Electrónica - I - Transistor BJT en DC

Ingeniería Aeronáutica y del Espacio Curso: 2022-2023
C/Conde de la Cimera 4 Asignatura: Electr.&Autom.

Tlfn: 91 543 75 48 Bloque: Electrónica BJT
www.academiamach.es Profesor: José Antonio
v Tema 4.a. Transistor BJT en DC

Ø El Transistor Bipolar de Unión (Bipolar Junction Transistor)
El transistor bipolar de unión es un dispositivo de 3 terminales fabricado con material semiconductor

en 3 zonas dopadas. Emisor, Base y Colector.
𝐼! = 𝐼" + 𝐼#
Ecuación del Transistor
𝑉!" − 𝑉!# + 𝑉"# = 0 𝑉"! − 𝑉#! + 𝑉#" = 0
Son dispositivos definidos por 6 variables eléctricas, 3 corrientes y 3 tensiones. Sin embargo poseemos
2 ecuaciones de ligadura, la ecuación del transistor (la de las corrientes) y la ecuación de la malla de
tensiones (que normalmente no usaremos puesto que 𝑉!" no es algo que se nos suela pedir).
Por lo tanto un transistor BJT queda perfectamente caracterizado con las 4 variables eléctricas
(𝑉!# , 𝐼! ) Característica de entrada (𝑉"# , 𝐼" ) Característica de salida
(*) En el caso del transistor PNP el signo de las tensiones y corrientes es opuesto.
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Ø Modelo lineal del NPN
Es de esperar que si un diodo formado por dos zonas semiconductoras dopadas presenta un
comportamiento no lineal, añadirle un tercer terminal no mejora la situación (de hecho se complica aún
más). Por lo tanto nos vemos obligados a crear un modelo circuital lineal para trabajar con los
transistores bipolares en unas condiciones aceptables.
Se va a relatar el modelo lineal del NPN puesto que es el dispositivo que aparece en la mayoría de las
aplicaciones al tener una ganancia en corriente sensiblemente mayor que el PNP. No obstante todo lo
relatado en los esquemas del NPN será absolutamente equivalente en el PNP, pero volteando el sentido
de las corrientes y las tensiones.
• Un único Modelo, 3 estados posibles. NPN.
Vamos a usar un único modelo lineal a trozos que describe el funcionamiento del NPN con 3
comportamientos posibles. Corte, Activa y Saturación. Al igual que hacíamos en diodos, el supuesto
estado presentará una hipótesis fija y un valor de comprobación que se obtiene a posteriori.
→ 𝐶𝑜𝑟𝑡𝑒
Hipótesis → 𝐼! = 0 , 𝐼" = 0 , 𝐼# = 0
Comprobación → 𝑉!# < 𝑉$
→ 𝐴𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎
Hipótesis → 𝑉!# = 𝑉$ , 𝐼" = 𝛽 · 𝐼!
Comprobación → 𝐼! > 0 , 𝑉"# > 𝑉"#,&'(
→ 𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛
Hipótesis → 𝑉!# = 𝑉$ , 𝑉"# = 𝑉"#,&'(
Comprobación → 𝐼! > 0 , 𝐼" < 𝛽 · 𝐼!
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Si nos fijamos en las hipótesis, por definición estamos fijando 2 de las características eléctricas del
transistor y debemos evaluar las otras dos, resolviendo el circuito al que está conectado.
• Los parámetros físicos del modelo lineal
En las ecuaciones del modelo lineal aparecen 3 parámetros físicos por construcción que definen al
transistor en corriente DC.
- Tensión de polarización de base-emisor → 𝑉$ ( Típicamente 0.7 𝑉)
- Ganancia en corriente → 𝛽 ( en torno a 100 )
- Tensión de colector-emisor de saturación → 𝑉"#,&'( ( Típicamente 0.2 𝑉)
Estos parámetros se deben dar como características del transistor en un ejercicio, aunque a veces las
tensiones de polarización si no se especifican se pueden asumir como las típicas.
Ø Punto de Trabajo. Recta de carga.
Para describir el comportamiento de un transistor NPN debemos reflejar las 4 variables del punto de
Trabajo ó Punto 𝑄 (𝑉𝐵𝐸 , 𝐼𝐵 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐶 ). Se suelen hacer en dos gráficos, salida y entrada:
Para poder dibujar una gráfica en la entrada se debe fijar un parámetro en la salida (normalmente
𝑉"# ) y de la misma forma en la gráfica de la salida (fijando 𝐼! ).
La representación de la característica de entrada nos recuerda enormemente al comportamiento de un

diodo real, sin embargo la característica de salida presenta unas curvas muy diferentes.
Vamos a estudiar en detalle el gráfico de la característica de Salida.
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La característica de salida la dividimos en 3 zonas. Esas 3 zonas corresponden a los 3

comportamientos descritos en el modelo lineal.
ZONA DE CORTE: es la zona en la que la corriente de colector es 0 independientemente del valor de la

tensión.
ZONA DE ACTIVA: las curvas de corriente son prácticamente planas, eso indica que la corriente de
colector obtiene un valor en función del parámetro fijado (la corriente de base) y a partir de ahí no
cambia aunque se aumente la tensión colector-emisor. 𝐼" = 𝛽 · 𝐼! .
ZONA DE SATURACIÓN: esta zona está caracterizada por tener una corriente de colector menor de la
que se podría esperar para una corriente de base dada 𝐼" < 𝛽 · 𝐼! . Cuanto mayor sea la corriente de base
más fácil es que el transistor se sature. La frontera entre ACTIVA y SATURACIÓN es más o menos
difusa, pero la fijamos en una vertical con valor 𝑉"#,&'( .
Este gráfico sigue un comportamiento fiel al experimento realista, sin embargo si suponemos un
modelo lineal del NPN vamos a tener curvas más abruptas de más fácil análisis.
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• Recta de carga. Circuito polarizado por divisor de tensión.
Una forma muy típica de poner en marcha un transistor NPN consiste en situarlo en medio de un
conjunto de 4 resistencias como se observa en la figura de la izquierda. Si queremos conocer cuánta
corriente entra en la Base y si realmente tiene una tensión Base-Emisor suficiente para ser polarizado
es muy útil realizar un equivalente Thèvenin en la Base que resulta ser un divisor de tensión entre R1 y
R2.
Al transformar el circuito de divisor de tensión obtenemos dos mallas circuitales independientes, una
para la entrada (𝑉!# , 𝐼! ) y otra para la salida (𝑉"# , 𝐼" ). Lo que facilita mucho el análisis.
(*) NOTA: en la obtención de la recta de carga del divisor de tensión los desarrollos que se efectúan en
las escuela ETSIAE (y se refleja en este gráfico) aproximan la corriente de emisor al valor de la
corriente de colector. Los cálculos no cambian demasiado, pero es importante reparar en ello.
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El punto Q se puede obtener mediante la intersección de la Recta de Carga y la característica. En

general nos preguntan mucho más dónde está el punto Q de la CARACTERÍSTICA de SALIDA.
(*) NOTA: todos los gráficos y circuitos se han considerado en DC, para el análisis de circuitos con
corriente alterna usaremos estos resultados y añadiremos nuevos conceptos como la pequeña señal.
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v Tema 4.a. Transistor BJT en DC

El transistor bipolar de unión es un dispositivo de 3 terminales fabricado con material semiconductor

𝑉!" − 𝑉!# + 𝑉"# = 0 𝑉"! − 𝑉#! + 𝑉#" = 0

(𝑉!# , 𝐼! ) Característica de entrada (𝑉"# , 𝐼" ) Característica de salida

Ø Modelo lineal del NPN

• Un único Modelo, 3 estados posibles. NPN.

Comprobación → 𝑉!# < 𝑉$

Hipótesis → 𝑉!# = 𝑉$ , 𝐼" = 𝛽 · 𝐼!

Comprobación → 𝐼! > 0 , 𝑉"# > 𝑉"#,&'(

Hipótesis → 𝑉!# = 𝑉$ , 𝑉"# = 𝑉"#,&'(

Comprobación → 𝐼! > 0 , 𝐼" < 𝛽 · 𝐼!

• Los parámetros físicos del modelo lineal

- Tensión de polarización de base-emisor → 𝑉$ ( Típicamente 0.7 𝑉)

- Ganancia en corriente → 𝛽 ( en torno a 100 )

- Tensión de colector-emisor de saturación → 𝑉"#,&'( ( Típicamente 0.2 𝑉)

Ø Punto de Trabajo. Recta de carga.

La representación de la característica de entrada nos recuerda enormemente al comportamiento de un

Vamos a estudiar en detalle el gráfico de la característica de Salida.

La característica de salida la dividimos en 3 zonas. Esas 3 zonas corresponden a los 3

ZONA DE CORTE: es la zona en la que la corriente de colector es 0 independientemente del valor de la

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