Brecha de Energía

Resumen –– Para un diodo semiconductor 1N4001 se determinó la corriente inversa de saturación Io, así como lo
valores de su constante η utilizando una curva de I=I(V d) donde Vd e I corresponden al voltaje y la corriente del diodo
respectivamente. Se determinó también la brecha de energía Eg y el coeficiente de temperatura del mismo utilizando
una curva Vd= Vd(T) siendo T la temperatura del diodo. Considerando una temperatura ambiente de 300°K se obtuvo
que η=1.55 y Eg=0.68eV, Io=2.596mA. Lo que nos sugiere que el material del cual está constituido el diodo utilizado es
Ge.

Palabras Clave – Brecha de energía, coeficiente de temperatura, diodo, semiconductores

I. INTRODUCCIÓN
Un semiconductor es un elemento o material que
se comporta como un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos factores, por Bandas Banda de
ejemplo: El campo eléctrico o magnético, la vacías conducción
presión, la radiación que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Podemos distinguir entre semiconductores Banda de
intrínsecos y extrínsecos en donde Un material energía
semiconductor hecho sólo de un único tipo de
átomo, se denomina semiconductor intrínseco. Banda de
Mientras que un semiconductor extrínseco es Bandas valencia
aquel que para mejorar las propiedades de los llenas
semiconductores, se somete a un proceso de
impurificación (llamado dopaje), que consistente
en introducir átomos de otros elementos con el fin
de aumentar su conductividad. Según la impureza Fig 11. Estructura de las bandas en un semiconductor.
(llamada dopante) distinguimos: semiconductor
tipo N y semiconductor tipo P. La brecha de energía es la diferencia de energía
En un material cristalino existen bandas de entre la parte superior de la banda de valencia y la
energía donde los electrones se mueven parte inferior de la banda de conducción. Donde
libremente, es decir, estas bandas son el resultado se llama banda de valencia al más alto de los
de la superposición de los niveles atómicos de los intervalos de energías electrónica que se
átomos que constituyen un cristal. Cuando los encuentra ocupado por electrones en el cero
átomos individuales se acercan para formar el absoluto. Mientras que la banda de conducción es
cristal, se colocan en un arreglo periódico el intervalo de energías electrónicas que, estando
formando una red cristalina, donde sus niveles de por encima de la banda de valencia, permite a los
energía atómicos interaccionan entre sí, dando electrones sufrir aceleraciones por la presencia de
lugar a bandas de energía. un campo eléctrico externo y, por tanto, permite la
presencia de corrientes eléctricas. En la figura 11
se muestra la estructura de las bandas en un
semiconductor.
La característica esencial de una unión p-n es que
funciona como rectificador, el cual permite el
flujo de carga en un sentido pero restringe el flujo
en el sentido opuesto.
Este comportamiento lo describe la ecuación de
Shockley:

𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼0 [exp ( ) − 1] (1) Fig 2. Circuito utilizado para medir corriente y voltaje en un
𝜂𝜅𝑇 diodo 1N4001. En el diagrama Vd y mA representan un
voltímetro para medir el voltaje del diodo y un amperímetro
Donde Io es la corriente inversa de saturación, V para medir corriente del diodo respectivamente.
el voltaje a través de la unión, q la carga del
electrón en magnitud, T la temperatura absoluta, II. METODOLOGÍA
𝜅 la constante de Boltzmann y 𝜂 una constante
cuyo valor varía entre 1 y 2 dependiendo del La práctica constó de dos partes. Trabajamos con
material. un diodo semiconductor comercial 1N4001 En la
𝜂𝜅𝑇 primera parte se calculó la corriente inversa de
Para voltajes directos (a favor) donde 𝑉 ≫ 𝑞 , la saturación Io así como la constante η del diodo y
ecuación (1) se puede escribir como: su curva V vs I.
En la segunda parte del experimento obtuvimos la
𝑞 banda de energía a una temperatura de 300°K y el
ln 𝐼 = ln 𝐼0 + 𝑉 (2)
𝜂𝜅𝑇 coeficiente de temperatura del diodo. Por último
se compararon los valores obtenidos con los
Se puede demostrar también que: valores teóricos a fin de saber de qué material
−𝐸𝑔 estaba constituido.
𝐼0 = 𝐵𝑇 3 exp ( ) (3)
𝜂𝜅𝑇 Para ambas partes del experimento se utilizó el
siguiente circuito básico.
Donde B es una constante y Eg es el ancho de la
brecha de energía. El valor de Eg depende de la A. Determinación de Io y η.
temperatura en una cantidad muy pequeña; a la Se montó el circuito mostrado en la figura 2 y
cantidad 𝛼 definid como: se tomó la lectura del voltaje del diodo Vd y
𝑑𝐸𝑔 la corriente I. Vd se varió de 0.25 a 0.7V en
𝛼=
𝑑𝑇 un ΔV=0.025V.
Se le llama coeficiente de temperatura de la
brecha. Sustituyendo (3) en (2) tenemos que V se
puede expresar como:
𝐸𝑔 𝑇𝜂𝜅 𝐼 3𝑇𝜂𝜅
𝑉= + ln ( ) − ln 𝑇 (4)
𝑞 𝑞 𝐵 𝑞

Si comparamos el tercer término de la ecuación

(4) con el segundo, vemos que es muy pequeño en
comparación y podemos despreciarlo.
La ecuación (4) permite determinar el valor de
Eg, si se mide la dependencia de V con la
temperatura, manteniendo fija la corriente.

Fig 3. Arreglo del diodo sumergido en un tubo de ensayo con

aceite de carro. El tubo está sumergido en un vaso de
precipitados con agua.
Se realizó la curva del diodo graficando Vd vs De ésta ecuación se puede determinar Eg y el
I. De igual forma se graficó Vd vs ln(I). Se coeficiente de temperatura.
realizó el ajuste lineal y se obtuvo la ecuación El montaje del arreglo se muestra en la figura 4.
correspondiente. Ésta fue comparada con la
ecuación (2) para obtener Io y η. Se trabajó a III. ANÁLISIS DE RESULTADOS.
una temperatura ambiente teórica de 300°K.
A. Determinación de Io y η.
B. Determinación de Eg y el coeficiente
Con los valores registrados de voltaje de diodo y
de temperatura del diodo.
corriente (Apéndice A) se obtuvo la gráfica de Vd
Ya que en general el voltaje del diodo depende de vs I de la figura 5.
la corriente y la temperatura, i.e, V= V(T,I) según Se puede ver que efectivamente la curva obtenida
la ecuación (4) es importante parametrizar corresponde a la región en la cual la corriente del
dejando I=cte para que V=V(T). Así en este caso, diodo es exponencial.
mantuvimos la corriente fija en el valor que
registramos en la primera parte del experimento Graficando Vd vs ln(I*10^4) obtuvimos la
cuando Vd=0.7V. siguiente gráfica de la figura 6. Se multiplicó la
Para esta segunda parte, de igual forma se utilizó corriente en un factor 10^4 para tener valores
el arreglo de la figura 2, pero en este caso el diodo positivos de logaritmo.
fue sumergido en un tubo de ensayo (sin tocar el Haciendo el ajuste lineal obtenemos la ecuación:
fondo del tubo) lleno de aceite de carro. Éste fue
introducido en un vaso de precipitados con agua ln(𝐼) = 24.88𝑉𝑑 − (5.9532 × 10−4 )
teniendo cuidado que no estuviera muy cerca del
fondo del vaso. El arreglo completo se puso a Comparando esta ecuación con la ecuación (2)
calentar por medio de una parrilla eléctrica y se siendo q la carga del electrón, k la constante de
monitoreó la temperatura del diodo con ayuda de Boltzmann y T se tomó igual a 297°K. Así
un termómetro de Hg que se introdujo en el tubo tenemos los siguientes valores para la corriente
de ensayo a lado del diodo (figura 3). Se varió la inversa de saturación Io y η respectivamente:
temperatura desde la temperatura ambiente hasta
una temperatura cercana al punto de ebullición del 𝐼𝑜 = 2.596 mA
agua en un ΔT=3°C. Se tomó lectura del voltaje 𝜂 = 1.55
correspondiente. En cada lectura se ajustó la
corriente al valor constante fijado. Graficamos T
vs V, realizamos el ajuste lineal y obtuvimos la 9
ecuación de la curva. 8
7
6
Corriente I [mA]

5
4
3
2
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8
Voltaje de diodo Vd [V]

Fig 4. Arreglo completo para la segunda parte del Fig 5. Gráfica Voltaje de diodo Vd [V] vs corriente de diodo
experimento. De derecha a izquierda se muestra fuente de I [mA]. Mediciones realizadas a temperatura ambiente de
voltaje directo, amperímetro y voltímetro, arreglo del diodo 297°K.
sumergido en baño maría.
 14
12 0.72
Ln ( I *10^4) [mA]

10 0.7

Voltaje del diodo Vd [V]

8 0.68
6 0.66
4 0.64
2 0.62
0
0.6
0.1 0.3 0.5 0.7 0.9
Voltaje de diodo Vd [V] 0.58
290 310 330 350 370
Fig 6. Gráfica voltaje de diodo Vd [V] vs ln(I*10^4)[mA].
Temperatuta T [°K]
Mediciones realizadas a temperatura ambiente de 297°K. Se
muestra la línea de tendencia de la curva. Fig 7. Gráfica temperatura de diodo [°K] vs voltaje de
diodo Vd [V]. Se muestra también la línea de tendencia de la
curva.
El valor de η con la tabla 1 vemos que el valor
que obtuvimos sugiere que se puede tratar de Ge o
de Si. Nuestro valor pudo haber variado pues la Cada punto de la gráfica corresponde a un valor
temperatura no era exactamente de 300°K, sin de la energía de brecha Eg a una temperatura
embargo ya que η sí está entre 1 y 2 podemos específica.
considerarlo un valor consistente.
En T=0°K, Eg=1.16eV
TABLA 1 En T=300°K, Eg=0.68eV
CONSTANTES DE ALGUNOS DIODOS
SEMICONDUCTORES 2 Y derivando la ecuación obtenida tenemos que el
coeficiente de temperatura es:
𝑑𝑉
𝑑𝑇
= −1.6 mV/°K

Comparando estos valores con los de la tabla 1

vemos que probablemente se trate de Ge el material
del cual está constituido en diodo que utilizamos. Si
ese es el caso, el valor obtenido presenta un error
B. Determinación de Eg y el coeficiente de porcentual de 14.4%, el cual es un error
temperatura del diodo. relativamente grande.

Se tomó un valor constante para la corriente de IV. CONCLUSIONES

I=6.71mA que correspondía al valor de la
corriente cuando el voltaje del diodo era igual a Se obtuvieron las constantes características de un
0.7 V. semiconductor. Comparando con los valores de la
Se obtuvo la siguiente gráfica de T vs Vd. La tabla 1, podemos suponer que el material del cual
tabla con las lecturas registradas se muestran en el está formado el diodo utilizado es Ge. En
apéndice A. particular el valor de Eg cuando T=300°K
Se realizó el ajuste lineal de la curva y se obtuvo coincide con el valor de Eg del Ge de la tabla con
la siguiente ecuación: un error de 1.49%, lo cual es un valor muy
aceptable.
Vd = -0.0016T + 1.1609
Por otra parte, comprendimos mejor qué es un REFERENCIAS
semiconductor y el papel que juega la brecha de
[1] Carlos A. Vargas “La brecha de energía de un
energía en el comportamiento de éste. semiconductor”, 2006.
V. CUESTIONARIO [2] I. Rojas, Cesar Mora, H.J. Herrera Suárez.
“Bandas de energía, origen y consecuencias”, Lat.
1. Explique brevemente porqué los niveles de Am. J. Phys. Educ. Vol 1, No. 1, Sept 2007.
energía de un átomo se convierten en bandas [3] https://es.wikipedia.org/wiki/Banda_prohibida
de energía en un sólido. [4] https://www.physics-and-radio-
En un átomo aislado los electrones en cada órbita electronics.com/electronic-devices-and-
1
tienen una energía asociada definida. Pero en un circuits/introduction/energy-band-theory-in-
sólido los átomos están cerca los unos de los solids.html
otros, así, los niveles de energía de los electrones [5] http://pelandintecno.blogspot.com/2014/04/semico
nductores-intrinsecos-y.html
en la capa más exterior son afectados por los
[6] https://es.wikipedia.org/wiki/Banda_de_valencia
átomos vecinos.
Cuando dos átomos aislados se juntan entre sí, los
electrones un la capa más exterior de un átomo
experimentan una fuerza atractiva por los núcleos
atómicos vecinos más cercanos. Debido a esto, las
energías de los electrones no estarán en el mismo
nivel. Los niveles de energía de los electrones
cambian a un valor mayor o menor que el valor
original del nivel de energía del electrón.
Los electrones en la misma órbita tienen
diferentes niveles de energía. El conjunto de los
diferentes niveles de energía es lo que se llama
banda de energía.

2. Establezca la diferencia entre un conductor

intrínseco y extrínseco.
Un material semiconductor hecho sólo de un
único tipo de átomo, se denomina semiconductor
intrínseco. Mientras que un semiconductor
extrínseco es aquel que para mejorar las
propiedades de los semiconductores, se somete a
un proceso de impurificación (llamado dopaje),
que consistente en introducir átomos de otros
elementos con el fin de aumentar su
conductividad. Según la impureza (llamada
dopante) distinguimos: semiconductor tipo N y
semiconductor tipo P.

1
Imagen adaptada de:
https://es.wikipedia.org/wiki/Banda_prohibida

2
Los valores de esta tabla fueron adaptados por Carlos
A. Vargas de: 1.A. G. Thompson, M. Cardona, K. L.
Shaklee y J. C. Wooley, Phys. Rev. 146, 601 (1966). ;
2. B. E. Taylor, Am. J. Phys. 57, 1049 (1989).
 APÉNDICE A
Se muestran también los valores de voltaje de
A continuación se muestran los valores de
diodo aumentando la temperatura y manteniendo
corriente obtenidos para cada variación de voltaje
la corriente fija en 6.71mA
de diodo.

VALORES DE VOLTAJE DE DIODO AUMENTANDO

VALORES DE I AUMENTANDO EL VOLTAJE DEL
LA CORRIENTE I
DIODO
T [°K] V [V]
Voltaje [mv] Corriente [mA]
294.15 0.7
247 0.000124
298.15 0.693
275 0.000226
300.15 0.691
301 0.000419
303.15 0.686
327 0.000762
306.15 0.681
350 0.00136
309.15 0.675
375 0.00276 312.15 0.671
400 0.00538 315.15 0.666
425 0.01051 318.15 0.661
450 0.0215 321.15 0.656
476 0.0436 324.15 0.652
500 0.0814 327.15 0.647
525 0.15 330.15 0.642
550 0.271 333.15 0.637
575 0.476 336.15 0.633
600 0.811 339.15 0.628
625.7 1.425 342.15 0.623
650 2.441 345.15 0.619
675 4.294 348.15 0.615
701.4 7.855 351.15 0.61
354.15 0.606
357.15 0.602
. 360.15 0.596