Transparencias - Tema 1

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Fundamentos de

Ingeniería Electrónica

Tema 1: El diodo
semiconductor
Contenidos del Tema 1: El diodo
semiconductor
 1.1.- Clasificación electrónica de los materiales.
 1.2.- Semiconductores.
 1.2.1.- Semiconductores intrínsecos.
 1.2.2.- Semiconductores extrínsecos.
 1.3.- La unión PN.
 1.3.1.- La unión PN en equilibrio: el diodo.
 1.3.2.- Polarización directa
 1.3.3.- Polarización inversa.
 1.3.4.- Relación corriente-voltaje.
 1.4.- Teoría de diodos.
 1.4.1.- Caracterización del diodo.
 1.4.2.- Tipos de diodos.
 1.5.- Circuitos con diodos.
 1.5.1.- Circuitos rectificadores.
 1.5.2.- Fuentes de alimentación.
1.1.- Clasificación electrónica de los materiales.
 Aislantes, conductores y semiconductores.
 La mayoría de los dispositivos electrónicos se fabrican mediante el
uso de materiales semiconductores junto a conductores y
aislantes.

 El nº de electrones en el orbital exterior (orbital de valencia) de los


átomos del material definen sus características eléctricas, es decir,
si son aislantes, conductores o semiconductores.

 Aislantes: tienen en el orbital de valencia entre 5 y 8 electrones (36Kr).

 Semiconductores: tienen en el orbital de valencia 4 electrones (32Ge,14Si).


 Configuración electrónica del Ge (1s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p2)

 Configuración electrónica del Si (1s2 2s22p6 3s23p2)

 Conductores: tienen en el orbital de valencia entre 1 y 3 electrones (29Cu).


1.1.- Clasificación electrónica de los materiales.
 Semiconductores elementales: Silicio y Germanio.
 Configuraciones electrónicas y distribución energética de los
orbitales del Silicio (Si):
 14Si (1s2 2s22p6 3s23p2)

Representación del átomo en dos


partes: núcleo más los orbitales
internos y orbital de valencia.
1.1.- Clasificación electrónica de los materiales.
 Configuraciones electrónicas y distribución energética de los
orbitales del Germanio (Ge):
 32Ge (1s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p2)

Representación del átomo en dos


partes: núcleo más los orbitales
internos y orbital de valencia.

 Semiconductores compuestos:
 Arseniuro de Galio (Ga As)
 Fosfuro de Galio (Ga P)
 Fosfuro de Aluminio (Al P)
 Arseniuro de Aluminio (Al As)
 Fosfuro de Indio (In P)
1.2.- Semiconductores.
 1.2.1.- Semiconductores intrínsecos o puros.
 Los átomos de Si se combinan mediante enlaces covalentes para formar un
material sólido, y lo hacen según un patrón ordenado que se denomina cristal.

 Cuando se forma el cristal de Si, los electrones de valencia de cada átomo dejan
de estar al mismo nivel de energía, pues se ven influenciados por las cargas del
resto de átomos del cristal. Los niveles de energía que representan cada orbital
se ensanchan formando bandas de energía.

Átomo de Silicio aislado Átomo de Silicio en el cristal


1.2.- Semiconductores.
 1.2.1.- Semiconductores intrínsecos o puros.
 Cuando aumenta la temperatura, la energía térmica puede desligar un electrón
de la banda de valencia, adquiriendo la energía suficiente para pasar a un orbital
de mayor energía que se denomina banda de conducción.
 La salida del electrón deja un vacío en la banda de valencia que se denomina
hueco (h+), que se comporta como una carga positiva.

 Los electrones libres tienen un corto tiempo de vida hasta que son atrapados por
un h+ vecino. A este proceso se denomina recombinación. Cuando un electrón
libre se recombina con un hueco se emite energía en forma de calor, luz u otro
tipo de radiación.
1.2.- Semiconductores.
 1.2.2.- Semiconductores extrínsecos (dopado).
 A temperatura ambiente, el número de pares electrón/hueco es muy pequeño,
comportándose el semiconductor puro casi como un aislante.
 Para aumentar el número de portadores, o aumentar la conductividad eléctrica,
se añaden impurezas donadoras o aceptoras, es decir, átomos de otro elemento
que se añaden al semiconductor puro.
 Semiconductor tipo n (negativo); se añaden átomos polivalentes como el P, As o Sb.
El nº de electrones añadidos es igual al de átomos o impurezas donadoras.

 Semiconductor tipo p (positivo): se añaden átomos trivalentes como el Al, B o Ga. El


nº de huecos añadidos es igual al de átomos o impurezas aceptoras.
1.3.- La unión PN.
 1.3.1.- La unión PN en equilibrio: el diodo.
 Un diodo está basado en el principio de funcionamiento de la unión PN,
que es un semiconductor donde la mitad es de tipo p y la otra mitad de
tipo n.

 Al realizar la unión, los electrones de la banda de conducción del lado n


se difunden al lado p y se recombinan con los huecos de la banda de
valencia. En la zona n quedan iones positivos y en la zona p iones
negativos que crean un campo eléctrico que se opone al movimiento de
los electrones (equilibrio).
1.3.- La unión PN.
 1.3.2.- Polarización directa
 Cuando la unión PN se polariza en directa favorece la circulación de la corriente
cuando la fuente de tensión aplicada V supera la barrera de potencial (Vk).
 La tensión directa disminuye la barrera de potencial haciendo que las bandas de
energía del lado n suban, proporcionándole a los electrones libres del lado n la
suficiente energía para entrar en la región p (camino A). Posteriormente, los
electrones se recombinan con los huecos de la banda de valencia del lado p.

 Asimismo, como las bandas del lado n suben, los electrones próximos a la unión
de ambas zonas pueden recombinarse con los huecos de la banda de valencia
(camino B).
1.3.- La unión PN.
 1.3.3.- Polarización inversa
 Cuando la unión PN se polariza en inversa se produce un aumento de la zona
de deflexión y, por lo tanto, de la barrera de potencial. La zona de deflexión deja
de aumentar cuando la barrera de potencial se iguala a la tensión inversa.

 Existe una pequeña corriente debida a los portadores minoritarios que se


denomina corriente de saturación (Is). Se debe a los pares electrón/hueco que
se generan en la unión por agitación térmica, y que la tensión V hace que los
electrones y huecos se vayan hacia la derecha e izquierda, respectivamente.
 Si V se incrementa demasiado, aumenta la velocidad/energía de los portadores
minoritarios que al chocar con los e- de los átomos del cristal pueden
desprenderlos dando lugar a nuevos portadores minoritarios. Este proceso sigue
una progresión geométrica dando lugar a una corriente en inversa elevada
(efecto de avalancha). A esa tensión se le denomina tensión de ruptura.
1.3.- La unión PN.
 1.3.4.- Relación corriente - voltaje
 La relación teórica entre el voltaje y la corriente en la unión PN
está dada por:

  vD  
i D  I s e  T   1
nV

 
 

 Donde:
 Is es la corriente de saturación en polarización inversa. Para el Si es
del orden de 10-18 a 10-12 A.
 VT se define como el voltaje térmico, que es aproximadamente de
0,026V o 26 mV a temperatura ambiente (T = 300K).
 1n2 es el coeficiente de emisión o factor ideal. Normalmente se
toma n=1. Da cuenta de la importancia de la recombinación de
electrones y huecos.
1.4.- Teoría de diodos
 1.4.1.- Caracterización del diodo.
 A continuación se muestra el símbolo eléctrico del diodo y la curva característica
que representa la corriente ID que lo atraviesa y la tensión VD entre sus
extremos: ánodo (A) y cátodo (K).

 Parámetros asociados con el diodo:


 Corriente de saturación (IS): intensidad de corriente en inversa.
 Tensión de ruptura: tensión en inversa que produce una corriente en inversa elevada.
 Tensión umbral (Vk): tensión mínima necesaria para que se supere la barrera de
potencial y circule corriente.
 Resistencia interna (RB): suma de las resistencias de los semiconductores p y n:
RB=(Rp+Rn) < 1.
 Máxima corriente continua con polarización directa (Imáx): máxima corriente en
continua que puede circular en directa sin recalentar y destruir el diodo. Por ello,
siempre se suele conectar una resistencia en serie con el diodo.
 Disipación de potencia (PD): para un diodo se puede calcular igual que para una
resistencia: PD=VD.ID.
1.4.- Teoría de diodos
 1.4.1.- Caracterización del diodo.
 Método de recta de carga: es un método que permite, con ayuda de la
curva característica del diodo, determinar la intensidad de corriente que
circula por él y la diferencia de potencial entre sus extremos cuando
forma parte de un circuito.
 Al conjunto de valores (VDQ, IDQ) de un diodo se le denomina punto de
operación o de trabajo Q del diodo.

1. – Determinar el 2.- Obtener la expresión 3.- Calcular el punto de


equivalente de Thevenin de la recta de carga a corte entre la curva
del circuito conectado al partir del equivalente de característica y la recta de
diodo. Thevenin y el diodo. carga: (IDQ,VDQ)
1.4.- Teoría de diodos
 1.4.1.- Caracterización del diodo.
 Modelos o tipos de aproximaciones para calcular el punto de trabajo de un
diodo sin utilizar su curva característica o cuando hay más de un diodo:

 1ª Aproximación (diodo ideal):

 2ª Aproximación (diodo con


barrera de potencial):

 3ª Aproximación (diodo con


barrera de potencial y RB):
1.4.- Teoría de diodos
 1.4.2.- Tipos de diodos.
 El diodo Zener: es un diodo diseñado para trabajar en zona de
ruptura, por ello, también se conoce como diodo de avalancha.
 Se utiliza como estabilizador de tensión, ya que mantiene una
tensión constante de –Vz entre sus extremos aunque varíe la corriente
que circula por él (dentro de unos márgenes de operación).
 La resistencia zener (Rz) es la inversa de la pendiente de la curva
característica en la zona de ruptura, con lo que su valor es muy
pequeño y prácticamente despreciable.
 Se debe colocar una resistencia en serie con el diodo para limitar la
corriente que circula por el diodo en inversa.
1.4.- Teoría de diodos
 1.4.2.- Tipos de diodos.
 Diodo o diodo rectificador: es un dispositivo semiconductor que actúa
esencialmente como un interruptor unidireccional para la intensidad de corriente.

 Diodo zener o de avalancha: es un diodo diseñado para trabajar en zona de


ruptura. Se utiliza como estabilizador de tensión, ya que permite mantener una
tensión constante entre sus extremos aunque varíe la corriente que circula por él.

 Diodo túnel: diodo muy dopado para conseguir que la tensión de ruptura sea 0V.
Este fuerte dopaje distorsiona la curva de polarización en directa del diodo
obteniéndose un fenómeno de “resistencia negativa”, es decir, existe una zona
donde la intensidad de corriente disminuye al aumentar la diferencia de potencial.
1.4.- Teoría de diodos
 1.4.2.- Tipos de diodos.
 Diodo LED (Light Emitting Diode): diodo que cuando se polariza en directa emite
luz. Un optoacoplador está formado por un diodo LED y un fotodiodo (dispositivo
que tiene la función inversa que un diodo LED y que se polariza en inversa).

 Diodo Schottky: diodo optimizado en cuanto a velocidad de conmutación. Estos


diodos utilizan un metal en un lado de la unión y un semiconductor (generalmente
tipo n) al otro lado, con lo que no existe zona de deflexión.

 Diodo varicap: la zona de deflexión de un diodo equivale a un condensador y su


anchura depende de la polarización inversa aplicada. Es decir, se podría construir
un condensador de capacidad variable, que disminuye al aumentar la polarización
en inversa (condensador variable con la tensión).
1.5.- Circuitos con diodos
 1.5.1.- Circuitos rectificadores.
 Convierte la señal de alterna de la red industrial en una señal continua
pulsada o unidireccional en cuanto a la corriente que circula por la carga.

 Existen tres tipos básicos de circuitos rectificadores: el rectificador de


media onda, el rectificador de onda completa y el puente de rectificador;
siendo éste último el que se suele emplear en las fuentes de alimentación
de continua.

 Rectificador de media onda:

 Rectificador de onda completa:

 Puente rectificador:
1.5.- Circuitos con diodos
 1.5.1.- Circuitos rectificadores.
 Rectificador de media onda:

 Diodo ideal (1ª aproximación):

1 T Vp
VR ,medio  VR ,DC 
T 
0
VR (t )dt 

 0,318 V p  31,8% de V p

2
1 T Vp
V 2
R ,ef   VR2 (t )dt  2
T 0 4 Potencia útil de salida( DC ) VR ,medio RL
  2
Potencia entregada total VR ,ef RL
 Frecuencia de VR(t): fin V p2  2 RL 4
 2  2  40,52%
V p 4 RL 
1.5.- Circuitos con diodos
 1.5.1.- Circuitos rectificadores.
 Rectificador de onda completa:

 Diodo ideal (1ª aproximación):

1 T 2 Vp
T 0
VR ,medio  VR , DC  V (t ) dt   0,636 V p  63,6% de V p

R

2
1 T Vp
V 2
R ,ef   VR2 (t )dt 
T 0 2 2
Potencia útil de salida( DC ) VR ,medio RL
  2
Potencia entregada total VR ,ef RL
 Frecuencia de VR(t): 2∙fin
4V p2  2 RL 8
  2  81,04%
2
V p 2 RL 
1.5.- Circuitos con diodos
 1.5.1.- Circuitos rectificadores.
 Puente rectificador:

 Diodo ideal (1ª aproximación):


1 T 2 Vp
T 0
VR ,medio  VR , DC  V (t ) dt   0,636 V p  63,6% de V p

R

2
1 T Vp
V 2
R ,ef   VR2 (t )dt 
T 0 2 2
Potencia útil de salida( DC ) VR ,medio RL
  2
Potencia entregada total VR ,ef RL
 Frecuencia de VR(t): 2∙fin 4V p  RL
2 2
8
  2  81,04%
2
V p 2 RL 
1.5.- Circuitos con diodos
 1.5.2.- Fuentes de alimentación.
 En general, todos los circuitos y dispositivos electrónicos necesitan
energía en forma de tensión o corriente continua (DC). Se podrían
emplear baterías, pero lo más frecuente es obtener la energía de la red
eléctrica, que proporciona energía en forma de tensión en alterna o AC.

 Circuito rectificador: convierte la señal de alterna en una señal continua pulsada o


unidireccional en cuanto a la corriente que circula por la carga.
 Filtro: convierte la señal rectificada VR(t) en una señal continua VDC en forma de tensión o
corriente.
 Regulador de voltaje: mantiene el valor de tensión continua de salida constante e
independiente de la carga.
1.5.- Circuitos con diodos
 1.5.2.- Fuentes de alimentación.
 La señal de salida de un rectificador no es una señal continua, sino una señal
continua pulsada o unidireccional respecto a la intensidad de corriente que
circula por la carga.

 La señal de salida no es constante, sino que presenta un rizado debido a la


descarga del condensador, el cual se aproxima como si tuviera forma senoidal.
 I: corriente media de descarga a través de RL.
 f: frecuencia de la señal rectificada (depende del rectificador empleado).
 C: capacidad del condensador que actúa como filtro.

V pp , R
Q  I ·T  I / f V pp , R 
I Vrms , R  
I
2 2 2 2f C
Q  C ·V pp fC
1.5.- Circuitos con diodos
 1.5.2.- Fuentes de alimentación.
 La tensión de salida continua debería ser independiente del valor de la carga RL.
Para ello, se suele utilizar un diodo zener, el cual, además produce una
disminución del rizado.

 Supongamos una fuente de tensión a cuya salida añadimos un diodo zener.


Ahora la tensión en la carga viene dada por:

VL  VZ  I Z RZ

 Como Rz0, VL  VZ. Por otro lado, dado que Rz es mucho menor que RL
(Rz||RL  Rz), la tensión de rizado en la carga disminuye y se hace independiente
de RL.
RZ R
VL ,rizado  Vs ,rizado  Z Vs ,rizado
RS  RZ RS

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