer de Av  f ( )

'
Av'
Av
Av
2

0 2
Fig.4.12 : Le tracer de Av  f ( )
'
Av
Pour    2 , (la fréquence de coupure pour laquelle Av 
'
) , Av'  Av , il faut donc
2
prendre en compte les impédances des capacités C1 et C2.
Pour    2 , on a Av  Av , donc on peut remplacer les capacités de liaisons par des

'
coute circuits.
IV.4.2 Influence de la capacité de couplage CE

Les caractéristiques de l’amplificateur dépendent de la résistance R E.
RE est stabilisateur en température pour le transistor.
Avec la présence de la capacité de découplage, le schéma équivalent de l’amplificateur EC en
dynamique devient (Fig.4.13).
C1 C2
ib ic=β.ib
R h11e Rc Ru
v’e v’s
RE CE
Fig.4.13
Le gain en tension de l’amplificateur est :
v s' Rc // Ru RE
Av'    , avec Z E  RE // C E 
ve '
h11e  (1   ).Z E 1  jR E C E 
On obtient :

1 j
1 RC 1
Av'  Av 0 , avec Av 0   , 1 
 h11e  (1   ) R E RE C E
1 j
2
h11e  (1   ) R E 1 1 
et  2   
R E C E h11e R E C E C E h11e
La figure 4.14 donne le tracer de Av  f ( )

'
Av'
Av
Av 0

0 1  2
Fig.4.14

Chapitre 5 : Transistor à effet de champ (TEC)
Chapitre 5
Transistor à effet de champ (TEC)

Chapitre 5 : Transistor à effet de champ

I. Introduction
Dans le cas du transistor bipolaire, nous avons vu que le courant de sortie sur le collecteur est
proportionnel au courant d’entrée sur la base. Le transistor bipolaire est donc un dispositif
piloté par un courant. Le transistor à effet de champ (EN : Field Effect Transistor ou FET)
utilise une tension sur la borne d’entrée du transistor, appelée la base afin de contrôler le
courant qui le traverse. Cette dépendance se base sur l’effet du champ électrique généré par
l’électrode de base (d’où le nom de transistor à effet de champ). Le transistor à effet de champ
est ainsi un transistor commandé en tension. On distingue deux familles :
- Les transistors à effet de champ à jonction JFET ;
- Les transistors à effet de champ à grille isolée MOS FET (métal-Oxyde-Semi
conducteur).
Le MOS FET est réalisé par la superposition de trois couches, métal, oxyde et semi-
conducteur.
Le transistor à effet de champ se distingue du transistor bipolaire par les caractéristiques
suivantes :
Son fonctionnement est basé sur les porteurs majoritaires ;
Sa fabrication est simple et occupe un espace très faible ;
Possède une très forte impédance d’entrée ;
Il est peut sensible au bruit.
II. Transistor à effet de champ à jonction JFET
II.1 Structure
Le JFET est constitué d’un canal de semi-conducteur de type N (ou P) autour duquel on
réalise un anneau de semi-conducteur de type N (ou P) fortement dopé. Les deux extrémités
du canal sont munies de contact ohmique, un autre contact est réalisé sur l’anneau fortement
dopé.
Donc, le transistor à effet de champ est un dispositif qui possède trois bornes de connexion
selon une terminologie qui lui est propre. La comparaison avec le transistor bipolaire est
donnée ci-dessous.
Transistor bipolaire Transistor à effet de champ
Emetteur (E) Source (S)
Base (B) Grille (G)
Collecteur (C) Drain (D)
Tab.5.1 : Comparaison entre les bornes du transistor bipolaire et du transistor à effet de champ

Il y a deux types de transistors JFET : les JFET à canal N (Fig.5.1) et les JFET à canal P
(Fig.5.2). Le JFET à canal N est dopé avec des donneurs et la conduction est dominée par le
flux de porteurs majoritaires, soit des électrons. De la même manière, le canal P est dopé avec
des accepteurs et la conduction se fait par les trous.
Grille (Gate) (G)
Source (S) P
Drain (D)
N Canal N G
P
Fig.5.1 (a) : JFET à canal N Fig.5.1 (b) : Symbole d’un N-JFET
Grille (Gate) (G)
Source (S) N
Drain (D)
P Canal P G
N
Fig.5.2 (a) : JFET à canal P Fig.5.2 (b) : Symbole d’un P-JFET
Grille : électrode de commande (IG = 0), elle est constitue avec le canal une jonction PN qui
est toujours polarisée en inverse ;
Source : électrode par laquelle les porteurs entrent dans le canal ;
Drain : électrode par laquelle les porteurs quittent dans le canal.
Nous étudierons par la suite le JFET à canal N. Le raisonnement est identique par rapport
JEFT à canal P.
II.2 Fonctionnement Zone de déplétion G
La figure 5.3 ci contre, représente

P
un N-JFET. S D
N ID N
.
P
ID
IG= 0
VDS
VGS
Fig.5.3 IS= ID

La conductance maximale du canal est obtenue pour VGS=0. Lorsque la tension VGS devient
négative, la zone de déplétion (zone de charges fixes) s’étend réduisant la taille du canal et sa
conductance (ID diminue).
Lorsque VGS atteindra une valeur de VGS=VGSoff (Fig.5.4), les deux zones de déplétion se
rejoignant et le canal est supprimé. La conductance est tend alors vers 0 (ID=0). Le TEC
fonctionne en déplétion ou appauvrissement. Dans ce cas, on peut considérer le TEC comme
une résistance commandée en tension.
G
S P
D
N N
P
ID=0
IG= 0
VDS>0
VGS=VGSoff
IS= ID
Fig.5.4
La conduction du canal peut être donc commandée par l’épaisseur de la zone de déplétion.
Remarque :
La zone de déplétion s’élargit vers le drain du transistor, car lorsque V DS>0 le potentiel du
drain et supérieur au potentiel de la source. La tension inverse grille-canal sera donc plus
importante du coté du drain.
II.3 Réseau de caractéristiques
Comme le cas d’un transistor bipolaire, on peut avoir trois montages de base pour le TEC :
source commune, drain commun et grille commune.
On considère le montage source commune suivant (Fig.5.5).
ID
G D
VDS
IG S
IS
VGS
Fig.5.5
I D  f (V DS )VGS cte

Les caractéristiques de ce montage sont données par : 
I D  f (VGS )VDS cte

ID
(1) (2) (3) (4)
VGS0=0
IDS
VGS1=-1V
VGS2=-2V
VGS3=-3V
VGS
VGSoff VGS3 VGS2 VP VDSmax VDS
Fig.5.6 : Caractéristiques statiques du JFET

On distingue quatre régions :
Région (1) : VDS est faible (<200mV) le canal se comporte comme une résistance (I D croit
linéairement).
Région (2) : VDS augmente, la polarisation inverse de la jonction augmente et le courant I D
n’augmente plus d’une manière proportionnelle avec VDS : c’est la zone du coude du au début
du pincement du canal.
Région (3) : à partir de la tension de coude le courant ID conserve une valeur constante, c’est
la région de pincement (ou de saturation ou linéaire). Le TEC se comporte comme une source
de courant commandée en tension.
VGS  0  V DS coude  VP  VGS 

Si   V DS coude  VP
VGS  0 
Le courant constant correspondant à VGS=0 est noté IDSS.

La courbe I D  f (VGS ) VDS cte peut être déduite de la courbe I D  f (V DS )VGS cte , on peut
montrer qu’elle est donnée par la relation suivante :
VGS 2
I D  I DSS (1  )
VP
La tension VGSoff est la tension de blocage (ID=0 ∀ VDS), VGSoff=-VP
Région (4) : zone d’avalanche, si VDS dépasse VDSmax on obtient le claquage de la jonction. Le
semi conducteur est détruit par effet avalanche.
Remarque : On régime normale le TEC est utilisé dans la zone de pincement.

III. JFET en régime continu (ou statique)

III.1 Polarisation automatique
On considère le montage source commune de la figure 5.6 suivante :
ID RD
G D
IG VD
S
RG VGS IS
RS.IS RS
M
Fig.5.6
Déterminer le point de fonctionnement c.à.d : déterminer ID0, VGS0, et VDS0.
Les constructeurs fournissent :
- Soit le réseau de caractéristiques ID=f(VDS) (méthode graphique)
- Soit la tension de pincement VP et le courant IDSS à VGS=0 (méthode analytique)
III.1.1 Méthode graphique
A l’entrée :
VGM=VGR=0 (IG=0)
VGM=VGS+RS.IS=0  VGS+RS.ID=0 (car ID=IS)
Donc : VGS=-RS.ID : Equation de la droite de transfert.
Le montage crée donc sa propre polarisation en utilisant la tension aux bornes de R S pour
polariser la grille en inverse.
En sortie :
V D  V DS
VD=(RD+RS)ID+VDS  I D  : Equation de la droite de charge.
RD  RS
A partir du réseau de caractéristiques fournies par le constructeur et les droites de charge et de
transfert on détermine le point de fonctionnement (ID0, VGS0, et VDS0) (Fig.5.7).

ID
Droite de charge
VD/RS+RD
IDSS
Droite de transfert
Q P
ID0
VGS
VGSoff VGS0 VP VDS0 VD VDSmax VDS
Fig.5.7 : Détermination du point de fonctionnement statique

III.1.2 Méthode analytique
On suppose que le transistor fonctionne normalement, donc le point de fonctionnement est
dans la zone de pincement, on a :


VGS   R S .I D (1)

V DS  V D  ( R S  RD ) I D (2)
 2
 I  I 1  VGS  (3)
DSS 
 D
  VP 
2
 R 
(1) et (3)  I D  I DSS 1  S I D 
 VP 
2
R  2 R
 I DSS  S  I D  (1  2 I DSS S ) I D  I DSS  0
 VP  VP
Exemple : VD=15V, RD=1,5K, RS=1k, RG=1M
Déterminer le point de fonctionnement du transistor sachant que I DSS=8mA et VP=4V
IV. TEC en régime dynamique (faible signaux)
Cette étude consiste à analyser le fonctionnement d’un transistor FET polarisé en zone de
saturation lorsqu’on applique de petites variations à l’une des grandeurs électriques.
IV.1 Schéma équivalent en Basses Fréquences

Le transistor est équivalent à un quadripôle linéaire (Fig.5.8).

ig id
G D
vgs vds
S S
Fig.5.8
On choisit la matrice admittance :
i g  y11 .v gs  y12 .v ds

 v gs et v ds on a i g  0, donc y11  y12  0
id  y 21 .v gs  y 22 .v ds
 id  y 21v gs  y 22 .v ds
id  i D 
 y 21      gm
v gs  vGS  V  cte
vds 0 DS
id  i D 
 y 22      g ds
v ds  v 0
v DS  V  cte
gs GS
gm représente la transconductance et gds l’admittance du drain.

Le schéma équivalent d’un TEC en (B.F) est donné par la figure 5.9 suivante :
iD
D G iD
G
iG S
vds
gm.vgs gds vds
vgs
vgs iS
Fig.5.9 : Schéma équivalent d’un TEC en basses fréquences
IV.2 Schéma équivalent en hautes Fréquences

En hautes fréquences les capacités parasites interviennent. Toute jonction PN polarisée en
inverse constitue un condensateur. Pour le TEC, on considère deux condensateurs parasites,
l’un entre grille et source et l’autre entre grille et drain (Fig.5.10).
Remarque :
En hautes fréquences la résistance d’entrée n’est plus infinie. D’autre part, il existe une
réaction de la sortie sur l’entrée due à la présence de la capacité Cgs.

iD
Cgd Cgd
D G iD
G
S vds
Cgs Cgs gm.vgs gds vds
vgs
vgs
S
Fig.5.10 : Schéma équivalent d’un TEC en hautes fréquences
Cgs : Capacité de la jonction grille source
Cds : Capacité de la jonction drain source

Chapitre 6 : Filtres passifs
Chapitre 6
Filtres passifs


I. Définitions
Un filtre est un quadripôle qui réalise une opération de traitement du signal: il atténue
certaines composantes d’un signal et en laisse passer d’autres.
Il existe plusieurs types de filtres, dont les plus connus sont :
 Filtre passe-haut ;
 Filtre passe-bas ;
 Filtre passe-bande.
I.1. Réponse fréquentielle d’un filtre
La réponse fréquentielle (ou Réponse harmonique) d’un filtre est la réponse en régime
permanent du système à une entrée sinusoïdale. Elle est obtenue par variation de .
I.2 Fonction de transfert
En régime sinusoïdal, on caractérise un filtre par sa fonction de transfert complexe qu’est le
quotient de la tension de sortie v s par la tension d’entrée v e :
vs
G ( j )   G ( ).e j
ve
G ( ) est la norme du gain en tension et  le déphasage   arg( v s )  arg( v e )
I.3 Echelles logarithmiques

Si les grandeurs physiques varient sur de grandes échelles, il est difficile d’utiliser l’échelle
linéaire. On définit :
Le Décibel :
Les gains en décibels sont définis par :
Gain en puissance : P ( ) dB  10 log 10 ( P ( ))
Gain en tension : G ( ) dB  20 log 10 (G ( ))
Valeurs remarquables :
Pour les puissances :
Soit G un gain en puissance égal à 2. Le gain G’ correspondent en décibels est :
G’=10log10(2)=3.01dB≈3dB
Si G=4, G’=6.02dB≈
Si G=1/2, G’=-3dB.
Une multiplication du gain par 2 correspond à une augmentation de 3dB ;
Une division du gain par 2 correspond à une diminution de 3 dB.
Pour les tensions :
Une multiplication par 2 correspond à une augmentation de 6dB ;
Une division du gain par 2 correspond à une diminution de 6 dB.

I.3 Fréquence de coupure

On définit la fréquence de coupure  C d’un système comme étant fréquence pour laquelle le
gain maximum en tension est divisé par 2.
G Max 3
G ( C )  . Or log( 2 )  0,1505 
2 20
Donc, on peut définir aussi la fréquence de coupure comme la fréquence qui correspond à une
diminution de 3dB du gain maximum : G ' ( C )  G ' Max 3dB
I.4 Lieu de transfert - Diagrammes de Bode
On appelle lieu de transfert, le lieu des points G(j ) quand la pulsation varie de 0 à l’infini.
Le lieu de Bode (Diagramme de Bode) correspondant à deux courbes :
G ( j )  f ( ) et arg( G ( j ))  g ( ) , s’exprime en échelle logarithmique.
II. Lieu de transfert dans le plan de Bode

II.1 Intégrateur :
1 1
La fonction de transfert d’un intégrateur est donnée par : G ( j )  
j 
j
C

 G ( j ) dB  20 log j  20 log( )  20 log( C )
C
C’est une droite qui passe par :

 
    C  20 log 0 
C 
  pente de  20 dB / Decade

   10 C  20 log  20 dB 
C 
Ou
 
    C  20 log 0 
C 
  pente de  6 dB / Octave

   2 C  20 log  6 dB 
C 
G ( j ) dB  20 log(  )  20 log(  C ) : c’est une droite de pente -20dB/décade
Une décade correspond à une multiplication de la fréquence par 10 ;
Une octave correspond à une multiplication de la fréquence par 2.


 Arg (G ( j ))  
2 G ( j ) dB
Axe gradué en
Pente de log(  )
 20 dB / décade

0 dB C
II.2 dérivateur :

La fonction de transfert d’un dérivateur est donnée par : G ( j )  j  j
C

 G ( j ) dB  20 log j  20 log( )  20 log( C )
C
C’est une droite de pente +20dB/décade

 Arg (G ( j ))  G ( j ) dB
2 Pente de
 20 dB / décade 
0 dB C

II.3 Filtre passe bas du 1er ordre

 Exemple : Circuit RC
On considère le montage de la figure suivante :
Ve(t) C Vs(t)
La fonction de transfert de ce filtre est :

V s ( j ) ZC 1 1 1 1 1
G ( j )     , avec Z C  et  C  
V e ( j ) R  Z C 1  jRC   jC  RC 
1 j
C
 C  2Fc : La pulsation de coupure du filtre.
Dans le plan de Bode, on représente les deux courbes suivantes :
2
   
 G ( j ) dB  20 log(1)  log 1  j  20 log 1   
C  C 
 
 Arg (G ( j ))   Arg (1  j )   Arctg ( )
C C
 Tracé des asymptotes


Pour    C   1 (basse fréquences)
C
G ( j ) dB  0 dB , l’axe horizontal est une asymptote en basse fréquences.
Arg (G ( j ))  0 rad (ou 0) , l’axe horizontal   0 est une asymptote.

Pour    C   1 (haute fréquences)
C
 
G ( j ) dB  20 log j  20 log( )  20 log( )  20 log( C ) , c’est une
C C
droite de pente -20dB/décade.
  
Arg (G ( j ))   Arg ( j )   Arctg ( )   , l’axe horizontal    est une
C 2 2
asymptote.
Pour    C on a :

G ( j ) dB  3dB , on dit que le gain a chuté de 3 dB.


Arg (G ( j ))   .
4
G ( j ) dB
C 2 C 10 C 
0 dB
 3 dB
 6 dB
 20 dB
 20dB / Décade  6dB / Octave
Arg(G( j ))
C 
0


4


2
Ces courbes caractérisent un filtre passe bas (le système atténue les haute fréquences). La
bande de fréquence [0, c] s’appelle la bande passante du filtre.
II.4 Filtre passe haut du 1er ordre
 Exemple : Circuit CR
C
Ve(t) R Vs(t)


j
V s ( j ) R 1 jRC  C 1 1
G ( j )      , avec  C  
V e ( j ) R  Z C 1 1  jRC   RC 
1 1 j
jC  C
 C  2Fc : La pulsation de coupure du filtre.

Dans le plan de Bode, on représente les deux courbes suivantes :
2
     
 G ( j ) dB  20 log( )  log 1  j  20 log( )  20 log 1   
C C C 
 C
   
 Arg (G ( j ))   Arg (1  j )   Arctg ( )
2 C 2 C
 Tracé des asymptotes


Pour    C   1 (basse fréquences)
C
 
G ( j ) dB  20 log j  20 log( )  20 log   20 log  C , c’est une droite
C C
de pente -20dB/décade.

Arg (G ( j ))  rad (ou 90 ) , l’axe horizontal   90  est une asymptote.
2

Pour    C   1 (haute fréquences)
C
G ( j ) dB  0 dB , l’axe horizontal est une asymptote en haute fréquences.
 
Arg (G ( j ))    0 , l’axe horizontal   0 est une asymptote.
2 2
Pour    C on a :
G ( j ) dB  3dB , on dit que le gain a chuté de 3 dB.

Arg (G ( j ))  .
4
G ( j ) dB
C 
0 dB
 3 dB
20dB / Décade

Arg (G( j ))

2

4

0 C
Cette courbe caractérise un filtre passe haut (le système atténue les basses fréquences). La
 
bande de fréquence  C ,  s’appelle la bande passante du filtre.
II.5 Filtre passe bande

 Exemple : Circuit RLC
L C
R
Ve(t) Vs(t)

V ( j ) R R jRC 
G ( j )  s   
V e ( j ) Z L  R  Z C 1 1  jRC   LC ( j ) 2
jL   R 
jC 
1 1 L L 0
On pose  0  la pulsation (fréquence) propre et Q 0   le facteur de
LC R C R
qualité.
G ( j ) peut se mettre sous la forme :
1
G ( j ) 
 0
1  jQ 0 (  )
0 
1   0 
G ( j )  , et Arg (G ( j ))   arctg  Q 0 (  )
 0 2   0  
1  Q 02 (  )
0 

 Bande passante
G Max
G ( j )  ou G ( j ) dB  G Max  3dB
2

On trouve les deux fréquences  C1 et  C 2 . La bande passante =  C1 ,  C 2 
G( j )
1
Q0  5
Q 0  20
Q 0  100

0
G ( j ) dB
G Max
G Max  3dB

 C1  0 C 2
 Sélectivité du filtre
La largeur de la bande passante    C 2   C 1 dépend du facteur de qualité du filtre et de
0
la fréquence centrale  0 . On a la relation :  
Q0
Plus Q 0 est grand plus la largeur de la bande passante est étroite, on dit que le filtre est
sélectif lorsque  est petite autour de la fréquence centrale  0 . Q 0 caractérise la sélectivité
du filtre passe bande.

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Université Ibn Zohr

Faculté des Sciences Appliquées

Cours d’électronique de base

Année universitaire 2019/2020

Le quatrième et le cinquième chapitre (chapitre 3 et chapitre 4) traitent successivement le

La version manuscrite de ce polycopié a été élaborée par l’enseignant chercheur

Filière SMP/S4 i UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

Chapitre 0 : Généralités ………………………………………………………………... 1

I. Dipôle électrique - Caractéristique d’un dipôle ………………………………………. 2

Filière SMP/S4 ii UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

Chapitre 1 : Semi-conducteurs et diodes…….................................................................. 13

I. Notions élémentaires sur la physique des semi-conducteurs …………………………. 14

Filière SMP/S4 iii UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

II.3 Autres types de Diodes……………………………………………………………… 26

Chapitre 2 : Application des diodes : Circuits à diodes................................................... 29

Chapitre 3 : Transistor bipolaire en régime statique....................................................... 40

I. Transistor bipolaire (transistor à jonction)……………………………………………. 41

Filière SMP/S4 iv UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

I.2.3.3 Courant de fuite……………………………………………………….. 44

Chapitre 4 : Transistor bipolaire en régime dynamique................................................. 56

Filière SMP/S4 v UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

IV. Amplificateur à transistor monté en émetteur commun…………………………….. 61

Chapitre 5 : Transistor à effet de champ (TEC).............................................................. 67

Chapitre 6 : Filtres passifs................................................................................................ 76

Filière SMP/S4 vi UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

Filière SMP/S4 vii UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

Filière SMP/S4 1 UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

I. Dipôle électrique - Caractéristique d’un dipôle

I.1.1 Générateur de tension

Filière SMP/S4 2 UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

b) Générateur de tension réel :

Caractéristique d’un générateur idéal de

b) Générateur de courant réel :

Caractéristique d’un générateur réel de

Filière SMP/S4 3 UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

I.3 Dipôle actif utilisé comme récepteur

I.4 Droite de charge et point de fonctionnement (point de polarisation)

E U R IP Caractéristique de pente 1/R

Filière SMP/S4 4 UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

II. Théorèmes généraux

II.1.2 Lois de Kirchhoff des mailles

Filière SMP/S4 5 UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

II.2.2 Pont diviseur de courant

II.2.3 Théorème de superposition

 Montage 1 : la source de courant Ig étant neutralisée, le générateur (E, r) débite un

Filière SMP/S4 6 UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

II.2.4 Théorèmes de Thevenin et de Norton

 La résistance RTh est obtenue en passivant la source de tension E :

II.2.4.2 Théorème de Norton

Filière SMP/S4 7 UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

 La résistance RN est obtenue en passivant la source de tension E :

Remarque : Le passage du modèle d’un générateur de Thévenin à celui d’un générateur de

II.2.5 Théorèmes de Millman

La démonstration de ce théorème consiste à transformer chaque branche en générateur de

 G ) . La tension U s’écrit donc : U 

Filière SMP/S4 8 UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER

III. Circuits en régime sinusoïdal

Um : est l’amplitude en Volt, c’est la valeur maximale de u(t) ;

( + ) : est la phase instantanée en radians (rad) ;

Filière SMP/S4 9 UIZ-FSA Ait Melloul Prof : L.OUBOUBKER