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    Curva Caracteristica Transistor Informe

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    Este informe de laboratorio describe la traza de la curva característica de salida de un transistor bipolar de unión NPN. Los estudiantes midieron las tensiones entre las uniones del transistor y trazaron gráficas de la corriente de colector frente a la corriente de base para diferentes valores de tensión colector-emisor, identificando las regiones de operación del transistor. El informe concluye que el transistor opera en la región de corte, saturación o activa dependiendo de si la corriente de base es cero o la máxima corriente de

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    Este informe de laboratorio describe la traza de la curva característica de salida de un transistor bipolar de unión NPN. Los estudiantes midieron las tensiones entre las uniones del transistor y trazaron gráficas de la corriente de colector frente a la corriente de base para diferentes valores de tensión colector-emisor, identificando las regiones de operación del transistor. El informe concluye que el transistor opera en la región de corte, saturación o activa dependiendo de si la corriente de base es cero o la máxima corriente de

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    UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE -

    LATACUNGA

    INFORME DE LABORATORIO
    CURVA CARACTERISTICA DEL TRANSISTOR
    Henrry Joel Cedeño Donoso, [email protected]
    Henry Gabriel Haro Díaz, [email protected]

    Electrónica Fundamental
    NRC 2571 - 2572

    1. INTRODUCCIÓN

    Simbología del Transistor. Correspondencia con lo real.

    El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de


    los terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificación y
    como interruptores.

    2. OBJETIVOS
     Trazar las curvas características del BJT.
     Identificar las regiones de operación de los transistores de unión bipolar.
    3. MATERIALES O EQUIPO
     Fuentes de alimentación DC de 5V a 20V / 1A., Multímetro.
     Transistores ECG123A o su equivalente
     Resistencias de 220Ω,22KΩ, de 1/4 W.
     Dos potenciómetros de 5 KΩ.
    4. INSTRUCCIONES
     Utilice un mandil.
     Verifique la disponibilidad de los equipos a usar en la práctica.
     Identificar el tipo de transistor y los terminales de cada uno, verificar que esté
    en buen funcionamiento.
     Preparatorio: Calcular los valores de P1 y P2 del circuito de la figura 1, para
    obtener las corrientes de base mostrados en la tabla 2 y los valores de VCE de
    la tabla 2.
    5. ACTIVIDADES POR DESARROLLAR
    Transistor NPN.
    1) Seleccione el transistor NPN y mida la tensión de las uniones E-B y C-B y
    llene en la Tabla 1.
    2) Repita las medidas para el transistor PNP
    Curva de salida del transistor NPN.

    En lugar de los medidores de corriente, colocar puentes de alambre. El P1 fijara


    la corriente de base, y P2 Fijara

    1) Retire el puente de la base e instale el multímetro configurado en µA, para


    medir corriente de base, gire lentamente P1 hasta obtener 150µA en la base.
    Retire el multímetro y reinstale el puente. Mida el voltaje entre base y
    emisor y registre en la tabla 2.
    2) Con el multímetro configurado en CC mida el voltaje entre colector y
    emisor. Gire P2 para obtener los valores de VCE de la tabla 2 o un
    aproximado.
    3) Retire el puente de colector e instale el multímetro configurado en mA, para
    medir la corriente de colector. Registre el valor en la tabla 2. Retire el
    amperímetro y coloque el puente.
    4) Repita los pasos, para IB desde 250µA a 0µA en pasos de 50 µA, en cada
    caso para diferentes valores de VCE desde 10V a 0V en pasos de 2V.
    6. RESULTADOS OBTENIDOS

    Tabla 1. Resistencia entre las Uniones.

    Tensión (Directa) (Directa) (Inversa) (Inversa)

    TRANSISTOR E-B C-B E-B C-B

    NPN 0.781 0.775 Infinito Infinito

    PNP --- --- --- ---

    Tabla 2. Curva Característica de salida del BJT NPN

    Vce = 0 V Vce = 2 V Vce = 4 V Vce = 6 V Vce = 8 V


    Ib Ic Vbe Ic Vbe Ic Vbe Ic Vbe Ic Vbe
    0 uA - 0.41 - 0.41 - 0.41 - 0.41 - 0.41
    50 uA 2.09 0.64 11.4 0.7 12 0.69 12.7 0.68 13.45 0.66
    100 uA 2.09 0.65 22.72 0.71 24.63 0.69 26.8 0.67 - -
    150 uA 2.09 0.681 10.03 0.727 37.4 0.69 - - - -
    200 uA 2.09 0.65 42.27 0.73 - - - - - -

    Ib = 50 uA

    Ib = 100 uA
    Ib = 150 uA

    Ib = 200 uA

    7. CONCLUSIONES
     El transistor BJT presenta tres regiones de trabajo: La región de corte, la
    región de saturación, la región activa.
     En la región de corte la corriente en el colector es aproximadamente cero,
    si la corriente en la base es cero.
     En la región de saturación la corriente en el colector es la máxima, si la
    para cualquier variación de la corriente de base.
     En la región Activa la corriente de colector está en función de la ganancia
    y la corriente en la base.
    8. RECOMENDACIONES
     Revisar la polarización de cada uno de los componentes antes de energizar
    el circuito.
     Revisar las conexiones del multímetro:
     En serie al circuito para medir corriente, con la escala mayor en la
    selección de amperios y el conector rojo lo más cercano a la polarización
    positiva.
     En paralelo al circuito para medir voltaje, con la escala mayor en la
    selección de voltios y el conector rojo lo más cercano a la polarización
    positiva.
    9. ANEXOS

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