COMPORTAMIENTO DEL DIODO 1N4007 RESPECTO AL DIODO IDEAL

Guzman,Robert*
Instituto Balseiro
(Dated: Junio 2007)
Se estudió el comportamiento de diodo 1N4007 a temperatura constante, se encontró el factor de idealidad
del diodo η y su corriente inversa de saturación I0 . Y manteniendo la corriente I constante, encontramos el gap
de energía Eg del material del diodo. Los resultados muestrán un comportamiento muy parecido al modelo ideal
excepto en I0 , el cual no coincide con los valores en tablas.

I. INTRODUCCIÓN A. Juntura semiconductora. Diodo

Si tenemos un cristal de germanio Ge (material semicon-

La cuantización de energía y la existencia de niveles de ductor en el que cada átomo contribuye con 4 electrones de
energía discretos bien definidos en un átomo, debido a esto valencia), y le añadimos unos átomos de fósforo P (contribu-
tenemos restricciones en la ubicación de un electrón en el áto- ye con 5 electrones de valencia por átomo), entonces tenemos
mo. Pero los átomos en el sólido están muy juntos entre si, un electrón por cada átomo de P que rondan por todo el cris-
sus funciones de onda se solapan generando muchos niveles tal. A todo este conjunto se le denomina semiconductor del
de energía los cuales se superponen entre si y generan las ban- tipo n. Si tenemos un cristal de germanio y le añadimos unos
das de energía. De esta manera el electrón se puede mover mas átomos de aluminio Al (contribuye con 3 electrones de va-
libremente en el sólido. lencia por átomo), entonces, por cada atomo de Al existe un
La banda de nivel superior de energía que esta parcialmente lugar disponible para el electrón (tambien llamados hueco),
llena ó llena de electrones en el sólido es la banda de valen- estos rondan por todo el cristal. A todo este conjunto se le
cia y es responsable principal del comportamiento aislante, denomina semiconductor del tipo p. Si unimos un semicon-
semiconductor o conductor. Si esta banda de energía esta par- ductor del tipo n con uno del tipo p, existe un flujo de elec-
cialmente llena, el sólido es conductor, ya que puede recibir trones de p hacia n hasta que exista un campo E. Para poder
electrones fácilmente, Si la banda esta llena, el sólido es un obtener circulación de electrones, debemos vencer E, enton-
aislante, no permite más electrones en su banda de valencia. ces los electrones necesitan una energía Eg llamada gap del
diodo, para poder circular de n a p. Si un electrón va en sen-
Las bandas superiores a la de valencia, son las bandas con- tido contrario incrementa E por ello, es más fácil el flujo de
ductoras, en un aislante se necesita alrededor de 5 eV para electrones en un sentido. A todo este nuevo semiconductor se
ubicar un electrón en la banda conductora, pero en un semi- le llama diodo.
conductor, las distancias entre las bandas de valencia y las de
conducción son alrededor de 1eV o menos, estas distancias
son llamadas gap de energia del semicondutor Eg [1]. La fi- B. Voltaje y temperatura en el diodo
gura 1 muestra bandas de energía.
Usando la física estadística se puede modelar al diodo, El
diodo que cumple con la ecuación 1 es llamado diodo ideal
[2,3,4].

eV
I = I0 (e ηkT − 1) (1)

I0 , V , I son la corriente inversa de saturación, el voltaje,

corriente en el diodo respectivamente y η es el factor de idea-
lidad. En la ecuación 2 vemos la dependencia de I0 con la
temperatura.

5 −Eg
I0 = AT 2 e ηkT (2)

Donde A es una constante que depende de la unión p, n

eV
Figura 1: Bandas de energía en un sólido y de la geometría. Para e ηkT >> 1 entonces obtenemos la
ecuación 3.

5 eV −Eg
* Electronic address: [email protected] I = AT 2 e ηkT (3)
 2

Si la variación exponencial en T es mas fuerte que la va-

5 eV −E
riación T 2 y si ηkT g = B se mantiene constante, enton-
ces obtenemos la siguiente relación si la corriente se mantiene
constante.

e Eg
T = V − (4)
ηkB ηkB
Para llegar a esta relación tomamos en cuenta que Eg no
depende de T . Si medimos V , T manteniendo I constante,
obtendremos una grafica lineal T = aV + b, usando la ecua-
ción 4 podemos obtener Eg = − ab e, note además que η no se Figura 2: Dispositivo experimental en las mediciones manteniendo T
presenta en esta ecuación. constante

C. Voltaje y corriente en el diodo

eV
Si T es mantenida constante y e ηkT >> 1 podemos llegar
la relación:

eV
ln I = + ln I0 (5)
ηkT
Si medimos V , I notamos que ln I = aV + b genera una
e
ecuación lineal, con ello eb = I0 , y η = αkT , de esta manera
podemos caracterizar a un diodo y saber que tan cercano se
encuentra al diodo ideal. Figura 3: Dispositivo experimental en las mediciones manteniendo I
constante

II. MÉTODO EXPERIMENTAL

B. Medición de V , T manteniendo I constante en el diodo.
A. Medición de V , I manteniendo T constante en el diodo.
La figura 3 muestra el equipo experimental para medir V , T
La figura 2 muestra el equipo experimental para medir V , I del diodo dentro de la cápsula manteniendo I constante. Las
del diodo 1N4007 dentro de la cápsula manteniendo T cons- condiciones para mantener la temperatura dentro de la cápsula
tante. El diodo fue envuelto en papel metalico para mejorar son las mismas de la sección anterior. La única modificación
el contacto termico con la cápsula. Se utilizo un refrigerador entre ambos dispositivos es el uso de una fuente de corriente
criogénico CTI CRYOGENICS MODEL 22 el cual usa un cir- en vez de la tarjeta de laboratorio. Como la fuente de corriente
cuito que comprime y expande el gas de He, de esta manera no era muy confiable, decidí medir I usando un multimetro y
se obtiene la temperatura más baja posible dentro de la cápsu- una resistencia.
la. Se utilizo el controlador de temperatura LTC 11 N eocera, Se genero vació dentro de la cápsula, después activamos
el cual calienta el sistema con un Heater (resistencia que di- el refrigerador criogénico junto con la fuente de corriente. El
sipa calor) hasta que el termometro de platino mide el valor programa 2 controla T desde 20K hasta 290K incrementan-
de temperatura deseado. dola en pasos de 5K, luego mide el respectivo voltaje del dio-
Usando la placa de laboratorio PCL-818HD suministramos do en cada paso. Este proceso se repitió 3 veces usando dis-
I la cual es medida usando el multimetro Hewlett Packard tintos valores de I.
34401A junto con una resistencia. Para medir V se utilizo el
nanovoltimetro Agilent 34420A. 2 cilindros de cobre cubrían
al diodo junto con los conectores (permiten la comunicación III. RESULTADOS
del nanovoltimetro y la placa de laboratorio), de esta manera
todo el ambiente dentro de la cápsula permanece a la misma Los resultados manteniendo T constante son mostrados en
temperatura. la figura 4. A menor T el comportamiento exponencial en-
Se genero vació dentro de la cápsula, luego activamos el tre V , I disminuye. Esto indica que a menor temperatura los
refrigerador criogénico. El programa 1 fija una determinada comportamientos del diodo ideal difieren del diodo real.
temperatura T y empieza a suministrar corriente al diodo en Los resultados manteniendo I constante son mostrados en
pequeños pasos desde 0 hasta 3,5µA y mide su respectivo vol- la figura 5 los comportamientos del 1N4007 están en concor-
taje en cada paso. Este proceso se repite 10 veces en distintas dancia con la ecuación 4 salvo a temperaturas cercanas a 30K.
temperaturas. Haciendo una regresión lineal obtenemos Eg los cuales son
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Figura 4: Mediciones a T constante Figura 6: Selección de datos para obtener η y I0

Cuadro II: Medidas de η a T constante

T [K] η
50.0 ± 0.1 1.70 ± 0.01
80.0 ± 0.1 1.87 ± 0.01
110.0 ± 0.1 1.57 ± 0.01
140.0 ± 0.1 1.538 ± 0.003
170.0 ± 0.1 1.65 ± 0.01
200.0 ± 0.1 1.70 ± 0.01
230.0 ± 0.1 1.70 ± 0.01
260.0 ± 0.1 1.67 ± 0.01
290.0 ± 0.1 1.61 ± 0.01

se incrementa a mayor T , pero I0 posee valores absurdos a

Figura 5: Mediciones manteniendo I constante
temperaturas menores de 170 K, esto podría significar que el
diodo no permite corriente inversa de saturación a bajas tem-
peraturas, pero se verificó en el laboratorio que el diodo posee
mostrados en cuadro 1. una corriente inversa aún estando en temperaturas menores a
170K. Estos resultados son mostrados en el cuadro 3.
Cuadro I: Medidas de Eg a I constante Debido a que obtenemos valores muy pequeños de I0 en
Eg [eV] I [µA] bajas temperaturas, hacemos una regresión no lineal usando
1.187 ± 0.008 10 la ecuación 1, obteniendo nuevos resultados de η y I0 , ellos
1.183 ± 0.008 100 son mostrados en los cuadros 4 y 5 respectivamente.
1.185 ± 0.008 1000

Cuadro III: Medidas de I0 [#e/s] a T constante

IV. DISCUSIÓN T [K] I0
50.0 ± 0.1 1 10−49
± 1 10−49
Deseamos conocer el comportamiento del diodo 1N4007 80.0 ± 0.1 4.2 10−25
± 1 10−25
respecto al ideal, para ello hallamos η. Debido a la dispersión 110.0 ± 0.1 7 10−14 ± 2 10−14
de los puntos mostrados en la figura 4, solo seleccionamos 140.0 ± 0.1 1.0 10−6 ± 0.1 10−6
algunos puntos y suprimimos las mediciones a T = 20K, esto 170.0 ± 0.1 0.5 ± 0.1
es mostrado en la figura 6. El cuadro 2 muestra los valores de 200.0 ± 0.1 13 102 ± 2 102
η respecto T hallados con ayuda de la ecuación 5. 230.0 ± 0.1 60 104 ± 6 104
260.0 ± 0.1 20 106 ± 2 106
η no difiere mucho de 1.6 casi se mantiene constante en to-
290.0 ± 0.1 32 107 ± 2 107
do el rango de temperaturas, Hallamos I0 y verificamos que
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V. CONCLUSIÓN
Cuadro IV: Medidas de η a T constante
T [K] η
50.0 ± 0.1 1.680 ± 0.006
80.0 ± 0.1 1.646 ± 0.003
110.0 ± 0.1 1.569 ± 0.005
140.0 ± 0.1 1.561 ± 0.003
170.0 ± 0.1 1.590 ± 0.003
El diodo 1N4007 a I constante, posee un comportamiento
200.0 ± 0.1 1.689 ± 0.003
230.0 ± 0.1 1.728 ± 0.005
lineal con T y V además Eg no depende de I. Si el diodo
260.0 ± 0.1 1.760 ± 0.005 trabaja a T constante obtenemos valores de η que no difieren
290.0 ± 0.1 1.722 ± 0.005 mucho y lo único que parece contradictorio en el comporta-
miento del diodo son los valores de I0 a temperaturas menores
de 170K.
Cuadro V: Medidas de I0 [#e/s] a T constante
T [K] I0
50.0 ± 0.1 1 10−50 ± 1 10−50
80.0 ± 0.1 6.2 10−25 ± 1 10−25
110.0 ± 0.1 7 10−14 ± 2 10−14 Las tablas para el Diodo 1N4007 indicán un I0 = 10µA
140.0 ± 0.1 1.2 10−6 ± 0.2 10−6 a T = 298K [5], osea, deberia circular 6,25 1013 electrones
170.0 ± 0.1 0.14 ± 0.01 en nuestro circuito, este valor no se muestra en niguno de los
200.0 ± 0.1 14 102 ± 2 102 cuadros. Debido a esto conluyo que el diodo 1N4007 tiene
230.0 ± 0.1 53 104 ± 2 104
los mismos comportamientos del diodo ideal pero I0 debe te-
260.0 ± 0.1 4 107 ± 2 107
ner un comportamiento más complejo que el mostrado en la
290.0 ± 0.1 76 107 ± 3 107
ecuación 2.

[1] M. Alonso, E. Finn. FISICA, Pearson Education 1995. Cap. [4] Ashcroft Mermin Solid State Physics, Saunders College Pu-
23 blishing 1976, cap. 28
[2] R. Feynman Fisica volumen 3, Addison Wesley 1987. Cap. [5] www.datasheetcatalog.com
14
[3] Jurgen W. Precker. Eur. J. Phys. 28 (2007) 493 - 500