Transparencias - Tema 1
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Ingeniería Electrónica
Tema 1: El diodo
semiconductor
Contenidos del Tema 1: El diodo
semiconductor
1.1.- Clasificación electrónica de los materiales.
1.2.- Semiconductores.
1.2.1.- Semiconductores intrínsecos.
1.2.2.- Semiconductores extrínsecos.
1.3.- La unión PN.
1.3.1.- La unión PN en equilibrio: el diodo.
1.3.2.- Polarización directa
1.3.3.- Polarización inversa.
1.3.4.- Relación corriente-voltaje.
1.4.- Teoría de diodos.
1.4.1.- Caracterización del diodo.
1.4.2.- Tipos de diodos.
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
1.5.2.- Fuentes de alimentación.
1.1.- Clasificación electrónica de los materiales.
Aislantes, conductores y semiconductores.
La mayoría de los dispositivos electrónicos se fabrican mediante el
uso de materiales semiconductores junto a conductores y
aislantes.
Semiconductores compuestos:
Arseniuro de Galio (Ga As)
Fosfuro de Galio (Ga P)
Fosfuro de Aluminio (Al P)
Arseniuro de Aluminio (Al As)
Fosfuro de Indio (In P)
1.2.- Semiconductores.
1.2.1.- Semiconductores intrínsecos o puros.
Los átomos de Si se combinan mediante enlaces covalentes para formar un
material sólido, y lo hacen según un patrón ordenado que se denomina cristal.
Cuando se forma el cristal de Si, los electrones de valencia de cada átomo dejan
de estar al mismo nivel de energía, pues se ven influenciados por las cargas del
resto de átomos del cristal. Los niveles de energía que representan cada orbital
se ensanchan formando bandas de energía.
Los electrones libres tienen un corto tiempo de vida hasta que son atrapados por
un h+ vecino. A este proceso se denomina recombinación. Cuando un electrón
libre se recombina con un hueco se emite energía en forma de calor, luz u otro
tipo de radiación.
1.2.- Semiconductores.
1.2.2.- Semiconductores extrínsecos (dopado).
A temperatura ambiente, el número de pares electrón/hueco es muy pequeño,
comportándose el semiconductor puro casi como un aislante.
Para aumentar el número de portadores, o aumentar la conductividad eléctrica,
se añaden impurezas donadoras o aceptoras, es decir, átomos de otro elemento
que se añaden al semiconductor puro.
Semiconductor tipo n (negativo); se añaden átomos polivalentes como el P, As o Sb.
El nº de electrones añadidos es igual al de átomos o impurezas donadoras.
Asimismo, como las bandas del lado n suben, los electrones próximos a la unión
de ambas zonas pueden recombinarse con los huecos de la banda de valencia
(camino B).
1.3.- La unión PN.
1.3.3.- Polarización inversa
Cuando la unión PN se polariza en inversa se produce un aumento de la zona
de deflexión y, por lo tanto, de la barrera de potencial. La zona de deflexión deja
de aumentar cuando la barrera de potencial se iguala a la tensión inversa.
vD
i D I s e T 1
nV
Donde:
Is es la corriente de saturación en polarización inversa. Para el Si es
del orden de 10-18 a 10-12 A.
VT se define como el voltaje térmico, que es aproximadamente de
0,026V o 26 mV a temperatura ambiente (T = 300K).
1n2 es el coeficiente de emisión o factor ideal. Normalmente se
toma n=1. Da cuenta de la importancia de la recombinación de
electrones y huecos.
1.4.- Teoría de diodos
1.4.1.- Caracterización del diodo.
A continuación se muestra el símbolo eléctrico del diodo y la curva característica
que representa la corriente ID que lo atraviesa y la tensión VD entre sus
extremos: ánodo (A) y cátodo (K).
Diodo túnel: diodo muy dopado para conseguir que la tensión de ruptura sea 0V.
Este fuerte dopaje distorsiona la curva de polarización en directa del diodo
obteniéndose un fenómeno de “resistencia negativa”, es decir, existe una zona
donde la intensidad de corriente disminuye al aumentar la diferencia de potencial.
1.4.- Teoría de diodos
1.4.2.- Tipos de diodos.
Diodo LED (Light Emitting Diode): diodo que cuando se polariza en directa emite
luz. Un optoacoplador está formado por un diodo LED y un fotodiodo (dispositivo
que tiene la función inversa que un diodo LED y que se polariza en inversa).
Puente rectificador:
1.5.- Circuitos con diodos
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Rectificador de media onda:
1 T Vp
VR ,medio VR ,DC
T
0
VR (t )dt
0,318 V p 31,8% de V p
2
1 T Vp
V 2
R ,ef VR2 (t )dt 2
T 0 4 Potencia útil de salida( DC ) VR ,medio RL
2
Potencia entregada total VR ,ef RL
Frecuencia de VR(t): fin V p2 2 RL 4
2 2 40,52%
V p 4 RL
1.5.- Circuitos con diodos
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Rectificador de onda completa:
1 T 2 Vp
T 0
VR ,medio VR , DC V (t ) dt 0,636 V p 63,6% de V p
R
2
1 T Vp
V 2
R ,ef VR2 (t )dt
T 0 2 2
Potencia útil de salida( DC ) VR ,medio RL
2
Potencia entregada total VR ,ef RL
Frecuencia de VR(t): 2∙fin
4V p2 2 RL 8
2 81,04%
2
V p 2 RL
1.5.- Circuitos con diodos
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Puente rectificador:
2
1 T Vp
V 2
R ,ef VR2 (t )dt
T 0 2 2
Potencia útil de salida( DC ) VR ,medio RL
2
Potencia entregada total VR ,ef RL
Frecuencia de VR(t): 2∙fin 4V p RL
2 2
8
2 81,04%
2
V p 2 RL
1.5.- Circuitos con diodos
1.5.2.- Fuentes de alimentación.
En general, todos los circuitos y dispositivos electrónicos necesitan
energía en forma de tensión o corriente continua (DC). Se podrían
emplear baterías, pero lo más frecuente es obtener la energía de la red
eléctrica, que proporciona energía en forma de tensión en alterna o AC.
V pp , R
Q I ·T I / f V pp , R
I Vrms , R
I
2 2 2 2f C
Q C ·V pp fC
1.5.- Circuitos con diodos
1.5.2.- Fuentes de alimentación.
La tensión de salida continua debería ser independiente del valor de la carga RL.
Para ello, se suele utilizar un diodo zener, el cual, además produce una
disminución del rizado.
VL VZ I Z RZ
Como Rz0, VL VZ. Por otro lado, dado que Rz es mucho menor que RL
(Rz||RL Rz), la tensión de rizado en la carga disminuye y se hace independiente
de RL.
RZ R
VL ,rizado Vs ,rizado Z Vs ,rizado
RS RZ RS