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    Practica 2

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    DIABLO FALÚ
    Este documento describe una práctica de laboratorio sobre las características básicas de los transistores bipolares de unión (BJT). La práctica incluye experimentos para observar cómo varía la corriente de colector al cambiar la corriente y el voltaje de base, y para identificar dos fallas comunes en los transistores (unión C-E abierta y en corto) mediante mediciones de voltaje. También presenta un procedimiento rápido para verificar el estado de un transistor usando un multímetro.

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    Practica 2

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    DIABLO FALÚ
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    Este documento describe una práctica de laboratorio sobre las características básicas de los transistores bipolares de unión (BJT). La práctica incluye experimentos para observar cómo varía la corriente de colector al cambiar la corriente y el voltaje de base, y para identificar dos fallas comunes en los transistores (unión C-E abierta y en corto) mediante mediciones de voltaje. También presenta un procedimiento rápido para verificar el estado de un transistor usando un multímetro.

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    Este documento describe una práctica de laboratorio sobre las características básicas de los transistores bipolares de unión (BJT). La práctica incluye experimentos para observar cómo varía la corriente de colector al cambiar la corriente y el voltaje de base, y para identificar dos fallas comunes en los transistores (unión C-E abierta y en corto) mediante mediciones de voltaje. También presenta un procedimiento rápido para verificar el estado de un transistor usando un multímetro.

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    Practica 2

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    DIABLO FALÚ
    Este documento describe una práctica de laboratorio sobre las características básicas de los transistores bipolares de unión (BJT). La práctica incluye experimentos para observar cómo varía la corriente de colector al cambiar la corriente y el voltaje de base, y para identificar dos fallas comunes en los transistores (unión C-E abierta y en corto) mediante mediciones de voltaje. También presenta un procedimiento rápido para verificar el estado de un transistor usando un multímetro.

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    INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CIUDAD MADERO, TAM.

    DEPTARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA


    FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
    PRÁCTICA 2.- CARACTERÍSTICAS BÁSICAS DEL BJT
    INTRODUCCIÓN
    En un circuito de transistor polarizado por la base, la corriente de colector en reposo se
    determina con la corriente de base y la beta del transistor. Además, la corriente de base
    puede variarse al cambiar el voltaje de polarización base-emisor.
    En la Sección I de esta práctica, se verá cómo la corriente en un transistor varia al cambiar
    la cantidad de polarización directa de la unión base-emisor con su cambio correspondiente
    en la corriente de base.
    En la Sección II se analizarán dos de las fallas de transistor más comunes:
    La unión C-E abierta y la unión C-E en corto. También se aprenderá a realizar una medición
    rápida para determinar el estado de un transistor.
    OBJETIVOS
    • Observar el efecto de un cambio en el voltaje de polarización directa de la base en
    la corriente de colector.
    • Saber reconocer un transistor cortocircuitado o abierto usando mediciones de VCE
    • Aprender cómo hacer una verificación rápida del estado del transistor utilizando un
    óhmetro
    EQUIPO Y MATERIALES
    ✓ Fuente de alimentación de DC
    ✓ Multímetro digital
    ✓ Protoboard
    ✓ Transistor NPN, 2N3904 o equivalente
    ✓ Resistencias: 1 kΩ [2], 22 kΩ, 33 kΩ, 100 kΩ
    SECCIÓN I EXPERIMENTO FUNCIONAL
    1. Construya el circuito que se muestra en la Figura 1.

    2. Mida y registre los siguientes voltajes.


    VBE = ___________ VCE = __________

    3. Mida y registre las corrientes de colector y base.


    IC = __________ IB = __________

    4. Calcule los valores de la corriente del emisor y beta (β); y luego medir y registrar el valor
    de IE.
    Calculado:
    IE = ___________ βDC = __________
    Medido:
    IE = ___________

    5. Reemplace el RB de 33 kΩ con una de 22 kΩ, mida el VBE y la lE, y registre estos valores a
    continuación. Nota: El valor de V BE será pequeño, en el rango de 0.6 a 0.8 volts. Mida y
    registre el valor tan preciso como pueda.
    RB = 22 kΩ:
    VBE = __________ IC = __________

    6. Reemplace la RB de 22 kΩ con una de 100 kΩ; medir y registrar el VBE y la IC.


    RB = 100 kΩ:
    VBE = __________ IC= __________
    SECCION II SOLUCION DE FALLAS
    Falla 1 – cortocircuito en la unión C-E
    1. Simulará una falla en el transistor de cortocircuito entre el colector y el emisor
    colocando un trozo de cable del colector a la base y de la base al emisor.

    2. Energice el circuito y mida el VCE. Se deberá encontrar que este voltaje es muy bajo
    Recuerde: la caída de voltaje en un corto es idealmente cero volts.
    VCE = __________

    3. Retire el transistor y los cables de cortocircuito del circuito y verifique el V CE


    nuevamente. Ahora debería encontrar la caída de voltaje muy cerca del nivel de la
    fuente de alimentación (Recuerde: la fuente de voltaje estará presente a través de un
    circuito abierto)
    VCE = __________

    Probando un transistor con un Ohmetro


    Las verificaciones de voltaje son las pruebas más fáciles y que requieren menos tiempo
    para que un técnico las realice. La información obtenida de este tipo de prueba más el
    conocimiento de cómo funcionan el circuito y los componentes es esencial para solucionar
    problemas con éxito. Una vez que haya tomado la decisión de cambiar un transistor que
    no funciona, es bueno hacer una verificación rápida con un óhmetro para verificar que el
    transistor este dañado.
    El siguiente es un procedimiento de verificación rápida para determinar la condición de un
    transistor.

    PRECAUCIÓN:
    No utilice el rango muy bajo (R x 1 o R x 10) del óhmetro para la prueba de transistores. En
    algunos óhmetros, estos rangos pueden producir una corriente considerable que dañará
    un diodo o transistor. Si el óhmetro tiene un rango identificado para pruebas de diodo, use
    ese rango.

    1. Consulte la Figura a. Para un transistor NPN, conecta la terminal positiva del medidor
    de ohms a la base, y la terminal negativa al colector. Un transistor no dañado mostrará
    una lectura de baja resistencia.
    2. Consulte la Figura b. Dejando la terminal positiva en la base, coloque el cable negativo
    en el emisor. Esta también debe mostrar una lectura de baja resistencia para un
    transistor en buen estado.

    3. Consulte la Figura c. A continuación, coloque la terminal negativa en la base y la positiva


    en el colector. Esto debería mostrar una lectura de resistencia extremadamente alta en
    el óhmetro para transistor en buen estado.

    4. Dejando el cable negativo en la base, coloque el cable positivo en el emisor. Esto


    también debería mostrar una lectura de resistencia muy grande para un transistor en
    buen estado.
    La relación de resistencia directa a inversa para un transistor en buen estado debería
    ser 1000: 1. Para verificar un transistor PNP, simplemente invierta el proceso anterior.

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