T 4-Ejercicios

EJERCICIO 1
En el circuito de la figura siguiente calcular IB, IC, IE, y VCB, suponiendo

VBE = 0'7 Volt. y β = 100. Determinar la zona de funcionamiento del transistor.
IE IC
IB
VEE VCC
EJERCICIO 2
En el circuito de la figura siguiente calcular RB y RC.

Datos: Ics0 ≅ 0 y β = 100.
IB IC = 10 mA
VCE = 5 V
VBE = 0,7 V 10V
5V
IE
EJERCICIO 3
En el circuito de la figura siguiente calcular RB y RC. Datos: Ics0 ≅ 0 y β = 100.
IC = 10 mA
IB VCE = 5 V
VBE = 0,7 V
EJERCICIO 4
En el circuito de la figura siguiente calcular la tensión colector base si α = 0,98

y consideramos despreciables VEB y ICs0.
IE IC
VCB
EJERCICIO 5
En el circuito de la figura siguiente calcular la tensión de salida VS suponiendo

despreciable ICs0 y siendo VEB = 0,7V y α = 0,98.
IE IC
VEB VCB
VS
IB
EJERCICIO 6
En el circuito de la fig. siguiente calcular el valor de R1 si ICs0 = 0, VEB = - 0,7V,

α = 0,98 e IE = 3 mA.
C
IR1
IC
B
IB
VBE IE = 3mA
IR2
M
EJERCICIO 7
El transistor de la fig. siguiente es de silicio. Calcular corrientes, tensiones y

potencias. α = 0,99, ICS0 = 10-6 mA.
IB IC
VCE
VBE
IE
EJERCICIO 8
El transistor de circuito de la fig. siguiente es de silicio y tiene una β = 100.

Calcular: IB, IC, IE, VCE y VCB. Determinar la zona de trabajo del transistor.
IE IC
VEB IE VCB
EJERCICIO 9
Determinar el valor de las resistencias R1, R2 y R3 en el circuito de la fig.
Datos:
I1
VCC = 20 Volt., I1 = 13,75 mA
IB IE
VZ = 12 Volt., rz = 22 Ω
IZ
VEC = 4 Volt., IE = 2,5 mA
VEB = 0,7 Volt., β = 99

IC
ICS0 = 0, VCE(Sat) = 0
EJERCICIO 10
En el circuito de la fig. siguiente, hallar la zona de funcionamiento del transistor.
DATOS:
VBE = 0,7 Volt β = 100
I
EJERCICIO 11
El transistor de la fig. siguiente funciona en conmutación, es decir, pasa de corte

(interruptor S cerrado) a saturación (interruptor S abierto). Calcular las
corrientes y tensiones del transistor en los dos estados (corte y saturación).
Datos:
IC RB = 2 K
IB
RC = 100Ω
VCE (Sat) = 0,2 V (con S abierto)
S VBE VBE = 0,7 V
hFE (min) = 50
EJERCICIO 12
Comprobar si el transistor T1 del circuito de la fig. siguiente está saturado y

calcular las tensiones y corrientes del transistor T2. Suponer hFE(min) = 40,
VBE = 0,7 y VCE(Sat) = 0,2 V.
EJERCICIO 13
Diseñar el circuito de la fig. siguiente para que el transistor funcione entre corte
y saturación cuando se aplique una señal cuadrada cuyos valores extremos sean
de 0 Volt. y – 5 Volt.
Datos:
VBE (Sat.) = - 0,7 V
VCE (Sat.) = 0 V
IC (Sat.) = 20 mA
hFE = β = 90
0V
-5 V
EJERCICIO 14
Calcular el valor de la tensión en V0 en las dos posiciones del circuito de la fig.

siguiente.
Datos: hFE = 100, VBE = 0,7 VCE (Sat.) = 0,2 V T1 = T2

EJERCICIO 15
En el circuito de la fig. determinar la zona de trabajo del transistor en los

siguientes casos:
a) E = 0,4 Volt.
b) E = 10 Volt.
Datos:
IC
IB VCE Sat. = - 0,2 Volt.

VBE = - 0,7 Volt.
IE β = 50
EJERCICIO 16
Analizar los dos circuitos siguientes, e indicar si se encuentran trabajando en la

zona activa o en saturación.
Datos: hFE = 100, VCE(Sat) = 0,2 Volt., VBE(Sat)= 0,8 Volt., Rb = Amarillo-Negro-
Naranja Rc = Rojo - Rojo – Rojo Re = Verde – Negro - Rojo
Circuito (A) Circuito (B)

EJERCICIO 17
Para el circuito de la fig. siguiente, calcular el mínimo valor de RC para que el transistor
permanezca en saturación
12 V
Datos.-
Transistor de silicio
RC
VBE Sat. = 0,8 Volt.
VCE Sat. = 0,2 Volt.
RB β = 90
VBB = 7 Volt.
RB = Rojo - Violeta - Amarillo
VBB
EJERCICIO 18
En el circuito de la fig. siguiente, el transistor es de silicio, siendo su βcc = 80. Calcular la

corriente por el zener así como la potencia disipada por el transistor.
Zx10
EJERCICIO 19
En el circuito de la fig. siguiente, calcular los valores de RB y R1 de manera que el transistor
I
esté saturado con una relación C = 20, si la corriente por el LED es de 20 mA.
IB
Datos:
Rele (12 V, 200 Ω)

LED (VLED = 2 V)
Diodo (Vγ = 0,6 V)
Transistor (VBE = 0,6 V, β = 120)
EJERCICIO 20
En el circuito de la fig. siguiente, calcular el valor de RC que situa al transistor en la frontera
entre la zona activa y saturación.
Datos:
VB = 6 V
RE = 200 Ω
Transistor (VBE = 0,6 V, β = 89)

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EJERCICIO 1

En el circuito de la figura siguiente calcular IB, IC, IE, y VCB, suponiendo

En el circuito de la figura siguiente calcular RB y RC.

En el circuito de la figura siguiente calcular RB y RC. Datos: Ics0 ≅ 0 y β = 100.

En el circuito de la figura siguiente calcular la tensión colector base si α = 0,98

En el circuito de la figura siguiente calcular la tensión de salida VS suponiendo

En el circuito de la fig. siguiente calcular el valor de R1 si ICs0 = 0, VEB = - 0,7V,

El transistor de la fig. siguiente es de silicio. Calcular corrientes, tensiones y

El transistor de circuito de la fig. siguiente es de silicio y tiene una β = 100.

Determinar el valor de las resistencias R1, R2 y R3 en el circuito de la fig.

VEB = 0,7 Volt., β = 99

En el circuito de la fig. siguiente, hallar la zona de funcionamiento del transistor.

El transistor de la fig. siguiente funciona en conmutación, es decir, pasa de corte

Comprobar si el transistor T1 del circuito de la fig. siguiente está saturado y

Calcular el valor de la tensión en V0 en las dos posiciones del circuito de la fig.

Datos: hFE = 100, VBE = 0,7 VCE (Sat.) = 0,2 V T1 = T2

En el circuito de la fig. determinar la zona de trabajo del transistor en los

IB VCE Sat. = - 0,2 Volt.

Analizar los dos circuitos siguientes, e indicar si se encuentran trabajando en la

Circuito (A) Circuito (B)

En el circuito de la fig. siguiente, el transistor es de silicio, siendo su βcc = 80. Calcular la

Rele (12 V, 200 Ω)

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